【課題】流動層でアルミニウム粉末を珪素化合物ガスとを反応させてシリコンを製造する方法において、流動層内の析出シリコンを効率的に回収することに適したシリコンの製造方法を提供する
【解決手段】アルミニウム粉末を流動化させた流動層反応器に下記一般式（１）で表されるハロゲン化珪素ガスを供給し、アルミニウムの融点未満の反応温度において、アルミニウム粉末によりハロゲン化珪素を還元してシリコンを製造する方法であって、表面にシリコンを析出させるための部材を前記流動層反応器内に設置するシリコンの製造方法。
ＳｉＨ_nＸ_4-n 式（１）
（式中、Ｘは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子および沃素原子から選ばれた１種または２種以上のハロゲン原子を表し、ｎは０または１〜３の整数を表す。） （もっと読む）

本発明は、ヒドリドシランとして実質的に少なくとも１種のシリコン原子最大２０個を有する非環状ヒドリドシランを包含する組成物を、触媒の不在下で２３５℃より小さい温度で熱により反応させる、ヒドリドシランをオリゴマー化する方法、前記方法に従って製造可能なオリゴマー及びその使用に関する。 （もっと読む）

トリクロロシラン等の熱分解性を有したケイ素化合物から多結晶シリコンを生成する流動床リアクター・システムおよび分配器並びに方法が開示されている。この方法は、概して四ハロゲン化ケイ素を使用することによって、多結晶シリコンの生成の間リアクター壁上のケイ素付着物の低減を含んで成る。 （もっと読む）

本発明は、長鎖ハロゲン化ポリシランの熱分解により、短鎖ハロゲン化ポリシラン、ならびに／または短鎖ハロゲン化ポリシランおよびハロゲン化物含有ケイ素を製造するための方法および装置に関する。低分子ハロシランで希釈された長鎖ハロゲン化ポリシランの熱分解がハロシランの雰囲気下で行われることにより、簡単で費用対効果の高い方法で、工業的な規模でそのような生成物を確実に製造する。
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本発明は、水素化ポリゲルマシランを純粋な化合物または化合物の混合物として製造するための方法であって、ハロゲン化ポリゲルマシランが水素化される方法に関する。本発明はまた、水素化ポリゲルマシラン、該水素化ポリゲルマシランから製造されるゲルマニウム層、およびかかる層を製造するための方法にも関する。 （もっと読む）

反応器ボリュームを備える、シリコンの生産のための反応器であって、反応器は、化学蒸着（ＣＶＤ）用のシリコン含有反応ガスを反応器ボリュームの内側に回転状態で設定するための少なくとも１つの手段を備えるか、または当該少なくとも１つの手段が有効に配置されることを特徴とする。シリコンの生産のための方法。 （もっと読む）

本発明は、ハロゲンシランからヒドリドシランを製造するための方法において、ａ）ｉ）一般式Ｓｉ_nＸ_2n+2［式中、ｎ≧３であり、かつＸ＝Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及び／又はＩである］の少なくとも１のハロゲンシランと、ｉｉ）一般式ＮＲＲ’_aＲ’’_bＹ_c［式中、ａ＝０又は１であり、ｂ＝０又は１であり、かつｃ＝０又は１であり、かつ式（Ｉ）であり、その際、ａａ）Ｒ、Ｒ’及び／又はＲ’’は、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アルキル、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アリール、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アラルキル、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アミノアルキル、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アミノアリール、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アミノアラルキルであり、かつ／又は、基Ｒ、Ｒ’及びＲ’’のうち２つ又は３つは、ｃ＝０である場合には、一緒になって、Ｎを含む環式又は二環式、複素脂肪族又は複素芳香族系を形成するが、但し、基Ｒ、Ｒ’又はＲ’’のうち少なくとも１つは−ＣＨ₃ではなく、かつ／又は、ｂｂ）Ｒ及びＲ’及び／又はＲ’’は、（ｃ＝１である場合には）−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アルキレン、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アリーレン、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アラルキレン、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−ヘテロアルキレン、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−ヘテロアリーレン、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−ヘテロアラルキレン及び／又は−Ｎ＝であるか、又は、ｃｃ）（ａ＝ｂ＝ｃ＝０である場合には）Ｒ＝≡Ｃ−Ｒ’’’（但し、Ｒ’’’＝−Ｃ₁〜Ｃ₁₀−アルキル、−Ｃ₁〜Ｃ₁₀−アリール及び／又は−Ｃ₁〜Ｃ₁₀−アラルキルである）である］の少なくとも１の触媒とを、一般式Ｓｉ_mＸ_2m+2［式中、ｍ＞ｎであり、かつＸ＝Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及び／又はＩである］の少なくとも１のハロゲンシランとＳｉＸ₄［式中、Ｘ＝Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及び／又はＩである］とを含む混合物の形成下に反応させ、かつ、ｂ）一般式Ｓｉ_mＸ_2m+2の少なくとも１のハロゲンシランを、一般式Ｓｉ_mＨ_2m+2のヒドリドシランの形成下に水素化することを特徴とする方法、該方法により製造可能なヒドリドシラン及びその使用に関する。
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【課題】モノシランの精製方法を提供する。
【解決手段】（１）モノシラン及びエチレンを含有する原料から分別蒸留工程を用いて不純物を除去する工程；及び（２）前記工程（１）で精製された原料を活性炭に通過させ、エチレン及び残余不純物を除去する工程；を含むモノシランの精製方法を提供するものである。本発明によると、活性炭を用いて分別蒸留によって分離され難いエチレンを選択的に吸着除去することによって追加副産物の生成無しに、より簡単で効率的に高純度のモノシランを提供できる。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１種の無機シラン及び少なくとも１種の異種金属及び／又は異種金属を含有する化合物を含有する組成物を、前記組成物を少なくとも１種の有機アミノ官能化ポリマー吸着剤と接触させ、かつ異種金属及び／又は異種金属を含有する化合物の含量が低下されている組成物を取得することにより、処理する方法、並びに無機シランの組成物中の異種金属及び／又は異種金属を含有する化合物の含量の減少のための吸着剤の使用に関する。 （もっと読む）

シリコン顆粒は、流動層反応器内のチャンバの内部での種粒子上への化学気相成長によって製造されている。チャンバは妨害部材又は気泡破砕装置を含む。妨害部材又は気泡破砕装置はチャンバ内部での気泡の成長を制限する大きさ及び形状を有するとともに、加熱された流体を通して熱をチャンバ内部のガスに伝達する内部通路を有する。
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【課題】安定した生産が可能となり、しかも、高純度のシリコンを得ることのできる製造方法を提供する。
【解決手段】酸素の質量分率が５ｐｐｍ以下の金属と下記式（１）で示されるハロゲン化シランとを接触させることにより、前記ハロゲン化シランを還元してシリコンを得る工程を備えるシリコンの製造方法である。
ＳｉＨ_ｎＸ_４−ｎ （１）
［式中、ｎは０〜３の整数；Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選択された原子をそれぞれ示す。ｎが０〜２のとき、Ｘは互いに同一でも異なっていてもよい。］ （もっと読む）

【課題】ハロゲン化シランの還元反応において反応率を向上させることができるシリコンの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のシリコンの製造方法は、下記式（１）で示されるハロゲン化シランと還元剤とを反応させてシリコンを製造する方法であって、シリコンの融点以上でハロゲン化シランと還元剤とを反応させて、液状のシリコンを生成させる工程を備える。
ＳｉＨ_ｎＸ_４−ｎ （１）
［式中、ｎは０〜３の整数；Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選択された原子をそれぞれ示す。ｎが０〜２のとき、Ｘは互いに同一でも異なっていてもよい。］ （もっと読む）

【課題】本発明は、鉄シリサイドナノワイヤの製造方法に関する。
【解決手段】本発明の鉄シリサイドナノワイヤの製造方法は、ヒート炉及び反応室を含む生長装置を提供する第一ステップと、鉄板を提供し、該鉄板を前記反応室に置く第二ステップと、前記反応室に珪素ガスを導入し、該反応室を６００℃〜１２００℃程度に加熱して、前記鉄板に鉄シリサイドナノワイヤを生長させる第三ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】高純度シリコンの新規で安価な製造方法、特に太陽電池用原料として好適に用いられる高純度シリコンの新規で安価な製造方法を提供する。
【解決手段】下式（１）で表されるハロゲン化珪素を下式（２）で表されるアルミニウムサブハライドで還元することを特徴とするシリコンの製造方法。
ＳｉＨ_nＸ_4-n： （１）
ＡｌＨ_mＸ_3-p-m： （２）
（式中、ｎは、０または１〜３の整数であり、ｍは０または１であり、ｍが０のときｐは１または２、ｍが１のときｐは１であり、Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩからなる群から選ばれた１種または２種以上のハロゲン原子である。） （もっと読む）

【課題】シリコンを効率的に製造する方法、特に太陽電池の製造に適したシリコンを効率的に製造する方法を提供すること。具体的には、ハロゲン化シランの金属による還元反応において、高い反応率を示す多結晶シリコンの製造方法を提供すること。
【解決手段】下式（１）で示されるハロゲン化シランを金属により還元するシリコンの製造方法であって、金属の融点未満の温度Ｔ１において、金属の粒子とハロゲン化シランとを接触させてシリコンを得る第一工程と、第一工程の後に、金属の融点以上の温度Ｔ２において、金属の残存物とハロゲン化シランとを接触させてさらにシリコンを得る第二工程と、を備える。
ＳｉＨ_nＸ_4-n （１）
[式中、ｎは０〜３の整数；Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選択された原子
をそれぞれ示す。ｎが０〜２の時、Ｘは互いに同一でも異なっていてもよい。] （もっと読む）

【課題】従来技術において使用された電磁分離法やシランガスを原料として用いることなく、原料と同等の同位体組成を持つ平滑なシリコンおよび同位体濃縮シリコン薄膜を製造する方法を提供する。
【解決手段】ハロゲン化シリコンあるいはシリコンの同位体を濃縮したハロゲン化シリコンを原料として用い、水素と反応させることにより、基板上に、シリコン薄膜または同位体濃縮シリコン薄膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム融液(2)に溶解したシリコンを晶出させて得た固体シリコン(1)を、アルミニウム融液(2)から容易に分離して取り出すことのできる固体シリコン(1)の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の製造方法は、アルミニウム融液(2)に冷却体(3)を接触させ、この冷却体の表面に上記シリコンを固体シリコン(1)として晶出させることを特徴とする。通常アルミニウム融液におけるシリコン含有量はアルミニウムおよびシリコンの合計含有量１００質量部あたり２０〜６０質量部であり、アルミニウム融液の温度(Ｔ₂)は(液相線温度Ｔ_L−１０℃)以上、(Ｔ_L＋１５０℃)以下であり、冷却体の温度(Ｔ₃)は共晶温度(Ｔ_C)を超え、Ｔ_L未満である。アルミニウム融液(2)は、例えば式（Ｉ）
ＳｉＨ_nＸ_4-n （Ｉ）
で示されるハロゲン化ケイ素を加熱溶融状態の金属アルミニウム中に吹き込む方法により得る。 （もっと読む）

本発明は混合されたリチウムケイ酸塩に関するものであり、混合されたケイ酸塩は次の式で表され、Ｌｉ₂Ｍ^II_I(1x)Ｍ^III_xＳｉＯ₄（ＯＨ）_x （Ｉ）、０≦ｘ≦１であり、ＭはＦｅ、Ｃｏ、Ｍｎ又はＮｉである。それらは実質的に球状の形で、合着していない粒子で、４００〜６００ｎｍの大きさであり、その構造は空間群Ｐｎａ２₁又は空間群Ｐｃｃｎに属することを特徴とする。ケイ酸塩は、前駆物質から、遠心分離によって、水溶液中に得られる。それらは電気化学的な装置の電極の活性物質として用いることができる。 （もっと読む）

【課題】 同位体交換反応法に於いてより簡便で安定した系を採用することにより、シリコンの同位体濃縮を低コストで大量に行うことが可能な同位体濃縮方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る同位体濃縮方法は、Ｈ_２Ｏ−Ｈ_２ＳｉＦ_６・ｎＳｉＦ_４（式中、ｎ≧０である。）の２成分を少なくとも含む水溶液と、前記ＳｉＦ_４を含む気体との間での同位体交換により、前記Ｓｉの安定同位体を濃縮することを特徴とする。 （もっと読む）