【課題】珪素等の半金属元素、又は金属元素を主成分とし不純物を含有する材料から、精製された材料を効率的に得ること。
【解決手段】半金属元素又は金属元素を主成分とし不純物を含有する材料と、下記一般式（１）で表される化合物と、を接触させることにより材料中の不純物を除去する、材料の精製方法。
ＡｌＸ_３ （１）
［式中、Ｘはハロゲン原子である。］ （もっと読む）

【課題】従来よりも低コストでシリコンの精製を実施することが可能なシリコンの精製装置を提供する。
【解決手段】固体シリコンの溶融、溶融シリコンからのリンの除去および溶融シリコンからの金属の除去の群から選択された少なくとも１種の処理を行なうための単数または複数の第１の処理室群と、処理のうち第１の処理室群とは異なる処理を行なうための単数または複数の第２の処理室群と、第１の処理室群を構成する少なくとも１つの第１の処理室と第２の処理室群を構成する少なくとも１つの第２の処理室とを連結する連結部とを備え、第１の処理室群にはそれぞれ、第１の耐熱性容器が設置され、第２の処理室群にはそれぞれ、第２の耐熱性容器が設置されており、第１の耐熱性容器から第２の耐熱性容器に溶融シリコンを移送可能に構成されているシリコン精製装置である。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコン反応炉において、炉底に付着したポリマーやシリカ等を容易に除去する。
【解決手段】加熱したシリコン芯棒の表面に原料ガスを接触させることにより多結晶シリコンを析出させる多結晶シリコン反応炉１０であって、シリコン芯棒が立設される炉底４０を有し、この炉底４０の上面４０ａが凹形となるように形成され、この上面の最下部に炉底４０を上下方向に貫通する流路４４の開口部４４ａが設けられているとともに、この開口部４４ａに着脱可能に取り付けられるプラグ５０を備える。 （もっと読む）

【課題】太陽電池用などに用いられるシリコンシートにおいて、良好な半導体特性を付与し、そのシリコンシートを用いた太陽電池のさらなる高効率化を図ること。
【解決手段】本発明は、シリコン融液に被接触体を接触させて形成される多結晶シリコンシートであって、０．０４〜０．２ｐｐｍｗのボロンを含有することを特徴とする多結晶シリコンシートである。両方または一方の主面に凹凸を有することが好ましい。また、前記両方の主面の凹凸の周期が同一であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】集塵されたスラグを有効に活用する集塵粉再利用のためのシステムを含む精製方法を提供するものである。
【解決手段】すなわち、本発明の精製装置は、上部に開口部を有する坩堝と、坩堝に複数成分からなるフラックスを供給する初期フラックス供給機構と、開口部よりも上方に集塵口を有する集塵機構と、この集塵機構により回収された集塵粉に対してフラックスの複数成分のうち１以上の成分を添加して第１の調製フラックスとする第１のフラックス調製機構とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来、結晶成長の初期段階でランダムな面方位を有する多数の結晶粒が制御されずに形成され、それらの結晶粒の接触により形成される結晶粒界の分布もランダムであるため、結晶欠陥がランダム粒界から発生してしまい、高品質な結晶が得られなかった。これに対し、転位や亜粒界などの結晶欠陥の少ない高品質なシリコン多結晶インゴットおよびシリコン多結晶ウェハーを提供する。
【解決手段】インゴットの底部または表面付近に{110}近傍または{112}近傍上面方位を有する複数のデンドライト結晶を含み、隣り合うデンドライト結晶の主鎖成長方向の相対方位角度が0〜45°もしくは135〜180°に制御されている。 （もっと読む）

【課題】 衝突流体によるシリコンシートの形成が開示される。
【解決手段】 結晶体を形成するための技術が概して開示される。結晶体を形成するための例示的システム、装置、または方法は、溶融結晶材料を収容するためのるつぼと、端部に種を収容するための支持体であって溶融結晶から種結晶を引き上げる引張り方向の並進移動軸に沿って移動可能であることにより成長経路に沿って結晶体の成長を開始させる支持体と、を含むことができる。別の例は、流体源に結合されるように構成された１つまたは複数のノズルであって、溶融結晶が成長経路に沿って引張り方向に引き上げられるにつれて結晶体を成形するための成長経路に対し相対的に配置された複数のノズルを含むことができる。 （もっと読む）

本発明は、半導体材料からなる型上に半導体材料の物品を製造する方法および、光電池の製造に有用であろう半導体材料の物品などの、それにより形成された半導体材料物品に関する。
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本発明は、半導体材料の物品を製造する方法および、光電池の製造に有用であろう半導体材料の物品などの、それにより形成された半導体材料物品に関する。
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【課題】少なくとも坩堝本体と出湯口と保温蓋とを有する坩堝を用いて溶融物を形成して精製する際に、再凝固した固着物による出湯口の閉塞などの問題を防止することができるように設計された坩堝、および該坩堝を用いた精製装置と精製方法とを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の坩堝の第１の態様は、底面部と側面部とからなり上部に収納口を開口した凹部を有する坩堝本体と、側面部に開口した出湯口と、収納口上に配置可能な保温蓋を備えた坩堝であって、保温蓋は第１開口部を備え、保温蓋を収納口上に配置した状態の鉛直投影面において、収納口の外周から第１開口部までの距離が、出湯口の凹部側開口から第１開口部までの距離よりも大きい部分を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【解決手段】不純物を含むシリコンを加熱溶融し、溶融状態のシリコン中にＳｉＦ₄を含む気体を吹き込むことにより、又は不純物を含むシリコンとフラックスとをそれぞれが溶融するよう加熱溶融し、溶融状体のシリコンとフラックスとを接触させた後、このシリコン及びフラックスを含む融液中にＳｉＦ₄を含む気体を吹き込むことにより、シリコン中の不純物を低減することを特徴とする高純度シリコンの製造方法。
【効果】本発明によれば、シリコン中の不純物、特にＢ、さらにＡｌ、Ｔｉをも１つの工程で同時に低減することができる。さらに不純物精製操作前後におけるシリコンの減少量が極めて小さく、高い収率を維持できる。また、一般的な大気開放炉を使用するため、高真空雰囲気も必要とせず、設備投資額を大幅に低減できる。この結果、極めて安価にＢ、Ａｌ、Ｔｉ等の不純物が低減されたシリコンを得ることができる。 （もっと読む）

【解決手段】
０．０１重量％未満の総鉱物性不純物と選択的に決定された炭素：シリコンの比率を含む、シリコン、炭化ケイ素および窒化ケイ素などのシリコン含有生成物。その生成物は、少なくとも３重量％のシリカを含む、籾殻および稲藁などの植物に由来する。制御された温度、圧力および反応時間の下、固定炭素：シリカのモル比を調節しながら、シリコン含有植物を硫酸水溶液で浸出して鉱物および金属を除去し、次いで、制御された条件下、熱的に処理して所望の生成物を生産することを特徴とする、そのような高純度のシリコン含有生成物を作るための方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】溶融状態においてリアルタイムでの不純物濃度の検出を可能とするシリコン溶融装置および該装置を用いたシリコン精製装置、精製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のシリコン溶融装置は、溶融シリコンを保持する坩堝を備えた第１チャンバと、開閉可能な部材を介して第１チャンバと連結された第２チャンバと、第１チャンバ内部および第２チャンバ内部を移動可能な回転冷却体とを具備し、上記第２チャンバ内部に、回転冷却体の少なくとも一部を溶融シリコンに浸漬することにより形成された凝固シリコンに含まれる不純物濃度を検知する機構を有していることを特徴とする。 （もっと読む）

UMG-Si原料バッチ中のボロンおよびリンの濃度を決定するための品質管理プロセスを提供する。シリコン検査インゴットは、UMG-Si原料バッチから得た溶融UMG-Siの方向性凝固によって形成される。シリコン検査インゴットの抵抗率を上部から底部まで測定する。次いで、シリコン検査インゴットの抵抗率プロファイルをマッピングする。シリコン検査インゴットの抵抗率プロファイルから、UMG-Siシリコン原料バッチのボロンおよびリンの濃度を算出する。さらに、UMG-Si原料バッチにそれぞれ対応する複数の検査インゴットを、多るつぼ結晶成長器において同時成長させてもよい。

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溶融UMG-Siの方向性凝固を実施してシリコンインゴットを形成することによる、UMG-Si精製のためのプロセス管理方法を記載する。インゴットをブリックに分割し、各シリコンブリックの抵抗率プロファイルをマッピングする。方向性凝固の間にインゴット中に濃縮および捕捉される不純物を除去するためのトリミングラインが、抵抗率マップに基づいて算出される。次いで、濃縮された不純物が、各ブリックの算出されたトリミングラインに沿ってそのブリックをトリミングすることにより除去される。

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【課題】電気加熱の負担を減少させ、電気消耗量を減少させるとともに、従来に比べて短期間にポリシリコンを製造できる装置及び方法を提供する。
【解決手段】反応チャンバーと、前記反応チャンバー内にシランガスを供給するためのガス供給部と、前記ガス供給部で供給されるシランガスにレーザービームを照射し、前記シランガスを熱分解してポリシリコン粒子を形成するためのレーザー照射部と、前記ポリシリコン粒子を収容するためのポリシリコン粒子収容部とを含んでポリシリコンの製造装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】シリコン廃材等の不純物を含むシリコン原料から高純度のシリコンインゴットを、簡単に、かつ、確実に製造することが可能なシリコンインゴットの製造方法、シリコンインゴットの製造装置及びシリコン結晶成長方法を提供する。
【解決手段】不純物を含むシリコン原料から高純度のシリコンインゴットを製出するシリコンインゴットの製造方法であって、前記シリコン原料に、Ｓｉ元素と共晶反応する合金元素を添加して溶解し、共晶組成よりもＳｉ濃度が高くされたシリコン合金溶湯を生成するシリコン合金生成工程Ｓ１と、前記シリコン合金溶湯を一方向凝固させるとともに、凝固して得られたインゴットを連続的に引き出す凝固工程Ｓ２と、前記凝固工程によって消費されたＳｉ元素を補うように、前記シリコン合金溶湯にシリコン原料を追加供給するシリコン追加工程Ｓ３と、を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【解決課題】亜鉛還元法により製造された後に反応装置外に取り出された多結晶シリコンから、高純度の多結晶シリコンインゴットを製造する方法を提供すること。
【解決手段】水蒸気を含有するアルゴンガスを雰囲気に供給しながら、１０^−１Ｐａ以下の圧力下、１４１０〜１６００℃で、亜鉛還元法により製造された多結晶シリコンを溶融させ、溶融シリコンを得る溶融工程と、該溶融シリコンを、下から上に順に冷却して結晶化させ、多結晶シリコンインゴットを得る冷却工程と、を有することを特徴とする多結晶シリコンインゴットの製造方法。 （もっと読む）

【解決課題】亜鉛還元法により製造された樹枝状、針状又は板状の多結晶シリコンの溶融時間を短縮することができる多結晶シリコンの溶融方法を提供すること。
【解決手段】溶融容器に、亜鉛還元法により製造された樹枝状、針状又は板状の多結晶シリコンと、シリコンインゴットを砕いて得た塊状シリコンと、を充填し、次いで、充填物を１４１０〜１６００℃で加熱して、該充填物を溶融させることを特徴とする多結晶シリコンの溶融方法。 （もっと読む）

【課題】シリコンの精製効率を大幅に向上することによって、シリコンの精製を低コストで行なうことが可能なシリコンの精製装置およびシリコン精製方法を提供する。
【解決手段】内部圧力を低減可能な減圧容器と、耐熱性容器と、耐熱性容器を加熱するための加熱装置とを含む処理室を複数具備し、複数の処理室が、減圧状態で溶融シリコンからリンを除去する脱リン処理装置、または偏析により溶融シリコンから金属を除去する脱メタル処理装置に選択的に切替可能に設置されているシリコン精製装置とその装置を用いたシリコン精製方法である。 （もっと読む）