【課題】（００１）、（１１１）方位を向く結晶が多く存在し、かつ、底部における酸素濃度が高い部分が少なく、生産歩留まりを大幅に向上させることができる多結晶シリコンインゴット、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン融液を底面から上方に向けて一方向凝固させる多結晶シリコンインゴットの製造方法であって、ルツボ２０の底面にはシリカ多層コーティング層２７が配設されており、前記ルツボ２０内における凝固過程を、前記ルツボ２０の底面を基準として、０ｍｍから高さＸ（１０ｍｍ≦Ｘ＜３０ｍｍ）までの第１領域Ａ１と、高さＸから高さＹ（３０ｍｍ≦Ｙ＜１００ｍｍ）までの第２領域Ａ２と、高さＹ以上の第３領域Ａ３と、に区分けし、前記第１領域Ａ１における凝固速度Ｖ１が、１０ｍｍ／ｈ≦Ｖ１≦２０ｍｍ／ｈの範囲内に設定され、前記第２領域Ａ２における凝固速度Ｖ２が、１ｍｍ／ｈ≦Ｖ２≦５ｍｍ／ｈの範囲内に設定される。 （もっと読む）

【課題】酸洗浄をより効果的に実施して、不純物であるアルミニウムが有利に低減されることにより精製されたシリコンを製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の精製されたシリコンを製造する方法は、アルミニウムを７重量％以上含有するシリコンを加熱してシリコン融液を得る溶融工程（Ｓ１０）、当該シリコン融液を凝固してシリコン塊を得る凝固工程（Ｓ２０）、当該シリコン塊を粉砕してシリコン粒子を得る粉砕工程（Ｓ３０）、及びシリコン粒子を酸性溶液に３時間以上浸漬して酸洗浄する洗浄工程（Ｓ４０）、をこの順に備え、凝固工程（Ｓ２０）において、１３５０℃までの平均冷却速度が１．０×１０^４℃／分以上である。 （もっと読む）

【課題】亀裂及び剥落の低減をブリッジ側のロッド端部でも電極側のロッド端部でも実現し、かつそれによりロッド端部の切断後に亀裂のないロッド長さを向上させる、大直径のシリコンロッドの簡単な製造方法を提供すること。
【解決手段】気相から心棒に析出させることにより多結晶シリコンロッドを製造する方法において、電極の上側及び／又はロッドペアのブリッジの下側に、析出条件下で多結晶シリコンよりも低い比電気抵抗を有する材料からなる１つ又は複数のディスクを取り付けることを特徴とする多結晶シリコンロッドの製造方法。 （もっと読む）

【課題】溶融析出法による多結晶シリコンの製造において、原料ガスの反応管として用いられる筒状体の部材について、該部材組成に起因する生成シリコン中の炭素濃度の低減化を図ることができる多結晶シリコン製造用部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】炭素からなる筒状体基材１の内表面に保護膜２を形成し、前記保護膜２を、前記筒状体基材１の内表面上に形成された炭化珪素層２ａと、前記炭化珪素層２ａ上に形成されたＳｉＯ_ｘＮ_ｙ（ｘ＞０、ｙ＞０）組成を有する酸窒化珪素層２ｃとにより構成する。 （もっと読む）

【課題】熱電変換素子に好適な、優れた熱電変換特性を有するＳｉクラスレート化合物を
用いた熱電変換材料を提供する。
【解決手段】クラスレート化合物Ａ_ａＭ_ｂＱ_ｃＳｉ_{４６−ｂ−ｃ}（元素Ａは、Ｂａ、Ｓｒ
から選択した１成分以上の元素、元素Ｍは、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕから選択した１成分以上の
元素、元素Ｑは、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎから選択した１成分以上の元素）を用いた熱電変換材
料であって、Ｄ＝−２ａ＋３ｂ＋ｃで定義されるＤ値が−３以上である。好ましくは、ａ
が７．７以上８．０以下、かつｂが３．４以上３．９以下、かつｃが２．２以上３．６以
下である。また、焼結密度が理論密度の９５％を超える焼結体であること、クラスレート
化合物相の最強ピーク比が８５％以上であることがより好ましい。 （もっと読む）

【課題】様々な品質のシリコンを、数多くの試行錯誤を経ることなく、目標とする減圧保持時間（Ｔ）で、アルミニウム濃度（Ｃ）が精製後の目標アルミニウム濃度（Ｃ_T）になる精製シリコンを、効率良く製造しうる方法を提供すること。
【解決手段】アルミニウム初期濃度（Ｃ₀）と精製後の目標アルミニウム濃度（Ｃ_T）と減圧保持時間（Ｔ）とから、あらかじめ、本発明の式（１）を満足する融液温度（Ｌ）および真空接触面積比（Ｓ）を求め、求めた真空接触面積比（Ｓ）になるように鋳型内にアルミニウムを含有するシリコンを充填し、かつ、求めた融液温度（Ｌ）になるまで減圧下で加熱し、求めた融液温度（Ｌ）で減圧下のまま、減圧保持時間（Ｔ）まで保持する減圧精製工程を含む精製シリコンの製造方法。 （もっと読む）

アルミニウム含有シリコンの精製方法が提供され、アルミニウム含有シリコンを加熱し、溶融アルミニウム含有シリコンを形成する工程、カルシウム、酸化カルシウム、及び炭酸カルシウムからなる群から選択されるカルシウムの供給源、及び任意でシリカを該アルミニウム含有シリコンに添加する工程と、該溶融アルミニウム含有シリコンを酸素に曝露し、精製シリコン及び副生スラグを製造する工程とを具え、該精製シリコンは前記アルミニウム含有シリコン中のアルミニウムの量より少ない量のアルミニウムを含有する。
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【課題】電磁鋳造法による連続鋳造の際に、チャンバー内で自然対流する雰囲気ガスに起因して、溶融シリコンが金属不純物で汚染されることを防止できるシリコンインゴットの連続鋳造方法を提供する。
【解決手段】チャンバー１内に配置した無底冷却ルツボ７にシリコン原料１１を装入し、誘導コイル８からの電磁誘導加熱によりシリコン原料１１を融解させ、この溶融シリコン１２を冷却ルツボ７から引き下げながら凝固させてシリコンインゴット３を連続鋳造する方法において、チャンバー１の側壁に冷却ルツボ７の上方と下方で開口する配管１５が連結され、冷却ルツボ７の上端とチャンバー１の側壁との間に仕切り板１６が設けられており、配管１５を通じて冷却ルツボ７の上方の雰囲気ガスを冷却ルツボ７の下方に導入しつつ、冷却ルツボ７の下方から上方に流入する雰囲気ガスの流れを仕切り板１６によって遮断しながら鋳造を行う。 （もっと読む）

【課題】結晶性が良好で、ライフタイムの長い、太陽電池の基板材として好適な多結晶シリコンを提供する。
【解決手段】冷却るつぼを用いた電磁誘導連続鋳造法により製造された太陽電池用多結晶シリコンであって、凝固界面から３００ｍｍまでの領域が１２７５℃以上に保持され、リン拡散後のライフタイムが８０μｓｅｃ以上である多結晶シリコン。凝固界面から３００ｍｍまでの領域の保持温度が１２８０℃以上であれば、当該多結晶シリコンを基板として太陽電池を構成したときにより高い変換効率が期待できるので、望ましい。 （もっと読む）

【課題】太陽電池に適用することにより、高い光電変換効率を得られる多結晶シリコンウェーハを提供する。
【解決手段】硝酸、酢酸および弗酸からなる混酸液に浸漬し、転位を顕在化させたとき、ウェーハ表面において観察される亜粒界の占有率が１０％以下であることを特徴とする多結晶シリコンウェーハ。前記亜粒界の占有率を６％以下にすると、さらに光電変換効率を高めることができるので望ましい。 （もっと読む）

本発明は、インゴットの生産における効率的な炉容量利用に関する。本発明は、るつぼ、および該るつぼの使用を含む。るつぼは、インゴットが中で生産される炉の内部形状にほぼ一致する。

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【課題】酸洗浄をより効果的に実施して、不純物であるアルミニウムが有利に低減されることにより精製されたシリコンを製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の精製されたシリコンを製造する方法は、アルミニウムを含有するシリコンを加熱してシリコン融液を得る溶融工程（Ｓ１０）、当該シリコン融液を凝固してシリコン塊を得る凝固工程（Ｓ２０）、当該シリコン塊を粉砕してシリコン粒子を得る粉砕工程（Ｓ３０）、及びシリコン粒子を酸性溶液に３時間以上浸漬して酸洗浄する洗浄工程（Ｓ４０）、をこの順に備え、凝固工程（Ｓ２０）において、１３５０℃までの平均冷却速度が１００℃／分未満である。 （もっと読む）

【課題】高温及び減圧の環境下での使用においても、気泡の発生又は膨張が少ない合成シリカガラス製品のための原料に適する、合成非晶質シリカ粉末及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の合成非晶質シリカ粉末は、造粒されたシリカ粉末に球状化処理を施した後、洗浄し乾燥して得られた平均粒径Ｄ₅₀が１０〜２０００μｍの合成非晶質シリカ粉末であって、ＢＥＴ比表面積を平均粒径から算出した理論比表面積で割った値が１．３５を超え１．７５以下、真密度が２．１０ｇ／ｃｍ³〜２．２０ｇ／ｃｍ³、粒子内空間率が０〜０．０５以下、円形度が０．５０以上０．７５以下及び球状化率が０．２０以上０．５５未満であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高温及び減圧の環境下での使用においても、気泡の発生又は膨張が少ない合成シリカガラス製品のための原料に適する、合成非晶質シリカ粉末及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の合成非晶質シリカ粉末は、造粒されたシリカ粉末に球状化処理を施した後、洗浄し乾燥して得られた平均粒径Ｄ₅₀が１０〜２０００μｍの合成非晶質シリカ粉末であって、ＢＥＴ比表面積を平均粒径Ｄ₅₀から算出した理論比表面積で割った値が１．００〜１．３５、真密度が２．１０〜２．２０ｇ／ｃｍ³、粒子内空間率が０〜０．０５、円形度が０．７５〜１．００及び球状化率が０．５５〜１．００であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高温及び減圧の環境下での使用においても、気泡の発生又は膨張が少ない合成シリカガラス製品のための原料に適する、合成非晶質シリカ粉末及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の合成非晶質シリカ粉末は、造粒されたシリカ粉末を焼成し、この焼成したシリカ粉末に球状化処理を施した後、洗浄し乾燥して得られた平均粒径Ｄ₅₀が１０〜２０００μｍの合成非晶質シリカ粉末であって、ＢＥＴ比表面積を平均粒径Ｄ₅₀から算出した理論比表面積で割った値が１．３５を超え１．７５以下、真密度が２．１０〜２．２０ｇ／ｃｍ³、粒子内空間率が０〜０．０５、円形度が０．５０以上０．７５以下及び球状化率が０．２０以上０．５５未満であり、炭素濃度が２ｐｐｍ未満又は塩素濃度が２ｐｐｍ未満のいずれか一方或いはその双方を満たすことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高温及び減圧の環境下での使用においても、気泡の発生又は膨張が少ない合成シリカガラス製品のための原料に適する、合成非晶質シリカ粉末及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の合成非晶質シリカ粉末は、造粒されたシリカ粉末を焼成し、この焼成したシリカ粉末に球状化処理を施した後、洗浄し乾燥して得られた平均粒径Ｄ₅₀が１０〜２０００μｍの合成非晶質シリカ粉末であって、ＢＥＴ比表面積を平均粒径Ｄ₅₀から算出した理論比表面積で割った値が１．００〜１．３５、真密度が２．１０〜２．２０ｇ／ｃｍ³、粒子内空間率が０〜０．０５、円形度が０．７５〜１．００及び球状化率が０．５５〜１．００であり、炭素濃度が２ｐｐｍ未満又は塩素濃度が２ｐｐｍ未満のいずれか一方或いはその双方を満たすことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高温及び減圧の環境下での使用においても、気泡の発生又は膨張が少ない合成シリカガラス製品のための原料に適する、合成非晶質シリカ粉末及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の合成非晶質シリカ粉末は、造粒されたシリカ粉末に球状化処理を施した後、洗浄し乾燥して得られた平均粒径Ｄ₅₀が１０〜２０００μｍの合成非晶質シリカ粉末であって、ＢＥＴ比表面積を平均粒径Ｄ₅₀から算出した理論比表面積で割った値が１．００〜１．３５、真密度が２．１０〜２．２０ｇ／ｃｍ³、粒子内空間率が０〜０．０５、円形度が０．７５〜１．００及び未溶解率が０．００〜０．２５であることを特徴とする。 （もっと読む）

高品質シリコン材料(例えば、多結晶シリコン) を形成するためのシステム。特定の実施態様において、溶融材料には、シリコン材料及び不純物(例えば、リンの種)が含まれる。システムには、内側領域を備えるるつぼが含まれる。特定の実施態様において、るつぼは、適切な材料(例えば石英材料又は他のもの)でできている。石英材料は、シリコンを処理するために少なくとも摂氏1400度の温度に耐えることができる。特定の実施形態において、るつぼは、直立に配置されて、溶融材料を露出させる開放域を備える。特定の実施形態において、本システムは、エネルギー源を備える。かかるエネルギー源は、アークヒーター又は他の適切な加熱装置であってもよい。これには、複合加熱装置が含まれ、それらは、同じものか異なるものであってもよい。アークヒーターは、開放域より上に構成されて、露出溶融材料とアークヒーター銃口部との間の隙間によって間隔が開いている。露出溶融材料の中心付近内で、規定の温度プロファイルを形成させると共に、溶融材料の外側領域をるつぼの石英材料の融点より低い温度に維持する。システムは、結果としてリン種を0.1ppm以下含む溶融材料を生産する。これが、精製されたシリコンである。 （もっと読む）

【課題】転移が突然形成されたり、溶融シリコンはその時点まで成長した単結晶の側部において流出することがなく、歩留まりの高いシリコン単結晶の形成方法を提供する。
【解決手段】第１の誘導加熱コイル２によって、成長する単結晶と、シリコンから成る円錐状の管部分１の下端部との間に、溶融したシリコンの第１の体積９を形成し、プレート３の上方に配置された第２の誘導加熱コイル７によって、溶融したシリコンの第２の体積１０を形成し、溶融したシリコンの第２の体積１０のための通過開口が形成される程度まで管部分１の下端部を溶融させ、通過開口が、溶融したシリコンの第２の体積１０がまだ存在しないか又は溶融したシリコンの第１の体積９の２倍よりも少ない時点で形成され、第１及び第２の体積９，１０から溶融したシリコンを消費することによって、成長する単結晶にモノクリスタルシリコンを結晶させる。 （もっと読む）