【課題】本発明は、平均粒度が３μｍ以下の無機質球状化粒子を効率良く生成することの可能な無機質球状化粒子製造用バーナ、無機質球状化粒子製造装置、及び無機質球状化粒子の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】燃焼室Ｃの入口側に位置する噴出面３４の中心に配置され、燃焼室Ｃに無機質原料粉体を含む原料スラリーを噴出する原料噴出孔３１Ｂと、原料噴出孔３１Ｂの外側に位置する噴出面３４に配置され、燃焼室Ｃ内に原料スラリーを分散させる噴霧流体を噴出する噴霧流体噴出部３２Ｂと、噴霧流体噴出部３２Ｂよりも外側の位置に複数設けられ、燃料室Ｃに燃料ガスを噴出する燃料ガス噴出孔３３Ｂと、燃料ガス噴出孔３３Ｂよりも外側の位置に複数設けられ、燃料室Ｃに支燃性ガスを噴出する第１及び第２の支燃性ガス噴出孔３５Ｂ，３８と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高い心棒温度、中間貯蔵から堆積までの間での清浄化された心棒の取り扱いによる汚染、及び取り付けられた心棒の表面の不十分な清浄化作用を回避し、かつ上記先行技術を改善すること
【解決手段】反応器中で少なくとも１つの心棒にシリコンを堆積させることによる多結晶シリコン棒の製造方法において、前記シリコンの堆積の前に、ハロゲン化水素を４００〜１０００℃の心棒温度で、少なくとも１つの心棒を有する前記反応器内へ導入し、ＵＶ光を照射し、それによりハロゲンラジカル及び水素ラジカルを生じさせ、生成された揮発性のハロゲン化物及び水素化物を前記反応器から取り除く、多結晶シリコン棒の製造方法 （もっと読む）

【課題】
シリカ膜の形成において、膜厚が厚くクラックの発生を抑えたシリカ膜の容易な形成方法およびそれにより形成されるシリカ膜を提供する。
【解決手段】
本発明は、使用する紫外線を透過する基体にプレカーサを塗布し、プレカーサ塗布面の裏面側より紫外線を照射する方法により、膜厚が厚くクラックの発生を抑えたシリカ膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ガスバリア性が高く、屈曲後も高いガスバリア性を維持する、安定性の高いガスバリア性フィルムを提供すること、生産性が高く安価に製造可能な該ガスバリア性フィルムの製造方法を提供すること、及び、該ガスバリア性フィルムを有する有機電子デバイスを提供する。
【解決手段】支持体側から第１の高ガスバリア性領域、水分トラップ領域、第２の高ガスバリア性領域をこの順に有するガスバリア性フィルムにおいて、支持体から第１の高ガスバリア性領域までのＪＩＳ Ｋ ７１２９Ｂ法に従って測定した水蒸気透過率（水蒸気透過度：２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％ＲＨ）（ＷＶＴＲ（ｇ／ｍ^２／ｄａｙ））が２×１０^−２〜１×１０^−３のガスバリア性を有し、第２の高ガスバリア性領域がケイ素化合物層、水分トラップ領域がシラザン化合物由来の窒素原子を含有するケイ素化合物層、からなることを特徴とするガスバリア性フィルム。 （もっと読む）

【課題】シリコンインゴットを電磁鋳造する際に、雰囲気ガス中に含まれる金属不純物、または過剰な酸素や炭素に起因して、溶融シリコンが金属不純物で汚染されたり、溶融シリコン中の酸素濃度や炭素濃度が増大することを抑制できる電磁鋳造方法を提供する。
【解決手段】チャンバー１内に配置した導電性を有する無底冷却ルツボ７にシリコン原料１１を投入し、ルツボ７を囲繞する誘導コイル８からの電磁誘導加熱によりシリコン原料１１を溶解させ、この溶融シリコン１２をルツボ７から引き下げながら凝固させてシリコンインゴット３を連続鋳造する電磁鋳造方法において、チャンバー１内を常圧よりも低い圧力に維持して電磁鋳造を行う。 （もっと読む）

【課題】異形ブロックであっても適正な製品加工が可能なシリコンブロックの外形測定方法を提供する。
【解決手段】本発明によるシリコンブロックの外形測定方法は、シリコンインゴットから切り出された略四角柱のシリコンブロックの長手方向と平行な４つの側面を被測定面とし、各被測定面において複数の測定点の座標を求め、複数の測定点の中からシリコンブロックの内側寄りの２点を選択した後、当該２点を通過する直線を各被測定面ごとに求めることにより４本の直線を定義し、４本の直線の交点同士を結ぶことによって得られる２本の対角線のうち短いほうの対角線を基準対角線Ｄ_Ｓとして定めると共に、当該基準対角線の中点Ｏ_２を求め、前記基準対角線Ｄ_Ｓの角度θ_ＤＳと前記基準対角線の中点Ｏ_２に基づいて製品ブロックＳＱの有効範囲の座標及び研削代を求める。 （もっと読む）

【課題】粒子径がナノサイズであり、かつ内部が中空で、しかもシリカ層からなる外殻に十分な大きさの貫通穴を有する中空シリカ粒子を効率的に得ることが可能な穴あき中空シリカ粒子の製造方法の提供である。
【解決手段】表面に還元性の官能基を有する樹脂粒子を作製する工程と、前記樹脂粒子表面に金属微粒子を固定する工程と、前記金属微粒子を有する樹脂粒子表面をシリカ層で被覆しコア・シェル粒子を作製する工程と、前記コア・シェル粒子を加熱することにより前記樹脂粒子を分解、除去し、中空粒子を作製する工程と、レーザー光を照射することにより前記金属微粒子を除去すると共に、前記中空粒子のシェルに貫通穴を形成する工程とを有する穴あき中空シリカ粒子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 本発明のオパールによれば、同一方向から平面視した場合であっても、異なる色相を呈するものであり、遊色効果に富んでいること、さらに、塗料の光輝材として使用した場合、塗料中に分散し易く塗布ムラとなりにくいこと。
【手段】 複数の異なる結晶構造を有するシリカ粒子群２からなるオパール１であって、一の結晶構造を有するシリカ粒子群２と、前記一の結晶構造とは異なる他の結晶構造を有するシリカ粒子群２との間には溝部５が形成されていること。 （もっと読む）

【課題】電磁鋳造法による連続鋳造の際、サイドアークの発生を抑制しつつ、溶解速度を上昇できるシリコンインゴットの電磁鋳造装置を提供する。
【解決手段】無底冷却ルツボ７に原料導入管１０を通じてシリコン原料１１を投入し、誘導コイル８からの電磁誘導加熱、およびルツボ７の上部に挿入されたプラズマトーチ１３からのプラズマアーク加熱によりシリコン原料１１を溶解させ、この溶融シリコン１２をルツボ７から引き下げながら凝固させてインゴット３を連続鋳造する電磁鋳造装置において、原料導入管１０が絶縁部材２１を介して支持されるとともに、原料導入管１０の先端がルツボ７内でプラズマトーチ１３の先端と同じ高さの位置、またはそれよりも高くてルツボ７の上端よりも低い位置に配置されており、この原料導入管１０を通じてシリコン原料１１が溶融シリコン１２の湯面の中央に投入される。 （もっと読む）

【課題】水分率の環境変動が抑制された疎水性シリカ粒子が得られる疎水性シリカ粒子の製造方法を提供すること。
【解決手段】親水性シリカ粒子を準備する工程と、超臨界二酸化炭素中で、疎水化処理剤により前記親水性シリカ粒子の表面を疎水化処理する工程と、を有する疎水性シリカ粒子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】原料のルツボ内への供給時における金属の持ち込みを極力少なくすることができる多結晶シリコンの鋳造方法を提供する。
【解決手段】無底の冷却ルツボを用い、電磁誘導により多結晶シリコンを連続的に鋳造する多結晶シリコンの鋳造方法であって、原料として、最大粒径が４０ｍｍであり、かつ、粒径が０．６ｍｍ〜３ｍｍのものが０〜４０％、粒径が３ｍｍを超え４０ｍｍ以下のものが１００〜６０％である高純度シリコンを使用する。これにより、重金属による汚染が少なく、良好な変換効率を維持できる太陽電池の基板材としての多結晶シリコンを、簡素で小型の原料供給配管を採用した電磁鋳造装置を使用して容易に製造することができる。 （もっと読む）

【課題】鋳造されたシリコンインゴットの外周に存在する金属不純物により汚染された領域を縮小でき、シリコンインゴットから切り出したウェーハを太陽電池に用いた際に光電変換効率を向上させることができるシリコンインゴットの連続鋳造方法を提供する。
【解決手段】無底の冷却ルツボを用い、電磁誘導により多結晶シリコンを連続的に鋳造するシリコンインゴットの連続鋳造方法であって、鋳造されるシリコンインゴットを冷却して均熱する際に、９００℃以下に保持して均熱することを特徴とするシリコンインゴットの連続鋳造方法である。これによりシリコンインゴットが高温に滞在する時間が短くなるので、シリコンインゴット外周表面に導入された金属不純物が分子の拡散運動により外周表面から内部に侵入する範囲を狭くでき、インゴット外周に形成される金属不純物で汚染された領域を縮小できる。 （もっと読む）

【課題】触媒担体としてポリエチレンの製造において使用することができる、熱分解により調製された二酸化ケイ素からの噴霧顆粒の提供。
【解決手段】熱分解により調製された二酸化ケイ素をベースとし、かつ次の物理化学的特性：平均粒度：１０〜１２０μｍ、ＢＥＴ表面積：４０〜４００ｍ²／ｇ、細孔容積：０．５〜２．５ｍｌ／ｇ、細孔分布：合計の細孔容積の５％未満が、直径＜５ｎｍを有する孔であり、残りはメソ孔及びマクロ孔、ｐＨ値：３．６〜８．５、タップ密度：２２０〜７００ｇ／ｌを有する顆粒。 （もっと読む）

【課題】空孔率を維持しつつ、膜強度が高く、低屈折率の多孔質膜の製造方法および低屈折率の反射防止膜を提供する。
【解決手段】シリカを主成分とする多孔質膜の製造方法であって、有機物、シリカ前駆体物質、アルコール、酸又は塩基からなる触媒、及び水を含有するゾル反応液を基材上に塗布して乾燥させる工程、前記基材を焼成して前記有機物を除去して基材上にシリカ多孔質膜を形成する工程、前記シリカ多孔質膜に対してＵＶオゾン処理を行う工程を有する多孔質膜の製造方法。上記の製造方法により得られた多孔質膜を有する反射防止膜。 （もっと読む）

本発明は、様々なフッ化原料と非晶質シリカ（ＳｉＯ_２）及び硫酸を用いたテトラフルオロシラン（ＳｉＦ_４）の連続式製造方法に関する。本発明によれば、テトラフルオロシランの収率を高めることができ、低コストで環境に優しくテトラフルオロシランを連続製造できる。さらに、反応時に発生するフッ化水素の量を最小化し、装置の腐食を最小化することができ、ＳｉＦ_４と水の混合ガスである反応生成物を、高温でＨ_２ＳＯ_４スクラバーに通過させ、水を除去し、凝結された水とＳｉＦ_４の副反応によるシリカゲル及びヘキサフルオロケイ酸の発生を防止し得ることによって、配管の目詰まりやＳｉＦ_４の収率低下を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】トリクロロシランを含むシリコン原料を精製する方法を提供する。
【解決手段】先ず、不純物蒸気および他のクロロシランまたはシランを含む液体のシリコン原料をシリコン原料の沸点より低い温度の下で海綿状金属充填物１０７を有する第１の回転充填層１００に通過させることにより、不純物蒸気および他のクロロシランまたはシランを液体のシリコン原料から分離する。次に、液体のシリコン原料を第２の回転充填層２００に導入し、酸素２０４も導入することにより、沸点が高く、不純物を含むシロキサン複合体を形成する。最後に、分留により、シリコン原料から不純物を含むシロキサン複合体を除去する。 （もっと読む）

【課題】 ＦｅＰｔ合金の素地にＳｉＯ_２等の酸化物を含む高密度の磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 一般式：（Ｆｅ_ｘＰｔ_{（１００−ｘ）}）_{（１００−ｙ）}（ＳｉＯ_２）_ｙ、ここで４０≦ｘ≦６０（単位：モル％）、５≦ｙ≦３０（単位：モル％）で表される組成を有する焼結体からなるターゲットであって、その組織が、ＳｉＯ_２相と、ＦｅとＰｔとの固溶体からなるＦｅＰｔ合金相と、ＳｉＯ_２相とＦｅＰｔ合金相との界面において、Ｓｉ、Ｏ、ＦｅおよびＰｔの各元素が相互に拡散することによって形成するＳｉ、Ｏ、ＦｅおよびＰｔを含有する相互拡散相と、で構成されている。 （もっと読む）

【課題】亜鉛還元法によって四塩化珪素を還元して多結晶シリコンを製造する際に、連続して還元を行うと共に未反応の四塩化珪素と亜鉛の発生を抑えて多結晶シリコンの生成効率を高め、かつ未反応亜鉛と四塩化珪素、反応副生成物である塩化亜鉛を効率的に回収、再利用を行なう多結晶シリコンの連続精製方法の提供。
【解決手段】亜鉛還元法による多結晶シリコンの連続精製方法において、連続して精製四塩化珪素と亜鉛を接触させることにより、精製四塩化珪素を還元して高純度多結晶シリコンと塩化亜鉛を連続して生成する工程、生成した塩化亜鉛に水を添加して亜鉛濃度が規定内の塩化亜鉛水溶液を生成する湿式反応工程、前記塩化亜鉛水溶液を電気分解して亜鉛と塩素に分離する電解工程、前記工程の未反応精製四塩化珪素および亜鉛を回収する工程、前記工程により回収された亜鉛、塩素、四塩化珪素のリサイクルの工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】反応原料である金属粉体などの影響を受けにくい熱制御を実現した反応器を提供する。
【解決手段】筒状の内部を一方から他方へ流動させることで少なくとも反応性ガスと金属粉体または無機化合物粉体とを反応させる反応炉を有する反応器であって、温度制御手段を、反応炉の内壁面に沿って、径内方向へ少なくとも二重に設ける。 （もっと読む）