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Fターム[4G072RR30]の内容

Fターム[4G072RR30]に分類される特許

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【課題】高容量でかつサイクル低下がなく、しかも初回充放電時における不可逆容量の少ないリチウムイオン二次電池用負極材として適したSiOx(x<1)の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化珪素ガスを発生する原料を不活性ガスの存在下もしくは減圧下、1,100〜1,600℃の温度範囲で加熱し、酸化珪素ガスを発生させる一方、金属珪素を不活性ガスの存在下もしくは減圧下、1,800〜2,400℃の温度範囲で加熱し、珪素ガスを発生させ、上記酸化珪素ガスと金属珪素ガスとの混合ガスを基体表面に析出させることを特徴とするSiOx(x<1)の製造方法。 (もっと読む)


【課題】素子の実現が容易であり且つ構造による効率の改良が可能な、シリコンナノワイヤーの製造方法、及びこれにより形成されたシリコンナノワイヤーを含む素子の提供。
【解決手段】並列に配置された、複数のワイヤー状気孔を含む多孔性ガラステンプレートにエルビウムまたはエルビウム前駆体をドープする段階と、前記エルビウムまたはエルビウム前駆体がドープされたガラステンプレートを、前記ワイヤー状気孔の一方の開口部が面するように金属触媒層が形成された基板上に配置する段階と、前記ガラステンプレート内の気孔に沿ってシリコンナノワイヤーを形成して成長させる段階とを含む、シリコンナノワイヤーの製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】基板表面にセラミック超微粒子の規則配列単粒子膜を形成する。
【解決手段】セラミック超微粒子膜を形成する基板の表面電位を、セラミック超微粒子分散溶液のゼータ電位とは逆極性でセラミック超微粒子分散溶液中のセラミック粒子と共有結合可能な電位に制御するために、基板を少なくとも2種類の有機化合物溶液中に浸漬するか、または、基板を有機化合物溶液中に浸漬した後、基板に紫外光を照射する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、クロロシランと水素からの多結晶シリコン析出時のオフガスから得る高沸点クロロシランを再利用する経済的な方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、クロロシラン及び水素からの多結晶シリコン析出時のオフガスが濃縮され、次に蒸留塔で分別され、前記蒸留塔からの底部留分が、0.5重量%〜20重量%の高沸点クロロシラン及び99.5重量%〜80重量%の四塩化ケイ素を含む高沸点留分であり、前記高沸点留分が完全に蒸発し、クロロシラン蒸気がバーナーに供給され、炎の中で空気又は酸素及び水素と反応して焼成シリカを得ることを特徴とする焼成シリカの製造方法に関する。 (もっと読む)


【課題】高周波誘導加熱コイルによって1000℃以上に加熱される反応部を有するクロロシラン類−水素の反応装置において、腐食性ガスの雰囲気下に曝され、高周波誘導加熱コイルからの磁束の作用を受け、且つ、1000℃以上の温度領域となる位置に部材を配置する場合に、該部材の劣化が少なく、さらに生成物の汚染が低減される反応装置を提供する。
【解決手段】上記部材を、ムライトまたは、酸化物を焼結助剤とした窒化珪素で形成した。 (もっと読む)


【課題】比較的簡便かつ安価な装置構成であって、P除去速度が著しく速く、工業的に容易にかつ安価に原料シリコン中のP等の不純物を分離除去することができ、これによって太陽電池等の用途に適した高純度シリコンを工業的に有利に製造することができるシリコンの精製装置及び精製方法を提供する。
【解決手段】減圧手段により所定の圧力以下に減圧される減圧室と、この減圧室内に配設されてシリコンを収容するルツボと、このルツボ内のシリコンを加熱する加熱手段とを備え、減圧下にシリコンを加熱して溶融し、生成したシリコン溶湯中の不純物を蒸発させて分離除去するシリコンの精製装置において、シリコン溶湯の液面表面積を大きくする波紋誘起手段を備えているシリコンの精製装置及びこの精製装置を用いたシリコンの精製方法である。 (もっと読む)


液体中のナノワイヤをホログラフィック光トラップのアレイにより操作かつ処理するためのシステムおよび方法。本発明のシステムおよび方法は、物体を3次元で操作する能力を有する数百個の個別に制御される光トラップを生成することができる。20nmもの小ささの断面および20μmを越える長さを有する個々のナノワイヤは、単一トラップが認識可能な影響を及ぼさないような条件下で、ホログラフィック光トラップのアレイにより分離させ、並進させ、回転させ、基板上に堆積させることができる。合焦トラップによって誘発される空間的に局在化する光熱および光化学プロセスも、個々のナノワイヤの局在化された領域を融解させ、かつナノワイヤ接合部を融着させるために使用することができる。
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【解決課題】シリカ粒子中のイオン性の高い不純物を短時間に除去することができる精製効果に優れた処理方法と装置および精製シリカ粒子を提供する。
【手段】シリカ粒子を流動状態にし、高温下で流動状態のシリカ粒子に精製ガスを接触させてシリカ粒子の不純物成分を除去する精製方法において、流動状態のシリカ粒子を磁場領域内に位置させて、シリカ粒子の移動により生じる電場によってシリカ粒子に電圧を印加した状態にして精製ガスと接触させることを特徴とするシリカ粒子の精製方法であり、好ましくは、流動状態のシリカ粒子を、10ガウス以上の磁場領域内に位置させて、1000℃以上の温度下で精製ガスと接触させるシリカ粒子の精製方法。 (もっと読む)


【課題】結晶性の高い球状シリコン単結晶を簡易かつ高効率で得る球状シリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】容器内に保持したシリコン材料を加熱して、溶融する工程、溶融したシリコン材料を融点付近の温度に所定の時間だけ保持して、部分的に凝固させる工程、及び、凝固部分を含む溶融シリコン材料を、前記容器から気相中へ落下させる工程を含む、球状シリコン単結晶の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 液晶ディスプレイなどに有用な精密ギャップ材、さらにはフィルム、接着剤、半導体封止剤などに有用な粒径が大きく単分散性の高いシリカ系酸化物粒子を効率的に製造する方法を提供する。
【解決手段】 例えばフルゾーン翼のような回転式撹拌翼を有する撹拌装置及び反応容器を含んでなる反応装置の反応容器であって、反応容器にその最大容積の50%となるように水を導入した状態で撹拌を行ったときに無次元混合時間nθmが1〜50の範囲となるような反応装置を用い、そのときの撹拌回転数で前記撹拌翼を回転させながら該装置の反応容器内で水と有機溶媒との混合液と金属アルコキシドとを触媒の存在下に混合して当該金属アルコキシドを加水分解及び重縮合させることによりシリカ系酸化物粒子を製造する。 (もっと読む)


【課題】冷却るつぼ誘導溶解鋳造法にて連続的に溶解鋳造をおこなう際の、融液中不純物高濃度化の対処法であって、連続した溶解鋳造作業を大きく阻害することなく不純物濃化部分を排除できる方法の提供。
【解決手段】不純物が高濃度化した溶湯頂部に仕切り手段を装入し、その仕切り手段の上側に新たな溶解原料を装荷して溶解鋳造を続けることにより、仕切り手段の下側溶湯と上側溶湯との混合を防止して、不純物高濃度化の悪影響を排除しつつ連続的に鋳造をおこなうシリコン多結晶の鋳造方法である。この場合に、前記仕切り手段として仕切り板または足の付いた仕切り板で構成することができる。 (もっと読む)


【課題】同一の真空チャンバ内で、電子ビームのみを用いて、リン、アンチモン等の不純物元素と、ボロン、炭素等の不純物元素の両方を除去できるシリコンの精錬方法及び装置を提供することを目的とする。
【解決手段】真空容器1内に低い真空度の真空雰囲気を確立した状態で電子ビームをシリコンに照射して溶融させると共に、溶融したシリコン内のボロン等と反応して蒸発可能な酸化物を生成するHO等の化合物生成物質を前記真空チャンバ内に導入して、ボロン等の真空蒸気圧の低い不純物元素を蒸発させる。次いで、真空容器1内に高い真空度の真空雰囲気を確立した状態で真空容器1内のシリコンに電子ビームを照射して、シリコンに含有されていたリンなどの真空蒸気圧の高い不純物元素を除去する。 (もっと読む)


保護的な条件下において結合された酸化ケイ素および電気的に導電性のドープされたケイ素材料から物体を作って、SiOxの特性を示すがSiが存在するために電気的に導電性がある複合SiOx:Si材料を作製する。このような複合材料からの物体は、タッチスクリーンの用途、LCDディスプレイにおけるバリア薄膜、および幅広い種類の用途で使用される光学薄膜向けに酸化ケイ素薄膜を生産するためのDCおよび/またはACスパッタリングプロセス用のターゲットのためなどに多く用いられる。 (もっと読む)


【課題】シリカやアルミナなどの酸化物からなる平均粒径0.5〜3μmの球状無機質微粉末を容易に製造することができる方法およびそれに用いる製造装置を提供する。
【解決手段】無機質原料粉末を火炎中に溶射して球状化する球状無機質微粉末の製造方法であって、平均粒径0.5〜3μmの無機質原料粉末に分散系表面処理剤を混合した後、溶射バーナーの火炎に噴霧することにより、溶射バーナーや配管への前記無機質原料粉末の付着を防止するとともに、該原料粉末の凝集による溶射時の粒子の増大化を防止することを特徴とする球状無機質微粉末の製造方法およびそれに用いる製造装置。 (もっと読む)


【課題】良好な細孔体積、良好な吸油量、および良好な粒度分布を兼ね備えた水和ケイ酸を製造できる方法を提供する。
【解決手段】ケイ酸アルカリ水溶液に鉱酸を添加して中和することにより反応液中で粒子を析出させる水和ケイ酸の製造方法において、前記粒子が析出している期間内に、前記反応液に対して超音波を照射することを特徴とする。 (もっと読む)


本発明は、亜臨界条件の下にシリカ/ラテックスハイブリッドの均質なキセロゲル及びエーロゲルの製造方法に関係する。酸−塩基触媒の存在下でこれらのアルコゲルの二段階合成において、シリコンアルコキドの加水分解と重縮合は過剰の水を含有する有機媒体中において行われる。ポリブチルメタクリレート及びポリブチルアクリレートからなるラテックスはアルコキシシラン基で修飾されて最初に合成され、次いでシリコンアルコキシドで共加水分解を受ける第一の段階においてか又は予め加水分解されたコロイド状シリカと共縮合する第二の段階のいずれかにおいて混合物に取り込まれる。生成したアルコゲルは熟成され、洗浄され、そして亜臨界条件下に乾燥される。この操作により、0.1〜50重量%のラテックスを含み、300〜1300kg/mの密度、40〜85%の多孔性、400〜900m/gの比表面積及び2〜12nmの平均孔直径を持つハイブリッド製品が得られる。この製品は、大気中の湿度及び湿気に耐え、相当する無機物質より優れた機械的性質を持ち、断熱材、遮音材及び電気的絶縁体として使用することができる。
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【課題】高溶融率かつ高球形度の球状無機質粉末を容易に製造すること。
【解決手段】無機質粉末を流動媒体に同伴させ、その混合物をバーナーから炉内に噴射する際に、バーナーの先端又は近傍で、燃料ガス及び助燃ガスの少なくとも一方のガスを混合物に添加することを特徴とする球状無機質粉末の製造方法。本発明においては、燃料ガス及び助燃ガスの少なくとも一方のガスを添加する位置が、バーナー先端面よりも内側であり、しかも混合物の内部であることが好ましい。また、ガスが添加される前に、混合物が分散手段を経由していることが好ましい。また、流動媒体が、助燃ガス及び非酸化性ガスの少なくとも一方であることが好ましい。さらには、無機質粉末を水スラリーとして供給することが好ましい。 (もっと読む)


ガラスは、プリフォームの縦方向に対してほぼ平行に前後に動くプラズマトーチの前方で動かしてプリフォームに予備焼結組成物を堆積させることにより製造され、第1の供給ダクトはプラズマに予備焼結組成物の粒を供給し、場合により第2の供給ダクトはプラズマにキャリアガスと混合されたフッ素化合物又は塩素化合物、有利にフッ素化合物を供給し、その際、前記の予備焼結組成物は、30〜90m2/gのBET表面積、80以下のDBPインデックス、25000nm2より低いアグリゲート平均面積、1000nmより低いアグリゲート平均周長を有し、その際、前記アグリゲートの少なくとも70%は1300nmより低い周長を有する熱分解二酸化ケイ素粉末、又は火炎加水分解法により30ppbよりも低い金属含有量を有する四塩化ケイ素の反応により製造された0.2μg/gよりも低い金属含有量を有する熱分解法により製造された高純度の二酸化ケイ素の金属酸化物又はメタロイド酸化物の顆粒からなる。 (もっと読む)


超高純度の光学品質ガラス製品を製造する方法が開示され、前記方法は、
1. 金属酸化物又はメタロイド酸化物を緻密化して約1ミリメートルより小さい平均粒子サイズを有する顆粒にする工程;
2. 場合により、前記顆粒を完全に焼結させて、高純度の人工砂を製造する工程;
3. この顆粒状の人工砂を通常の技術、例えばスリップ注型成形により注型して、高密度の多孔性成形体を作成する工程;
4. 場合により、前記成形体を乾燥及び部分的に焼結する工程;
5. 場合により、前記成形体を真空下で完全に焼結する工程;及び
6. 場合により、前記の完全に焼結した成形体を熱間静水圧加圧成形する工程を有し、
その際、前記金属酸化物又はメタロイド酸化物は、BET表面積30〜90m2/g、DBPインデックス80より低、アグリゲート平均面積25000nm2より低及びアグリゲート平均周長1000nmより低を有し、その際、前記アグリゲートの少なくとも70%は1300nmより短い周長を有する熱分解二酸化ケイ素粉末、又は0.2μg/gより低い金属含有量を有する熱分解法により製造された高純度二酸化ケイ素である。 (もっと読む)


二酸化ケイ素をベースとし、かつ次の特性:平均粒度:10〜120μm、BET表面積:40〜400m2/g、細孔容積:0.5〜2.5ml/g、細孔分布:合計の細孔容積の5%未満が、直径<5nmを有する孔であり、残りはメソ孔及びマクロ孔、pH値:3.6〜8.5、タップ密度:220〜700g/lを有する顆粒。前記顆粒は、二酸化ケイ素を水中に分散、噴霧乾燥、場合により加熱及び/又はシラン化することにより調整される。その際、BET表面積30〜90m2/g、DBP値80以下、アグリゲート平均面積25000nm2未満及び平均アグリゲート周長1000nm未満を有し、アグリゲートの少なくとも70%が1300nmより小さい周長を有する熱分解二酸化ケイ素粉末又は0.2μg/gより少ない金属含有量を有する高純度な熱分解により調整された二酸化ケイ素(30ppbよりも少ない金属含有量を有する四塩化ケイ素を火炎加水分解により反応させて調整された)が使用される。 (もっと読む)


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