【課題】反応炉の底板部と電極との熱膨張差を吸収できるとともに、良好な絶縁性を維持する。
【解決手段】反応炉の底板部２に、シリコン芯棒４を上下方向に沿って立設する複数の電極５が配設されており、その電極５は、底板部２に形成した貫通孔２１内に挿入状態に設けられ内部に冷却媒体が流通する電極ホルダ２２と、電極ホルダ２２の上端部に設けられシリコン芯棒４を保持する芯棒保持部２３とを有し、貫通孔２１の内周面と電極ホルダ２２との間に貫通孔２１内で電極ホルダ２２の周りを囲む環状絶縁材３４が設けられ、反応炉の底板部２上に、環状絶縁材３４の上端部よりも大径の遮熱リング４１が電極ホルダ２２を囲むように設けられている。 （もっと読む）

【課題】筒状反応容器にシリコンを析出させ、析出したシリコンの一部または全部を溶融することにより、析出したシリコンを落下させて回収するシリコンの製造装置において、該筒状反応容器内部を直接確認することが可能なシリコン製造装置を提供する。
【解決手段】縦方向に配置されたカーボン製筒状反応容器と該カーボン製筒状反応容器を加熱する加熱手段とを含み、上記カーボン製筒状反応容器の上部よりクロロシラン類と水素とを含む原料ガスを供給して該反応容器の内表面にシリコンを析出させ、下部より排ガスを取り出すように成した反応部、及び、該反応部の下方に接続され、側壁に上記排ガスの取出口を有する密閉容器よりなる排ガス回収室を含むシリコン製造装置において、前記排ガス回収室を構成する密閉容器の側壁に、支持部材により支持された鏡体と受像部とを設け、該鏡体を介して前記カーボン製筒状反応容器の内部の像を該受像部で受像するようにした。 （もっと読む）

【課題】ガスアトマイズ法などにおいて使用可能な高温高圧のテトラクロロシラン流体を効率的に製造する方法及び当該テトラクロロシラン流体を用いたシリコン粒子の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係るテトラクロロシラン流体の製造方法は、液化テトラクロロシランを加圧する加圧工程と、この加圧工程で加圧された液化テトラクロロシランを加熱して気体又は超臨界流体にする加熱工程とを備える。本発明に係るシリコン粒子の製造方法は、上記方法を経て得られたテトラクロロシランを含むアトマイズガスを、溶融金属に吹き付けて当該溶融金属の微小液滴を形成し、得られた微小液滴とテトラクロロシランとを接触させることにより、テトラクロロシランを還元してシリコン粒子を得る。 （もっと読む）

【課題】反応器内での金属粒子の対流及び循環流を抑制し、金属粒子とハロゲン化シランとの反応率を向上させることができるシリコンの製造方法を提供すること。
【解決手段】金属粒子Ｍ_ｐと、ハロゲン化シランＧ１とを、反応器３内で互いに接触させてハロゲン化シランＧ１を還元し、シリコンを得るシリコンの製造方法において、溶融金属Ｍ_ｍにアトマイズガスＧ２を吹き付けることにより金属粒子Ｍ_ｐを反応器３内へ供給し、金属粒子Ｍ_ｐと、ハロゲン化シランＧ１とを、反応器３内へ並流に供給するシリコンの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ガスアトマイズ法によって形成される溶融金属の微小液滴とハロゲン化シランとの反応において、十分に高い反応率を示すシリコン粒子の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、ハロゲン化シランを還元してシリコン粒子を製造する方法であって、溶融金属の微小液滴を形成するためのアトマイズガスを加熱するアトマイズガス加熱工程と、ノズルから溶融金属を吐出させる吐出工程と、加熱されたアトマイズガスを吐出された溶融金属に吹き付け、微小液滴を形成するアトマイズ工程と、ハロゲン化シランと微小液滴とを接触させ、ハロゲン化シランを還元する還元工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】 高コストの原料を使用せず、また濃縮操作も必要としない調製方法である。
【解決手段】 このアンモニウム含有シリカ系ゾルの製造方法は、平均粒子径が４〜３０ｎｍの範囲にあり、ナトリウム又はカリウムを含有するシリカ系微粒子が溶媒に分散してなり、固形分濃度が１０〜５０質量％であるシリカ系ゾルについて、限外濾過を行いながら、アンモニア水溶液を添加することにより、ナトリウム又はカリウムとアンモニウムイオンの交換を行うことによって、該シリカ系微粒子に含まれるナトリウム又はカリウム量を低減させ、アンモニウム量を増大させる。 （もっと読む）

【課題】粉体の凝集・付着を抑制する球状無機物粉体の製造方法の提供。
【解決手段】原料無機物粉体にＨＭＤＳを接触させて処理済原料無機物粉体にする表面処理工程とその処理済原料無機物粉体をキャリヤガスと共に搬送する搬送工程とを有する。その後、溶融法を採用する場合には、搬送された処理済原料無機物粉体を高温火炎中に分散させて加熱溶融する溶融工程と高温火炎中から取り出して冷却凝固させる凝固工程とを有する。そしてＶＭＣ法を採用する場合には、搬送された処理済原料無機物粉体を高温火炎中に分散させて燃焼させる燃焼工程と高温火炎中から取り出して冷却凝固させる凝固工程とを有する。つまり、本発明の球状無機物粉体の製造方法は、ＨＭＤＳにて表面処理を行うことで原料無機物粉体の粉体特性を向上し、粉体間の凝集防止や、粉体が輸送路に付着することを防止している。 （もっと読む）

【課題】反応炉の外周部においても他のシリコン芯棒と同じ仕様の電源で品質の高いシリコンロッドの製造を可能にし、コストの削減を図る。
【解決手段】反応炉１の内底部に配設された複数の電極５に、上下方向に延びるシリコン芯棒４をそれぞれ立設しておき、反応炉１内に原料ガスを供給するとともに、シリコン芯棒４に電極５から通電することによりシリコン芯棒４を発熱させて、シリコン芯棒４の表面に原料ガスによって多結晶シリコンを析出させる多結晶シリコンの製造方法において、複数本のシリコン芯棒４のうち、長さが小さいシリコン芯棒４を反応炉１の外周部に近い位置の電極５に立設し、残りのシリコン芯棒４を他の電極５に立設した状態として、多結晶シリコンを析出させる。 （もっと読む）

【解決手段】（１）酸化珪素を還元することで金属珪素を得る工程、
（２）上記金属珪素をガス吹練処理して不純物を除去する工程、
（３）上記不純物を除去した金属珪素を溶解し、一方向凝固する工程、
（４）一方向凝固した金属珪素から純度の低い部分を除去する工程、及び
（５）上記低純度部分を除去した金属珪素を減圧下で電子ビーム溶解して不純物を気化・除去する工程
を含むことを特徴とする金属珪素の精製方法。
【効果】本発明によれば、Ｆｅ等の不純物金属元素はもちろんＢ，Ｐ等の金属成分以外の不純物も短工程で効率よく、しかも安価に除去・精製した高純度化金属珪素を得ることができる。本発明で得られる金属珪素は、太陽電池用として好適に使用することができる。 （もっと読む）

【課題】装置全体を簡素化することができ、メンテナンス性に優れ、安価にシリコンを生成することができるシリコン製造装置の提供。
【解決手段】本発明のポリシリコン製造装置は、反応管１０と、反応管１０を加熱する加熱炉２０と、反応管１０内に亜鉛を供給する亜鉛供給管３０と、亜鉛供給管３０内に亜鉛を投入する亜鉛投入部４０と、反応管１０内に珪素化合物を供給する珪素化合物供給管５０と、を備え、亜鉛供給管３０は、反応管１０内に亜鉛を吐出する亜鉛吐出口３０ａと、亜鉛吐出口３０ａと亜鉛投入部４０との間に設けられ、亜鉛投入部４０より投入された亜鉛を加熱する加熱部３０ｂと、を備え、亜鉛吐出口３０ａ及び加熱部３０ｂは、反応管１０内に設けられ、かつ、加熱炉２０によって加熱される加熱領域α内に設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 基板に塗布する場合の濡れ性、沸点および安全性の観点から分子量のより大きなシラン重合体、特に、良質なシリコン膜を容易に形成することができる組成物を提供する。
【解決手段】 光重合性を有するシラン化合物に、特定波長領域の光線を照射して光重合して得たシラン重合体を含有するシリコン膜形成用組成物並びにこの組成物を、基板に塗布し、そして熱処理および／または光処理を行うシリコン膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】金属シリコンの製造過程において、低エネルギーでかつ容易にホウ素およびリンを除去することができる方法を提供する。
【解決手段】本発明の太陽電池用高純度シリコンの製造方法は、金属状アルミニウムおよび／または金属状マグネシウムを還元剤として珪石（ＳｉＯ_２）を還元することにより金属状シリコンを製造する方法において、上記還元反応と同時に、カルシウム化合物を、珪石に含まれるホウ素および／またはリンと反応させることにより、ホウ素および／またはリンを除去し、ここで、前記カルシウム化合物の添加量は、カルシウム化合物と、ホウ素および／またはリンとの化合物の生成理論モル量の１〜１．５倍であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】安価でかつ効率的に金属状ケイ素を製造する方法を提供する。
【解決手段】珪石を還元することにより金属状ケイ素を製造する方法であって、金属状アルミニウムおよび／または金属状マグネシウムを還元剤とする珪石の自己燃焼還元反応により金属状ケイ素を生成させると共に、該自己燃焼還元反応により生じた熱を利用して、珪石と炭素源とから金属状ケイ素を生成させる反応を開始・進行させ、ここで、珪石の純度が９０重量％以上でありかつその平均粒径が１００μｍ以下であり、金属状アルミニウムおよびマグネシウムの平均粒径が５００〜１０００μｍであり、炭素源の平均粒径が１００μｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、多結晶シリコンロッドにおいて、該ロッドが、シリコンの５０〜９９％の電気伝導に利用される面積分を有するロッド横断面を有し、かつ、該ロッドが０．１〜８０Ｎ／ｍｍ²の曲げ強さを有することを特徴とするシリコンロッドに関する。 （もっと読む）

【課題】金属、合金、半導体などの材料を電子ビームの照射により溶融することにより、その材料に含まれる不純物元素を除去し、不純物元素の対流攪拌や拡散を抑制し、十分に精製された高純度の材料を得ることができる材料の精製方法を提供する。
【解決手段】減圧下にて、耐熱容器１１に材料１３を連続的に供給し、材料１３に電子ビーム１６，１７を照射して、溶融するとともに不純物元素を蒸発させて精製し、耐熱容器１１から精製済みの材料１３をオーバーフローさせて精製品を得る方法であって、材料１３への電子ビーム１６，１７の照射を制御して、耐熱容器１１の長手方向に沿って未溶融部分を１箇所以上形成し、かつ未溶融部分の幅を超える範囲で、未溶融部分を往復移動させることにより、互いに仕切られた溶融部分間の対流、拡散による均一化を抑制し精錬効果を高めたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 無毒で伝導性に優れたｎ型のＭｇ金属化合物（Ｍｇ_２Ｘ）を提供すること
【解決手段】 逆ホタル石構造を有する一般式：Ｍｇ_２Ｘ（Ｘは４族元素Ｓｉ及びＧｅ及びＳｎから選択される一種または複数の元素であって、少なくともＳｉとＧｅの一方を含む）であって、ドナー添加物として、Ｐを添加するようにした。これは、Ｘを構成する元素であるＳｉ及びまたはＧｅに予めＰを添加したものを当該元素の原材料とし、作製温度をＰを添加した元素の融点よりも低い温度とすることで製造できる。 （もっと読む）

【課題】所望の組成を有する金属含有化合物からなるマイクロワイヤー、ナノワイヤーを製造するための方法を提供すること。
【解決手段】以下の工程（１）〜（３）を含む、微粒子が連結した微粒子ワイヤーの製造方法：
（１）有機金属化合物の気体と、必要に応じて光励起可能な有機化合物及び／又は反応性有機化合物の気体を用意する工程、
（２）工程（１）において用意した気体を、反応容器に導入する工程、
（３）工程（２）において反応容器に導入された気体に、前記有機金属化合物及び前記光励起可能な有機化合物の少なくとも１つが吸収する波長の光を照射する工程。 （もっと読む）

【課題】電磁誘導加熱によりシリコン原料を溶融した後、凝固させて多結晶シリコンを連続鋳造する際に、冷却ルツボにおける放電キズの発生を抑制し、ルツボ寿命を延長させ得るシリコン鋳造装置を提供する。
【解決手段】軸方向の一部が周方向で複数に分割された導電性の無底冷却ルツボと、この冷却ルツボを取り囲む誘導コイルを有し、前記誘導コイルによる電磁誘導加熱により溶融したシリコンを下方に引き下げて凝固させるシリコン鋳造装置において、前記冷却ルツボの材質を、ベリリウムを含有する銅合金とする。前記銅合金のベリリウム含有量は、０．１〜５質量％とするのが望ましい。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜としての使用に耐え得るような高品位の酸化膜を窒化物半導体の上に作成する。
【解決手段】本発明による酸化膜形成方法は、ＳｉＯｘ粉末を原料として用いる真空蒸発により、窒化物半導体部材の上にＳｉＯｘ膜を堆積する工程と、堆積された前記ＳｉＯｘ膜を、酸化雰囲気で紫外線を照射しながら加熱することによって酸化する工程と備えている。原料のＳｉＯｘ粉末は、下記特性を有している：（１）フーリエ変換赤外分光分析（ＦＴＩＲ：Fourier Transform Infrared Spectroscopy）によって得られた赤外吸収スペクトルにおいて、８８０ｃｍ^−１にピークが現れる。（２）ラマン分光分析によって得られたラマンスペクトルにおいて、４５０〜５５０ｃｍ^−１にピークが現れない。（３）Ｘ線光電子分光分析（ＸＰＳ：X-ray photoelectron spectroscopy）によって得られたＸＰＳスペクトルにおいて、ＳｉＯ_２のＳｉ−Ｏ結合に対応するピーク（約１０３ｅＶ）とＳｉの２ｐ軌道のＳｉ−Ｓｉ結合のピーク（約９９ｅＶ）とが現れ、且つ、Ｓｉ−Ｓｉ結合のピークの高さが、Ｓｉ−Ｏ結合のピークの高さの０．６倍以上である。 （もっと読む）

本発明は、２反応器容器構成中で四塩化ケイ素を液体金属還元剤と反応させることによる高純度元素シリコンの製造方法に関する。第１の反応器容器は、四塩化ケイ素を元素シリコンに還元して、元素シリコンと還元性金属塩化物塩との混合物を得るために使用され、一方、第２の反応器容器は、元素シリコンを還元性金属塩化物塩から分離するために使用される。この発明を使用して製造された元素シリコンは、シリコン光起電装置またはその他の半導体装置の製造に十分な純度を有する。 （もっと読む）