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Fターム[4G072DD01]の内容

珪素及び珪素化合物 (39,499) | 粒径 (1,792) | 1mm以上 (84)

Fターム[4G072DD01]に分類される特許

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【課題】高温及び減圧の環境下での使用においても、気泡の発生又は膨張が少ない合成シリカガラス製品のための原料に適する、合成非晶質シリカ粉末及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の合成非晶質シリカ粉末は、造粒されたシリカ粉末に球状化処理を施した後、洗浄し乾燥して得られた平均粒径D50が10〜2000μmの合成非晶質シリカ粉末であって、BET比表面積を平均粒径から算出した理論比表面積で割った値が1.35を超え1.75以下、真密度が2.10g/cm3〜2.20g/cm3、粒子内空間率が0〜0.05以下、円形度が0.50以上0.75以下及び球状化率が0.20以上0.55未満であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高温及び減圧の環境下での使用においても、気泡の発生又は膨張が少ない合成シリカガラス製品のための原料に適する、合成非晶質シリカ粉末及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の合成非晶質シリカ粉末は、造粒されたシリカ粉末に球状化処理を施した後、洗浄し乾燥して得られた平均粒径D50が10〜2000μmの合成非晶質シリカ粉末であって、BET比表面積を平均粒径D50から算出した理論比表面積で割った値が1.00〜1.35、真密度が2.10〜2.20g/cm3、粒子内空間率が0〜0.05、円形度が0.75〜1.00及び球状化率が0.55〜1.00であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高温及び減圧の環境下での使用においても、気泡の発生又は膨張が少ない合成シリカガラス製品のための原料に適する、合成非晶質シリカ粉末及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の合成非晶質シリカ粉末は、造粒されたシリカ粉末を焼成し、この焼成したシリカ粉末に球状化処理を施した後、洗浄し乾燥して得られた平均粒径D50が10〜2000μmの合成非晶質シリカ粉末であって、BET比表面積を平均粒径D50から算出した理論比表面積で割った値が1.35を超え1.75以下、真密度が2.10〜2.20g/cm3、粒子内空間率が0〜0.05、円形度が0.50以上0.75以下及び球状化率が0.20以上0.55未満であり、炭素濃度が2ppm未満又は塩素濃度が2ppm未満のいずれか一方或いはその双方を満たすことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高温及び減圧の環境下での使用においても、気泡の発生又は膨張が少ない合成シリカガラス製品のための原料に適する、合成非晶質シリカ粉末及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の合成非晶質シリカ粉末は、造粒されたシリカ粉末に球状化処理を施した後、洗浄し乾燥して得られた平均粒径D50が10〜2000μmの合成非晶質シリカ粉末であって、BET比表面積を平均粒径D50から算出した理論比表面積で割った値が1.00〜1.35、真密度が2.10〜2.20g/cm3、粒子内空間率が0〜0.05、円形度が0.75〜1.00及び未溶解率が0.00〜0.25であることを特徴とする。 (もっと読む)


トリクロロシラン等の熱分解性を有したケイ素化合物から多結晶シリコンを生成する流動床リアクター・システムおよび分配器並びに方法が開示されている。この方法は、概して四ハロゲン化ケイ素を使用することによって、多結晶シリコンの生成の間リアクター壁上のケイ素付着物の低減を含んで成る。 (もっと読む)


【課題】粉砕効率が高い、アルミニウムを含むシリコン粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るシリコン粒子の製造方法は、アルミニウムを含むシリコン塊を加熱して600℃以上の温度にする前処理工程と、該シリコン塊を、600℃以上の温度に保持した状態で粉砕してシリコン粒子を得る粉砕工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】波長9μm前後の赤外線に対しても透過率が確保でき、広範囲な波長領域で使用可能な赤外線透過部材の素材として使用される赤外線透過部材用シリコン材料、及び、この赤外線透過部材用シリコン材料からなる赤外線透過部材を提供する。
【解決手段】赤外線を透過するレンズやプリズム等の赤外線透過部材の素材として使用される赤外線透過部材用シリコン材料であって、多結晶シリコンからなり、この多結晶シリコンの抵抗率が1Ωcm以上、かつ、酸素濃度が1.0×1018atoms/cc未満とされていることを特徴とする。 (もっと読む)


【解決課題】簡便且つ反応炉の炉壁を傷つけることなく、反応炉内に残留しているシリコン及び亜鉛を除去することが可能な亜鉛還元法による多結晶シリコン製造用の反応炉の洗浄方法を提供すること。
【解決手段】四塩化珪素と亜鉛を反応させて多結晶シリコンを生成させる反応炉の洗浄方法であって、該反応炉内を200〜1,000℃に加熱しつつ、塩素ガスを、四塩化珪素蒸気の供給管から供給し、排出ガスの排出管から排出して、該反応炉内に残留しているシリコン及び亜鉛と塩素ガスとを反応させ、残留物を除去することを特徴とする多結晶シリコン製造用の反応炉の洗浄方法。 (もっと読む)


外側表面及び内側の孔表面を有する処理された多孔質粒子であって、処理された多孔質粒子の外側表面の少なくとも一部分は疎水基を有し、内側の孔表面は親水性である。処理された多孔質粒子は、例えば乾燥剤として有用であり得る。吸収性物品(例えばおむつ及び生理用ナプキン)、並びに処理された多孔質粒子を含む吸収性物品の吸収性部品もまた開示される。
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【課題】簡単に任意の形状に製造することができ、物体音および/または衝撃音減衰に適しているエアロゲル粒子の使用法の提供。
【解決手段】エアロゲル粒子は、Si化合物を含有し、好ましくは特にSiO2を含有し、永続的に疎水性を示す表面基を有す。この粒子は60%以上の多孔度と0.6g/cm3以下の密度ならびに50μm〜10mmの粒径範囲にあり、マトリックスを形成する少なくとも1つの結合剤とともに結合物の形で使用される。 (もっと読む)


【課題】四塩化珪素を加水分解して合成シリカ粉を製造する方法において、生産性がよく、粒度の大きいシリカ粉を製造することができる合成シリカ粉の製造方法を提供する。
【解決手段】四塩化珪素を飽和塩酸によって加水分解してスラリー状の合成シリカを生成させ、この合成シリカスラリーを洗浄し、濾過してケーキ状になったスラリーを解砕し、これを押し固めて造粒した後に解砕し、乾燥して合成シリカ粉を製造する方法であって、極性非プロトン性の有機溶媒を混合した飽和塩酸に四塩化珪素を少量づつ添加して加水分解することを特徴とする合成シリカ粉の製造方法であり、好ましくは、水酸化アンモニウム1〜5%、および過酸化水素1〜5%を含有する純水を用いてスラリー状の合成シリカを洗浄した後に加圧する合成シリカ粉の製造方法。 (もっと読む)


【課題】四塩化珪素を加水分解し合成シリカ粉を製造する方法において、生産性がよく、粒度の大きいシリカ粉を製造することができる合成シリカ粉の製造方法を提供する。
【解決手段】無極性の有機溶媒に混合した四塩化珪素と飽和塩酸との反応によってスラリー状の合成シリカを生成させ、この合成シリカスラリーを洗浄し、濾過してケーキ状になったスラリーを解砕し、これを押し固めて造粒した後に解砕し、乾燥して焼成することを特徴とする合成シリカ粉の製造方法であり、好ましくは、水酸化アンモニウム1〜5%、および過酸化水素1〜5%を含有する純水を用いてスラリー状の合成シリカを洗浄した後に加圧する合成シリカ粉の製造方法。 (もっと読む)


【課題】大がかりな設備を用いずに、不純物汚染の少ない球状シリコン粒子を製造する。
【解決手段】発散コーン部11、収束コーン部12、発散コーン部11と収束コーン部12との接続部に形成されたスロート部13、および収束コーン部12から発散コーン部11へと浮遊ガスを供給するガス供給部14を備えるガス浮遊装置を用いて、浮遊ガスが供給されている発散コーン部11に、スロート部13の内径よりも小さい球状の熔解シリコン粒が形成される量のアスペクト比が1:1〜1:4である原料30を供給する原料供給工程と、浮遊状態の原料30を非接触加熱装置41により加熱して熔解する熔解工程と、熔解された原料30が浮遊状態のまま非接触加熱装置41の熱出力を下げ原料30を凝固させる凝固工程とを行って、シリコンまたはシリコン系半導体材料の球状シリコン粒子32を製造する。 (もっと読む)


【課題】四塩化珪素の加水分解によって高純度シリカ粒子を製造する方法において、生産性がよく、平均粒径が100μm以上の高純度シリカ粒子を製造することができる製造方法を提供する。
【解決手段】四塩化珪素の加水分解によって高純度のシリカ粒子を製造する方法において、四塩化珪素および純水を入れた反応容器に電極を設置し、加水分解によって生成する塩酸を電気分解して除去しながら、四塩化珪素の加水分解を進めることを特徴とする高純度シリカ粒子の製造方法であり、好ましくは、陽極に塩素発生過電圧の低い電極を用い、副生する塩酸を電気分解することによって反応液のpHを1.5以上に保持しながら加水分解を行う高純度シリカ粒子の製造方法。 (もっと読む)


【課題】不純物金属の珪素微粒子内への拡散が防止された、高純度の珪素微粒子を得ることができる珪素微粒子の製造方法を得ること。
【解決手段】珪素塊1を粉砕して珪素微粒子を得る珪素微粒子の製造方法であって、酸素を放出して珪素に対する酸化作用を有する酸化性液体4中において前記珪素塊1を粉砕することにより、粉砕された珪素微粒子の表面に酸化珪素膜を形成しながら前記珪素塊1を粉砕して前記珪素微粒子を作製する。これにより、粉砕時の珪素内への不純物の拡散を防止することができ、不純物金属の珪素微粒子内への拡散が防止された、高純度の珪素微粒子を得ることができる。 (もっと読む)


1つの実施形態では、本発明の方法は、少なくとも1種のシリコン源ガス及びポリシリコンシリコンシードを反応区域に供給するステップ;反応区域内で、少なくとも1種のシリコン源ガスの熱分解の反応平衡に実質的に到達して元素シリコンが生成するように少なくとも1種のシリコン源ガスをその反応区域内で十分な温度と滞留時間に維持するステップ(その少なくとも1種のシリコン源ガスの分解は、以下の化学反応:4HSiCl←→Si+3SiCl+2Hで進行するものであり、十分な温度は、約600℃〜約1000℃の温度範囲である);及びc)ポリシリコンシリコンシードに元素シリコンが蒸着されて被覆粒子が生成するようにその反応区域中に十分な量のポリシリコンシリコンシードを維持するステップ;を包含している。 (もっと読む)


【課題】四塩化珪素の加水分解によって高純度シリカ粒子の製造する方法において、生産性がよく、平均粒径が100μm以上の高純度シリカ粒子を製造することができる製造方法を提供する。
【解決手段】 四塩化珪素の加水分解によって高純度のシリカ粒子を製造する方法において、塩酸を抽出する難水相溶性の有機溶媒を反応溶液に予め混合し、反応液中の塩酸を該有機溶媒中に抽出して加水分解を行うことを特徴とする高純度シリカ粒子の製造方法であり、好ましくは、四塩化珪素の導入量が純水1リットルに対して1.5モル以上であり、生成したゲル中のシリカ含有量が5.0重量%以上であって、100μm以上の平均粒子径を有する高純度シリカ粒子を製造する方法。 (もっと読む)


【課題】 シリカゲルの用途の拡大を図るために、ケイ酸アルカリ溶液からシリカゲルを筒状又は板状に析出させることのできるシリカゲルの製法を提供することにある。
【解決手段】 ケイ酸アルカリ溶液のpH値を硫酸で11.0以上12.0以下に調整し、調整後のケイ酸アルカリ溶液を電気分解して陽極線の表面にシリカゲルを円筒状に析出させる。 (もっと読む)


本発明は、平均径が10〜120μmの範囲にあり、BET表面積が400〜800m/gの範囲にあり、気孔体積が0.3〜3.0cm/gの範囲にある、少なくとも一種の金属及び/又は半金属酸化物を含む球状ビーズであって、あるビーズのいずれの位置でのビーズ径も該ビーズの平均径から10%以上相違することがなく、該ビーズの表面が実質的に平滑であることを特徴とするビーズと、これらの球状ビーズ製造方法、該球状ビーズを含む粒子状触媒、および該球状ビーズの触媒または触媒担体としての利用に関する。 (もっと読む)


本発明は、シリコンを含有する溶融した二元若しくは三元の過共晶合金中又は精製したシリコン融液中で大型の高純度シリコン結晶を結晶化することを含み、小型のシリコン結晶を融液に加えて、結果として生じる大型のシリコン結晶を融液から分離することを特徴とする、太陽電池級シリコンの製造方法に関する。当該分離は、遠心分離又はろ過により行ってよい。 (もっと読む)


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