【課題】熱対流を用いた水熱合成法によって、容易にかつ育成期間の長期化を避けながら不純物の低減化を図ることができ、光学部材として好適な人工水晶を得ることのできる人工水晶の製造方法を提供する。
【解決手段】アルミニウムの含有量を２．７ｐｐｍ以下、ナトリウムの含有量を１．１ｐｐｍ以下、カルシウムの含有量を０．１ｐｐｍ以下、鉄の含有量を０．０４ｐｐｍ以下、リチウムの含有量を０．８ｐｐｍ以下に抑えた育成用原料を用い、そして水晶種子のＺ方向への成長速度を０．１ｍｍ／日以上０．３ｍｍ／日以下に設定して育成することにより、アルミニウム、ナトリウム、カルシウム、鉄、リチウムの量が、夫々０．０４２ｐｐｍ以下、０．００２１ｐｐｍ以下、０．０００５ｐｐｍ以下、０．０００４ｐｐｍ以下、０．０１１ｐｐｍ以下の光学部材用人工水晶が得られる。 （もっと読む）

【課題】廃スラリーから簡易に多くのシリコンを回収することができるシリコン再生装置を提供する。
【解決手段】本発明のシリコン再生装置は、砥粒とクーラントを含むスラリーを使用してシリコンを切断する切断装置又は研磨する研磨装置から排出された廃スラリー、又は前記廃スラリーが濃縮された廃スラリー濃縮分を固液分離してシリコン回収用固形分を取得する固液分離部と、第１洗浄部からの前記シリコン回収用固形分を溶融及び固化してシリコン含有塊を得る溶融部と、前記シリコン含有塊を破砕してシリコン含有破砕体を取得する破砕部と、前記シリコン含有破砕体を酸水溶液で洗浄しその後に水で洗浄する第２洗浄部を備える。 （もっと読む）

本発明は、多結晶シリコンロッドにおいて、該ロッドが、シリコンの５０〜９９％の電気伝導に利用される面積分を有するロッド横断面を有し、かつ、該ロッドが０．１〜８０Ｎ／ｍｍ²の曲げ強さを有することを特徴とするシリコンロッドに関する。 （もっと読む）

【課題】化学的に安定で、耐吸湿性にすぐれ、摩擦材の基材材料として好適な非晶質複合チタン酸アルカリ金属組成物を提供する。
【解決手段】一般式Ｍ₂Ｏ・ｎＴｉＯ₂（式中、Ｍはアルカリ金属元素の１種又は２種以上、ｎは１〜４の数）で表されるチタン酸アルカリ金属６０重量％以上、ＳｉＯ₂１０重量％以上を含み、Ｍ₂Ｏ／ＳｉＯ₂≦２.５である非晶質複合チタン酸アルカリ金属組成物であって、所望により、Ｂ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐ、Ｃａ及びＺｎからなる群から選択される少なくとも１種の元素の酸化物、及び／又は、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ及びＢａからなる群から選択される少なくとも１種の元素の酸化物を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】人工水晶育成時に留め金を結晶中に取り込み、かつ、留め金の掛止部が水晶の結晶から露出するようにした外形寸法が５ｃｍ未満の小型装飾用アズグロウン人工水晶及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｙ軸方向に形成した孔３ｃに留め具３ｄを取り付けた所定の形状の種水晶３ａを準備する工程と、前記留め具３ｄを取り付けた複数の種水晶３ａをオートクレーブの上部空間内に支持具に係合して吊下・支持する工程と、前記オートクレーブを所定の温度で加熱して前記オートクレーブの下部空間内に格納したラスカを育成溶液で溶解して前記種水晶３ａの表面にＳｉＯ₂分子を析出させて水晶を成長させる工程と、からなり、前記留め具３ｄの一部が水晶の結晶中に予め取り込まれ、かつ、前記留め具の掛止部が水晶の結晶から露出するようにアズグロウン人工水晶３ｂを製造する。 （もっと読む）

【課題】渦動床反応器中で反応ガスをシリコン顆粒に析出させることによって高純度のポリシリコン顆粒を連続的に製造する方法を提供する。
【解決手段】少なくとも２つの隣接する帯域からなる反応空間を備えた反応器において、下方の帯域はシリコン不含ガスを複数のできるだけ均一に分布したノズルを通してシリコン顆粒中に導入することによって弱く流動化され、上方の帯域は壁の外側に設けた加熱装置により加熱され、形成された反応帯域中にシリコン含有反応ガスは１つ以上のノズルにより上向きに垂直方向に向いたガス噴流よりも高速で噴入され、ノズルの上方で気泡を形成する渦動床によって包囲されて局部的な反応ガス噴流が形成され、反応ガス噴流の内部でシリコン不含ガスは粒子表面上で分解し、粒子の成長を生じ、反応ガスは殆んど化学的な平衡反応が静止するまで導入され、反応ガスに含まれるシリコンをシリコン顆粒に析出させる。 （もっと読む）

【課題】ウラン含有量と共にリン含有量についても制御を行い、半導体封止材に適用した場合に、より高い性能が実現できる金属ケイ素粉末を提供すること。
【解決手段】ウラン元素を質量基準で１０ｐｐｂ以下、リン元素を質量基準で１００ｐｐｍ以下、１ｐｐｍ以上含有することを特徴とする。球状シリカ粉末を製造して半導体封止材に適用する場合に、ウラン含有量を低減して用いるような高い性能が要求される用途であっても高い性能を発揮することが可能になる。具体的にはリンを所定範囲内に制御することで、球状シリカ粉末を製造した場合に、樹脂組成物を構成する有機樹脂材料に対する濡れ性を向上することが可能になると共に、樹脂組成物の電気伝導度を低減することが可能になっている。 （もっと読む）

【課題】大型で、格子欠陥や不均一性の少ない単結晶を容易かつ安価に製造することができる、コロイド結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】所定の温度においてコロイド結晶が析出するコロイド分散液を用意して容器に収容する（準備工程）。そして、容器に収容したコロイド分散液の全体を該コロイド結晶が析出しない温度に設定する（温度設定工程）。さらに、コロイド結晶が析出しない温度に設定されたコロイド分散液に対し、局所的に該コロイド結晶が析出する温度に設定する（結晶開始工程）。最後に、コロイド結晶が析出する温度に設定された範囲を徐々に拡大させて、コロイド結晶を成長させる（結晶成長工程）。 （もっと読む）

【課題】粗金属シリコンを溶融精製してなる一般工業材料および太陽電池材料として適度な純度を有する金属シリコンとその製造方法を提供する。
【解決手段】溶融粗金属シリコンを一方向凝固によって精製したものであって、３Ｎ以上〜６Ｎ以下の純度を有し、平均結晶粒径１mm以上であることを特徴とする金属シリコン、および微細シリカを内周層に含む容器に入れた溶融粗金属シリコンを１mm/min以下の速度で一方向凝固させ、引き続き２℃/min以下の速度で２００℃以下に冷却し、好ましくは、凝固速度０.１〜１mm/min、冷却速度０.１〜２℃/minで凝固冷し、３Ｎ以上〜６Ｎ以下の純度を有し、平均結晶粒径１mm以上の金属シリコンを製造する方法。 （もっと読む）

【課題】高純度のガスを３００〜１２００℃の温度に汚染なしに加熱するための方法を提供する
【解決手段】高純度のガスを０．１〜１０ｂａｒの圧力（絶対圧）で、ガスを汚染しない高純度の固形物を介して案内し、この場合、該固形物が、高純度の容器内に位置しており、該容器の壁が、赤外線放射に対して８５％よりも過度に多く透過性である材料から成っており、容器に赤外線放射によって照射し、これによって、固形物を加熱し、該固形物が、ガスを加熱するようにした。 （もっと読む）

【課題】工業生産により適したシリコンの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のシリコンの製造方法では、化学反応式（１）
【数１】


の右辺に反応が進む酸素濃度及び温度の反応条件で微粒子状のＳｉＯ₂を還元することによりシリコンを製造する。 （もっと読む）

【課題】費用をかけずに、低い酸使用量及び低いシリコン損失量で、多結晶シリコン破砕物を＜１００ｐｐｂｗ、有利に＜１０ｐｐｂｗの金属含有量にまで清浄化する方法を提供すること。
【解決手段】ポリシリコン破砕物を、ＨＦ及びＨ₂Ｏ₂を有する水性清浄化溶液中に入れ、前記水性清浄化溶液を除去し、こうして得られたポリシリコン破砕物を高純度の水で洗浄し、引き続き乾燥させる。 （もっと読む）

これらは、反応管の内壁面に堆積されたシリコン析出物を効果的に除去することで、反応器を長時間安定的に操作することができる流動層反応器を利用した粒状の多結晶シリコンの連続形成方法を提供する。本発明の方法は、（i）前記反応ガス供給手段により前記反応ガスを供給することで、反応ガスと接触するシリコン粒子の表面にシリコンが析出されると同時に、前記反応領域を取り囲む反応管の内壁面にシリコン析出物が堆積するシリコン粒子の形成工程；（ii）前記反応ガスを供給することを中断した後、前記反応管内部に残留するシリコン粒子の残留層の高さが前記出口の高さを超過しないようにシリコン粒子の一部を前記流動層反応器の外部に排出させるシリコン粒子の部分排出工程；及び（iii）前記シリコン析出物と反応して気相のシリコン化合物を生成させることができるエッチングガスを前記反応領域の空間に供給することで、シリコン析出物を除去するシリコン析出物の除去工程とを含む。
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【課題】 周囲の雰囲気に含まれる湿分を吸着して該雰囲気を所定の湿度に調整する、調湿剤用シリカゲルであって、高効率且つ高精度な調湿を実現でき、且つ、低コストで製造できるようにする。
【解決手段】 周囲の雰囲気に含まれる湿分を吸着して該雰囲気を所定の湿度に調整する、調湿剤用シリカゲルにおいて、（ａ）細孔容積が０．６〜２．０ｍｌ／ｇであり、（ｂ）比表面積が３００〜１０００ｍ²／ｇであり、（ｃ）細孔の最頻直径（Ｄ_max）が２０ｎｍ未満であり、（ｄ）直径がＤ_max±２０％の範囲内にある細孔の総容積が全細孔の総容積の５０％以上であり、（ｅ）非晶質であり、（ｆ）アルカリ金属及びアルカリ土類金属を除く不純物金属の総含有率が５００ｐｐｍ以下であり、（ｇ）固体Ｓｉ−ＮＭＲでのＱ⁴ピークのケミカルシフトをδ（ｐｐｍ）とした場合、δが下記式（Ｉ）を満足するようにする。
−０．０７０５×（Ｄ_max）−１１０．３６＞δ ・・・式（Ｉ） （もっと読む）

【課題】炭化水素中の硫黄分を効率よくｐｐｂレベルの低濃度まで除去し得て、かつ破過時間が延長された長寿命の炭化水素用脱硫剤を提供すること。
【解決手段】ニッケルを酸化物（ＮｉＯ）換算で５０〜９５質量％、モリブデンを酸化物（ＭｏＯ_３）換算で０．５〜２５質量％、及び無機酸化物を含有することを特徴とする炭化水素用脱硫剤。 （もっと読む）

【課題】クーラントが除去されたシリコン含有材料を回収する方法を提供する。
【解決手段】本発明のシリコン含有材料の回収方法は，水溶性クーラント，砥粒及びシリコン粒を少なくとも含有する，シリコンウエハの製造プロセスでの使用済みスラリーから水溶性クーラントを予め除去することによって固形分を得て，その固形分から，水溶性クーラントに対し相溶性を有しかつ水溶性クーラントよりも沸点が低い低沸点有機溶媒を用いて前記固形分中に残留する水溶性クーラントを抽出し，抽出に用いた低沸点有機溶媒を遠心分離によって除去し，遠心分離により得られる固形分を回収することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】クーラントが除去されたシリコン含有材料を回収する方法を提供する。
【解決手段】本発明のシリコン含有材料の回収方法は，水溶性クーラント，砥粒及びシリコン粒を少なくとも含有する，シリコンウエハの製造プロセスでの使用済みスラリーから水溶性クーラントを予め除去することによって固形分を得て，その固形分から，水溶性クーラントに対し相溶性を有しかつ水溶性クーラントよりも沸点が低い低沸点有機溶媒を用いて前記固形分中に残留する水溶性クーラントを抽出し，抽出に用いた低沸点有機溶媒を濾過によって除去し，濾過により得られる固形分を回収することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、出発材料を破砕することにより、前記出発シリコン材料を回収および／またはリサイクルするための方法に関する。回収またはリサイクルされた材料は溶融され、結晶は、例えばシリコンブロック、チューブ、またはストリップとして得られた融液から成長する。何の問題もなく同じものを搬送するために高いアスペクト比を有する出発材料を用いることを可能にするために、５＜Ａ_I≦３０のアスペクト比Ａ_Iを有する粒子を含有する、破いた多結晶ニードル状Ｓｉ材料（材料Ｉ）を出発材料として用いる。材料Ｉを、破砕した粒子（材料ＩＩ）が実質的にＡ_II＜３のアスペクト比を有するように破砕する。あるいは、砕いたＳｉウエハを用い、これは、破砕した粒子（ＩＩＩ）が本質的にＡ_III＜３のアスペクト比を有するように破砕した層状粒子から成る。
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本発明は、（ａ）反応管と、（ｂ）反応管を取り囲む反応器シェルと、（ｃ）シリコン粒子層が形成されシリコン析出が起きる反応管内に形成される内部領域、及び不活性ガス雰囲気下に維持される反応器シェルと反応管の間に形成される外部領域と、並びに（ｄ）内部領域と外部領域との間の圧力差が０バール（ｂａｒ）以上１バール以下の範囲内に維持される制御手段と、を備え、それによって、比較的高反応圧力下であっても反応管の物理的安定性を維持し、粒状多結晶シリコンを効率的に製造可能とする粒状多結晶シリコン製造用高圧流動層反応器に関する。
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高純度の半導体グレードの顆粒状シリコン、及びそのような顆粒状シリコンを製造する方法を開示する。第１の化学気相蒸着（ＣＶＤ）反応装置内で、シリコン・シードにシリコンをデポジットさせ、それによってシードをより大きな二次シードに成長させて、商業的品質の顆粒状シリコンを製造することができる。第２の化学気相蒸着反応装置内で、二次シードに追加のシリコンをデポジットさせる。この明細書に記載する方法を用いて、常套の方法よりも高いスループット及びより良い収率を達成することができる。
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