【課題】シリコン加工プロセスで発生し、シリコンスラッジ中のシリコン粉の安定的な高純度化が図れ、バッチ間でのシリコン粉の均一な高純度化も可能なシリコンスラッジの洗浄方法を提供する。
【解決手段】シリコン加工プロセスで生じたシリコンスラッジ中のシリコン粉の酸素濃度を測定し、その値から洗浄槽内の全シリコン粉のＳｉＯ_２膜の総重量を求め、さらに全ＳｉＯ_２膜の除去に必要な最小のＨＦ量を算出し、この値以上のＨＦ量のＨＦ洗浄液を洗浄槽に投入しＨＦ洗浄する。よって、シリコン加工プロセスで発生し、バッチでＨＦ洗浄されるシリコンスラッジ中のシリコン粉の安定的な高純度化が図れる。また、バッチ間にわたるシリコン粉の均一純度化も実現できる。 （もっと読む）

【解決手段】不純物を含む珪素を減圧雰囲気下でプラズマ炎により溶融した後、この溶融珪素に酸化性ガスを吹き付けることで上記不純物を除去することを特徴とする珪素の精製方法。
【効果】本発明によれば、従来の珪素の精製方法に比べ、珪素中の不純物、特に硼素とリンを安価に効率良く除去することができる。 （もっと読む）

【課題】切削加工を行なうことなくシリコン原料から筒状シリコン結晶体を製造することを可能とする、筒状シリコン結晶体製造方法とその製造方法で製造する筒状シリコン結晶体を提供する。
【解決手段】シリコンよりも熱膨張係数が小さく、融点が高い材質で形成された融液貯留容器と、シリコンよりも熱膨張係数が大きく、融点が高い材質で形成された中子を使用する。前記融液貯留容器の内面及び前記中子の外面に窒化珪素（Ｓｉ_３Ｎ_４）を塗布し、前記中子を前記融液貯留容器の内部に配置する。そして、前記融液貯留容器の内面と前記中子の外面とで形成された空隙にシリコン融液を充填し、前記シリコン融液の溌液性を維持しながら、前記融液貯留容器の底面側から上側へ温度勾配を設け、前記シリコン融液を固化させる。 （もっと読む）

【課題】良好な機械的特性をもつ透明中実微小球を提供すること。
【解決手段】中実微小球の全重量に対して少なくとも約７５重量％の全含有率でチタニアと、アルミナ、ジルコニアおよび／またはシリカを含有し、アルミナ、ジルコニアおよびチタニアの全含有率はシリカの含有率より大きい、透明中実微小球となす。 （もっと読む）

【課題】 シリコン融液及び多結晶シリコンインゴットへの不純物汚染を十分に防止することができる能力を有し、かつ、離型性に優れた、低コストの多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器、及びそのような角形シリカ容器を製造する方法を提供する。
【解決手段】 シリコン融液を収容した後凝固して多結晶シリコンインゴットを製造するための角形シリカ容器であって、該角形シリカ容器は、少なくとも多孔質シリカ基体からなるものであり、前記多孔質シリカ基体は、かさ密度が１．８０〜２．１０ｇ／ｃｍ^３であり、Ａｌ濃度が５〜５００ｗｔ．ｐｐｍであり、ＯＨ基濃度が５〜５００ｗｔ．ｐｐｍであり、前記多孔質シリカ基体の内表面部分の少なくとも一部に、前記多結晶シリコンインゴットの離型を促進する離型促進剤が含有されているものである多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器、及びこのような角形シリカ容器を製造する方法。 （もっと読む）

【課題】成長初期に発現させるデンドライト結晶の成長方向、配列、配置、分布を制御可能であり、高品質・高均質なＳｉ多結晶インゴットを製造することができるＳｉ多結晶インゴットの製造装置、Ｓｉ多結晶インゴットおよびＳｉ多結晶ウェハーを提供する。
【解決手段】ルツボ１内に入れたＳｉ融液２の底部付近または表面付近の局所領域２ａの過冷却度を変えることにより、融液温度が高い領域から融液温度の低い局所領域２ａに向けてデンドライト結晶３を複数発現させたり、融液温度の低い局所領域２ａから融液温度が高い領域に向けてデンドライト結晶３を複数発現させたりすることができるよう、Ｓｉ融液２の底部付近または表面付近に、融液温度が低く大きな過冷却度を有する線状、点状、円状、円周状、円弧状またはそれらのうちの複数を組み合わせた形状よりなる局所領域２ａを形成可能である。 （もっと読む）

【解決手段】不純物としてホウ素を含有するシリコン及びスラグをそれぞれが溶融するよう加熱した後、上記シリコン及び上記スラグを溶融状態で接触させ、上記シリコン中のホウ素を上記スラグに吸収させて上記シリコン中のホウ素を除去するシリコンの精製方法であって、上記スラグの組成を制御しながら上記スラグにホウ素を吸収させることを特徴とするシリコンの精製方法。
【効果】本発明の精製方法によれば、従来公知の精製方法よりも安価に効率よくシリコン中のホウ素を除去することができ、平均ホウ素含有量を、４質量ｐｐｍ以下、特に３質量ｐｐｍ以下にまで低減することができる。本発明の方法に加えて更に公知のホウ素低減方法を行う場合にも、本発明の方法でホウ素濃度の低下が達成されているので、次工程であるホウ素濃度低減工程を実施するには好都合である。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、効率的に、高い品質のシリコン結晶を製造できる方法を提供することにある。
【解決手段】シリコン原料１０を電磁鋳造炉（ＥＭＣ炉）２０内に投入するに先立って、該シリコン原料１０を加熱によって溶解してシリコン溶解物１１とし、該シリコン溶解物１１を前記電磁鋳造炉２０内に投入する工程を備えるシリコン結晶の製造方法であって、前記シリコン原料１０をプラズマ照射３０により加熱することで前記シリコン溶解物１１を形成し、温度により炉内投入量の制御が可能な搬送管４０を通じて、該シリコン溶解物１１を前記電磁鋳造炉２０内へ投入することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】表面にクラックが存在していても、エッチング後のエッチング剤の付着量を腐食性ガスの発生量が顕著とならない程度とすることが可能であり、かつ清浄度の高いシリコン破砕物を得ることが可能なシリコン塊の処理方法を提供する。
【解決手段】下記（ａ）〜（ｆ）の工程を備えるシリコン塊の処理方法。（ａ）常温のシリコン塊を加熱する工程、（ｂ）前記加熱したシリコン塊を冷却し、クラックを発生させる工程、（ｃ）前記クラックが発生したシリコン塊を破砕してシリコン破砕物とする工程、（ｄ）前記シリコン破砕物を純水に浸漬し、冷却または破砕により表面に発生したクラックに純水を浸透させる工程、（ｅ）前記純水に浸漬したシリコン破砕物の表面を、エッチング剤を用いてエッチングする工程、および（ｆ）前記エッチングしたシリコン破砕物の表面を純水で洗浄し、前記エッチング剤を除去する工程。 （もっと読む）

【課題】 粉末充填体としての電流遮断性と熱伝導性が高く、かつ充填密度の高い安価な電子部品材料用Ｓｉ粉末を提供する。
【解決手段】 Ｆｅ：０．０１〜２質量％含み、残部Ｓｉおよび不可避的不純物からなり、内部に生成する膜状不純相の厚さが２μｍ以下である、球形状もしくは概ね球形状であることを特徴とした電子部品材料用Ｓｉ粉末。 （もっと読む）

【課題】透明部材に用いられるフィラーにおいて、透明部材の光透過性を向上させることができるフィラーを提供する。
【解決手段】セラミックス粒子からなるフィラーであって、該セラミックス粒子が、以下の要件（Ｉ）〜（VI）を満たすフィラー。
（Ｉ）Ａｌ_２Ｏ_３とＳｉＯ_２の合計含有量が９９．２重量％以上であり、
（II）Ａｌ_２Ｏ_３とＳｉＯ_２の重量比（Ａｌ_２Ｏ_３／ＳｉＯ_２）が０．１〜１．０であり、
（III）Ｘ線回折スペクトルにおける相対バックグラウンド高さが３〜１８であり、
（IV）平均粒子径が０．０１〜５０μｍであり、
（Ｖ）真球度が０．９５以上であり、
（VI）屈折率が１．４８〜１．６０である。 （もっと読む）

【課題】流動層でアルミニウム粉末を珪素化合物ガスとを反応させてシリコンを製造する方法において、流動層内の析出シリコンを効率的に回収することに適したシリコンの製造方法を提供する
【解決手段】アルミニウム粉末を流動化させた流動層反応器に下記一般式（１）で表されるハロゲン化珪素ガスを供給し、アルミニウムの融点未満の反応温度において、アルミニウム粉末によりハロゲン化珪素を還元してシリコンを製造する方法であって、表面にシリコンを析出させるための部材を前記流動層反応器内に設置するシリコンの製造方法。
ＳｉＨ_nＸ_4-n 式（１）
（式中、Ｘは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子および沃素原子から選ばれた１種または２種以上のハロゲン原子を表し、ｎは０または１〜３の整数を表す。） （もっと読む）

【課題】還元法による高純度シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素とシリカとを粉砕し、洗浄した後、各々を所定の比率の割合で混合し、これをルツボ７に収容し、これを加熱手段により加熱して反応させ、炭化珪素をシリカで酸化し、さらにシリカを炭化珪素で還元することにより、シリコン５５を製造・抽出するとともに、加熱反応時に生成される活性ガス５６、５７を原料として、気相成長、エピタキシャル成長により、シリコンカーバイド膜１０を形成し、これを回収することによりシリコンカーバイド５９を作製するシリコンとシリコンカーバイドとを同時に製造する製造方法及び装置である。 （もっと読む）

【課題】透明部材に用いられるフィラーにおいて、透明部材の光透過性を向上させることができるフィラーと、その製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス粒子からなるフィラーであって、該セラミックス粒子が、以下の要件（Ｉ）〜（Ｖ）を満たすフィラー。
（Ｉ）ＳｉＯ_２の含有量が９７．０重量％以上であり、
（II）Ｘ線回折スペクトルにおける相対バックグラウンド高さが３．０〜１０．０であり、
（III）平均粒子径が０．０１〜５０μｍであり、
（IV）真球度が０．９５以上であり、
（Ｖ）屈折率が１．４８〜１．６０である。 （もっと読む）

【課題】各種のシリコン加工プロセスで発生し、かつ高濃度に金属汚染されたシリコンスラッジおよびシリコン塊を再利用し、シリコン系太陽電池を得る溶融原料を製造可能なシリコン系太陽電池用原料の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン加工プロセスからの１×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上の金属不純物を含むシリコンスラッジを原料としたスラッジ成形物と、同レベルの金属不純物を含むシリコン塊とをルツボに投入して溶融し、チョクラルスキー法でシリコンインゴットを引き上げる。その際、不純物の偏析現象によりシリコンが精製される。これにより、高濃度に金属汚染されたシリコンスラッジおよびシリコン塊を再利用し、シリコン系太陽電池を得る溶融原料を製造できる。 （もっと読む）

【課題】金属シリコンの精製法に関し、特にニッケルを含む溶融シリコンを一方向凝固法により精製し、このニッケル濃度を指標にして６Ｎ以上の高純度の多結晶シリコンを製造する方法を提供する。
【解決手段】ニッケルを含む金属シリコンを溶融し、この溶融した金属シリコンを一方向凝固法により精製し、６Ｎ以上の純度の多結晶シリコンを製造する方法であり、シリコンブロックの凝固完了からの温度降下時間を制御すること、若しくは、シリコンブロック最表面直下に形成される不純物濃縮層の結晶組織を柱状結晶以外の等軸結晶組織及び／又は樹枝状結晶組織に作り込むことにより、ニッケルの熱拡散による汚染を低減し、太陽電池原料用の多結晶シリコンが効率良く精製するものである。 （もっと読む）

【課題】熱電特性に優れた、特に高温領域において熱電特性に優れたＭｇＳｎＳｉ系熱電変換材料及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】マグネシウム、錫及び珪素からなる金属間化合物Ｍｇ_ｘ Ｓｎ_１−ｙ Ｓｉ_ｙ の焼結体からなり、焼結体組成において２．０２＜ｘ≦２．１０であることを特徴とする熱電変換材料、及び、原料の秤量工程、秤量した原料を溶解し、溶製材を得る工程、溶製材を粉砕し、分級して焼結原料を得る工程、焼結原料を焼結して焼結体を得る工程を含む、マグネシウム、錫及び珪素からなる熱電変換材料の製造方法であって、上記原料の秤量工程において、マグネシウムを、金属間化合物Ｍｇ_ｘ Ｓｎ_１−ｙ Ｓｉ_ｙ の焼結体組成において２．０２＜ｘ≦２．１０となるように秤量することを特徴とする熱電変換材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】破砕しやすい天然石英原料を用いて球状シリカ粒子を製造する方法の提供。
【解決手段】種々の天然石英を検討した結果、天然石英にも破砕のし易いものから破砕し難いものまであることを発見した。そこで破砕しやすい天然石英について鋭意検討を行った結果、それらの天然石英に共通する性質を見出した。この共通する性質を備える天然石英は簡単に破砕することが可能であり、低エネルギーで球状シリカ粒子を製造することが可能である。すなわち、２０μｍを超える粒径をもつ天然石英原料を体積平均粒径０．１μｍ〜２０μｍになるように破砕して破砕シリカ粒子とする破砕工程と、前記破砕シリカ粒子を火炎中に投入して溶融させた後、冷却して球状シリカ粒子とする球状化工程と、を有する球状シリカ粒子の製造方法であって、前記天然石英原料は、前記破砕工程により得られる前記破砕シリカ粒子の円形度が０．９以上であることにある。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素砥粒およびシリコンを含む切削屑を原料として、これらを分離せずとも、シリコンを回収または製造することができる、シリコンの回収または製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンインゴットまたはシリコンウェーハの切削または研削時に発生する炭化珪素を含む削屑から、シリコンを回収または製造する方法であって、該炭化珪素を含む削屑とシリカ原料とを加熱してシリコンを製造する工程を含む、シリコンの回収または製造方法とする。 （もっと読む）

【解決課題】亜鉛還元法による多結晶シリコン製造用の反応炉であって、反応炉からの放熱が少ない反応炉を提供すること。
【解決手段】四塩化珪素と亜鉛を反応させて多結晶シリコンを生成させる反応炉であって、円筒形状であり端部につば部を有する反応炉の側壁と、該側壁の端部を塞ぐ蓋と、該側壁のつば部と該蓋との間に挟み込まれるシール部材と、該側壁を加熱するヒーターと、該側壁内の端部近傍に設置される断熱材と、該蓋に付設される不活性ガスの供給管と、を有し、該反応炉の側壁が非石英製であり、該側壁の端部近傍にヒーターの非設置部分が設けられており、該断熱材がヒーターの設置部分より端部側に設置されていることを特徴とする多結晶シリコン製造用の反応炉。 （もっと読む）