【解決課題】反応炉の炉壁及び排出管内への多結晶シリコンの析出を防ぐことが可能な亜鉛還元法による多結晶シリコン製造用の反応炉を提供すること。
【解決手段】四塩化珪素と亜鉛を反応させて多結晶シリコンを生成させる反応炉であって、該反応炉内に内挿容器が設置されており、該内挿容器の下部には、排出ガスの排出口が形成されており、該内挿容器の外壁には、該排出口を囲む排出ガスの漏洩防止壁が形成されており、四塩化珪素蒸気の供給管、亜鉛蒸気の供給管、排出管及び不活性ガスの供給管を有し、該排出管内に、排出管用内挿管が設置されており、該排出ガス漏洩防止壁は、該排出管用内挿管の内側に入り込んでおり、且つ、該排出管用内挿管と該排出ガス漏洩防止壁との間及び該排出管用内挿管の管端と該内挿容器との間には、隙間が形成されていること、を特徴とする多結晶シリコン製造用の反応炉。 （もっと読む）

【課題】インゴットの外周部において不純物による汚染を低減することができるシリコンインゴットの連続鋳造方法を提供する。
【解決手段】チャンバー１内に不活性ガスを供給しつつ、当該チャンバー１内に配置した導電性を有する無底冷却ルツボ７にシリコン原料を装入し、無底冷却ルツボ７を囲繞する誘導コイル８からの電磁誘導加熱によりシリコン原料を溶解させ、この溶融シリコン１２を無底冷却ルツボ７から引き下げながら凝固させてシリコンインゴットを連続鋳造する方法において、チャンバー１内に不活性ガスを供給する際に、不活性ガスを溶融シリコン１２の上方に供給するとともに、シリコンインゴット３の下部に供給し、当該下部に供給した不活性ガスをシリコンインゴットの外周に流通させることを特徴とするシリコンインゴットの連続鋳造方法である。 （もっと読む）

【課題】反応炉の内壁面に付着したハロゲン化シランの重合物を確実に除去するとともに、反応炉内壁の所望の領域を重点的に洗浄することを可能とする技術を提供すること。
【解決手段】垂直軸２１の先端部に取り付けられた回転部材２２は軸Ｑを中心に自転可能である。ノズル支持体２３は軸Ｐを中心に自転可能であり、回転部材２２が自転すると軸Ｑを中心に垂直軸２１の周りを公転する。ノズル２４から洗浄水が高圧噴射されると、その噴射反動力によってノズル支持体２３が軸Ｐを中心に自転し、該自転が回転部材２２に伝達される。従って、ノズル支持体２３が自転すると同時に、回転部材２２が自転する。その結果、ノズル支持体２３は垂直軸２１の周りを自転しながら公転する。このような自公転機構により、ノズル２４から高圧噴射される洗浄水が三次元方向に噴射されて反応炉３０の内壁３２の表面が洗浄される。 （もっと読む）

【課題】光電変換装置において、新しい反射防止構造を有する光電変換装置を提供する。
【解決手段】光電変換装置において、受光面となる半導体基板の表面をウィスカー群（ナノワイヤー群）で被覆されるようにして、表面反射を低減させる。すなわち、半導体基板の受光面側に、ウィスカー状の成長表面を有する半導体層を設ける。当該半導体層は、任意の凹凸構造を有することになるので、半導体基板での表面反射を低減させ、変換効率を向上させる効果を奏する。 （もっと読む）

【課題】所定量の半導体粉末からなる小塊を溶融して球状溶融体を形成し、これを冷却凝固させて半導体粒子を製造する方法において、質量バラツキが小さい多数の小塊を相互に確実に離間させた状態で加熱用基板上に形成する。これにより、半導体粒子の高品質化と生産性向上が可能となる。
【解決手段】相互に間隔を設けて型板の表側に形成された所定形状の多数の凹部内に半導体粉末を充填し、その型板の表側に加熱用基板の平面部を重ね合わせる。その状態を維持しつつ表裏を反転させる。次いで、加熱用基板上に配置されている型板を上方に引きあげて、凹部に充填された半導体粉末を加熱用基板上に転写する。上記の凹部の横断面積は開口部に近いほど大きいことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】保持容器から不純物が混入することを防止することができる保持容器、および保持容器の製造方法を提供する。
【解決手段】金属元素、シリコン元素およびゲルマニウム元素から選択された選択元素を主成分とする溶融物を保持する保持容器であって、溶融液と接触する内面が一体的に形成された保持容器本体４を備え、保持容器本体４は、選択元素を主成分として含み、保持容器本体の選択元素の含有率（質量％）は、溶融物の選択元素の含有率（質量％）以上である。 （もっと読む）

【課題】浸漬タクトを低下させることなく、平滑性に優れた板状半導体を作製することができる消波構造付容器を提供する。
【解決手段】本発明の消波構造付容器は、金属材料または半導体材料のいずれか一方を含有する融液に、成長基板を浸漬させるための坩堝と、該坩堝の上面に接して取り付けられた保持体と、該保持体の融液の液面側に取り付けられた支持体と、該支持体に接触して設けられた消波構造とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】太陽電池セルの逆方向漏れ電流を低減することができ、太陽電池セルおよび太陽電池モジュールの歩留まりを向上して、製造コストを低減することができるシリコンリボン、球状シリコン、およびこれらの製造方法、ならびにこれらを用いた太陽電池セルおよび太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】融液から直接作製されるシリコンリボン、球状シリコンであって、シリコンリボン、球状シリコンの窒素濃度が５×１０¹⁵ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以上５×１０¹⁷ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下であるシリコンリボン、球状シリコン、およびこれらの製造方法、ならびにこれらを用いた太陽電池セルおよび太陽電池モジュールである。 （もっと読む）

【解決課題】製造コストが低く、運転管理及び装置管理が簡便な多結晶シリコンの製造方法を提供すること。
【解決手段】高純度四塩化珪素と亜鉛との反応により生成する排出ガスから分離した該塩化亜鉛及び未反応亜鉛の混合物を酸化する酸化処理と、該混合物を塩酸水溶液に溶解させる塩酸水溶液溶解処理と、酸性抽出剤により亜鉛成分を抽出する亜鉛成分抽出処理と、硫酸水溶液により亜鉛成分を逆抽出する亜鉛成分逆抽出処理と、硫酸亜鉛水溶液を水溶液電解する硫酸亜鉛水溶液電解処理と、該亜鉛成分抽出処理で得られる塩酸水溶液のうちの一部の塩酸水溶液を精製する塩酸精製処理及び塩化水素ガスを気化させる塩化水素気化処理、又は該亜鉛成分抽出処理で得られる塩酸水溶液のうちの一部の塩酸水溶液を気化させ、塩化水素を精製する塩化水素気化精製処理とを有し、該塩酸水溶液のうちの他部、該酸性抽出剤を含有する有機溶媒、及び該硫酸水溶液を循環使用する高純度多結晶シリコンの製造方法。 （もっと読む）

【課題】利用価値の高い高温の媒体で排熱回収するとともに、反応炉の壁からの不純物を抑制することができる多結晶シリコン製造装置を提供する。
【解決手段】反応炉１内にシリコン化合物を含む原料ガスを供給するとともに、反応炉１内のシリコン芯棒４に通電して発熱させ、シリコン芯棒４の表面に多結晶シリコンを析出させロッドとして成長させる多結晶シリコン製造装置であって、反応炉１のベルジャ３は周壁３１を冷却するジャケット構造を備えており、空間部３ａ内に冷媒として水と水蒸気との沸騰二相流を流通させる。 （もっと読む）

【解決課題】製造コストが低く、運転管理及び装置管理が簡便な多結晶シリコンの製造方法を提供すること。
【解決手段】高純度四塩化珪素と亜鉛との反応により生成する排出ガスから分離した該塩化亜鉛及び未反応亜鉛の混合物を酸化する酸化処理と、塩化亜鉛及び酸化亜鉛の混合物を塩酸水溶液に溶解させる塩酸水溶液溶解処理と、酸性抽出剤により亜鉛成分を抽出する亜鉛成分抽出処理と、硫酸水溶液により亜鉛成分を逆抽出する亜鉛成分逆抽出処理と、硫酸亜鉛水溶液を水溶液電解する硫酸亜鉛水溶液電解処理と、該亜鉛成分抽出処理で得られる塩酸水溶液のうちの一部の塩酸水溶液中の塩酸を分解して、塩素ガスを得る塩酸分解処理を有し、該亜鉛成分抽出処理で得られる該塩酸水溶液のうちの他部、該亜鉛成分逆抽出処理で得られた酸性抽出剤を含有する有機溶媒、及び該硫酸亜鉛水溶液電解処理で得られた該硫酸水溶液を循環使用する高純度多結晶シリコンの製造方法。 （もっと読む）

【課題】シリコン加工プロセスで発生し、シリコンスラッジ中のシリコン粉の安定的な高純度化が図れ、バッチ間でのシリコン粉の均一な高純度化も可能なシリコンスラッジの洗浄方法を提供する。
【解決手段】シリコン加工プロセスで生じたシリコンスラッジ中のシリコン粉の酸素濃度を測定し、その値から洗浄槽内の全シリコン粉のＳｉＯ_２膜の総重量を求め、さらに全ＳｉＯ_２膜の除去に必要な最小のＨＦ量を算出し、この値以上のＨＦ量のＨＦ洗浄液を洗浄槽に投入しＨＦ洗浄する。よって、シリコン加工プロセスで発生し、バッチでＨＦ洗浄されるシリコンスラッジ中のシリコン粉の安定的な高純度化が図れる。また、バッチ間にわたるシリコン粉の均一純度化も実現できる。 （もっと読む）

【解決手段】不純物を含む珪素を減圧雰囲気下でプラズマ炎により溶融した後、この溶融珪素に酸化性ガスを吹き付けることで上記不純物を除去することを特徴とする珪素の精製方法。
【効果】本発明によれば、従来の珪素の精製方法に比べ、珪素中の不純物、特に硼素とリンを安価に効率良く除去することができる。 （もっと読む）

【課題】 シリコン融液及び多結晶シリコンインゴットへの不純物汚染を十分に防止することができる能力を有し、かつ、離型性に優れた、低コストの多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器、及びそのような角形シリカ容器を製造する方法を提供する。
【解決手段】 シリコン融液を収容した後凝固して多結晶シリコンインゴットを製造するための角形シリカ容器であって、該角形シリカ容器は、少なくとも多孔質シリカ基体からなるものであり、前記多孔質シリカ基体は、かさ密度が１．８０〜２．１０ｇ／ｃｍ^３であり、Ａｌ濃度が５〜５００ｗｔ．ｐｐｍであり、ＯＨ基濃度が５〜５００ｗｔ．ｐｐｍであり、前記多孔質シリカ基体の内表面部分の少なくとも一部に、前記多結晶シリコンインゴットの離型を促進する離型促進剤が含有されているものである多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器、及びこのような角形シリカ容器を製造する方法。 （もっと読む）

【課題】不純物の混入を防止しながらシリコン試料を短時間で溶解することができ、これによりシリコン単結晶中の不純物の検出下限を低くすることができるシリコン単結晶の不純物評価方法を提供することを目的とする。
【解決手段】サンプルカップ内のシリコン試料を気相全溶解して揮散させ、前記サンプルカップ内に残存した残存物を回収し、該回収した残存物から前記シリコン試料中の不純物を評価するシリコン単結晶の不純物評価方法であって、前記シリコン試料の気相全溶解を、個別の容器に入ったフッ化水素酸と発煙硝酸を発煙硝酸の沸点より低い温度まで加熱し、該加熱されたフッ化水素酸と発煙硝酸の蒸気により前記シリコン試料を気相全溶解するシリコン単結晶の不純物評価方法。 （もっと読む）

【課題】成長初期に発現させるデンドライト結晶の成長方向、配列、配置、分布を制御可能であり、高品質・高均質なＳｉ多結晶インゴットを製造することができるＳｉ多結晶インゴットの製造装置、Ｓｉ多結晶インゴットおよびＳｉ多結晶ウェハーを提供する。
【解決手段】ルツボ１内に入れたＳｉ融液２の底部付近または表面付近の局所領域２ａの過冷却度を変えることにより、融液温度が高い領域から融液温度の低い局所領域２ａに向けてデンドライト結晶３を複数発現させたり、融液温度の低い局所領域２ａから融液温度が高い領域に向けてデンドライト結晶３を複数発現させたりすることができるよう、Ｓｉ融液２の底部付近または表面付近に、融液温度が低く大きな過冷却度を有する線状、点状、円状、円周状、円弧状またはそれらのうちの複数を組み合わせた形状よりなる局所領域２ａを形成可能である。 （もっと読む）

【解決手段】不純物としてホウ素を含有するシリコン及びスラグをそれぞれが溶融するよう加熱した後、上記シリコン及び上記スラグを溶融状態で接触させ、上記シリコン中のホウ素を上記スラグに吸収させて上記シリコン中のホウ素を除去するシリコンの精製方法であって、上記スラグの組成を制御しながら上記スラグにホウ素を吸収させることを特徴とするシリコンの精製方法。
【効果】本発明の精製方法によれば、従来公知の精製方法よりも安価に効率よくシリコン中のホウ素を除去することができ、平均ホウ素含有量を、４質量ｐｐｍ以下、特に３質量ｐｐｍ以下にまで低減することができる。本発明の方法に加えて更に公知のホウ素低減方法を行う場合にも、本発明の方法でホウ素濃度の低下が達成されているので、次工程であるホウ素濃度低減工程を実施するには好都合である。 （もっと読む）

【課題】固まらない砂状シリコンを利用し、シリコン系太陽電池用の酸素含有量が少ない溶融原料を、容易かつ低コストで製造可能なシリコン系太陽電池用原料の製造方法を提供する。
【解決手段】何れもシリコン加工プロセスで発生し、平均粒径が０．１〜１ｍｍの砂状シリコン６０〜７９重量％と、最大粒径が２μｍ以下の微小シリコン粉を含むシリコンスラッジ１〜１０重量％とに、シリコンスラッジを濃縮した際に排出される濃縮排水を２０〜３０重量％加えて混練し、得られた混練物を固める。これにより、固まらない砂状シリコンを利用し、シリコン系太陽電池用の酸素含有量が少ない溶融原料を、容易かつ低コストで製造することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、効率的に、高い品質のシリコン結晶を製造できる方法を提供することにある。
【解決手段】シリコン原料１０を電磁鋳造炉（ＥＭＣ炉）２０内に投入するに先立って、該シリコン原料１０を加熱によって溶解してシリコン溶解物１１とし、該シリコン溶解物１１を前記電磁鋳造炉２０内に投入する工程を備えるシリコン結晶の製造方法であって、前記シリコン原料１０をプラズマ照射３０により加熱することで前記シリコン溶解物１１を形成し、温度により炉内投入量の制御が可能な搬送管４０を通じて、該シリコン溶解物１１を前記電磁鋳造炉２０内へ投入することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】沈降容器に沈降したシリコンスラッジから、微小シリコン粉を含む表層スラッジのみを簡単に除去可能なシリコン系太陽電池用原料の製造方法を提供する。
【解決手段】沈降分離液内の上澄み液を吸引により除去し、その後、沈降容器の底部に沈降したシリコンスラッジのうち、粒径が２μｍ以下の微小シリコン粉を含む表層スラッジを吸引により除去する。これにより、シリコンスラッジの表層に堆積した粘土状の微小シリコンスラッジを原因とした、シリコンスラッジの沈降分離時間の長大化を防止し、かつ上澄み液に含まれる浮遊物のフィルタリング時の目詰まりも解消できる。 （もっと読む）