【課題】高温及び減圧の環境下での使用においても、気泡の発生又は膨張が少ない合成シリカガラス製品のための原料に適する、合成非晶質シリカ粉末及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の合成非晶質シリカ粉末は、造粒されたシリカ粉末に球状化処理を施した後、洗浄し乾燥して得られた平均粒径Ｄ₅₀が１０〜２０００μｍの合成非晶質シリカ粉末であって、ＢＥＴ比表面積を平均粒径から算出した理論比表面積で割った値が１．３５を超え１．７５以下、真密度が２．１０ｇ／ｃｍ³〜２．２０ｇ／ｃｍ³、粒子内空間率が０〜０．０５以下、円形度が０．５０以上０．７５以下及び球状化率が０．２０以上０．５５未満であることを特徴とする。 （もっと読む）

半導体材料薄片製造用の成形装置は成形型枠及び担体バンドを有する。成形型枠は、溶融半導体材料を保持するよう側壁を有する構成とし、側壁のうちの出口側壁は、半導体材料薄片の産出位置に配置する。出口側壁には、出口スリットを設ける。成形装置は、さらに、出口スリットの位置で、溶融半導体材料に対して局部的な相対的に増大した、外力を加えて、前記出口スリットで溶融半導体材料に対する外圧を局部的に増大させる局部的力印加手段を備える。 （もっと読む）

【課題】比較的低コストで高品質の単結晶シリコンリボンを製造できる新規な装置および／またはシステムを提供することにある。
【解決手段】単結晶シリコンリボンの形成装置を提供する。本発明のシリコンリボンの形成装置はるつぼを有し、このるつぼ内でシリコン融成物が形成される。融成物は、るつぼから実質的に垂直方向に流出して、凝固前にシリコン種結晶と接触できる。リボンへの凝固にしたがって、制御された条件下でリボンの更なる冷却が行われ、リボンは最終的に切断される。また、上記装置を使用して単結晶シリコンリボンを形成する方法も提供される。 （もっと読む）

本発明は、新規なシリコン融液の脱炭法、及びシリコン、好ましくはソーラーシリコン又は半導体シリコンの製造のためのその使用に関する。 （もっと読む）

【課題】ＭｎＳｉ相の含有量が少ないＭｎＳｉ_x粉末及びその製造方法、並びに、ＭｎＳｉ_x粉末製造用ＣａＳｉ_y粉末及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】ＭｎＳｉ_2-z相を主成分とし、ＭｎＳｉ相の含有量が７％以下、Ｓｉ／Ｍｎ比（ｘ）が１．５≦ｘ＜２．０、一次粒子のアスペクト比が５以下、比表面積が２．５ｍ²／ｇ以上であるＭｎＳｉ_x粉末。ＣａＳｉ₂相を主成分とし、ＣａＳｉ相の含有量が１０％以下、Ｓｉ／Ｃａ比（ｙ）が１．５≦ｙ≦２．０であるＭｎＳｉ_x粉末製造用ＣａＳｉ_y粉末。Ｃａ源とＳｉ源とを、Ｓｉ／Ｃａ比（モル比）が１．５〜２．０となるように配合し、原料を溶解させ、溶湯を凝固させるＭｎＳｉ_x粉末製造用ＣａＳｉ_y粉末の製造方法。ＭｎＳｉ_x粉末製造用ＣａＳｉ_y粉末と塩化Ｍｎとを、Ｍｎ／Ｃａ比（モル比）が１以上となるように混合し、混合物を加熱し、反応物を溶媒で洗浄するＭｎＳｉ_x粉末の製造方法。 （もっと読む）

【課題】波長９μｍ前後の赤外線に対しても透過率が確保でき、広範囲な波長領域で使用可能な赤外線透過部材の素材として使用される赤外線透過部材用シリコン材料、及び、この赤外線透過部材用シリコン材料からなる赤外線透過部材を提供する。
【解決手段】赤外線を透過するレンズやプリズム等の赤外線透過部材の素材として使用される赤外線透過部材用シリコン材料であって、多結晶シリコンからなり、この多結晶シリコンの抵抗率が１Ωｃｍ以上、かつ、酸素濃度が１．０×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｃ未満とされていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡易な処理工程の下で、効率的に且つ経済的で然も安全性の高い状態で廃棄シリコンの再生利用を図る事が可能なシリコン再生利用システムを提供する。
【解決手段】シリコンインゴット加工装置１７と、固液分離装置１８と、加熱焼成処理装置１９と加熱溶融手段２０と一方向凝固手段２１とから構成されているシリコン再生利用システム１０であって、当該加熱焼成処理装置１９は、不活性ガス或は酸素ガスの存在下、若しくは真空状態下で、加熱温度を室温から３００℃の範囲、３００℃から８５０℃の範囲、及び８５０℃から１２００℃の範囲の温度条件でシリコン固形分を焼成するシリコン再生利用システム１０。 （もっと読む）

本発明は、プラズマアークトーチの位置調節装置に関する。本発明は、シリコン溶湯に対してプラズマアークトーチを昇降させる昇降装置と、前記シリコン溶湯に対してプラズマアークトーチを周方向に回転させる回転装置と、前記シリコン溶湯に対してプラズマアークトーチの角度を調節する角度調節装置と、を含む。また、前記プラズマアークトーチは、多数個が放射状に一定の間隔で配置される。このような本発明によれば、固相のシリコンを溶融し、初期溶湯を形成するのにかかる時間が短縮され、鋳造速度が増加する効果がある。また、原料の溶解性を向上させることができ、安定的な原料の溶解が可能なので、経済的に有利な連続鋳造及び高品質の太陽電池用シリコンインゴットを製造することができる効果がある。
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【解決手段】不純物としてＢを含むＳｉとフラックスとを加熱溶融し、必要により溶融状態のＳｉとフラックスを含む融液中に気体を吹き込み、その後Ｓｉとフラックスとを分離する操作を複数回行うことでＳｉ中のＢを除去する高純度Ｓｉの製造方法であり、ｍ，ｎ回目（ｍ＜ｎ、ｎ≧２）の操作後のＳｉ中のＢ濃度を［Ｂ］minSi、［Ｂ］ninSiとし、フラックス中のＢ濃度を［Ｂ］minf、［Ｂ］ninfとし、Ｓｉ中とフラックス中のＢ濃度比をLＢｍ＝［Ｂ］minf／［Ｂ］minSi、LＢｎ＝［Ｂ］ninf／［Ｂ］ninSiとしたとき、LＢｍ≦LＢｎである高純度Ｓｉの製造方法。
【効果】Ｓｉ中のＢを効率よく低減することができる。一般的な大気開放炉を使用し、更にプラズマトーチ等の高価な設備も不要であるため、設備投資額を大幅に低減でき、生産性が高く、極めて安価にＢが低減されたＳｉを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】簡素なプロセスで且つ低コストで太陽電池級の高純度シリコンを製造可能な、高純度シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】有底円筒状の回転可能なルツボ１１の円筒部分内壁面に該内壁面を周回する凹部１１ａを設け、前記ルツボの内部空間には、ノズル１５と、前記内壁面と前記ノズルとの間に配置され、両者を加熱するヒータ１６とを備え、金属シリコンの溶湯を前記ノズルから高速回転する前記ルツボの底面１１ｂに連続的に注入し、前記溶湯が前記ルツボの底面から前記円筒部分内壁面に沿って上昇し、前記溶湯が遠心力により前記凹部の内部に貯留され、シリコンよりも比重の重い不純物元素が前記凹部１１ａに遠心分離によりトラップされ、前記不純物元素が除去されたシリコンの溶湯が前記ルツボの円筒部分内壁面上端１１ｃより粉末状となり飛散し、これを冷却し、シリコン粉末Ｂとして回収する。 （もっと読む）

【課題】制御が容易で、高品質のシリコンシードを製造する。
【解決手段】チャンバ５の上壁２に上側シリコンシード６を貫通状態に保持する上シード保持部７と、上シード保持部７による保持中心Ｃに沿って上側シリコンシード６の下端と対向する下側シリコンシード２３をチャンバ５内で上下移動可能に保持する昇降機構と、上シード保持部７に保持された上側シリコンシード６の下端部を囲む位置に配置される高周波誘導加熱コイル３１と、高周波誘導加熱コイル３１の下方に配置される予熱リング３２と、下側シリコンシード２３上端部を囲んで高周波誘導加熱コイル３１に誘導加熱される加熱位置とこの加熱位置から離間した待機位置との間で予熱リング３２を往復移動させる予熱リング移動手段とを備える。 （もっと読む）

半導体材料の物品の製造方法には、その物品のための目標厚さを選択するステップと次に、鋳型の外部表面上に半導体材料の固体層を形成するために有効な潜没時間だけ溶融半導体材料中に鋳型を潜没させるステップとが関与し、ここで固体層の厚さは目標厚さと実質的に等しい。潜没時間は、鋳型の組成、鋳型の厚さおよび初期鋳型温度を含めた特定の属性を有する鋳型のための固体層厚さと潜没時間の関係のプロットから決定される遷移時間に実質的に等しくなるように選択される。遷移時間ひいては潜没時間は、特定の鋳型のための固体層厚さ対潜没時間の曲線における固体層厚さの最大値に対応する。
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各種実施形態では、異なる密度の不純物が遠心力を用いて分離及び集積されるシリコンの精製方法が提供され、溶融シリコンの制御結晶化は、固体／液体界面での不純物の集積によって、さらなる精製をもたらす。
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熱応力に対して改善された抵抗を有するシリコン溶融物を保持する装置を創出する。シリコン溶融物を保持する装置であって、該溶融物を保持するための内室（２）を部分的に取り囲むるつぼ（１；１ａ；１ｂ）を有し、該るつぼは、基部（３；３ａ）及び基部材料で作られた少なくとも１つの側壁（４；４ａ）を有し、該るつぼ（１；１ａ；１ｂ）は、機械的熱応力を均一化するための少なくとも１つの均一化手段（５）を有する装置により解決される。
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【課題】原材料から製品まで一貫して製造することができ、かつエネルギーの必要量が少なく、ＣＯ_２の発生量も少ない太陽電池用シリコンの製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】不純物を含んだシリコンの酸化物からなる原料から太陽電池用シリコンを製造する太陽電池用シリコンの製造方法であって、前記原料を溶融塩中で電気化学的に還元し酸素を分離する溶融塩電解還元工程と、前記溶融塩電解還元工程によって得られた生成物を溶融塩中で電解精製して電気化学的に塩化物を生成し、不純物の一部を分離しつつシリコンを塩化物として回収する溶融塩電解精製工程と、前記溶融塩電解精製工程によって回収した塩化物中に同伴する不純物を蒸留してシリコンの塩化物と分離する蒸留精製工程と、前記蒸留精製工程によって精製したシリコンの塩化物を化学還元しシリコンを得る還元工程と、を具備する。 （もっと読む）

光起電分野用の材料に関するシリコンを精製する方法には、金属シリコンをルツボ装置に提供することが含まれる。金属シリコンは、少なくとも熱工程を施され、金属シリコンの状態が第一状態から摂氏1500℃を超えない溶融状態の第二状態に変化する。少なくとも不純物の一部は、溶融状態において金属シリコンから除かれる。溶融金属シリコンの下方領域から上方領域までを冷却して下方領域を凝固させる一方で残りの不純物の一部を分離させて液状領域に留める。液状領域を凝固させることで精製領域及び不純物領域を有するシリコン構造物が形成される。精製領域は、99.9999%を超える純度によって特徴づけられる。
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【課題】坩堝内に装入された塊状のシリコン原料を効率良く溶解することができ、多結晶シリコンインゴットの生産効率を大幅に向上させることが可能な多結晶シリコンインゴットの製造装置及び多結晶シリコンインゴットの製造方法を提供する。
【解決手段】坩堝２０内に装入されたシリコン原料を溶解してシリコン融液を生成し、このシリコン融液を凝固させて多結晶シリコンのインゴットを製出する多結晶シリコンインゴットの製造装置１０であって、有底筒状をなす坩堝２０と、坩堝２０の上方側に配置された上部加熱部１４と、坩堝２０の下方側に配置された下部加熱部３０と、を備え、下部加熱部３０は、坩堝２０が載置される台座３１と、誘導加熱コイル３２と、を有し、誘導加熱コイル３２によって台座３１に電流を発生させ、台座３１を自己発熱させる構成とされていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 半金属元素、又は金属元素を主成分とし不純物を含有する材料を、より効率的に精製して高純度の材料を得ること。
【解決手段】 半金属元素又は金属元素を主成分とし不純物を含有する材料と、下記一般式（１）で表される化合物と、を接触させることにより材料中の不純物を除去する、材料の精製方法。
ＭＸ_Ｚ （１）
［式中、ＭはＧａ，Ｉｎ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｔｉ，からなる群より選択される１種以上の元素であり、Ｘはハロゲン原子であり、Ｚは２〜４の整数である。］ （もっと読む）

【課題】比較的高炭素のシリコクロムから炭素を除去することによって低炭素のシリコクロムを得ることができるシリコクロムの脱炭素方法を提供する。
【解決手段】シリコクロム及びスラグを電気炉に入れ、シリコクロム及びスラグを電気炉で溶解する（Ｓ２１）ことによって、シリコクロム中の炭化珪素を比重差により浮上させるとともにスラグ中に懸濁させ、その後、シリコクロムからスラグを分離する（Ｓ２３，Ｓ２４）ことによって、シリコクロムから炭化珪素を分離する。 （もっと読む）

半導体材料の物品の作製方法は半導体材料の固体層がその外表面上に既に形成されている中実鋳型を溶融半導体材料の融液から引き出す工程を含む。引出し中に固体層を覆って形成される半導体材料の固体被覆層において１つないしさらに多くの所望の属性を達成するために、温度、力及び相対引出し速度の内の１つないしさらに多くが引出し作業中に制御される。
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