【課題】多結晶シリコンの製造に用いられる反応容器（ベルジャー）の内面の付着物及び汚染物質を確実に除去する方法を提供すること。
【解決手段】多結晶シリコンの製造に用いられる反応容器（ベルジャー）１は、ゴムパッキン３を介して受け皿２上に載置される。受け皿２に載置された状態のベルジャー１内部には、氷の細粒をベルジャー１の内面に一定の距離と角度を保ちつつ衝突させるためのノズル４と、このノズル４に氷の細粒および純水を送るためのホース５と、ノズル４の位置を移動させるための回転機能を有するシャフト６が設けられている。製氷機１０により氷の細粒が造粒される。氷の細粒は、最大径が０．３〜３．０ｍｍ程度のものが好ましい。氷の細粒は、例えば、０．５ＭＰａ〜１ＭＰａの圧力の圧縮空気８によりノズル４へと送られる。氷の細粒をノズル４からベルジャー１の内面に衝突させる角度は、３０〜６０°が好適である。 （もっと読む）

【課題】カーボンヒータや炉内カーボン部品の寿命を延長して設備費用を削減でき、高品質な結晶半導体を製出可能である結晶半導体の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】チャンバ内に配置された坩堝に貯留した半導体融液を、前記坩堝の底部から冷却して凝固させるとともに結晶半導体を成長させる結晶半導体の製造方法であって、前記チャンバ内の圧力を１０^−４Ｐａ以下に減圧し、該チャンバ内の水分を除去する水分除去工程Ｓ１０と、前記チャンバ内に不活性ガスを導入するガス導入工程Ｓ２０と、前記坩堝内に収容した半導体原料をヒータで加熱し溶解させて前記半導体融液とする溶解工程Ｓ３０と、前記坩堝を底部から冷却して、前記半導体融液を凝固させるとともに結晶半導体を成長させる成長工程Ｓ４０と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】断面形状が正方形のアフターヒーターを具備する電磁鋳造装置で断面形状が長方形のインゴットを製造する場合、インゴットの切断時に発生するクラックやササクレを防止できるシリコンインゴットの電磁鋳造装置および電磁鋳造方法を提供する。
【解決手段】（１）無底冷却モールド２と、誘導コイル１と、インゴット５を徐冷するアフターヒーター４を有し、アフターヒーターの出力制御を、対面する２面のヒーター（例えば、ヒーター１４−１と１４−３）を１対として２対以上のヒーターについて個別に実施できるように構成されている電磁鋳造装置。（２）前記の電磁鋳造装置を用い、アフターヒーターの出力を、２対以上のヒーターについて個別に制御する電磁鋳造方法。アフターヒーターの出力を、インゴットの面内温度のばらつきが１０℃以下になるように制御することとすれば、クラックやササクレの防止に極めて有効である。 （もっと読む）

【課題】超高純度を有しながら微細で粒状がそろったシリコンを最小のエネルギーで高効率に更に多量に得ることの出来るシリコン製造装置を提供することを課題とした。
【解決手段】本発明は高純度シリコン微粉末の製造装置において（１）金属亜鉛を亜鉛の沸点以上に加熱蒸発して亜鉛ガスを供給する機構と（２）該亜鉛ガス中に液状の四塩化ケイ素を供給する機構と、（３）前記亜鉛ガスと前記四塩化ケイ素を混合攪拌して反応させシリコン粒子を含む反応ガスを生成する機構と、（４）前記反応ガスの温度を３００℃〜８００℃に下げて生成したシリコン粒子を成長させると共にガス成分の一部と共に沈殿する機構と（５）前記沈殿物を保持すると共に、該沈殿物を９５０℃以上に加温し、蒸発物を揮散して、固体シリコンを得る機構（６）と、前記蒸発物を含み、未反応ガス等を含む排ガスを系外に排出する排ガス機構を含んでなることを特徴とする高純度シリコン微粉末の製造装置である。 （もっと読む）

【課題】高い心棒温度、中間貯蔵から堆積までの間での清浄化された心棒の取り扱いによる汚染、及び取り付けられた心棒の表面の不十分な清浄化作用を回避し、かつ上記先行技術を改善すること
【解決手段】反応器中で少なくとも１つの心棒にシリコンを堆積させることによる多結晶シリコン棒の製造方法において、前記シリコンの堆積の前に、ハロゲン化水素を４００〜１０００℃の心棒温度で、少なくとも１つの心棒を有する前記反応器内へ導入し、ＵＶ光を照射し、それによりハロゲンラジカル及び水素ラジカルを生じさせ、生成された揮発性のハロゲン化物及び水素化物を前記反応器から取り除く、多結晶シリコン棒の製造方法 （もっと読む）

【課題】クロロシラン類留出物中からドナー不純物およびアクセプタ不純物を除去して含有量を低減させる技術を提供すること。
【解決手段】本発明のクロロシラン類の精製方法は、水素化工程101および／または塩素化工程102、不純物転化工程103、精製工程104の少なくとも３つの工程を備えている。不純物転化工程103では、一般式Ａｒ−Ｒ−ＣＨＯ（Ａｒは置換または未置換のアリール基、Ｒは炭素数２以上の有機基）で表記されるアルデヒド化合物が添加され、クロロシラン類留出物に含有されているドナー不純物およびアクセプタ不純物が高沸点物に転化される。ドナー不純物とアクセプタ不純物を高沸点物に転化させた後のクロロシラン類留出物は、精製工程104へと送られる。精製工程104では、蒸留塔などを用いることにより、塔頂部より系外に回収して、充分にドナー不純物およびアクセプタ不純物が除去された高純度のクロロシラン類を得る。 （もっと読む）

【課題】短期間でインゴットの冷却を完了させることができ、切断中にクラックが発生することがない多結晶シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】無底ルツボ１２内に形成されたシリコン融液２１を降下させて凝固させることにより、無底ルツボ１２から多結晶シリコンインゴット２０を連続的に取り出す多結晶シリコンの製造方法において、保温ヒータ１６を用いて１０００℃以上の所定の保温温度に保温されている多結晶シリコンインゴット２０を３００℃以下の所定の開放温度まで降下させて冷却する際、少なくとも６２０℃までは傾きが漸増する第１の冷却パターンを用いて保温ヒータの温度を制御する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置から排出されるシラン類をリサイクルすることを目的とする。
【解決手段】半導体製造装置２０から排出される混合ガスに含まれるシラン類が除害装置３０によってシリカとして無害化される。除害装置３０で生成したシリカはシリカ回収手段４０によって回収される。炭素含有物質混合手段５０は、シリカ回収手段４０で回収されたシリカに炭素含有物質を混合する。塩素化手段６０は、炭素含有物質混合手段５０で得られた混合物に塩素含有物質を反応させて四塩化珪素を形成する。 （もっと読む）

【課題】異物による成膜不良を抑制し良好な成膜を実現する成膜方法を提供する。
【解決手段】長尺の基材１００を連続的に搬送しながら、プラズマ反応を用いて当該基材１００の成膜面１００ａに連続的に薄膜層を形成する成膜方法であって、基材１００の搬送経路に沿って、有機ケイ素化合物と酸素とを含む成膜ガスの放電プラズマを、プラズマ強度が主として有機ケイ素化合物の完全酸化反応を生じる強度である第１の空間と、主として有機ケイ素化合物の不完全酸化反応を生じる強度である第２の空間と、が交互に連続するように生じさせ、第１の空間および第２の空間と重なるように基材１００を搬送し、第１の空間または第２の空間を通過した後に、表面が基材１００より柔らかい搬送ロール２２，２３で成膜面１００ａを保持しながら、基材１００を搬送する。 （もっと読む）

【課題】真空溶解によるシリコン精製方法において、坩堝上方に配した不純物捕捉装置から不純物凝縮物が落下してシリコン溶湯が汚染するのを防止する。
【課題手段】真空ポンプ１を装備した処理室２内に、シリコン溶湯３を収容する坩堝４と坩堝４を加熱する加熱手段５とを配し、さらにシリコン溶湯の液面から蒸発する不純物蒸気を冷却して凝縮させる不純物凝縮部を有する不純物捕捉装置と、不純物捕捉装置で捕捉した不純物が落下した際に、この不純物を受け止める不純物受止部を有してシリコン溶湯の汚染を防ぐ汚染防止装置とを配置する。 （もっと読む）

【課題】 多結晶シリコンの大量生産が可能であり、組み立て、設置及びメンテナンスが容易で、また、第１ボディ部と第２ボディ部とが互いに分離及び組み立て可能な流動層反応器を提供する。
【解決手段】 ヘッドと、前記ヘッドの下に位置して前記ヘッドと連結され、前記ヘッドの直径より小さな直径を有する第１反応管がその内部に位置する第１ボディ部と、前記第１ボディ部の下に位置して前記第１ボディ部と連結され、前記第１反応管の直径と実質的に同一の直径を有する第２反応管がその内部に位置する第２ボディ部と、前記第２ボディ部と連結された底面部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ガスバリア性が高く、屈曲後も高いガスバリア性を維持する、安定性の高いガスバリア性フィルムを提供すること、生産性が高く安価に製造可能な該ガスバリア性フィルムの製造方法を提供すること、及び、該ガスバリア性フィルムを有する有機電子デバイスを提供する。
【解決手段】支持体側から第１の高ガスバリア性領域、水分トラップ領域、第２の高ガスバリア性領域をこの順に有するガスバリア性フィルムにおいて、支持体から第１の高ガスバリア性領域までのＪＩＳ Ｋ ７１２９Ｂ法に従って測定した水蒸気透過率（水蒸気透過度：２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％ＲＨ）（ＷＶＴＲ（ｇ／ｍ^２／ｄａｙ））が２×１０^−２〜１×１０^−３のガスバリア性を有し、第２の高ガスバリア性領域がケイ素化合物層、水分トラップ領域がシラザン化合物由来の窒素原子を含有するケイ素化合物層、からなることを特徴とするガスバリア性フィルム。 （もっと読む）

【課題】高効率な発電パネル用の多結晶シリコンウェーハを提供する。
【解決手段】一辺が１１８ｍｍ以上の四角形である多結晶シリコンウェーハであって、第１乃至第４の外周領域ａ１〜ａ４と、いずれも外周領域にも属さない中央領域ｂとを含み、第１の外周領域ａ１におけるライフタイムは、中央領域ｂにおけるライフタイムよりも短く、第２及び第３の外周領域ａ２，ａ３におけるライフタイムは、中央領域ｂにおけるライフタイムと実質的に等しく、中央領域ｂにおけるライフタイムは、３０μｓ以上である。本発明によれば、多結晶シリコンインゴットの断面をマトリクス状に４分割又は６分割することによって切り出すことができるとともに、ライフタイムが３０μｓ以上である領域を全体の１／３以上とすることができる。これにより、１６％以上の変換効率を確保することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 不純物汚染防止及び離型性に優れ、結晶粒の大きさ及び結晶軸方位が揃った多結晶シリコンインゴットを製造することができる、きわめて低コストの多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器を提供する。
【解決手段】 シリコン融液を凝固して多結晶シリコンインゴットを製造するための角形シリカ容器であって、多孔質シリカからなる平行平板状の多孔質シリカ板体を組み合わせて構成されたものであり、少なくとも前記角形シリカ容器の側部をなす前記多孔質シリカ板体における両平行平面の表面部分のかさ密度が、前記角形シリカ容器の内表面部分よりも外表面部分において高く、前記角形シリカ容器の底部をなす前記多孔質シリカ板体の内表面部分は、溝又は穴を所定間隔で複数有しており、前記溝又は穴の側面の少なくとも一部が、鉛直方向に対して１５〜６０°の角度をなす斜面で形成されている多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器。 （もっと読む）

【課題】異形ブロックであっても適正な製品加工が可能なシリコンブロックの外形測定方法を提供する。
【解決手段】本発明によるシリコンブロックの外形測定方法は、シリコンインゴットから切り出された略四角柱のシリコンブロックの長手方向と平行な４つの側面を被測定面とし、各被測定面において複数の測定点の座標を求め、複数の測定点の中からシリコンブロックの内側寄りの２点を選択した後、当該２点を通過する直線を各被測定面ごとに求めることにより４本の直線を定義し、４本の直線の交点同士を結ぶことによって得られる２本の対角線のうち短いほうの対角線を基準対角線Ｄ_Ｓとして定めると共に、当該基準対角線の中点Ｏ_２を求め、前記基準対角線Ｄ_Ｓの角度θ_ＤＳと前記基準対角線の中点Ｏ_２に基づいて製品ブロックＳＱの有効範囲の座標及び研削代を求める。 （もっと読む）

【課題】シリコンインゴットを電磁鋳造する際に、雰囲気ガス中に含まれる金属不純物、または過剰な酸素や炭素に起因して、溶融シリコンが金属不純物で汚染されたり、溶融シリコン中の酸素濃度や炭素濃度が増大することを抑制できる電磁鋳造方法を提供する。
【解決手段】チャンバー１内に配置した導電性を有する無底冷却ルツボ７にシリコン原料１１を投入し、ルツボ７を囲繞する誘導コイル８からの電磁誘導加熱によりシリコン原料１１を溶解させ、この溶融シリコン１２をルツボ７から引き下げながら凝固させてシリコンインゴット３を連続鋳造する電磁鋳造方法において、チャンバー１内を常圧よりも低い圧力に維持して電磁鋳造を行う。 （もっと読む）

【課題】ｎ型シリコンインゴットを電磁鋳造する際に、蒸発し易いドーパントを用いる場合であっても、インゴットの長手方向で抵抗率を均一化することができる電磁鋳造方法を提供する。
【解決手段】チャンバー１内に配置した導電性を有する無底冷却ルツボ７にシリコン原料１１およびドーパントを投入し、ルツボ７を囲繞する誘導コイル８からの電磁誘導加熱によりシリコン原料１１およびドーパントを溶解させ、この溶融シリコン１２をルツボ７から引き下げながら凝固させてｎ型のシリコンインゴットを連続鋳造する電磁鋳造方法において、チャンバー１内を常圧よりも高い圧力に維持して電磁鋳造を行う。 （もっと読む）

【課題】 亜鉛還元法によって四塩化珪素から多結晶シリコンを製造する際に、容器内壁へのシリコンの付着による回収量低下並びに、容器材質からのシリコンへの汚染を防止する、供給ノズルに二流体ノズルを用いて反応させることで効率的かつ高純度のシリコンの製造方法と、このシリコンの製造法に適した精製装置を提供する。
【解決手段】 反応容器内で四塩化珪素と亜鉛の気相反応によって、前記四塩化珪素を還元して多結晶シリコンを精製する太陽電池用シリコンの製造方法において、反応容器内に原料であるガス状の四塩化珪素および亜鉛を個別に送り込む噴射口を各々有する内管と外管で構成される二重管構造の二流体ノズルを用いて、原料の四塩化珪素と亜鉛を異なる線風速で二流体ノズルから反応容器内に送り込み、反応させることを特徴とする太陽電池用シリコンの製造方法。 （もっと読む）

【課題】電磁誘導加熱にプラズマ加熱を併用して、太陽電池の基板材として用いられる、太陽電池特性（ライフタイム）が良好に維持された多結晶シリコンを製造することができるシリコンインゴットの製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】無底冷却モールド１と、加熱用誘導コイル２を有し、さらに、加熱源としてプラズマトーチ３を有し、電磁誘導加熱とプラズマ加熱を併用するシリコンインゴットの製造装置であって、前記プラズマトーチ内に配設されたプラズマ電極１２としてタングステン（Ｗ）を用いる製造装置。前記プラズマ電極を陽極とし、被加熱物であるシリコン１１を陰極とすれば、電極の消耗、電極金属による汚染を僅少に抑え、ライフタイムをより長く維持できるので望ましい。本発明の製造方法は、この装置を用いて容易に実施することができる。 （もっと読む）

【課題】銅製の冷却モールドに起因するシリコンインゴットの銅による汚染を抑制して、太陽電池の基板材の素材として好適なシリコンインゴットの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン原料を銅製の無底冷却モールド１に装入し、電磁誘導により溶融し、当該溶融したシリコンを下方に引き下げ凝固させることにより多結晶シリコンインゴットを連続的に鋳造するシリコンインゴットの電磁鋳造方法であって、前記銅モールドを取り囲む誘導コイル２の下端から下方に位置するモールド長さ（Ｌ_M）を４０ｍｍ超１８０ｍｍ以下として、銅モールドに近接するシリコンインゴットの外周部から内部への銅の拡散、混入を抑制する。一辺の長さが３２２ｍｍ以上５３０ｍｍ以下の正方形または矩形断面の多結晶シリコンインゴットを鋳造対象とする実施形態の採用が望ましい。 （もっと読む）