【課題】金属シリコンから速い速度でボロンを除去する方法を提供する。
【解決手段】本発明は、水素、水蒸気、二酸化炭素及び酸素から選択される少なくとも１種と不活性ガスとの混合ガスをプラズマ化することによってジェット流を形成しておき、このジェット流にボロンを含有する金属シリコン粉末を供給することを特徴とする金属シリコンからのボロン除去方法である。本発明において、水素と不活性ガスとの混合ガスをプラズマ化することによって形成されるジェット流の中流に、水蒸気、二酸化炭素及び酸素から選択される少なくとも１種を供給することも好ましい。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ溶融析出反応器の下部に配置されるポリシリコン受け容器であって、収容されたポリシリコンに表面変質を生じせしめないポリシリコン受け容器を提供する。
【解決手段】Ｓｉ溶融析出反応器１の下部に配置され、該反応器１の内面から溶融落下したポリシリコンを受けるための受け容器１５であって、該受け容器１５の少なくとも内面に、水分の吸脱湿を防止する表面処理層が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンの製造に用いられる反応炉内の電極回りに付着した微粒子の除去作業を簡略化すること。
【解決手段】シリコン芯線１１が炭素製の芯線ホルダ１５に保持され、この芯線ホルダ１５が金属性の電極１０の頂部に保持されている。電極１０はシリコン芯線１１に通電するための電極であって、反応炉の底板部５に設けられた貫通孔を介して反応炉内に挿入されている。カバー１８は、反応炉内に挿入された電極１０の表面のうち、少なくとも、底板部５の近傍部の表面を被覆している。カバー１８は、原料として供給される反応ガスが多結晶シリコンとしてシリコン芯線の上に析出する際に発生する微粒子が、反応炉内において比較的温度の低い部材表面に直接付着するのを防止するためのものである。つまり、微粒子をカバー１８の表面に付着させ、電極１０、絶縁部材１３、或いは、アダプタ１４の表面に直接付着するのを防止している。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、シリカを含む植物を加熱処理や化学、生物学的処理などをして得られる分解処理残分を原料として、安価に高純度の四塩化ケイ素を製造できる方法を提供することである。
【解決手段】本発明者らは、シリカを含む植物を加熱して得られる、炭素／シリカの質量比が０．２以上２．０以下である分解処理残分に、ＪＩＳ標準篩の呼び寸法で１．０ｍｍ以上４．８ｍｍ以下の金属ケイ素を、分解処理残分中のシリカ１００質量部に対して、１０〜４０質量部加えて塩素化反応を行うことにより、外部からの余分なエネルギー供給の必要がなく、高いシリカ反応率で四塩化ケイ素が製造できることを見出した。 （もっと読む）

【解決課題】シリコンを溶融するときに、溶融し易く、且つ、表面酸化を受け難い高純度シリコン及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】棒状、粒状若しくは板状のシリコン、又は棒状、粒状及び板状のもののうちの少なくとも１種が複数接合したシリコンであり、径が２ｍｍを超える部分の割合が７５質量％以上であることを特徴とする高純度シリコン。 （もっと読む）

【課題】二酸化ケイ素の電解還元後に陰極を電解槽から取り出す必要がなく、二酸化ケイ素を連続して電解還元させることによってシリコンを製造することができるシリコンの製造方法を提供すること。
【解決手段】溶融塩の存在下で二酸化ケイ素を電解還元させることによってシリコンを製造する方法であって、シリコンからなる陰極３上に二酸化ケイ素４を載置させた状態で当該二酸化ケイ素４を電解還元させることを特徴とするシリコンの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 高温の気相で行う反応を用いず、低温の液相で行う反応を採用することにより、シリコンを多量で安定的に連続生成させる多結晶シリコンの製造方法を提供すること。
【解決手段】 溶融金属亜鉛中においてクロルシランと金属亜鉛を反応させ多結晶シリコンと塩化亜鉛とを反応生成物として生じさせる還元反応部分の位置が、反応生成物である塩化亜鉛を電気分解することによって塩素と金属亜鉛を生成させる電解部分の位置より下部にある。還元反応部分でクロルシランと金属亜鉛とを反応させ多結晶シリコンと塩化亜鉛を反応生成物として生じさせる。反応生成物である多結晶シリコンを分離し、塩化亜鉛を電気分解することによって塩素と金属亜鉛を生成させこの塩素はクロルシランの製造用に使用する。金属亜鉛はクロルシランとの反応に使用する。 （もっと読む）

【課題】反応器の給電において、封止部を破壊する漏れ電流ないしはアークを検出して早期に遮断できるようにすると同時に、導電性の汚染物があっても、次の分解および洗浄を行うまでの反応器の動作時間を可能な限り長く維持できるようにすること。
【解決手段】電気エネルギー網の絶縁不良を監視し、所定の絶縁抵抗値を下回ることにより、電気エネルギー供給の遮断がトリガされる、ただし、前記電気エネルギー供給の遮断を行うスイッチング閾値は、前記封止部の幾何学的形状と、該封止部の材料と、給電電圧と、該封止部に流れる最大可能なクリープ電流によってトリガされ前記遮断直前に該封止部に入力可能な最大電気エネルギーとから成る群のうち、少なくとも１つのパラメータを考慮して求める。 （もっと読む）

【課題】本発明は、容器内に収容された溶融シリコンに高周波誘導加熱を施したり、容器の底部から溶融シリコンに不活性ガスを吹き込んだり、または、溶融シリコンの浴面近傍に酸化性ガスとは別にさらに水素を吹き付けたりせずとも、溶融シリコン中のボロンの除去速度を向上させることが可能な溶融シリコン中のボロン除去方法を提供することを目的とする。
【解決手段】容器としてのルツボ１内に収容された溶融シリコン３の浴面３ａにＡｒ−５．０％Ｈ_２Ｏガスを吹き付けてプラズマアーク溶解しながら溶融シリコン３中のＢを除去する方法であって、ルツボ１内に収容された溶融シリコン３を、プロペラ２を用いて周方向に２５０ｒｐｍの速度で攪拌する。 （もっと読む）

【解決手段】不純物としてＰを含有するシリコンとスラグを加熱してそれぞれを溶融し、シリコンとスラグを溶融状態で接触させてシリコン中のＰをスラグに吸収させ、次いでこれらを冷却・固化し、Ｐを吸収させたスラグをシリコンから分離除去する第一工程を少なくとも１回行った後、得られたシリコンを解砕し、これを無機酸を含む水溶液にて処理する第二工程を行うことによりシリコン中に含まれるＰを除去するシリコンの精製方法であって、スラグの組成が、少なくとも１種の塩基性酸化物を含み、この塩基性酸化物と、中性酸化物、酸性酸化物、アルカリ金属ハロゲン化物、及びアルカリ土類金属ハロゲン化物から選ばれる混合物からなり、かつ酸性酸化物を含む場合は、酸性酸化物の含有量が塩基性酸化物の含有量よりも少ない組成であるシリコンの精製方法。
【効果】従来の精製方法よりも安価に効率よくシリコン中のＰを除去することができる。 （もっと読む）

【課題】溶融シリコンの異物汚染を抑制できるシリコンインゴットの電磁鋳造方法の提供。
【解決手段】チャンバー１内を真空引きする際、シャッター３０によって無底冷却ルツボ１０の上端開口を遮蔽し、不活性ガス導入管４の遮断弁５を閉にし、通気管２０、真空引き用配管２３の各遮断弁２１、２５を開にした状態で、排気管７の排気ポンプ８を作動させることなく、真空引き用配管２３の真空ポンプ２４を作動させ、その後にチャンバー１内を不活性ガスで満たす際、ガス導入管４の遮断弁５を開に切り換えた状態にし、その後にシリコン原料１４を溶解しながら連続鋳造する際、シャッター３０を退避させてルツボ１０の上端開口を開放し、通気管２０、真空引き用配管２３の各遮断弁２１、２５を閉に切り換えた状態で、排気ポンプ８を作動させ、その後にチャンバー１内でインゴット１９を冷却する際、通気管２０の遮断弁２１を開に切り換えた状態にする。 （もっと読む）

【課題】
ある程度の繰り返し使用を可能とし、るつぼの確保にかかるコストダウンを図るとともに、産業廃棄物の排出を抑え、るつぼの交換頻度の低下に伴う太陽電池用ポリシリコンの製造効率を向上させることが可能なポリシリコン融解用るつぼ及びその製造方法の提供。
【解決手段】
アルミナからなるポリシリコン融解用るつぼであって、ポリシリコン融液と接触する側のるつぼ本体表面に形成され、前記アルミナの融点よりも低温度で融解する低温融解層と、前記低温融解層の層上に窒化シリコンを含むコーティング層とを備えたポリシリコン融解用るつぼ及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】金属級シリコン材料からボロンおよびその他の不純物を効率的に除去でき、且つ連続的な処理が可能で、且つコンパクトな装置構成で、高純度シリコンの量産が可能なシリコンの精製方法を提供する。
【解決手段】金属級シリコンまたはシリカ粉末１を、２４００℃程度のオゾン含有酸素ガス雰囲気のプラズマ領域８に投入し、前記粉末に含まれるボロンを酸化して気化物として除去し、粉末１ａとして回収し、ボロン除去後の粉末１ａを、還元性雰囲気のプラズマ領域２８に投入し、還元処理により酸素を除去して、シリコン粉末１ｂとして回収し、前記シリコン粉末を加熱して溶湯１ｃとなし、電磁石３５の磁場中に前記溶湯を流すことで、金属不純物元素をトラップして除去する。さらに、金属不純物元素を除去したシリコンの溶湯１ｃを、遠心噴霧によりシリコンの粉末１ｄとなして回収する。 （もっと読む）

【課題】 不純物濃度が低く、かつ成形性が良好であるシリコン−成形助剤複合粉の製造方法、およびその複合粉を原料とした多結晶シリコン焼結体の製造方法を提供すること。
【解決手段】 非酸化性ガス雰囲気の第１の炉内にシリコン生成ガスを導入してシリコンを析出する工程、及び第２の炉内に前記析出したシリコンを導入するとともに、成形助剤の蒸気を固化することにより、シリコン粉末と成形助剤の複合粉を生成する工程を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、新規な半導体シリコン膜及びそのような半導体シリコン膜を有する半導体デバイス、並びにそれらの製造方法を提供することである。
【解決手段】本発明の半導体シリコン膜（１６０）は、複数の細長シリコン粒子（２２）が短軸方向に隣接してなる半導体シリコン膜である。ここでは、細長シリコン粒子（２２）は、複数のシリコン粒子の焼結体である。また、このような半導体シリコン膜（１６０）を製造する本発明の方法は、第１のシリコン粒子分散体を、基材（１００）上に塗布し、乾燥し、光（２００）を照射して、第１の半導体シリコン膜（１３０）を形成する工程、第２のシリコン粒子分散体を、第１の半導体シリコン膜（１３０）に塗布し、乾燥し、光（２００）を照射する工程を含む。ここで、この方法では、第１のシリコン粒子分散体の第１のシリコン粒子の分散が５ｎｍ^２以上である。 （もっと読む）

【課題】シリコン芯線の芯線ホルダへの装着が容易であり、芯線ホルダにシリコン芯線を充分な強度で保持させるまでの時間を短くし、転倒を防止するとともに、多結晶シリコンの析出反応初期における成長速度抑制時間の短縮化を可能とする多結晶シリコン製造技術を提供すること。
【解決手段】芯線ホルダ２０には本体の上面に開口部２２をもち下面側に向かう芯線挿入孔２１が形成されており、この芯線挿入孔２１にシリコン芯線５が挿入される。また、芯線挿入孔２１の中心軸Ｃを含む仮想平面Ｐに沿うスリット状の間隙部６０が形成されており、このスリット状間隙部６０は、芯線挿入孔２１からホルダ２０の本体の外側面にまで至る間隙部となっている。芯線挿入孔２１に挿入されたシリコン芯線５は、例えばボルト・ナット方式の固定部材３１によってホルダ２０の本体の上部が側面から締め付けられることにより、間隙部６０の間隔が狭まるように締め付けられて固定される。 （もっと読む）

【課題】日常的な工程管理に利用可能な、多結晶シリコンウェーハの品質を簡便に評価する方法を提供すること。
【解決手段】評価対象の多結晶シリコンウェーハ表面を選択エッチングし、該表面において結晶欠陥を顕在化させること、結晶欠陥を顕在化させた多結晶シリコンウェーハ表面のマクロ画像を散乱画像として取得すること、および、取得したマクロ画像の輝度分布に基づき、前記多結晶シリコンウェーハにおける結晶欠陥分布を定量的に評価すること、を含む多結晶シリコンウェーハの評価方法。 （もっと読む）

【課題】シリコン芯線の芯線ホルダへの装着が容易であり、芯線ホルダにシリコン芯線を充分な強度で保持させるまでの時間を短くし、転倒を防止するとともに、多結晶シリコンの析出反応初期における成長速度抑制時間の短縮化を可能とする多結晶シリコン製造技術を提供すること。
【解決手段】芯線ホルダ２０には本体の上面に開口部２２をもち下面側に向かう芯線挿入孔２１が形成されている。また、ホルダ２０の本体上部には孔部（固定部材挿入孔）が形成されており、当該孔部にボルト状の部材（固定軸）が通される。芯線挿入孔２１に挿入されたシリコン芯線５は、このようなボルト・ナット方式の固定部材３１によってホルダ２０の本体の上部が側面から締め付けられることにより固定される。 （もっと読む）

【課題】カーボンヒータにより加熱されたシリコン芯線の熱が電極側へと放熱される程度を抑制し、析出反応開始時通電開始時においてシリコン芯線の温度を効率よく高める技術を提供すること。
【解決手段】金属製の電極１０は、上部にアダプタ１４を載置できる構造になっている。アダプタ１４の上部には芯線ホルダ１３が固定され、さらに、芯線ホルダ１３にはシリコン芯線１１が固定される。本発明の多結晶シリコン製造装置は、少なくとも、シリコン芯線１１を保持する炭素製の芯線ホルダ１３と、シリコン芯線１１に通電するための電極１０とを備えており、電極１０からシリコン芯線１１に至る導電経路の少なくとも一か所に断熱シート１７が配置されている。そして、この断熱シート１７の厚み方向の熱伝導度は芯線ホルダ１３の熱伝導度よりも低いものとされる。 （もっと読む）

【課題】
シリコン基材から、表面安定性の高い、粒径が少なくとも数百ｎｍ以下のシリコン（Ｓｉ）微細粒子を形成し、それを用いて太陽電池を創製する。
【解決手段】
シリコン基材から粉砕後、ビーズミル法で粉砕して得た，少なくとも粒径数百ｎｍ以下のＳｉ微細粒子を、フッ化水素酸水溶液（ＨＦ）のみに分散させて処理することで、処理直後のＳｉ粒子表面のＳｉＯ_２層がほぼゼロ、また、大気中で１ヶ月放置しても、そのＳｉＯ_２層厚は高々０．６ｎｍ程度と、自然酸化膜成長の小さい、表面安定性の高いＳｉ微細粒子が実現でき、それを用いて太陽電池を創製した。 （もっと読む）