【課題】断面形状が正方形のアフターヒーターを具備する電磁鋳造装置で断面形状が長方形のインゴットを製造する場合、インゴットの切断時に発生するクラックやササクレを防止できるシリコンインゴットの電磁鋳造装置および電磁鋳造方法を提供する。
【解決手段】（１）無底冷却モールド２と、誘導コイル１と、インゴット５を徐冷するアフターヒーター４を有し、アフターヒーターの出力制御を、対面する２面のヒーター（例えば、ヒーター１４−１と１４−３）を１対として２対以上のヒーターについて個別に実施できるように構成されている電磁鋳造装置。（２）前記の電磁鋳造装置を用い、アフターヒーターの出力を、２対以上のヒーターについて個別に制御する電磁鋳造方法。アフターヒーターの出力を、インゴットの面内温度のばらつきが１０℃以下になるように制御することとすれば、クラックやササクレの防止に極めて有効である。 （もっと読む）

【課題】鋳造の対象をｎ型とｐ型の間で変更するに際し、装置内の清掃を短時間で行い、得られる多結晶シリコンの抵抗率のバラツキの低く抑えることができる多結晶シリコンの電磁鋳造装置および電磁鋳造方法を提供する。
【解決手段】（１）無底冷却モールド１と、このモールドを取り囲む誘導コイル２を有し、電磁誘導加熱により溶融したシリコンを凝固させ、インゴット３として取り出す、ｎ型多結晶シリコンの製造に適した多結晶シリコンインゴットの電磁鋳造装置であって、メインチャンバー７−１の上部に雰囲気ガスを引き込む開口１１ａ、１２ａを有し、サブチャンバー７−２の下部に前記引き込んだ雰囲気ガスを導入する開口１１ｂ、１２ｂを有する還流配管１１、１２を少なくとも２系統備える電磁鋳造装置。（２）この装置を使用し、多結晶シリコンの導電型に応じてあらかじめ定めた還流配管を使用する電磁鋳造方法。 （もっと読む）

【課題】リチウムイオン二次電池用正極材料として有用なリチウムシリケート系材料について、従来よりも優れた電池特性を有する材料を比較的簡単な手段によって製造できる方法を提供する。
【解決手段】アルカリ金属塩から選ばれた少なくとも一種を含む溶融塩中で、二酸化炭素および還元性ガスを含む混合ガス雰囲気下において、珪酸リチウム化合物と、鉄および／またはマンガンを含む遷移金属元素含有物質と、を３００℃以上６００℃以下で反応させるリチウムシリケート系化合物の製造方法において、
前記遷移金属元素含有物質は、鉄および／またはマンガンを含む化合物を含む遷移金属含有水溶液をアルカリ性にして形成される沈殿物を含むことを特徴とする。本製造方法によれば、ケイ素を過剰に含むリチウムシリケート系化合物が得られる。 （もっと読む）

【課題】短期間でインゴットの冷却を完了させることができ、切断中にクラックが発生することがない多結晶シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】無底ルツボ１２内に形成されたシリコン融液２１を降下させて凝固させることにより、無底ルツボ１２から多結晶シリコンインゴット２０を連続的に取り出す多結晶シリコンの製造方法において、保温ヒータ１６を用いて１０００℃以上の所定の保温温度に保温されている多結晶シリコンインゴット２０を３００℃以下の所定の開放温度まで降下させて冷却する際、少なくとも６２０℃までは傾きが漸増する第１の冷却パターンを用いて保温ヒータの温度を制御する。 （もっと読む）

【課題】初期溶解時に用いるダミーバーに起因して発生する異物の混入を防止して、歩留りを改善することができる多結晶シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】電磁誘導法による多結晶シリコンの製造方法において、モールド２内のシリコン原料を初期溶解する際に当該シリコン原料を支持するためのダミーバー４として、ダミーバー本体４ａの上面にシリコン５が結合されたダミーバーを使用する。前記ダミーバーとして、鋳造終了後に、インゴットと結合したダミーバーの当該結合部よりも上のインゴットの部分で切断することにより、ダミーバー本体の上面にシリコンを存在させたダミーバー、さらには、これに酸による洗浄等の処理を施したダミーバーを使用する実施形態を採ることとすれば、従来のカーボンダミーバーを使用した場合における窒化ケイ素の異物の混入を抑制し、歩留りの向上等、種々の改善を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】＜１＞高容量と良好なサイクル特性を実現する、＜２＞多孔質体内部でシリコン化合物による導電パスの確保としたリチウムイオン電池用の負極材料に好適な多孔質シリコン複合体粒子を得る。
【解決手段】シリコン微粒子３とシリコン化合物粒子５が接合してなる多孔質シリコン複合体粒子１であって、前記シリコン化合物粒子は、シリコンと、Ａｓ、Ｂａ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｅｒ、Ｆｅ、Ｇｄ、Ｈｆ、Ｌｕ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｄ、Ｎｉ、Ｏｓ、Ｐｒ、Ｐｔ、Ｐｕ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｓｃ、Ｓｍ、Ｓｒ、Ｔａ、Ｔｅ、Ｔｈ、Ｔｉ、Ｔｍ、Ｕ、Ｖ、Ｗ、Ｙ、Ｙｂ、Ｚｒからなる群より選ばれた一つ以上の複合体元素との化合物を含み、前記多孔質シリコン複合体粒子の平均粒径が、０．１μｍ〜１０００μｍであり、多孔質シリコン複合体粒子が、連続した空隙からなる三次元網目構造を有することを特徴とする多孔質シリコン複合体粒子である。 （もっと読む）

【課題】高容量と良好なサイクル特性を実現するリチウムイオン二次電池用の負極材料を得る。
【解決手段】連続する空孔を有し、三次元網目構造を有する多孔質シリコン粒子であって、前記空孔が、前記多孔質シリコン粒子を貫通し、前記空孔内に、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｃのいずれか１つ以上の導電性元素の単体又は合金を有することを特徴とする多孔質シリコン粒子である。前記導電性元素の単体又は合金が、前記空孔内の表面の少なくとも一部を被覆するか、前記空孔内の少なくとも一部に充填されていることが好ましい。また、このような多孔質シリコン粒子は、多孔質シリコン粒子への無電解メッキ、置換メッキ、炭素コーティングにより作製される。 （もっと読む）

【課題】新規な遷移金属シリサイド−Ｓｉ複合材料及びその製造方法、並びに、このような遷移金属シリサイド−Ｓｉ複合粉末を製造することが可能な遷移金属シリサイド−Ｓｉ複合粉末製造用ＣａＳｉ_y系粉末及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】１種又は２種以上の遷移金属元素（Ｍ）を含み、Ｓｉ／Ｍ比（ｚ）が２．０≦ｚ≦２０．０であり、比表面積が２．５ｍ²／ｇ以上である遷移金属シリサイド−Ｓｉ複合粉末及びその製造方法。Ｓｉ／Ｃａ比（ｗ）が２．０≦ｗ≦２０．０であり、少なくともＣａシリサイド相を含む遷移金属シリサイド−Ｓｉ複合粉末製造用ＣａＳｉ_y系粉末及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】高効率な発電パネル用の多結晶シリコンウェーハを提供する。
【解決手段】一辺が１１８ｍｍ以上の四角形である多結晶シリコンウェーハであって、第１乃至第４の外周領域ａ１〜ａ４と、いずれも外周領域にも属さない中央領域ｂとを含み、第１の外周領域ａ１におけるライフタイムは、中央領域ｂにおけるライフタイムよりも短く、第２及び第３の外周領域ａ２，ａ３におけるライフタイムは、中央領域ｂにおけるライフタイムと実質的に等しく、中央領域ｂにおけるライフタイムは、３０μｓ以上である。本発明によれば、多結晶シリコンインゴットの断面をマトリクス状に４分割又は６分割することによって切り出すことができるとともに、ライフタイムが３０μｓ以上である領域を全体の１／３以上とすることができる。これにより、１６％以上の変換効率を確保することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 不純物汚染防止及び離型性に優れ、結晶粒の大きさ及び結晶軸方位が揃った多結晶シリコンインゴットを製造することができる、きわめて低コストの多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器を提供する。
【解決手段】 シリコン融液を凝固して多結晶シリコンインゴットを製造するための角形シリカ容器であって、多孔質シリカからなる平行平板状の多孔質シリカ板体を組み合わせて構成されたものであり、少なくとも前記角形シリカ容器の側部をなす前記多孔質シリカ板体における両平行平面の表面部分のかさ密度が、前記角形シリカ容器の内表面部分よりも外表面部分において高く、前記角形シリカ容器の底部をなす前記多孔質シリカ板体の内表面部分は、溝又は穴を所定間隔で複数有しており、前記溝又は穴の側面の少なくとも一部が、鉛直方向に対して１５〜６０°の角度をなす斜面で形成されている多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器。 （もっと読む）

【課題】ｎ型シリコンインゴットを電磁鋳造する際に、蒸発し易いドーパントを用いる場合であっても、インゴットの長手方向で抵抗率を均一化することができる電磁鋳造方法を提供する。
【解決手段】チャンバー１内に配置した導電性を有する無底冷却ルツボ７にシリコン原料１１およびドーパントを投入し、ルツボ７を囲繞する誘導コイル８からの電磁誘導加熱によりシリコン原料１１およびドーパントを溶解させ、この溶融シリコン１２をルツボ７から引き下げながら凝固させてｎ型のシリコンインゴットを連続鋳造する電磁鋳造方法において、チャンバー１内を常圧よりも高い圧力に維持して電磁鋳造を行う。 （もっと読む）

【課題】電磁誘導加熱にプラズマ加熱を併用して、太陽電池の基板材として用いられる、太陽電池特性（ライフタイム）が良好に維持された多結晶シリコンを製造することができるシリコンインゴットの製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】無底冷却モールド１と、加熱用誘導コイル２を有し、さらに、加熱源としてプラズマトーチ３を有し、電磁誘導加熱とプラズマ加熱を併用するシリコンインゴットの製造装置であって、前記プラズマトーチ内に配設されたプラズマ電極１２としてタングステン（Ｗ）を用いる製造装置。前記プラズマ電極を陽極とし、被加熱物であるシリコン１１を陰極とすれば、電極の消耗、電極金属による汚染を僅少に抑え、ライフタイムをより長く維持できるので望ましい。本発明の製造方法は、この装置を用いて容易に実施することができる。 （もっと読む）

【課題】シリコンインゴットを電磁鋳造する際に、雰囲気ガス中に含まれる金属不純物、または過剰な酸素や炭素に起因して、溶融シリコンが金属不純物で汚染されたり、溶融シリコン中の酸素濃度や炭素濃度が増大することを抑制できる電磁鋳造方法を提供する。
【解決手段】チャンバー１内に配置した導電性を有する無底冷却ルツボ７にシリコン原料１１を投入し、ルツボ７を囲繞する誘導コイル８からの電磁誘導加熱によりシリコン原料１１を溶解させ、この溶融シリコン１２をルツボ７から引き下げながら凝固させてシリコンインゴット３を連続鋳造する電磁鋳造方法において、チャンバー１内を常圧よりも低い圧力に維持して電磁鋳造を行う。 （もっと読む）

【課題】鋳造されたインゴットが不純物で汚染されるのを低減できるとともに、冷却ルツボの内面が損傷するのを軽減できるシリコンインゴットの連続鋳造方法を提供する。
【解決手段】軸方向の一部が周方向で複数に分割された無底の冷却ルツボ７を誘導コイル８内に配置し、誘導コイル８による電磁誘導加熱により、冷却ルツボ７内に溶融シリコン１３を形成し、冷却ルツボ７から引き下げながら凝固させてシリコンインゴット３を連続鋳造する方法において、冷却ルツボ７として、その内面７ａのうちの溶融シリコンの外面１３ａおよびシリコンインゴットの外面３ａと対向する部分７ｂに、Ｎｉ−Ｂ合金めっきが施されたものを用いることを特徴とするシリコンインゴットの連続鋳造方法である。 （もっと読む）

【課題】銅製の冷却モールドに起因するシリコンインゴットの銅による汚染を抑制して、太陽電池の基板材の素材として好適なシリコンインゴットの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン原料を銅製の無底冷却モールド１に装入し、電磁誘導により溶融し、当該溶融したシリコンを下方に引き下げ凝固させることにより多結晶シリコンインゴットを連続的に鋳造するシリコンインゴットの電磁鋳造方法であって、前記銅モールドを取り囲む誘導コイル２の下端から下方に位置するモールド長さ（Ｌ_M）を４０ｍｍ超１８０ｍｍ以下として、銅モールドに近接するシリコンインゴットの外周部から内部への銅の拡散、混入を抑制する。一辺の長さが３２２ｍｍ以上５３０ｍｍ以下の正方形または矩形断面の多結晶シリコンインゴットを鋳造対象とする実施形態の採用が望ましい。 （もっと読む）

【課題】電磁鋳造法による連続鋳造の際に、アフターヒーターの内周面とインゴットの外周面との隙間を上昇する雰囲気ガスに起因して、溶融シリコンが金属不純物で汚染されることを抑制できるシリコンインゴットの電磁鋳造装置を提供する。
【解決手段】チャンバー１内に配置した無底冷却ルツボ７にシリコン原料１１を装入し、誘導コイル８からの電磁誘導加熱によりシリコン原料１１を融解させ、この溶融シリコン１２を冷却ルツボ７から引き下げながら凝固させてインゴット３を連続鋳造する電磁鋳造装置において、冷却ルツボ７の下方に、インゴット３を囲繞してカーボン製の保温ヒーター９ａと金属製の均熱ヒーター９ｂがこの順に配設されており、保温ヒーター９ａと均熱ヒーター９ｂの間でインゴット３の外周面に全周にわたり接触して、各ヒーター９ａ、９ｂの内周面とインゴット３の外周面との隙間を上下に仕切る耐熱不織布２０を備える。 （もっと読む）

【課題】鋳造されるインゴットおよびインゴットから切り出されたウェーハおいて、金属不純物による汚染を低減できるシリコンインゴットの連続鋳造装置および連続鋳造方法を提供する。
【解決手段】電磁鋳造法により多結晶シリコンを連続的に鋳造する際に用いられ、導電性を有し、シリコン原料を溶解させて連続鋳造する無底の冷却ルツボ７と、冷却ルツボを囲繞し、冷却ルツボ内に装入されたシリコン原料を電磁誘導により加熱する誘導コイル８と、前記各部材を収容するチャンバー１とを備えたシリコンインゴットの連続鋳造装置において、チャンバー１の内壁面および／またはチャンバー１内に収容される部材の表面の少なくとも一部にウール材１７を配置することを特徴とするシリコンインゴットの連続鋳造装置である。 （もっと読む）

【課題】保温装置の外枠の溶損等を防止して、金属不純物による汚染のない、太陽電池の基板材として好適な多結晶シリコンを製造することができるシリコンの電磁鋳造装置を提供する。
【解決手段】無底冷却モールドと、加熱用誘導コイルと、前記モールドの下方に配置され、凝固したシリコンを徐冷する保温装置を有し、前記誘導コイルによる電磁誘導加熱により溶融したシリコンを下方に引き下げ凝固させるシリコンの電磁鋳造装置であって、前記保温装置１３の外枠１６の構成部材として非導電性部材が使用されている電磁鋳造装置。前記非導電性部材を、特に溶損の大きい外枠の特定の面のみ、または外枠全面の上部のみに使用することもできる。非導電性部材としては、アルミナ、炭化珪素が望ましい。 （もっと読む）

【課題】シリカガラス合成用バーナからの火炎と別の火炎を形成することにより、浮遊シリカ微粒子のインゴット合成面（溶融シリカ付着面）への付着を抑制し、脈理及び内部欠陥が抑制された合成シリカガラスを製造する合成シリカガラス製造装置を提供する。
【解決手段】シリカガラス合成用のバーナ４は、少なくとも原料ガスを導出するバーナ内筒管４ａと、少なくとも可燃性あるいは支燃性ガスを導出するバーナ外筒管４ｂを備え、前記バーナ外筒管４ｂからのガスの導出によって、バーナ内筒管の外周面に沿って下方向に向かう第１の火炎流Ｆ１が形成され、炉は、耐火物製の円筒状の側壁部１０と、前記側壁部の上部を閉塞する耐火物製の天井部１１とから構成され、前記天井部１１には複数のガス導出孔１２が設けられると共に、前記ガス導出孔１２からのガスの導出によって、ガス導出孔１２から垂直下方向に向かう第２の火炎流Ｆ２が形成される。 （もっと読む）

【課題】電磁誘導加熱にプラズマ加熱を併用して、太陽電池の基板材として用いられる、太陽電池としての変換効率が高く維持された多結晶シリコンインゴットを製造することができるシリコンインゴットの製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】無底冷却モールド１と、加熱用誘導コイル２を有し、さらに、加熱源としてプラズマトーチ３を有し、電磁誘導加熱とプラズマ加熱を併用するシリコンインゴットの製造装置であって、前記プラズマトーチ内に配設されたプラズマ電極１２として銅（Ｃｕ）を用いる製造装置。前記プラズマ電極を陽極とし、被加熱物であるシリコン１１を陰極とすれば（図１（ｃ）参照）、電極の消耗を僅少に抑えるとともに、太陽電池を構成したときの変換効率を向上させ得るので望ましい。本発明の製造方法は、この装置を用いて容易に実施することができる。 （もっと読む）