【課題】アルカリ金属とＩＩＩ族金属との混合比の変動を抑制してＩＩＩ族窒化物結晶を製造する結晶製造装置を提供する。
【解決手段】坩堝１０は、金属Ｎａと金属Ｇａとの混合融液２７０を保持する。反応容器２０は、融液溜め部２３を有し、坩堝１０の周囲を覆う。融液溜め部２３は、アルカリ金属融液２８０を保持する。ガス供給管９０は、ガスボンベ１３０からの窒素ガスをアルカリ金属融液２９０を介して反応容器２０内へ供給する。支持装置４０は、種結晶５を混合融液２７０に接触させる。種結晶５からのＧａＮ結晶の結晶成長中、加熱装置５０，６０は、坩堝１０を結晶成長温度に加熱し、加熱／冷却器７０は、金属融液２８０から蒸発する金属Ｎａの蒸気圧が混合融液２７０から蒸発する金属Ｎａの蒸気圧に略一致する温度に融液溜め部２３を加熱し、加熱／冷却器８０は、アルカリ金属融液２９０を凝集温度に加熱する。 （もっと読む）

【課題】オフ角ばらつきの小さい、窒化物半導体基板を製造することができる窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板（１）上に窒化物半導体層（２）を形成し、前記サファイア基板（１）から分離した前記窒化物半導体層（２）を用いて自立した窒化物半導体基板（３）を作製する窒化物半導体基板の製造方法において、分離された前記窒化物半導体層（２）の表裏面の欠陥密度差に起因する反りによる前記窒化物半導体層（２）のＣ軸の半径方向内方への傾きを相殺するように、予め前記サファイア基板（１）表面のＣ軸には半径方向外方に傾きを持たせた。 （もっと読む）

【課題】 単結晶の育成速度の優れた坩堝および単結晶育成装置を提供する。
【解決手段】 坩堝１０は、単結晶育成装置に配置されるものである。坩堝１０は、収容体１１と、中空体１２とを含む。収容体１１は、開口を有し、原材料を収容する。中空体１２は、収容体１１の内に収容され、収容体１１の開口側に向かって径が小さくなっている。 （もっと読む）

【課題】マイクロエレクトロニクス・デバイス構造の組み立てのために用い得るブールの提供。
【解決手段】相応する天然III−Ｖ族窒化物シード結晶上で、気相エピタクシーによって、１時間に２０μｍを上回る成長速度で、III−Ｖ族窒化物材料を成長させることにより、III−Ｖ族窒化物ブールを形成する。形成されるブールは、マイクロエレクトロニクス・デバイス品質を含み、例えば、１ｃｍより大きい断面寸法、１ｍｍを超える長さ、および１ｃｍ²あたり１０⁷未満欠陥の上面欠陥密度を有する。 （もっと読む）

【課題】より速い結晶育成速度で、高品質かつ高純度の結晶を作成することができる窒化物単結晶の製造方法、窒化物単結晶、基板およびデバイスを提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族元素を含む原料と、ＭｅＸ^１_ｎ（ここで、ＭｅはＢ，Ａｌ，ＧａまたはＩｎであり、Ｘ^１はＦ，Ｃｌ，ＢｒまたはＩであり、ｎは１〜３の整数である）を含む組成の鉱化剤と、アンモニアと、ＩＩＩ族窒化物から成る種結晶３２とを、反応容器１１に入れる。反応容器１１の内部で、４６０℃〜６００℃の温度および８０ＭＰａ〜１５０ＭＰａの圧力で、アモノサーマル法により、種結晶３２の表面に窒化物単結晶を成長させる。反応容器１１は、Ｐｔ、Ｉｒ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、または、これらのうちの複数種類の元素から成る合金で、内壁面１１ｂがライニングまたはコーティングされている。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ単結晶ウェハに対して十分なパーティクル除去能力を得て、且つ、表面荒れを起こさないアルカリ性の薬液の種類、濃度及び洗浄条件を規定したＧａＮ単結晶ウェハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ単結晶ウェハの洗浄方法において、ＧａＮ単結晶ウェハの表面を有機アルカリ系洗浄液で洗浄した後、有機溶剤で洗浄する方法である。 （もっと読む）

【課題】優れた制御性および再現性を実現しつつ、結晶中の面内方向および膜厚方向に均一に珪素が高濃度にドーピングされたＩＩＩ族窒化物結晶を製造できる方法を提供する。
【解決手段】結晶成長炉内に下地基板を準備する工程と、ＩＩＩ族元素のハロゲン化物と窒素元素を含む化合物を反応させて該下地基板上にＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる成長工程を含むＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法であって、前記成長工程で結晶成長炉にさらにハロゲン元素含有物質及び珪素含有物質を同一の導入管から供給するＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】結晶を複数片に分離する際の断面の歪の導入を低減し、窒化物半導体結晶の利用効率を上げることが可能な窒化物半導体結晶構造及び窒化物半導体自立基板の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体結晶１０から板状の結晶片を分離し、分離した前記板状の結晶片から窒化物半導体自立基板を作製するための窒化物半導体結晶構造において、レーザー光の照射による加熱分解で前記板状の結晶片に分離すべく、前記窒化物半導体結晶１０内に、該窒化物半導体結晶１０の成長時にバンドギャップの異なる組成の光吸収層２を単層または複数層形成したものである。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に用いることのできる窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】窒化物半導体基板１０ａは、主面と、表示部とを備えている。主面１１は、（０００１）面から［１−１００］方向に７１°以上７９°以下傾斜した面、または（０００−１）面から［−１１００］方向に７１°以上７９°以下傾斜した面である。表示部は、（−１０１７）面、（１０−１−７）面、またはこれらの面から［１−１００］方向に−４°以上４°以下傾斜し、かつ［１−１００］方向に直交する方向に−０．５°以上０．５°以下傾斜した面を示す。 （もっと読む）

【課題】反りの小さな半導体基板および半導体装置を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板１０上に接して形成されたＸ線回折による（００２）面のロッキングカーブ半値幅が１５００秒以下のＡｌＮ層１２と、ＡｌＮ層１２上に形成されたＧａＮ系半導体層１４と、を具備する半導体基板であって、その反りの曲率半径は±２５ｍ以上であり、反り量は、半導体基板の大きさを４インチとした場合、±５０μｍ以下である。ＧａＮ系半導体層１４はＡｌＮ層１２から圧縮応力を受ける。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された材料層に割れを生じさせることなく、当該基板から当該材料層を剥離できるようにすること。
【解決手段】基板１と前記材料層２との界面で前記材料層を前記基板から剥離させるため、基板１上に材料層２が形成されたワーク３に対し、基板１を通して、パルスレーザ光をワーク３に対する照射領域を刻々と変えながら、前記ワーク３において隣接する各照射領域が重畳するように照射する。重畳する照射領域におけるそれぞれのレーザ光の大きさを、材料層２を基板１から剥離させるに必要な分解閾値を超えるエネルギーとなるような大きさとすることで、基板上に形成された材料層に割れを生じさせることなく、材料層を基板から確実に剥離させることができる。 （もっと読む）

【課題】加工処理を行わずとも結晶の所在および結晶方位を容易に視認できる窒化物結晶およびその製造方法を提供する。
【解決手段】種結晶の外周に成長した窒化物結晶において、第１の部分領域と、光学的特性が該第１の部分領域と異なっており、かつ結晶方位を示す光学的特性を有する第２の部分領域と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系半導体層のグレインサイズを大型化することが可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、（１１１）面から０．１度以下のオフ角度で傾斜した面を主面とするＳｉ基板１０と、Ｓｉ基板１０の主面に接して設けられ、（００２）面のＸ線回折におけるロッキングカーブの半値幅が２０００ｓｅｃ以下であるＡｌＮ層１２と、ＡｌＮ層１２上に設けられたＧａＮ系半導体層２０と、を備える半導体装置１００である。 （もっと読む）

【課題】主面の面積が大きな大口径のＧａＮ結晶基板を効率よく生産するためのＧａＮ結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ種結晶基板１０１の主面１０１ｓ上に第１の気相法により第１のＧａＮ結晶１１０を成長させ、ＧａＮ種結晶基板１０１および第１のＧａＮ結晶１１０の少なくともいずれかを加工することによりＧａＮ種結晶基板１０１の主面１０１ｓに比べて面積が小さな主面１１１ｓを有する少なくとも１つの第１のＧａＮ結晶基板１１１を得て、この第１のＧａＮ結晶基板１１１ｂを液相法により成長させることにより第１のＧａＮ結晶基板１１１ｂの主面１１１ｂｓに比べて面積が大きな主面１１２ｓを有する第２のＧａＮ結晶基板１１２を得て、この第２のＧａＮ結晶基板１１２の主面１１２ｓ上に第２の気相法により第２のＧａＮ結晶１２０の成長させる。 （もっと読む）

【課題】表面状態や断面形状が良好なIII族窒化物半導体の厚膜結晶を成長させることができる下地基板を提供する。
【解決手段】第１結晶成長面と前記第１結晶成長面と同じ方向に面している第２結晶成長面を有する下地基板であって、前記第１結晶成長面の周縁の５０％以上に下向きの段差を介して前記第２結晶成長面が連接しており、前記段差の高さが０．１〜５ｍｍである。 （もっと読む）

【課題】複数の種結晶基板を用いて表面にピットを発生させることなく大型のＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法は、複数の種結晶基板１を、それらの主表面１ｍが互いに平行にかつそれらの側表面１ｓが互いに隣り合うように配置し、それらの種結晶基板１の主表面１ｍ上に、液相成長法により、第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる第１の結晶成長工程と、第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０の主表面上に、ハイドライド気相成長法により、第２のＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる第２の結晶成長工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物単結晶基板を短時間かつ高精度で製造することが可能なＩＩＩ族窒化物単結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】固定砥粒ワイヤを用いたワイヤソーによってインゴットを切断して、ＩＩＩ族窒化物単結晶基板を前記インゴットから切り出す、基板切り出し工程を含むＩＩＩ族窒化物単結晶基板の製造方法において、基板切り出し工程を、インゴットの切断方向とインゴットの劈開容易面の法線とのなす角度が２°以下になるようにして行うように構成する。 （もっと読む）

【課題】大領域のガリウム含有窒化物結晶の成長のための方法を提供する。
【解決手段】転位密度が約１０^７ｃｍ−２よりも低い少なくとも２つの結晶２０１、２０２を提供する工程と、ハンドル基板を提供する工程と、少なくとも２つの結晶２０１、２０２をハンドル基板に対してウェーハ接合する工程と、少なくとも２つの結晶２０１，２０２を成長させて、溶合結晶として合体させる工程と、を含み、第１の結晶２０１と第２の結晶２０２との間の極性配向不整角度γは、０．５度未満であり、方位配向不整角度αおよびβは１度未満である。 （もっと読む）

【課題】全表面でイエロー発光が少なく、導電性を有するＧａＮ結晶自立基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ結晶自立基板は、ＨＶＰＥ法により、結晶側面を除く結晶成長面として、（０００１）面と｛１０−１１｝面および｛１１−２２｝面の少なくともいずれかの面とが混在する状態で成長させたものであり、（０００１）面成長結晶領域において炭素濃度が５×１０¹⁶個／ｃｍ³以下かつ珪素濃度が５×１０¹⁷個／ｃｍ³以上２×１０¹⁸個／ｃｍ³以下かつ酸素濃度が１×１０¹⁷個／ｃｍ³以下であり、｛１０−１１｝面および｛１１−２２｝面の少なくともいずれかの面を結晶成長面として成長したファセット結晶領域において炭素濃度が３×１０¹⁶個／ｃｍ³以下かつＳｉ濃度が５×１０¹⁷個／ｃｍ³以下かつ酸素濃度が５×１０¹⁷個／ｃｍ³以上５×１０¹⁸個／ｃｍ³以下である。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオード（ＬＥＤ）の製造との関連において金属窒化物のエピタキシャル成長に用いられるテクスチャー化単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶１０の上に被着された金属層１１を、熱処理によりパッド１２を形成する。次に、シリカの保護層を被着させ、保護層の細孔１３を通して第１の化合物によるエッチングで金属パッドを素早く溶解し、金属パッドに対応する容積の空のキャビティ１５を形成する。次いで第２の化合物によるエッチングで単結晶の表面をエッチングし、テクスチャーキャビティ１６を形成する。つづいて、ＨＦによるエッチングで単結晶からシリカの保護層を取り除くことにより、所望のテクスチャー化単結晶１７が得られる。 （もっと読む）