【課題】アーク炉に抵抗加熱炉などを併設しないでアーク炉のみで回収シリコンくずを加熱、融解することができ、回収シリコンくずに印加する電圧も400V以下で稼動することができ、高電圧を使用するような大きな設備を要しない回収シリコンくずの融解方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る回収シリコンくずの融解方法は、回収されたシリコンくずをアーク炉により融解する回収シリコンくずの融解方法であって、該アーク炉の電極間電圧を40〜400Vに保持するとともに、電極を導電材に接触させた状態で通電し、該導電材の昇温に伴って発生するアーク放電により前記シリコンくずが加熱され、アーク放電及び電極間電流が安定したのち通常のアーク炉操業に移行することによって実施される。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、太陽電池の基板として用いることにより、太陽電池の変換効率を向上した多結晶ウェーハ及びその製造方法を提供することにある。また、かような多結晶ウェーハを得るための、多結晶材料の鋳造方法を提供することも目的とする。
【解決手段】本発明の多結晶ウェーハは、ウェーハ中のCu濃度を所定の範囲としたものである。 （もっと読む）

【課題】電磁鋳造方法により多結晶シリコンを製造するに際し、最終凝固部における異物析出範囲を縮小させ、クラックの発生を防止することができる電磁鋳造方法および電磁鋳造装置を提供する。
【解決手段】鋳造の終盤においてインゴットの引下げ速度を低下させ、最終凝固工程（鋳造終了の直後からモールド内の未凝固の溶融シリコンを凝固させるまでの工程）開始前の固液界面深さを浅くする。インゴットの引下げ速度の低下を毎時０．０５〜０．２ｍｍ／ｍｉｎの割合で直線的に行なうこととすれば、最終凝固部における異物析出範囲を縮小させ、クラックの発生を効果的に防止することができる。この方法は、インゴットの引下げ速度を鋳造ストロークに応じて変動させる引下げ速度制御装置１３を有する本発明の電磁鋳造装置により容易に実施することができる。 （もっと読む）

【解決手段】不純物を含むフラックスを加熱溶融し、フラックス中にハロゲンガスを含む処理気体を吹き込むことにより、フラックス中の不純物を低減することを特徴とするフラックスの不純物除去方法。
【効果】本発明によれば、冶金的手法による太陽電池用等の高純度シリコンの製造に用いるフラックス中の不純物、特にホウ素、リンを効果的に低減することができる。この結果、極めて安価にホウ素、リン等が低減されたフラックスを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】鋳造中にプラズマアークの失火が発生するのを低減することができるシリコンインゴットの電磁鋳造方法を提供する。
【解決手段】導電性を有する無底冷却ルツボ７にシリコン原料１２を投入し、無底冷却ルツボ７を囲繞する誘導コイル８から電磁誘導加熱するとともに、プラズマトーチ１４から不活性ガスを噴出しつつプラズマアークを発生させてプラズマ加熱することによりシリコン原料を融解させ、この溶融シリコン１３を無底冷却ルツボ７から引き下げながら凝固させてシリコンインゴット３を鋳造するシリコンインゴットの電磁鋳造方法において、プラズマトーチ１４と溶融シリコン１３との間隔Ｚを、シリコン原料を投入する高さＺｔの１／２以上とすることを特徴とするシリコンインゴットの電磁鋳造方法である。 （もっと読む）

【解決手段】不純物を含むフラックスを加熱溶融し、この溶融フラックス中に水蒸気及び酸素のいずれか一方又は両方を含む気体を吹き込むことにより、フラックス中の不純物を低減することを特徴とするフラックスの不純物除去方法。
【効果】冶金的手法による太陽電池用高純度Ｓｉの製造に用いるフラックス中の不純物、特にＢを効果的に低減することができる。本発明により得られたフラックスは、含有するＢが極めて少量あるいは実質的に含有しない。従って、これを冶金的手法による太陽電池用高純度Ｓｉの製造に用いることで、Ｓｉ中のＢを容易、迅速、かつ多量に除去することができる。こうしてＢを除去したＳｉに、高真空下、局所高温加熱等によりＰを揮発除去し、更に一方向凝固等により、金属不純物を低減し、極めて安価に純度６Ｎ程度の太陽電池に使用可能な高純度Ｓｉとすることができる。 （もっと読む）

【課題】保持部材内面に容易に離型材層を形成でき、また、使用途中には離型材層が保持部材内面から剥離落下し難くて優れた離型性を発揮し、しかも、シリコン保持作業の終了後には保持部材内面から劣化した離型材層を剥離させ、新たな離型材層を形成することにより、容易に再生できる溶融シリコンの保持部材を提供する。
【解決手段】溶融シリコンを保持するための黒鉛製保持部材であって、保持部材の少なくとも溶融シリコンと接する部分には、離型材層として、窒化珪素粉末と熱硬化性フェノール樹脂との混合離型材を酸化雰囲気中２００〜３００℃の条件で熱硬化焼成させて得られた混合材料焼成層が形成されている溶融シリコンの保持部材である。 （もっと読む）

【課題】高容量且つ充放電サイクル特性に優れるリチウムイオン二次電池が得られるアモルファス合金を提供する。
【解決手段】Ｓｉ及びＡｌを含み、さらにＦｅ、Ｃｒ、Ｎｉ及びＺｒから選ばれる少なくとも２種の元素を含み、Ｓｉの含有量（原子％）及びＡｌの含有量（原子％）の和が７０原子％以上９０原子％以下であって、下記式（１）を満たすアモルファス合金。
１＜（Ｓｉの含有量（原子％））／（Ａｌの含有量（原子％））＜３ （１） （もっと読む）

【課題】鋳造されたインゴット中の酸素濃度および炭素濃度を低減することができるシリコンインゴットの電磁鋳造方法を提供する。
【解決手段】シリコンインゴットの鋳造を行う前にチャンバー内の雰囲気を不活性ガス雰囲気に置換するにあたり、置換処理を１回以上行い、置換処理は、チャンバー内の雰囲気を排出してチャンバー内の圧力を所定の真空圧とする真空引き工程Ｓ１と、チャンバー内の圧力を前記真空圧に維持しつつチャンバー内の雰囲気を排出する真空圧維持工程Ｓ２と、チャンバー内に不活性ガスを供給してチャンバー内の圧力を所定の設定圧とする復圧工程Ｓ３と、チャンバー内に不活性ガスを供給するとともにチャンバー内の雰囲気を排出して、チャンバー内の圧力を前記設定圧に維持する設定圧維持工程Ｓ４とを含み、真空圧維持工程Ｓ２および設定圧維持工程Ｓ４でアフターヒーターを空焼きすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコン融液が浸み出すことなく、長期に亘って多数回の繰返し使用が可能であり、しかも、搬送中におけるシリコン融液の飛沫の発生を抑制することができるシリコン融液の搬送部材を提供する。
【解決手段】Ｃ／Ｃコンポジット材により一端開口筒体状に形成され、開口側には入口開口が形成されていると共に外周部の平坦側面部には側面方向に向けて開口する出口開口を有し、底面側には入口開口から流入したシリコン融液の流れ方向を出口開口に向けて変える底流案内部を有する方向変更部材と、Ｃ／Ｃコンポジット材により溝状又は筒状に形成された樋部材とを有し、使用時には、樋部材の上方に方向変更部材をその底流案内部が重なり合うように配置し、方向変更部材の入口開口から流入したシリコン融液の流れを樋部材のシリコン融液流れ方向に案内するシリコン融液の搬送部材である。 （もっと読む）

【課題】原料のルツボ内への供給時における金属の持ち込みを極力少なくすることができる多結晶シリコンの鋳造方法を提供する。
【解決手段】無底の冷却ルツボを用い、電磁誘導により多結晶シリコンを連続的に鋳造する多結晶シリコンの鋳造方法であって、原料として、高純度シリコンの粒径が０．６ｍｍ〜３ｍｍの原料と粒径が３ｍｍを超え４０ｍｍ以下の原料を全原料の７０〜１００質量％として混合し、かつ両者の混合比を比較した場合に、粒径が０．６ｍｍ〜３ｍｍのものが０〜４０質量％、粒径が３ｍｍを超え４０ｍｍ以下のものが１００〜６０質量％である高純度シリコンを使用する。これにより、重金属による汚染が少なく、良好な変換効率を維持できる太陽電池の基板材としての多結晶シリコンを、簡素で小型の原料供給配管を採用した電磁鋳造装置を使用して容易に製造することができる。 （もっと読む）

【課題】比較的低純度のシリコン原料からボロンおよびその他の不純物を効率的に除去でき、且つ連続的な処理が可能で、且つコンパクトな装置構成で量産が可能なシリコン原料の精製方法を提供する。
【解決手段】原料となるシリコンまたはシリカの粉末１を落下させ、その粉末をオゾンを含む高温領域８を通過させる。高温領域中のオゾンにより粉末に含まれるボロンが酸化され、酸化物として気化して除去される。高温領域８を通過した粉末が冷却され、ボロンを除去した粉末として回収する。高温領域８を高周波誘導熱プラズマまたはレーザビーム照射にて形成する。また、ボロンを除去した粉末を水素を含む高温領域２８を通過させ、高温領域中の水素により粉末に含まれる二酸化硅素成分を還元してシリコンとなす。 （もっと読む）

【課題】冶金法によるシリコン原料の精製プロセスにおいて、各工程間の搬送経路の途中で溶融シリコンの搬送方向を変える必要がある場合に、好適に使用することができるシリコン融液の搬送部材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】厚さ５〜１０mmを有する複数のＣ／Ｃコンポジット板材の端部を接合して形成され、搬送経路の途中に溶融シリコンの搬送方向を変える方向変更部を有するシリコン融液の搬送部材であり、Ｃ／Ｃコンポジット板材の２枚が互いに所定の角度で接合される接合箇所が、直径３〜８mmφ及び長さ７．５〜３２mmの大きさの軸部を有する連結具を４〜５０mmの間隔で打ち込んで固定され、かつ、カーボン接着剤で固着されているシリコン融液の搬送部材である。 （もっと読む）

【課題】鋳造されるシリコンインゴットが金属不純物により汚染されるのを低減でき、シリコンインゴットから切り出されたウェーハを太陽電池に用いた際に光電変換効率を向上させることができるシリコンインゴットの鋳造方法を提供する。
【解決手段】ルツボ７に装入されたシリコン原料を加熱して融解させた後、凝固させて多結晶シリコンインゴットを鋳造する方法において、ルツボ７にシリコン原料を供給する経路上に、シリコン材料からなる保護部材１７および１８を配置して鋳造を行うことを特徴とするシリコンインゴットの鋳造方法である。保護部材として、Ｆｅ濃度が１０¹⁵ａｔｏｍｓ／ｃｃ以下、Ｎｉ濃度が１０¹⁴ａｔｏｍｓ／ｃｃ以下およびＣｒ濃度が１０¹⁴ａｔｏｍｓ／ｃｃ以下であるシリコン材料から作製されたものを用いるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】シリコンを高純度に精製することが可能なシリコンの精製方法を提供する。
【解決手段】本発明は、シリコン屑から精製シリコンを得るシリコン精製方法であって、シリコン屑を溶融してシリコン溶湯を形成する工程と、シリコン溶湯から得られる溶融シリコンを凝固させてシリコン塊を形成する工程と、を含み、シリコン溶湯を形成する工程は、シリコン屑を第１の圧力下で溶融してシリコン溶湯を形成する工程と、シリコン溶湯を第１の圧力よりも低い第２の圧力下で脱気する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンインゴットを鋳造する際に用いる部材の材料を評価する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】多結晶シリコンインゴットを鋳造する際に用いる部材の材料を評価する方法であって、評価材料からなる内面で形成された閉空間部２１ｃを有する容器２１を作成し、閉空間部２１ｃにシリコン試料を配置した後、容器２１を所定回転数で所定時間に亘り回転軸を略水平にして回転させる回転処理を行い、その後、シリコン試料について不純物濃度を測定し、不純物濃度の測定結果に基づき材料を評価することを特徴とする材料評価方法である。これにより、多結晶シリコンインゴットを鋳造する際に用いる部材の材料を評価し選定する際に、鋳造されるインゴットが不純物により汚染されるのを低減できる材料を選定できる。 （もっと読む）

【解決課題】結晶の生産性を高い状態に維持しながら、従来よりも不純物元素の除去を効率良くかつ確実に行うことができる金属シリコンの凝固精製方法及びその装置を提供する。
【解決手段】凝固精製装置の鋳型内にある金属シリコンの融液を一方向凝固させて金属シリコン中の不純物元素を除去する金属シリコンの凝固精製法であり、凝固界面での融液側温度勾配Ｇと、凝固途中の融液中不純物元素濃度Ｃmと、凝固速度Ｖとを用いて表される組成的過冷却指数｛VOGC＝(V/G)×Cm｝が、金属シリコンにおけるシリコン−不純物元素の状態図から読み取れる液相線の勾配ｍと不純物元素の拡散係数Ｄにより表される組成的過冷却の臨界値｛0.59(D/m)｝に対して、１／１０｛０．５９（Ｄ／ｍ）｝≦ＶＯＧＣ＜０．５９（Ｄ／ｍ）の関係を維持するように、融液の加熱及び／又は冷却を行う金属シリコンの凝固精製法である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、平均粒度が３μｍ以下の無機質球状化粒子を効率良く生成することの可能な無機質球状化粒子製造用バーナ、無機質球状化粒子製造装置、及び無機質球状化粒子の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】燃焼室Ｃの入口側に位置する噴出面３４の中心に配置され、燃焼室Ｃに無機質原料粉体を含む原料スラリーを噴出する原料噴出孔３１Ｂと、原料噴出孔３１Ｂの外側に位置する噴出面３４に配置され、燃焼室Ｃ内に原料スラリーを分散させる噴霧流体を噴出する噴霧流体噴出部３２Ｂと、噴霧流体噴出部３２Ｂよりも外側の位置に複数設けられ、燃料室Ｃに燃料ガスを噴出する燃料ガス噴出孔３３Ｂと、燃料ガス噴出孔３３Ｂよりも外側の位置に複数設けられ、燃料室Ｃに支燃性ガスを噴出する第１及び第２の支燃性ガス噴出孔３５Ｂ，３８と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高効率な発電パネル用の多結晶シリコンウェーハを提供する。
【解決手段】電磁鋳造法によって多結晶シリコンインゴットを製造するに際し、シリコン融液にリンを連続的又は断続的に添加することによって比抵抗を１Ωｃｍ以上、１０Ωｃｍ以下に制御する。本発明によれば、ドーパントを連続的又は断続的に添加可能な電磁鋳造法を用いていることから、多結晶シリコンインゴットの比抵抗を結晶軸方向において１Ω以上、１０Ωの範囲に制御することが可能となる。しかも、ドーパントがリンであることから、Ｂ−Ｏ複合体が形成されることによる転位密度の増加も生じない。 （もっと読む）

【課題】鋳造の対象をｎ型とｐ型の間で変更するに際し、装置内の清掃を短時間で行い、得られる多結晶シリコンの抵抗率のバラツキの低く抑えることができる多結晶シリコンの電磁鋳造装置および電磁鋳造方法を提供する。
【解決手段】（１）無底冷却モールド１と、このモールドを取り囲む誘導コイル２を有し、電磁誘導加熱により溶融したシリコンを凝固させ、インゴット３として取り出す、ｎ型多結晶シリコンの製造に適した多結晶シリコンインゴットの電磁鋳造装置であって、メインチャンバー７−１の上部に雰囲気ガスを引き込む開口１１ａ、１２ａを有し、サブチャンバー７−２の下部に前記引き込んだ雰囲気ガスを導入する開口１１ｂ、１２ｂを有する還流配管１１、１２を少なくとも２系統備える電磁鋳造装置。（２）この装置を使用し、多結晶シリコンの導電型に応じてあらかじめ定めた還流配管を使用する電磁鋳造方法。 （もっと読む）