【課題】鋳造されたシリコンインゴットから切り出されたウェーハにおいて、局所的に金属不純物により汚染された異常部が発生するのを抑え、金属不純物による汚染を低減できるシリコンインゴットの連続鋳造装置および連続鋳造方法を提供する。
【解決手段】電磁鋳造法により多結晶シリコンを連続的に鋳造する際に用いられ、導電性を有し、シリコン原料を溶解させて連続鋳造する無底の冷却ルツボ７と、冷却ルツボ７を固定する天板１０と、冷却ルツボ７の外側を囲繞し、冷却ルツボ７の内側に装入されたシリコン原料を電磁誘導により加熱する誘導コイル８とをチャンバー１内に備えたシリコンインゴットの連続鋳造装置において、冷却ルツボ７の上面に冷却ルツボの内側と外側を仕切る仕切り部材１７を設けることを特徴とするシリコンインゴットの連続鋳造装置である。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉヒュームが発生した場合であっても、冷却ルツボの直下でインゴットの鋳肌表面の温度変動を正確に監視できるシリコンインゴットの電磁鋳造装置を提供する。
【解決手段】チャンバー１内に配置した無底冷却ルツボ７にシリコン原料１１を投入し、ルツボ７を囲繞する誘導コイル８からの電磁誘導加熱により原料１１を溶解させ、この溶融シリコン１２をルツボ７から引き下げながら凝固させてインゴット３を連続鋳造する電磁鋳造装置において、チャンバー１の側壁に監視窓１５を設け、監視窓１５とルツボ７の直下におけるインゴット３の鋳肌表面近傍との間にわたり耐熱管１７を設け、耐熱管１７のインゴット３側の端面が耐熱板１８で閉塞されており、監視窓１５の外部の放射温度計１６により耐熱管１７内を通して耐熱板１８の温度を測定し、この温度に基づいてインゴット３の鋳肌表面温度の変動を監視する。 （もっと読む）

【課題】保温装置内の温度環境の変化を防止して安定した操業を行い、金属不純物による汚染のない、太陽電池の基板材として好適な多結晶シリコンを製造することができるシリコンの電磁鋳造装置を提供する。
【解決手段】無底冷却モールドと、加熱用誘導コイルと、前記モールドの下方に配置され、凝固したシリコンを徐冷する保温装置を有し、前記誘導コイルによる電磁誘導加熱により溶融したシリコンを下方に引き下げ凝固させるシリコンの電磁鋳造装置であって、モールド１と保温装置３の外枠６との間の隙間に、炭素繊維材８ａの上に断熱材８ｂが載置されてなる保温ボード８が配置された電磁鋳造装置。前記炭素繊維材は、少なくとも１箇所で切断されていることが望ましい。炭素繊維材に替えて炭化珪素製またはアルミナ製の部材も使用できる。 （もっと読む）

【課題】冷却ルツボへのシリコン原料の投入に伴ってシリコン原料がプラズマトーチと接触するのを防止し、溶融シリコンの金属不純物汚染を抑制するとともに、シリコン原料の融解を安定させることができるシリコンインゴットの電磁鋳造装置を提供する。
【解決手段】導電性を有する無底冷却ルツボ７に原料導入管１０を通じてシリコン原料１１を投入し、冷却ルツボ７を囲繞する誘導コイル８からの電磁誘導加熱、および冷却ルツボ７の上部に挿入されたプラズマトーチ１３からのプラズマアーク加熱によりシリコン原料１１を融解させ、この溶融シリコン１２を冷却ルツボ７から引き下げながら凝固させてシリコンインゴット３を連続鋳造する電磁鋳造装置において、冷却ルツボ７の側壁に貫通穴７ｃが形成され、この貫通穴７ｃに原料導入管１０が接続されている。 （もっと読む）

【課題】 シリコン融液及び多結晶シリコンインゴットへの不純物汚染を抑制しながらも、離型性に優れた、きわめて低コストの多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器を提供する。
【解決手段】 シリコン融液を収容した後凝固して多結晶シリコンインゴットを製造するための角形シリカ容器であって、多孔質シリカからなる平行平板状の多孔質シリカ板体を組み合わせて構成されたものであり、前記多孔質シリカ板体の両平行平面の表面部分のかさ密度が、前記角形シリカ容器の内表面部分よりも外表面部分において高い多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器。 （もっと読む）

【課題】被処理物を炉体の中央に対して近い位置で投入可能な被処理物投入装置を提供する。
【解決手段】内部に設けられた炉体にて被処理物を溶融する処理装置に対し、被処理物を外部から投入するための被処理物投入装置において、前記処理装置の内部に投入される被処理物が通過可能な被処理物通路１２を備え、前記被処理物通路１２のうちで、被処理物の前記通過方向を基準とした下流端１２ａが、前記炉体の中央を通る垂直線Ｃを含む中央領域の位置と、前記中央領域から外れた位置との間で移動可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】高純度のポリシリコンを高速で得る方法を提供する。
【解決手段】ポリシリコンの製造方法であって、高周波熱プラズマトーチ１０中にハロゲン化ケイ素化合物を含む原料ガスを導入する原料ガス導入工程と、前記高周波熱プラズマトーチ１０中に導入された前記原料ガスを熱プラズマ処理し、溶融ポリシリコン２００を生成する熱プラズマ工程と、前記熱プラズマ工程において生成した前記溶融ポリシリコン２００を冷却固化する冷却工程と、を有することを特徴とするポリシリコンの製造方法。 （もっと読む）

【課題】プラズマアークによるプラズマ加熱を併用して、太陽電池の基板材としての高品質の多結晶シリコンインゴットを製造するに際し、最終凝固位置においてクラックを生じさせずに安定して製造することができるシリコンの電磁鋳造装置を提供する。
【解決手段】無底冷却モールド１と、加熱用誘導コイル２を有し、前記誘導コイルによる電磁誘導加熱により溶融したシリコンを下方に引き下げ凝固させるシリコンの電磁鋳造装置であって、さらに、移行式プラズマアークを発生させるプラズマトーチを有し、かつ、溶融シリコン４表面に対向可能に構成された、前記誘導コイルによる電磁誘導によって発熱するトップヒーター３を備える電磁鋳造装置。トップヒーターが２個以上に分割されたものであれば、最終凝固時に、溶融シリコンの表面全体を高温に維持し、全体が高品質のインゴットを得ることができるので望ましい。 （もっと読む）

【課題】体積の均一な球状の半導体材料を提供する。
【解決手段】板状の半導体材を分割し複数の半導体分割片を形成する第一の工程と、半導体分割片のそれぞれを、複数の装填部を有する基材の各装填部内に装填する第二の工程と、装填部内に装填された半導体分割片を加熱して、装填部内で融解した後に、融解された溶融体を冷却して固化する第三の工程と、を有している製造方法とした。これによって、板状の半導体材を分割し、半導体分割片にする事により、それぞれの半導体分割片の体積のバラツキを抑える事ができ、粉体を用いる場合と比較して、融解、固化され得られた球状の半導体材の体積を均一にできる。この事により、光−電気変換性能を一定にする事ができ、球状半導体型太陽電池モジュールの組立工程での工程不良や、外観不良を低減できる。 （もっと読む）

【課題】インゴットの外周部において不純物による汚染を低減することができるシリコンインゴットの連続鋳造方法を提供する。
【解決手段】チャンバー１内に不活性ガスを供給しつつ、当該チャンバー１内に配置した導電性を有する無底冷却ルツボ７にシリコン原料を装入し、無底冷却ルツボ７を囲繞する誘導コイル８からの電磁誘導加熱によりシリコン原料を溶解させ、この溶融シリコン１２を無底冷却ルツボ７から引き下げながら凝固させてシリコンインゴットを連続鋳造する方法において、チャンバー１内に不活性ガスを供給する際に、不活性ガスを溶融シリコン１２の上方に供給するとともに、シリコンインゴット３の下部に供給し、当該下部に供給した不活性ガスをシリコンインゴットの外周に流通させることを特徴とするシリコンインゴットの連続鋳造方法である。 （もっと読む）

【課題】シリコン溶湯表面を高温に保つための保温手段として、簡便な構造で製作が容易であり、しかも、るつぼの加熱下に交換可能なリング状の保温蓋を用い、るつぼを加熱したままで数十チャージ分のシリコンを連続的に処理することが可能なシリコン精製装置及びこれを用いたシリコン精製方法及び精製方法を提供する。
【課題手段】真空ポンプを具備した減圧室内に、シリコンを収容する上端開口の黒鉛製るつぼと、該るつぼを加熱する加熱装置を備えたシリコン精製装置であって、前記るつぼの上部において該るつぼの開口部を覆うと共にるつぼ内のシリコン溶湯表面より小さい面積の排気開口を有するリング状の保温蓋を備え、該保温蓋が、前記減圧室内において、前記るつぼの加熱中に交換可能であることを特徴とするシリコン精製装置、及びこれを用いたシリコン精製方法である。 （もっと読む）

【課題】電磁鋳造法による連続鋳造の際に、チャンバー内で自然対流する雰囲気ガスに起因して、溶融シリコンが金属不純物で汚染されることを防止できるシリコンインゴットの電磁鋳造装置を提供する。
【解決手段】チャンバー１内に配置した無底冷却ルツボ７にシリコン原料１１を装入し、誘導コイル８からの電磁誘導加熱によりシリコン原料１１を融解させ、この溶融シリコン１２を冷却ルツボ７から引き下げながら凝固させてシリコンインゴット３を連続鋳造する電磁鋳造装置において、チャンバー１の側壁の上部と下部に連結され、冷却ルツボ７の上方の雰囲気ガスを導入して冷却ルツボ７の下方に送り出す通気管１５を備え、この通気管１５の経路に集塵機２０および磁選機２１を設ける。 （もっと読む）

【課題】ケイ素を用いたネックレス等の身飾品について、割れや欠けの生じ難い身飾品を提供する。
【解決手段】ケイ素を９９質量％以上含む球状の身飾品であり、任意の三方向からの前記身飾品の平面視をそれぞれ６倍に拡大した後に二値化して、前記平面視に表出する凹部を黒色化した場合に、長辺が１ｍｍを超える黒色点の個数が、前記平面視の面積５０ｍｍ^２当り平均５個以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】回収シリコンくず、特に酸化珪素及び炭化珪素を含む回収シリコンくずからシリコンを効率的に再生して回収するシリコン回収方法を提供することを目的とする。また、回収シリコンくずをそのまま利用可能なフェロシリコンに再生させるシリコン回収方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るシリコン回収方法は、溶融スラグの基に、酸化珪素、または、酸化珪素及び炭化珪素を含む回収シリコンくずをアーク放電により再溶解し、シリコンに再生させるシリコン回収方法であって、前記溶融スラグの温度が1750℃以上で再溶解を行うことにより実施される。 （もっと読む）

【課題】原料のルツボ内への供給時における金属の持ち込みを極力少なくすることができる多結晶シリコンの鋳造方法を提供する。
【解決手段】無底の冷却ルツボを用い、電磁誘導により多結晶シリコンを連続的に鋳造する多結晶シリコンの鋳造方法であって、原料として、最大粒径が４０ｍｍであり、かつ、粒径が０．６ｍｍ〜３ｍｍのものが０〜４０％、粒径が３ｍｍを超え４０ｍｍ以下のものが１００〜６０％である高純度シリコンを使用する。これにより、重金属による汚染が少なく、良好な変換効率を維持できる太陽電池の基板材としての多結晶シリコンを、簡素で小型の原料供給配管を採用した電磁鋳造装置を使用して容易に製造することができる。 （もっと読む）

【課題】所定量の半導体粉末からなる小塊を溶融して球状溶融体を形成し、これを冷却凝固させて半導体粒子を製造する方法において、質量バラツキが小さい多数の小塊を相互に確実に離間させた状態で加熱用基板上に形成する。これにより、半導体粒子の高品質化と生産性向上が可能となる。
【解決手段】相互に間隔を設けて型板の表側に形成された所定形状の多数の凹部内に半導体粉末を充填し、その型板の表側に加熱用基板の平面部を重ね合わせる。その状態を維持しつつ表裏を反転させる。次いで、加熱用基板上に配置されている型板を上方に引きあげて、凹部に充填された半導体粉末を加熱用基板上に転写する。上記の凹部の横断面積は開口部に近いほど大きいことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンウエハと単結晶ウエハの双方の機能又は機能の異なる２以上の多結晶シリコンウエハを備えたハイブリッドシリコンウエハを提供する。
【解決手段】一方を溶融状態とし他方を固体状態として相互に一体化した、同心円状の比抵抗が２桁以上異なる２種類以上の単結晶シリコン又は多結晶シリコンを主成分とするウエハからなることを特徴とするハイブリッドシリコンウエハであり、高比抵抗のシリコン又はシリコンを主成分とするインゴット１を、坩堝２内の中心部又は偏芯させた一部に配置すると共に、前記坩堝とインゴット周囲の空隙部に、前記インゴットよりも比抵抗が２桁以上低いナゲット３又は粉末状のシリコンを充填し、前記ナゲット又は粉末状のシリコンを選択的に溶解して、前記インゴットと一体化させて複合体とし、これをさらにウエハ状に切り出すことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】保持容器から不純物が混入することを防止することができる保持容器、および保持容器の製造方法を提供する。
【解決手段】金属元素、シリコン元素およびゲルマニウム元素から選択された選択元素を主成分とする溶融物を保持する保持容器であって、溶融液と接触する内面が一体的に形成された保持容器本体４を備え、保持容器本体４は、選択元素を主成分として含み、保持容器本体の選択元素の含有率（質量％）は、溶融物の選択元素の含有率（質量％）以上である。 （もっと読む）

【課題】生産効率の良いＳｉ系材料の製造方法を提供する。
【解決手段】炭素系るつぼ１２、または、炭素系サセプタ１６内に配置した耐熱ガラスるつぼ１８内に純Ｓｉまたは純Ｓｉおよび下記合金原料Ｘを投入し、高周波誘導加熱により炭素系るつぼ１２または炭素系サセプタ１６を加熱して、るつぼ１２、１８内の純Ｓｉまたは純Ｓｉおよび下記合金原料Ｘを溶解し、溶湯１４を得る工程と、合金原料Ｘ：長周期型周期表の２Ａ族元素、遷移元素、２Ｂ族元素、３Ｂ族元素、および、４Ｂ族元素から選択される１または２以上の元素、アトマイズ法またはロール急冷法を用いて、溶湯１４からＳｉ系材料を得る工程とを有する製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】リチウムイオン二次電池用正極材料などとして有用なリチウムシリケート系材料を、比較的簡単な手段によって低温で製造することができる新規の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のリチウムシリケート系化合物の製造方法は、アルカリ金属硝酸塩ならびにアルカリ金属水酸化物からなる群から選ばれた少なくとも一種を含む溶融塩中で、二酸化炭素および還元性ガスを含む混合ガス雰囲気下において、Ｌｉ_２ＳｉＯ_３で表される珪酸リチウム化合物と、鉄およびマンガンからなる群から選ばれた少なくとも一種を含む遷移金属元素含有物質と、を５５０℃以下で反応させることを特徴とする。 （もっと読む）