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Fターム[4G072UU02]の内容

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Fターム[4G072UU02]に分類される特許

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【課題】 太陽電池用シリコンを精製する亜鉛還元法において、還元反応に寄与できなかった未反応のままに排出される亜鉛の回収を効率的に行う回収方法を提供する。
【解決手段】 900℃〜1200℃の温度域で、亜鉛により四塩化珪素を還元してシリコンを精製するシリコンの製造方法における亜鉛による還元反応後の排ガスを冷却可能な回収槽内にて、前記排ガス中に含まれる未反応の亜鉛を凝縮させて亜鉛を回収する方法において、前記回収槽内に溜まった亜鉛の回収は、前記回収槽内に溜まった亜鉛の温度を上昇させてから亜鉛の回収がおこなわれることを特徴とする未反応亜鉛の回収方法。 (もっと読む)


【課題】流動層でアルミニウム粉末を珪素化合物ガスとを反応させてシリコンを製造する方法において、流動層内の析出シリコンを効率的に回収することに適したシリコンの製造方法を提供する
【解決手段】アルミニウム粉末を流動化させた流動層反応器に下記一般式(1)で表されるハロゲン化珪素ガスを供給し、アルミニウムの融点未満の反応温度において、アルミニウム粉末によりハロゲン化珪素を還元してシリコンを製造する方法であって、表面にシリコンを析出させるための部材を前記流動層反応器内に設置するシリコンの製造方法。
SiHn4-n 式(1)
(式中、Xは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子および沃素原子から選ばれた1種または2種以上のハロゲン原子を表し、nは0または1〜3の整数を表す。) (もっと読む)


【課題】還元法による高純度シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素とシリカとを粉砕し、洗浄した後、各々を所定の比率の割合で混合し、これをルツボ7に収容し、これを加熱手段により加熱して反応させ、炭化珪素をシリカで酸化し、さらにシリカを炭化珪素で還元することにより、シリコン55を製造・抽出するとともに、加熱反応時に生成される活性ガス56、57を原料として、気相成長、エピタキシャル成長により、シリコンカーバイド膜10を形成し、これを回収することによりシリコンカーバイド59を作製するシリコンとシリコンカーバイドとを同時に製造する製造方法及び装置である。 (もっと読む)


【課題】電気伝導性及び光特性に優れたシリコンナノワイヤを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のシリコンナノワイヤは、金属ナノクラスターが、シリコンナノ構造体の表面上に形成されてなる点に特徴を有する。金属ナノクラスターは、シリコンナノワイヤの電気的特性及び光学的特性を向上させる役割を果たす。よって、本発明のシリコンナノワイヤは、リチウム電池、太陽電池、バイオセンサー、メモリ素子などの多様な電気素子に有効に使用できる。 (もっと読む)


【課題】各種のシリコン加工プロセスで発生し、かつ高濃度に金属汚染されたシリコンスラッジおよびシリコン塊を再利用し、シリコン系太陽電池を得る溶融原料を製造可能なシリコン系太陽電池用原料の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン加工プロセスからの1×1015atoms/cm以上の金属不純物を含むシリコンスラッジを原料としたスラッジ成形物と、同レベルの金属不純物を含むシリコン塊とをルツボに投入して溶融し、チョクラルスキー法でシリコンインゴットを引き上げる。その際、不純物の偏析現象によりシリコンが精製される。これにより、高濃度に金属汚染されたシリコンスラッジおよびシリコン塊を再利用し、シリコン系太陽電池を得る溶融原料を製造できる。 (もっと読む)


【課題】金属シリコンの精製法に関し、特にニッケルを含む溶融シリコンを一方向凝固法により精製し、このニッケル濃度を指標にして6N以上の高純度の多結晶シリコンを製造する方法を提供する。
【解決手段】ニッケルを含む金属シリコンを溶融し、この溶融した金属シリコンを一方向凝固法により精製し、6N以上の純度の多結晶シリコンを製造する方法であり、シリコンブロックの凝固完了からの温度降下時間を制御すること、若しくは、シリコンブロック最表面直下に形成される不純物濃縮層の結晶組織を柱状結晶以外の等軸結晶組織及び/又は樹枝状結晶組織に作り込むことにより、ニッケルの熱拡散による汚染を低減し、太陽電池原料用の多結晶シリコンが効率良く精製するものである。 (もっと読む)


【課題】クロロシラン類に含まれる不純物に由来する臭素元素を高精度でかつ迅速に定量できる方法;および、テトラクロロシランの製造方法。
【解決手段】30〜500mLの容器を4個(11,12,13,14)備えた加水分解装置(10)を用いて、(a)クロロシラン類と水とを反応させて、反応生成物を含む水溶液を得る工程と、(b)水溶液をアルカリ性化合物で中和した後、イオンクロマトグラフを用いて水溶液中の臭化物イオン濃度を測定し、クロロシラン類に含まれていた不純物に由来する臭素元素を定量する工程、または(b’)誘導結合プラズマ質量分析装置(ICP−MS)を用いて水溶液中の臭素元素濃度を測定し、クロロシラン類に含まれていた不純物に由来する臭素元素を定量する工程とを有する方法によって、クロロシラン類に含まれる不純物に由来する臭素元素を定量する。 (もっと読む)


【課題】スプレーコート法により、良好な多孔質構造を有し、膜欠陥や膜表面荒れといった外観上の問題がなく、低屈折率性等の機能性、耐久性に優れたシリカ系多孔質膜を安定に製造する。
【解決手段】アルコキシシラン類、その加水分解物及び部分縮合物からなるアルコキシシラン類群より選ばれる少なくとも1種のアルコキシシラン化合物と、界面活性剤と、炭素数1〜3の低級アルコールと、沸点125〜180℃で20℃又は25℃の蒸気圧が2.0kPa以下の有機溶媒と、水とを含むシリカ系組成物を霧状に噴出させることにより、透光基材上にシリカ系前駆体を製膜する製膜工程、及び、該シリカ系前駆体を加熱してシリカ系多孔質膜とする加熱工程を含むシリカ系多孔質膜の製造方法。 (もっと読む)


【解決課題】亜鉛還元法による多結晶シリコン製造用の反応炉であって、反応炉からの放熱が少ない反応炉を提供すること。
【解決手段】四塩化珪素と亜鉛を反応させて多結晶シリコンを生成させる反応炉であって、円筒形状であり端部につば部を有する反応炉の側壁と、該側壁の端部を塞ぐ蓋と、該側壁のつば部と該蓋との間に挟み込まれるシール部材と、該側壁を加熱するヒーターと、該側壁内の端部近傍に設置される断熱材と、該蓋に付設される不活性ガスの供給管と、を有し、該反応炉の側壁が非石英製であり、該側壁の端部近傍にヒーターの非設置部分が設けられており、該断熱材がヒーターの設置部分より端部側に設置されていることを特徴とする多結晶シリコン製造用の反応炉。 (もっと読む)



【課題】炭化珪素砥粒およびシリコンを含む切削屑を原料として、これらを分離せずとも、シリコンを回収または製造することができる、シリコンの回収または製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンインゴットまたはシリコンウェーハの切削または研削時に発生する炭化珪素を含む削屑から、シリコンを回収または製造する方法であって、該炭化珪素を含む削屑とシリカ原料とを加熱してシリコンを製造する工程を含む、シリコンの回収または製造方法とする。 (もっと読む)


【課題】高純度のシリカを、簡易かつ低コストで製造できる方法を提供する。
【解決手段】(A)シリカ含有鉱物粉末と、アルカリ水溶液を混合して、pHが11.5以上のアルカリ性スラリーとし、上記珪質頁岩の粉状物中のSi、Al、Feを液分中に溶解させた後、該アルカリ性スラリーを固液分離して、Si、Al、Feを含む液分を得るアルカリ溶解工程と、(B)工程(A)で得られた液分をキレート樹脂で処理して、当該液分中のFe等の重金属を除去する重金属除去工程と、(C)工程(B)で得られた液分と酸を混合してpHを10.3以上11.5未満とし、液分中のAl、Feを析出させた後、固液分離を行い、Siを含む液分を得るSi液分分離工程と、(D)工程(C)で得られた液分と酸を混合してpHを9.2以上10.0未満とし、液分中のSiを析出させた後、固液分離を行い、SiOを含む固形分を得るシリカ分離工程を経て得られる高純度シリカの製造方法。 (もっと読む)


【解決課題】亜鉛還元法による多結晶シリコン製造用の反応炉であって、反応炉の側壁と蓋とに異なる材質を用いても、加熱時の熱膨張量の違いによりそれらが破損されることがない反応炉を提供すること。また、亜鉛還元法による多結晶シリコン製造用の反応炉であって、反応炉の側壁と蓋との間のシール性が高いシール構造を有する反応炉を提供すること。
【解決手段】四塩化珪素と亜鉛を反応させて多結晶シリコンを生成させる反応炉であって、円筒形状であり端部につば部を有する反応炉の側壁と、該側壁の端部を塞ぐ蓋と、該側壁のつば部と該蓋との間に挟み込まれるシール部材と、該側壁を加熱するヒーターと、該側壁内の端部近傍に設置される断熱材と、該蓋に付設される不活性ガスの供給管と、を有し、該側壁の端部近傍にヒーターの非設置部分が設けられており、該断熱材がヒーターの設置部分より端部側に設置されていることを特徴とする多結晶シリコン製造用の反応炉。 (もっと読む)


【課題】(001)、(111)方位を向く結晶が多く存在し、かつ、底部における酸素濃度が高い部分が少なく、生産歩留まりを大幅に向上させることができる多結晶シリコンインゴット、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン融液を底面から上方に向けて一方向凝固させる多結晶シリコンインゴットの製造方法であって、ルツボ20の底面にはシリカ多層コーティング層27が配設されており、前記ルツボ20内における凝固過程を、前記ルツボ20の底面を基準として、0mmから高さX(10mm≦X<30mm)までの第1領域A1と、高さXから高さY(30mm≦Y<100mm)までの第2領域A2と、高さY以上の第3領域A3と、に区分けし、前記第1領域A1における凝固速度V1が、10mm/h≦V1≦20mm/hの範囲内に設定され、前記第2領域A2における凝固速度V2が、1mm/h≦V2≦5mm/hの範囲内に設定される。 (もっと読む)


【課題】 多結晶シリコンインゴット用の原料になるシリコン粉末成形体を製造する成形装置およびそれを用いたシリコン粉末成形方法を提供すること。
【解決手段】 成形装置1は、加圧容器であるダイ4、圧力付与装置の一部である上パンチ2、そして下パンチ3とベース5を一体とした下側の加圧容器などが備えられている。そしてダイ4には、上方に上パンチ2に配置される。上パンチ2は、先端部に有機樹脂製のOリング6aを持つ。下パンチ3には有機樹脂製のOリング6bが取付けられる。下パンチ3の上面には濾過シート13が上に置かれている。下パンチ3及びベース5には、4個の排水路9が形成され、そして排水口10に繋がっている。そして排水口10は吸水装置に接続されている。吸水装置7は、吸水管12、吸引濾過瓶12そして油回転型真空ポンプ8で構成されている。 (もっと読む)


【課題】底部における酸素濃度が高い部分を少なくし、多結晶シリコンの歩留まりを大幅に向上させることができる多結晶シリコンインゴットの製造方法及び多結晶シリコンインゴットを提供する。
【解決手段】ルツボ内に貯留したシリコン融液を、その底面から上方に向けて一方向凝固させる多結晶シリコンインゴットの製造方法であって、前記ルツボは、その側壁内面及び底面内面には窒化珪素のコーティング層が形成されており、前記ルツボ内における凝固過程を、前記ルツボの底面を基準として、0mmから高さX(10mm≦X<30mm)までの第1領域と、高さXから高さY(30mm≦Y<100mm)までの第2領域と、高さY以上の第3領域と、に区分けし、前記第1領域における凝固速度V1が、10mm/h≦V1≦20mm/hの範囲内に設定され、前記第2領域における凝固速度V2が、1mm/h≦V2≦5mm/hの範囲内に設定されている。 (もっと読む)



【課題】酸洗浄をより効果的に実施して、不純物であるアルミニウムが有利に低減されることにより精製されたシリコンを製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の精製されたシリコンを製造する方法は、アルミニウムを7重量%以上含有するシリコンを加熱してシリコン融液を得る溶融工程(S10)、当該シリコン融液を凝固してシリコン塊を得る凝固工程(S20)、当該シリコン塊を粉砕してシリコン粒子を得る粉砕工程(S30)、及びシリコン粒子を酸性溶液に3時間以上浸漬して酸洗浄する洗浄工程(S40)、をこの順に備え、凝固工程(S20)において、1350℃までの平均冷却速度が1.0×10℃/分以上である。 (もっと読む)


【課題】亜鉛還元法によって四塩化珪素を還元して多結晶シリコンを製造する際に、連続して還元を行うと共に未反応の四塩化珪素と亜鉛の発生を抑えて多結晶シリコンの生成効率を高め、かつ未反応亜鉛と四塩化珪素、反応副生成物である塩化亜鉛を効率的に回収、再利用を行なう多結晶シリコンの連続精製方法の提供。
【解決手段】亜鉛還元法による多結晶シリコンの連続精製方法において、連続して精製四塩化珪素と亜鉛を接触させることにより、精製四塩化珪素を還元して高純度多結晶シリコンと塩化亜鉛を連続して生成する工程、生成した塩化亜鉛に水を添加して亜鉛濃度が規定内の塩化亜鉛水溶液を生成する湿式反応工程、前記塩化亜鉛水溶液を電気分解して亜鉛と塩素に分離する電解工程、前記工程の未反応精製四塩化珪素および亜鉛を回収する工程、前記工程により回収された亜鉛、塩素、四塩化珪素のリサイクルの工程を有することを特徴とする。 (もっと読む)



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