【課題】
ある程度の繰り返し使用を可能とし、るつぼの確保にかかるコストダウンを図るとともに、産業廃棄物の排出を抑え、るつぼの交換頻度の低下に伴う太陽電池用ポリシリコンの製造効率を向上させることが可能なポリシリコン融解用るつぼ及びその製造方法の提供。
【解決手段】
アルミナからなるポリシリコン融解用るつぼであって、ポリシリコン融液と接触する側のるつぼ本体表面に形成され、前記アルミナの融点よりも低温度で融解する低温融解層と、前記低温融解層の層上に窒化シリコンを含むコーティング層とを備えたポリシリコン融解用るつぼ及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】金属級シリコン材料からボロンおよびその他の不純物を効率的に除去でき、且つ連続的な処理が可能で、且つコンパクトな装置構成で、高純度シリコンの量産が可能なシリコンの精製方法を提供する。
【解決手段】金属級シリコンまたはシリカ粉末１を、２４００℃程度のオゾン含有酸素ガス雰囲気のプラズマ領域８に投入し、前記粉末に含まれるボロンを酸化して気化物として除去し、粉末１ａとして回収し、ボロン除去後の粉末１ａを、還元性雰囲気のプラズマ領域２８に投入し、還元処理により酸素を除去して、シリコン粉末１ｂとして回収し、前記シリコン粉末を加熱して溶湯１ｃとなし、電磁石３５の磁場中に前記溶湯を流すことで、金属不純物元素をトラップして除去する。さらに、金属不純物元素を除去したシリコンの溶湯１ｃを、遠心噴霧によりシリコンの粉末１ｄとなして回収する。 （もっと読む）

【課題】リチウムマンガンシリケート系化合物を含み、かつ、正極材料として用いたときにリチウムイオン二次電池の充放電特性の低下を抑制し得る材料、この材料を用いた非水電解質二次電池用正極、およびこの材料を用いた非水電解質二次電池を提供すること。
【解決手段】リチウムマンガンシリケート系化合物からなる芯部を耐フッ酸化合物、フッ素吸収化合物から選ばれる少なくとも一種およびカーボン系材料からなる被覆層で覆う。 （もっと読む）

【課題】 残留炭素に起因する黒色粒子のない高純度シリカ粉末を生産性・操作性良く製造し、該粉末を溶融して得られる高純度、且つ、高品質の石英ガラスを提供する。
【解決手段】 テトラメトキシシランを加水分解する際、水／テトラメトキシシラン（モル比）が７以上２０以下であり、反応時の最高温度を４０℃以上６４℃未満に調節し、温度が低下し始めた後に静置し、得られた湿潤シリカゲル体を粉砕した後に乾燥して、該シリカゲル粉末を焼成する。 （もっと読む）

【課題】充放電を繰り返した場合の体積エネルギー密度に優れる非水電解質二次電池用負極合金材料を提供する。
【解決手段】ＴｉＦｅＳｉ合金相、又は、ＴｉＦｅＳｉ_２合金相を含有する合金を用いる。これは、Ｔｉ、Ｆｅ及びＳｉを含有し、これらの原子比をＴｉ：Ｆｅ：Ｓｉ＝ａ：ｂ：ｃ（ａ＋ｂ＋ｃ＝１００）としたとき、ｃ≦６９である合金を含むものである。組成がＴｉＦｅＳｉ_２である合金よりも、組成がＴｉＦｅＳｉである合金の方が、放電容量、サイクル容量維持率共に優れる結果となった。 （もっと読む）

【課題】モールド内に投入した原料の落下に伴う溶融シリコンの跳ね上げによるプラズマトーチの先端へのシリコンの付着を抑制し、サイドアークの発生を防止することができる多結晶シリコンの連続鋳造方法を提供する。
【解決手段】電磁誘導加熱とプラズマアーク加熱を併用する連続鋳造方法であって、プラズマトーチを、原料３の投入方向に対して垂直の方向に走査させるか、または、モールド２の断面における２本の対角線により形成される４つの角のうちの角度がθの２つの角に含まれるいずれか一の方向もしくは二以上の方向に走査させるとともに、原料のモールド内への投入を、当該投入側のモールド側壁に対して直角の方向で、かつ、投入する原料がモールドの中心にあるプラズマトーチに衝突する（原料の落下点がモールドの中心から外れる）ように、投入角度および高さを調整して行う。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉインゴット結晶の製造に際し、融液内成長においてSiインゴット結晶を大きく成長させることができるとともに、歪みが十分低減され、かつ生産効率が良いＳｉインゴット結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉインゴット結晶のルツボ融液内成長において、融液上部よりも下部の方が高温となる温度分布を有するＳｉ融液の表面近傍でＳｉ種結晶を用いて核形成させ、Ｓｉ種結晶からＳｉ融液の表面に沿って又は内部に向かってインゴット結晶を成長させる第１の工程と、成長したインゴット結晶の一部を融液内から融液と分離しない程度に引き上げる第２の工程と、融液内に残った結晶からＳｉ融液の表面に沿って又は内部に向かってインゴット結晶を引き続き成長させる第３の工程とを含み、上記第２及び第３の工程を順次複数回繰り返してインゴット結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】シリコン溶湯の表面に噴射ガスを噴射してＳｉＯｘナノ粉末を大量に生産できる揮発性に優れた高純度ＳｉＯｘナノ粉末の製造方法及びその製造装置について開示する。
【解決手段】本発明にかかるＳｉＯｘナノ粉末の製造装置は、真空チャンバ；前記真空チャンバの内部に装着され、シリコンが装入される黒鉛るつぼ；前記黒鉛るつぼに装入されたシリコンを誘導加熱してシリコン溶湯を形成させる誘導溶融部；前記黒鉛るつぼの内部で前記シリコン溶湯の表面と直接接触するように噴射ガスを噴射するガス噴射部；及び前記黒鉛るつぼと離隔された上部に配置され、前記シリコン溶湯と前記噴射ガスとの反応によって揮発するＳｉＯｘ蒸気を捕集する捕集部；を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高温及び減圧の環境下での使用においても、気泡の発生又は膨張が少ない合成シリカガラス製品のための原料に適する、合成非晶質シリカ粉末を提供する。
【解決手段】本発明の合成非晶質シリカ粉末は、造粒されたシリカ粉末に球状化処理を施した後、洗浄し乾燥して得られた平均粒径Ｄ₅₀が１０〜２０００μｍの合成非晶質シリカ粉末であって、ＢＥＴ比表面積を平均粒径から算出した理論比表面積で割った値が１．３５を超え１．７５以下、真密度が２．１０〜２．２０ｇ／ｃｍ³、粒子内空間率が０〜０．０５、円形度が０．５０以上０．７５以下及び未溶解率が０．２５より大きく０．６０以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】原料粉体の融点に応じて圧力を調整しつつ、火炎長を適切に保つことができる無機質球状化粒子の製造方法、それに用いる無機質球状化粒子製造用バーナ及び無機質球状化粒子製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の無機質球状化粒子の製造方法は、高圧雰囲気内でバーナによって発生させた火炎にキャリアガスによって原料粉体を投入して無機質球状化粒子を製造する無機質球状化粒子の製造方法であって、原料粉末の融点に応じて高圧雰囲気の圧力を調整するとともに、火炎長をキャリアガスの噴出速度によって調整することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】放射温度計を用いてシリコンの温度を高精度に安定して測定でき、シリコンの相状態を精度よく判別でき、高品位な製品を製造でき、かつ、操業時間やランニングコストの無駄をなくして生産性を高めることができるシリコン鋳造炉の温度測定機構及びこれを備えたシリコン鋳造炉を提供すること。
【解決手段】シリコンを貯留する坩堝と、前記坩堝を収容する炉と、前記炉内に不活性ガスを供給する供給管４と、を有するシリコン鋳造炉に設けられ、シリコンの温度を測定するシリコン鋳造炉の温度測定機構１であって、シリコンの温度を測定する放射温度計５が、前記供給管４内に配設されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低ウラン濃度のシリカ粉体が低コストで製造できる製造方法の提供。
【解決手段】ウラン含有量が１ｐｐｂ以下のケイ石破砕物を高速気体中にて互いに衝突させて粉砕し粉砕物にする粉砕工程と、その粉砕物を火炎中に投入して溶融球状化する溶融球状化工程とを有することを特徴とする。つまり、極力、粉砕装置に接触させることなく粉砕操作ができる方法を採用することで粉砕装置からのウランの混入を防止できる。特に、粉砕工程はエラストマーにてライニングされた粉砕容器中にて行うことで、高速気流に乗ったシリカ粉体が粉砕装置の粉砕容器の壁に衝突し、容器の壁からの混入の可能性を減らすことができる。また、高分子材料からのウラン除去は比較的簡単なので、万が一、高分子材料が混入してもウランの混入が抑制できる上、高分子材料が粉砕物中に混入してもその後の溶融球状化工程において酸化・飛散するので問題になり難い。 （もっと読む）

【課題】不純物量が少なく、かつ、結晶の成長方向が安定したシリコンインゴットを製造することができるシリコンインゴット製造装置を提供する。
【解決手段】シリコン融液を保持する坩堝と、この坩堝を加熱するヒータと、前記坩堝内に向けて不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、を備えたシリコンインゴット製造装置であって、前記坩堝の上に載置される蓋を有し、前記蓋は、前記坩堝の側壁上面に載置される載置部と、前記坩堝の側壁外縁から外周側に突出した庇部と、厚さ方向に貫通した開口部と、を有し、前記庇部は、前記坩堝の側壁上端の１０％以上の領域の外周側に配設され、かつ、前記側壁上端外縁からの突出長さが５０ｍｍ以上とされており、前記開口部は、前記坩堝の側壁上端面の５０％以上の領域が前記ヒータに対して露出するように配設されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 シリコン融液及び多結晶シリコンインゴットへの不純物汚染を抑制し、かつ、離型性に優れるとともに、きわめて低コストの多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器を提供する。
【解決手段】 シリコン融液を凝固して多結晶シリコンインゴットを製造するための角形シリカ容器であって、多孔質シリカからなる平行平板状の多孔質シリカ板体を組み合わせて構成されたものであり、内側表面部分の少なくとも一部に前記多結晶シリコンインゴットの離型を促進する離型促進剤が含有されているものであり、前記多孔質シリカ板体のかさ密度が、両平行平面の表面部分よりも内部の部分において低い多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器。 （もっと読む）

【課題】不純物量が少なく、かつ、不純物量のばらつきが小さいシリコンインゴットを製造することができるシリコンインゴット製造装置を提供する。
【解決手段】坩堝２０の上に載置される蓋５０を有し、蓋５０の平面中心近傍に不活性ガス手段が接続されており、蓋５０は、坩堝２０の側壁２２上端面に載置される載置部５１と、坩堝２０の側壁２２外縁から外側に突出した庇部５２と、厚さ方向に貫通した開口部５３と、を有し、庇部５２は、坩堝２０の側壁２２上端外周縁の１０％以上の領域の外周側に配置され、かつ、側壁２２上端外縁からの突出長さが５０ｍｍ以上とされており、開口部５３は、坩堝２０の側壁２２上端内縁から１００ｍｍ以内の領域に形成されており、開口部５３による坩堝２０の上端内側領域の露出面積の合計が、坩堝２０の上端内側領域全体の面積の１．５％以上１０％以下とされている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、無機質原料粉体Ｘの粒径（平均粒度）に依存することなく、所望の粒径とされた無機質球状化粒子を効率よく生成可能な無機質球状化粒子製造用バーナ、無機質球状化粒子製造装置、及び無機質球状化粒子の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】ノズル部２８の先端３３の中央に設けられ、かつキャリアガスに輸送された無機質原料粉体Ｘを輸送する原料粉体輸送孔３４と、原料粉体輸送孔３４に配置された溝幅変更部材３７と、原料粉体輸送孔３４に露出されたノズル部２８の先端３３の面と溝幅変更部材３７の先端部６１との間に設けられた環状の溝であり、かつ燃焼室３１にキャリアガスにより輸送された無機質原料粉体を噴出する原料粉体噴出用溝３９と、を有し、ノズル部２８の先端面３３ａに露出された原料粉体噴出用溝３９の幅Ｅを変更可能な構成とした。 （もっと読む）

【課題】シリコンスラッジの融液の液面に浮遊するシリコン酸化物系の異物を、短時間で蒸発させて消失可能なシリコン系太陽電池用原料の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン粉が原料の融液から、チョクラルスキー法により多結晶シリコンインゴットを引き上げる前に融液を沸騰させる。これにより、融液の液面に浮遊するシリコン酸化物からなる異物中の酸素が蒸発し、異物が消失する。その結果、チョクラルスキー法で多結晶シリコンインゴットを引き上げる際、インゴットの外周面にシリコン酸化物からなる異物が付着しない。 （もっと読む）

【課題】原料のケイ石よりも高純度のシリカ原料を製造する方法の提供。
【解決手段】天然ケイ石中における不純物は天然ケイ石の結晶粒界に集中しており、天然ケイ石を結晶粒界が現れる程度に粉砕した後に結晶粒界を酸によって溶解除去することで純度が高いシリカ原料が得られることを発見した。本発明の高純度シリカ原料の製造方法は、結晶粒界に沿ってケイ石原料を粉砕する工程と、フッ酸を含有する酸溶液にて前記粉砕物を洗浄する洗浄工程と、を有することを特徴とする。つまり、ケイ石原料を粉砕することで結晶粒界を露出させた状態として、酸溶液にて結晶粒界を除去することで、不純物を優先的に除去することが可能になり、高純度のシリカ原料を得ることができる。効果的に結晶粒界を露出する目的で、前記粉砕工程の前に、４００℃以上に前記ケイ石原料を加熱し冷却液に投入する熱処理工程を有することが望ましい。 （もっと読む）

【課題】 シリコン融液及び多結晶シリコンインゴットへの不純物汚染を抑制し、かつ、離型性に優れるとともに、きわめて低コストの多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器を提供する。
【解決手段】 シリコン融液を凝固して多結晶シリコンインゴットを製造するための角形シリカ容器であって、多孔質シリカからなる平行平板状の多孔質シリカ板体を組み合わせて構成されたものであり、前記多孔質シリカ板体のかさ密度が、両平行平面の表面部分よりも内部の部分において低い多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器。 （もっと読む）

【課題】アーク炉に抵抗加熱炉などを併設しないでアーク炉のみで回収シリコンくずを加熱、融解することができ、回収シリコンくずに印加する電圧も400V以下で稼動することができ、高電圧を使用するような大きな設備を要しない回収シリコンくずの融解方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る回収シリコンくずの融解方法は、回収されたシリコンくずをアーク炉により融解する回収シリコンくずの融解方法であって、該アーク炉の電極間電圧を40〜400Vに保持するとともに、電極を導電材に接触させた状態で通電し、該導電材の昇温に伴って発生するアーク放電により前記シリコンくずが加熱され、アーク放電及び電極間電流が安定したのち通常のアーク炉操業に移行することによって実施される。 （もっと読む）