【課題】多結晶シリコンを所望の大きさの塊に破砕するとともに、歯の一部に欠けや摩耗等が生じた場合に、その歯のみを交換可能とする。
【解決手段】平行な軸心回りに互いに逆回転する一対のロール間に塊状の多結晶シリコンを挟み込んで破砕する多結晶シリコンの破砕装置であって、ロールの外周面上に、複数の破砕歯５とこれら破砕歯５をロールの外周面上に固定する固定カバー１１とを有する破砕歯ユニット８がロールの周方向に並んで複数設けられており、破砕歯５は、その基端部に拡径したつば部１４が形成され、固定カバー１１は、ロールの長手方向に沿う短冊状に形成されるとともに、厚さ方向に貫通する破砕歯固定孔２１が長手方向に並んで複数形成され、破砕歯５の先端部を破砕歯固定孔２１からロールの半径方向外方に突出させつば部１４をロールとの間に挟持した状態でロールに固定されている。 （もっと読む）

【課題】高容量と良好なサイクル特性を実現するリチウムイオン二次電池用の負極材料を得る。
【解決手段】連続する空孔を有し、三次元網目構造を有する多孔質シリコン粒子であって、前記空孔が、前記多孔質シリコン粒子を貫通し、前記空孔内に、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｃのいずれか１つ以上の導電性元素の単体又は合金を有することを特徴とする多孔質シリコン粒子である。前記導電性元素の単体又は合金が、前記空孔内の表面の少なくとも一部を被覆するか、前記空孔内の少なくとも一部に充填されていることが好ましい。また、このような多孔質シリコン粒子は、多孔質シリコン粒子への無電解メッキ、置換メッキ、炭素コーティングにより作製される。 （もっと読む）

【課題】新規な遷移金属シリサイド−Ｓｉ複合材料及びその製造方法、並びに、このような遷移金属シリサイド−Ｓｉ複合粉末を製造することが可能な遷移金属シリサイド−Ｓｉ複合粉末製造用ＣａＳｉ_y系粉末及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】１種又は２種以上の遷移金属元素（Ｍ）を含み、Ｓｉ／Ｍ比（ｚ）が２．０≦ｚ≦２０．０であり、比表面積が２．５ｍ²／ｇ以上である遷移金属シリサイド−Ｓｉ複合粉末及びその製造方法。Ｓｉ／Ｃａ比（ｗ）が２．０≦ｗ≦２０．０であり、少なくともＣａシリサイド相を含む遷移金属シリサイド−Ｓｉ複合粉末製造用ＣａＳｉ_y系粉末及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】 不純物汚染防止及び離型性に優れ、結晶粒の大きさ及び結晶軸方位が揃った多結晶シリコンインゴットを製造することができる、きわめて低コストの多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器を提供する。
【解決手段】 シリコン融液を凝固して多結晶シリコンインゴットを製造するための角形シリカ容器であって、多孔質シリカからなる平行平板状の多孔質シリカ板体を組み合わせて構成されたものであり、少なくとも前記角形シリカ容器の側部をなす前記多孔質シリカ板体における両平行平面の表面部分のかさ密度が、前記角形シリカ容器の内表面部分よりも外表面部分において高く、前記角形シリカ容器の底部をなす前記多孔質シリカ板体の内表面部分は、溝又は穴を所定間隔で複数有しており、前記溝又は穴の側面の少なくとも一部が、鉛直方向に対して１５〜６０°の角度をなす斜面で形成されている多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器。 （もっと読む）

【課題】表面ダストの含量が少なくコスト的に好ましい多結晶シリコンを提供する。
【解決手段】多結晶シリコン破砕破片を含有する多結晶シリコンであって、前記破砕破片の少なくとも９０％が明細書中に記載のサイズを有する前記多結晶シリコンにおいて、シリコンダスト粒子の割合が、４００μｍ未満の粒子サイズについては１５ｐｐｍｗ未満であり、５０μｍ未満の粒子サイズについては１４ｐｐｍｗ未満であり、１０μｍ未満の粒子サイズについては１０ｐｐｍｗ未満であり、かつ１μｍ未満の粒子サイズについては３ｐｐｍｗ未満であることと、さらに、金属による表面汚染が、０．１ｐｐｂｗ以上で１００ｐｐｂｗ以下であることと、を特徴とする前記多結晶シリコンによって解決される。 （もっと読む）

【課題】粒子径のそろった珪素微粒子を効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明は、不活性雰囲気下において、珪素源と炭素源とを含む混合物を焼成する焼成工程と、混合物を焼成することにより生成した気体を急冷し、珪素微粒子と酸化珪素とを含んだ複合粉体を得る急冷工程と、酸化雰囲気下において、複合粉体を加熱する加熱工程と、加熱された複合粉体から一酸化珪素及び二酸化珪素を除去する除去工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】 シリコン融液及び多結晶シリコンインゴットへの不純物汚染を抑制しながらも、離型性に優れた、きわめて低コストの多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器を提供する。
【解決手段】 シリコン融液を収容した後凝固して多結晶シリコンインゴットを製造するための角形シリカ容器であって、多孔質シリカからなる平行平板状の多孔質シリカ板体を組み合わせて構成されたものであり、前記多孔質シリカ板体の両平行平面の表面部分のかさ密度が、前記角形シリカ容器の内表面部分よりも外表面部分において高い多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器。 （もっと読む）

【課題】体積の均一な球状の半導体材料を提供する。
【解決手段】板状の半導体材を分割し複数の半導体分割片を形成する第一の工程と、半導体分割片のそれぞれを、複数の装填部を有する基材の各装填部内に装填する第二の工程と、装填部内に装填された半導体分割片を加熱して、装填部内で融解した後に、融解された溶融体を冷却して固化する第三の工程と、を有している製造方法とした。これによって、板状の半導体材を分割し、半導体分割片にする事により、それぞれの半導体分割片の体積のバラツキを抑える事ができ、粉体を用いる場合と比較して、融解、固化され得られた球状の半導体材の体積を均一にできる。この事により、光−電気変換性能を一定にする事ができ、球状半導体型太陽電池モジュールの組立工程での工程不良や、外観不良を低減できる。 （もっと読む）

【課題】原料のルツボ内への供給時における金属の持ち込みを極力少なくすることができる多結晶シリコンの鋳造方法を提供する。
【解決手段】無底の冷却ルツボを用い、電磁誘導により多結晶シリコンを連続的に鋳造する多結晶シリコンの鋳造方法であって、原料として、最大粒径が４０ｍｍであり、かつ、粒径が０．６ｍｍ〜３ｍｍのものが０〜４０％、粒径が３ｍｍを超え４０ｍｍ以下のものが１００〜６０％である高純度シリコンを使用する。これにより、重金属による汚染が少なく、良好な変換効率を維持できる太陽電池の基板材としての多結晶シリコンを、簡素で小型の原料供給配管を採用した電磁鋳造装置を使用して容易に製造することができる。 （もっと読む）

【課題】生産効率の良いＳｉ系材料の製造方法を提供する。
【解決手段】炭素系るつぼ１２、または、炭素系サセプタ１６内に配置した耐熱ガラスるつぼ１８内に純Ｓｉまたは純Ｓｉおよび下記合金原料Ｘを投入し、高周波誘導加熱により炭素系るつぼ１２または炭素系サセプタ１６を加熱して、るつぼ１２、１８内の純Ｓｉまたは純Ｓｉおよび下記合金原料Ｘを溶解し、溶湯１４を得る工程と、合金原料Ｘ：長周期型周期表の２Ａ族元素、遷移元素、２Ｂ族元素、３Ｂ族元素、および、４Ｂ族元素から選択される１または２以上の元素、アトマイズ法またはロール急冷法を用いて、溶湯１４からＳｉ系材料を得る工程とを有する製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】サイクル特性に優れた非水電解質二次電池を与える正極活物質を提供することを課題とする。
【解決手段】ＬｉＦｅ_1-xＭ_xＰ_1-yＳｉ_yＯ₄（但し、式中、Ｍは、３〜１４族から選択される少なくとも１種であり、０＜ｘ＜１であり、０＜ｙ＜１である）
で表される単位格子を有するリチウム含有金属酸化物であり、０．３０°以上の（０１１）面の回折ピークの半値幅を有するとともに、一般式（１）で表される物質の単位格子が、２９１．４〜３００．０ųもしくは２８５．０〜２９１．０ųの体積を有することを特徴とする正極活物質により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【解決手段】珪素ナノ粒子が凝集してなる凝集体であって、その表面がＳｉＦ₄で被覆された凝集体。
【効果】本発明によれば、珪素ナノ粒子が凝集してなり、珪素ナノ粒子が均一であり、その表面酸化が抑制された凝集体、凝集体の平均粒径や、珪素ナノ粒子の粒径の調製が容易で、簡便かつ大量に製造することができる上記凝集体の製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】高純度のシリカを、簡易にかつ低コストで製造しうる方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）シリカ含有鉱物粉末とアルカリ水溶液を混合して、ｐＨを１１．５以上に調整し、液分中のＳｉ濃度が３．０質量％以上に溶解させた後、固液分離する工程と、（Ｂ）得られた液分と酸を混合して、ｐＨを３．０未満に調整した後、固液分離する工程と、（Ｃ）得られた液分をアルカリ源と混合してｐＨが４．０未満である水溶液を調製し、及び／または４０〜１００℃に加温した後、固液分離する工程と、（Ｄ）工程（Ａ）と工程（Ｂ）の間、及び／または、工程（Ｂ）と工程（Ｃ）の間で、前工程で得られた液分に対してイオン交換処理、及び／または活性炭処理を行う工程と、（Ｅ）工程（Ｃ）で得られた固形分と酸溶液を混合して、ｐＨを３．０未満に調製した後、固液分離して、ＳｉＯ_２を含む固形分と、不純物を含む液分を得る工程、を含む高純度シリカの製造方法。 （もっと読む）

【課題】良好な機械的特性をもつ透明中実微小球を提供すること。
【解決手段】中実微小球の全重量に対して少なくとも約７５重量％の全含有率でチタニアと、アルミナ、ジルコニアおよび／またはシリカを含有し、アルミナ、ジルコニアおよびチタニアの全含有率はシリカの含有率より大きい、透明中実微小球となす。 （もっと読む）

【課題】 シリコン融液及び多結晶シリコンインゴットへの不純物汚染を十分に防止することができる能力を有し、かつ、離型性に優れた、低コストの多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器、及びそのような角形シリカ容器を製造する方法を提供する。
【解決手段】 シリコン融液を収容した後凝固して多結晶シリコンインゴットを製造するための角形シリカ容器であって、該角形シリカ容器は、少なくとも多孔質シリカ基体からなるものであり、前記多孔質シリカ基体は、かさ密度が１．８０〜２．１０ｇ／ｃｍ^３であり、Ａｌ濃度が５〜５００ｗｔ．ｐｐｍであり、ＯＨ基濃度が５〜５００ｗｔ．ｐｐｍであり、前記多孔質シリカ基体の内表面部分の少なくとも一部に、前記多結晶シリコンインゴットの離型を促進する離型促進剤が含有されているものである多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器、及びこのような角形シリカ容器を製造する方法。 （もっと読む）

【解決手段】不純物としてホウ素を含有するシリコン及びスラグをそれぞれが溶融するよう加熱した後、上記シリコン及び上記スラグを溶融状態で接触させ、上記シリコン中のホウ素を上記スラグに吸収させて上記シリコン中のホウ素を除去するシリコンの精製方法であって、上記スラグの組成を制御しながら上記スラグにホウ素を吸収させることを特徴とするシリコンの精製方法。
【効果】本発明の精製方法によれば、従来公知の精製方法よりも安価に効率よくシリコン中のホウ素を除去することができ、平均ホウ素含有量を、４質量ｐｐｍ以下、特に３質量ｐｐｍ以下にまで低減することができる。本発明の方法に加えて更に公知のホウ素低減方法を行う場合にも、本発明の方法でホウ素濃度の低下が達成されているので、次工程であるホウ素濃度低減工程を実施するには好都合である。 （もっと読む）

【課題】表面にクラックが存在していても、エッチング後のエッチング剤の付着量を腐食性ガスの発生量が顕著とならない程度とすることが可能であり、かつ清浄度の高いシリコン破砕物を得ることが可能なシリコン塊の処理方法を提供する。
【解決手段】下記（ａ）〜（ｆ）の工程を備えるシリコン塊の処理方法。（ａ）常温のシリコン塊を加熱する工程、（ｂ）前記加熱したシリコン塊を冷却し、クラックを発生させる工程、（ｃ）前記クラックが発生したシリコン塊を破砕してシリコン破砕物とする工程、（ｄ）前記シリコン破砕物を純水に浸漬し、冷却または破砕により表面に発生したクラックに純水を浸透させる工程、（ｅ）前記純水に浸漬したシリコン破砕物の表面を、エッチング剤を用いてエッチングする工程、および（ｆ）前記エッチングしたシリコン破砕物の表面を純水で洗浄し、前記エッチング剤を除去する工程。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、効率的に、高い品質のシリコン結晶を製造できる方法を提供することにある。
【解決手段】シリコン原料１０を電磁鋳造炉（ＥＭＣ炉）２０内に投入するに先立って、該シリコン原料１０を加熱によって溶解してシリコン溶解物１１とし、該シリコン溶解物１１を前記電磁鋳造炉２０内に投入する工程を備えるシリコン結晶の製造方法であって、前記シリコン原料１０をプラズマ照射３０により加熱することで前記シリコン溶解物１１を形成し、温度により炉内投入量の制御が可能な搬送管４０を通じて、該シリコン溶解物１１を前記電磁鋳造炉２０内へ投入することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】還元法による高純度シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素とシリカとを粉砕し、洗浄した後、各々を所定の比率の割合で混合し、これをルツボ７に収容し、これを加熱手段により加熱して反応させ、炭化珪素をシリカで酸化し、さらにシリカを炭化珪素で還元することにより、シリコン５５を製造・抽出するとともに、加熱反応時に生成される活性ガス５６、５７を原料として、気相成長、エピタキシャル成長により、シリコンカーバイド膜１０を形成し、これを回収することによりシリコンカーバイド５９を作製するシリコンとシリコンカーバイドとを同時に製造する製造方法及び装置である。 （もっと読む）

【課題】透明部材に用いられるフィラーにおいて、透明部材の光透過性を向上させることができるフィラーを提供する。
【解決手段】セラミックス粒子からなるフィラーであって、該セラミックス粒子が、以下の要件（Ｉ）〜（VI）を満たすフィラー。
（Ｉ）Ａｌ_２Ｏ_３とＳｉＯ_２の合計含有量が９９．２重量％以上であり、
（II）Ａｌ_２Ｏ_３とＳｉＯ_２の重量比（Ａｌ_２Ｏ_３／ＳｉＯ_２）が０．１〜１．０であり、
（III）Ｘ線回折スペクトルにおける相対バックグラウンド高さが３〜１８であり、
（IV）平均粒子径が０．０１〜５０μｍであり、
（Ｖ）真球度が０．９５以上であり、
（VI）屈折率が１．４８〜１．６０である。 （もっと読む）