【課題】厚いＧａＮ膜を成長中に剥離して、高品質のＧａＮ自立基板を歩留まり良く製造することができる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ＧａＮ自立基板を製造する方法であって、サファイア基板上にＺｎＯ膜を形成する工程と、８５０℃以下の温度で前記ＺｎＯ膜上にＧａＮ膜を剥離しないように形成する低温成長工程と、その後、昇温して９５０℃以上の温度で、ＧａＮ膜を追加形成するとともに該ＧａＮ膜を基板から剥離させて、ＧａＮ自立基板を得る高温成長工程とを含むことを特徴とするＧａＮ自立基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】蒸着法における効率的な成膜条件の評価方法と、そのための蒸着装置とを提供する。
【解決手段】真空容器５０内に収められた基板２００の主面の第１の領域を蒸着源６０へ露出しかつ第２の領域を遮蔽するように第１のシャッター１０Ａを配置しながら、第１の成膜条件によって第１の領域の上に第１の薄膜が成膜される。次に、基板２００の主面の第２の領域の少なくとも一部を蒸着源６０へ露出しかつ第１の領域の少なくとも一部を遮蔽するように第２のシャッター１０Ｂを配置しながら、第２の成膜条件によって第２の領域の上に第２の薄膜が成膜される。第１および第２の薄膜の特性が評価される。 （もっと読む）

【課題】内部ひずみを効率よく除去した下地基板を再利用することによって、下地基板の内部ひずみの影響の少ない良好な窒化物半導体自立基板を得る。
【解決手段】下地基板上に窒化物半導体結晶薄膜を形成し、該窒化物半導体結晶薄膜をボイド化し、該ボイド化した窒化物半導体結晶薄膜の上に窒化物半導体結晶厚膜を形成する３つのプロセスを、前記下地基板の再結晶温度よりも高い温度にて実行する第１工程と、前記窒化物半導体結晶厚膜を前記下地基板から剥離して窒化物半導体自立基板を得る第２工程と、前記第２工程で剥離された前記下地基板を前記第１工程で再利用する第３工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】ＭＢＥ成膜装置において、フェイスアップ状態で被処理体の表面に化合物半導体よりなる薄膜を形成することができる原料供給装置を提供する。
【解決手段】化合物半導体の製造に用いる原料を供給する原料供給装置６２において、鉛直方向に延びて外周面が液体を流下させることができるような表面である液体流下面９０になされた原料保持体６４と、原料保持体の高さ方向の途中に設けられて原料の液体である原料液体を貯留すると共に濡れ性によって原料液体を液体流下面９０に沿って流下させる原料液体貯留部６６と、原料保持体内に設けられて、原料液体貯留部を原料が濡れ性を発揮するように加熱すると共に原料保持体の先端部を原料液体の蒸発温度まで加熱する加熱手段６８とを備える。 （もっと読む）

【課題】様々な物質を含む、ガリウムナイトライドの成長のための高圧システムのオペレーション方法を提供する。
【解決手段】成長領域と原料領域を有する高圧の化学反応炉１１０は、高圧下で封じ込める筐体１０４を、格納容器内に配置して構成される。格納容器には、排気システム１４２、１４６が連結されている。この排気システム１４２、１４６は、少なくとも０．３リットルのアンモニア液から発生したアンモニアガスを取り除くように構成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板のエピタキシャル成長面上にエピタキシャル層を成長させることに用いるマスク及びその使用方法に関する。
【解決手段】本発明のマスクにおいては、前記基板のエピタキシャル成長面上に複数の空隙を有する複数のパターン化カーボンナノチューブ層が形成される。前記パターン化カーボンナノチューブ層で前記基板のエピタキシャル成長面を覆う際に、前記基板のエピタキシャル成長面の一部は前記パターン化カーボンナノチューブ層の複数の空隙から露出される。エピタキシャル層は、前記基板の露出されたエピタキシャル成長面から成長される。 （もっと読む）

【課題】反応容器の大幅な破損を効果的に防止しながら、品質の高い窒化物結晶を損傷することなく得ることができるようにすること。
【解決手段】反応容器に少なくとも原料とアンモニア溶媒を充填して密閉した後、耐圧性容器内に該反応容器を装填し、該反応容器中を超臨界および／または亜臨界アンモニア雰囲気にして、該反応容器内で窒化物結晶を成長させる際に、反応容器としてその一部に圧力調整領域（２３）を備えたものを用いる。 （もっと読む）

【課題】融液を攪拌する駆動軸の軸受の摩耗を抑制し、大型で高品質の結晶を得る結晶成長装置の提供。
【解決手段】加熱加圧雰囲気下で原料ガスと融液とを反応させて該融液に浸漬された種基板上に結晶を成長させる反応容器１０と、反応容器１０に挿通して設けられた駆動軸を軸周りに回転させて上記融液を攪拌する攪拌装置と、を備え、上記駆動軸は、反応容器１０を挿通する軸体４１ｂ１に、軸方向で反応容器１０に係止可能な係止部４１ｂ２を設けた第２駆動軸４１Ｂを有しており、第２駆動軸４１Ｂと反応容器１０との間に設けられ、軸方向において、係止部４１ｂ２と対向するすべり面７２ａ及び反応容器１０と対向するすべり面７２ｂの少なくともいずれか一方がセラミックス材から形成されたすべり軸受７０Ｂを有するという構成を採用する。 （もっと読む）

【課題】単純な単結晶シリコン基板を出発基板としてＧａＮ膜を形成することができ、反りやクラックが抑制された半導体基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０は、単結晶シリコン基板１１と、単結晶シリコン基板１１の表面に形成された転位層を含む加工ダメージ層１２と、加工ダメージ層１２の表面に形成されたバッファ層１３と、バッファ層１３の表面に形成された窒化ガリウム膜１４とを備えている。加工ダメージ層１２は、単結晶シリコン基板１１の表面から深さ０．５μｍまでの範囲内に形成されている。加工ダメージ層１２は、＃２０００〜＃８０００の砥石を用いて単結晶シリコン基板１１の表面を研削した後、転位層の一部が残るように単結晶シリコン基板１１の表面を研磨することにより形成される。 （もっと読む）

【課題】単純な単結晶シリコン基板を出発基板として窒化ガリウム膜を形成することができ、反りやクラックが抑制された半導体基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０は、単結晶シリコン基板１１と、前記単結晶シリコン基板１１の最表面を除く表層領域に形成された転位層１２と、前記単結晶シリコン基板１１の前記最表面に形成されたバッファ層１３と、前記バッファ層１３の表面に形成された窒化ガリウム層１４とを備えている。転位層１２は、窒化ガリウム層１４が形成された単結晶シリコン基板１４の表層領域に転位が発生し且つ単結晶シリコン基板１１の最表面には転位が発生しない条件下でイオン注入することにより形成される。イオン注入では、ドーズ量が５Ｅ＋１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２以上５Ｅ＋１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２以下のアルゴンイオンを注入する。 （もっと読む）

【課題】
低抵抗、高密度窒化ガリウム系成形物、直流スパッタリングを可能とする窒化ガリウム系スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】
窒化ガリウムと金属ガリウムが成形物中で別の相として存在しており、かつ前記成形物全体におけるＧａ／（Ｇａ＋Ｎ）のモル比が５５％以上８０％以下であることを特徴とする金属ガリウム浸透窒化ガリウム成形物。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エピタキシャル構造体及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明のエピタキシャル構造体の製造方法は、少なくとも一つの結晶面を有する基板を提供する第一ステップと、前記基板の結晶面に複数の空隙を含むカーボンナノチューブ層を配置する第二ステップと、前記基板の結晶面にエピタキシャル層を成長させる第三ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】支持基板と半導体層とを分離するために照射される光について、支持基板と半導体層との間に形成される中間層の光熱変換層で吸収されない光が半導体層に透過するのを防止する半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】本半導体デバイスの製造方法は、光熱変換層２１と第１の透明層２３とを含む中間層２０を有する積層支持基板１の作製工程と、積層貼り合わせ基板２の作製工程と、エピ成長用積層支持基板３の作製工程と、デバイス用積層支持基板４の作製工程と、デバイス用積層支持基板４の光熱変換層２１で吸収され第１の透明層２３で全反射されるように光照射することによるデバイス用積層ウエハ５の作製工程と、透明半導体積層ウエハ６を含む半導体デバイス７の作製工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】Ｇａ供給配管内にＧａＮ（雑晶）が形成されることを抑制し、Ｇａ供給配管の閉塞を抑制することが可能な結晶成長装置を提供する。
【解決手段】加熱加圧雰囲気下で第１原料と、第２原料及びフラックスからなる融液１２と、を反応させて融液１２に浸漬された種基板１１上に結晶を成長させる反応容器１０と、第１原料を反応容器１０に供給する第１供給配管６１と、第１供給配管６１に第１原料を供給する第１供給源６０と、第２原料を反応容器１０に供給する第２供給配管５１と、第２供給配管５１に第２原料を供給する第２供給源５０と、不活性ガスを反応容器１０に供給する第３供給配管６１と、第３供給配管６１に不活性ガスを供給する第３供給源６０と、を備え、第３供給源６０は、融液１２から蒸発したフラックスのガスが第２供給配管５１に流入しないよう第３供給配管６１を介して不活性ガスを反応容器１０に供給することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】炭化シリコン基板上のＩＩＩ族窒化物エピタキシャル層の提供。
【解決手段】半導体構造が開示され、この半導体構造は、少なくとも１００ｍｍの直径を有する炭化シリコンのウェハと、ウェハ上のＩＩＩ族窒化物ヘテロ構造とを含んでおり、これは、多くの特性において、高い均一性を示す。これらは、ウェハ全面で３パーセント未満のシート抵抗率の標準偏差；ウェハ全面で１パーセント未満の電子移動度の標準偏差；ウェハ全面で約３．３パーセント以下のキャリア密度の標準偏差；およびウェハ全面で約２．５パーセントの導電性の標準偏差を含む。 （もっと読む）

【課題】混合比、ガス圧力および温度を制御してＩＩＩ族窒化物結晶を結晶成長する結晶成長装置を提供する。
【解決手段】圧力／温度相関図ＰＴ１〜ＰＴ３は、金属Ｎａと金属Ｇａとの量比を示す混合比ｒ＝０．４，０．７，０．９５にそれぞれ対応して決定される。圧力／温度相関図ＰＴ１〜ＰＴ３は、ＧａＮ結晶を溶解する領域（領域ＲＥＧ１１，ＲＥＧ２１，ＲＥＧ３１）と、ＧａＮ結晶を種結晶から結晶成長する領域（領域ＲＥＧ１２，ＲＥＧ２２，ＲＥＧ３２）と、柱状形状のＧａＮ結晶を結晶成長させる領域（領域ＲＥＧ１３，ＲＥＧ２３，ＲＥＧ３３）と、板状形状のＧａＮ結晶を結晶成長させる領域（領域ＲＥＧ１４，ＲＥＧ２４，ＲＥＧ３４）とを含む。混合比ｒが複数の混合比の範囲で決定され、その決定された混合比に応じた圧力／温度相関図に含まれる所望の圧力および温度を用いてＧＡＮ結晶が結晶成長される。 （もっと読む）

【課題】アモノサーマル法により窒化物結晶を成長させる際に、反応容器の破損を防いで再利用を可能にするとともに、品質が高い結晶が得られる窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】反応容器に原料とアンモニア溶媒を充填して密閉した後、バルブを有する耐圧性容器内に該反応容器を設置し、さらに該耐圧性容器と該反応容器の間の空隙に第二溶媒を充填して前記耐圧性容器を密閉した後、該反応容器中で超臨界および／または亜臨界アンモニア雰囲気において窒化物結晶を成長させる。その際に、バルブを介して、前記反応容器の外側と内側の圧力差が小さくなるように調整する。 （もっと読む）

【課題】積層欠陥が少なくて大型のIII族窒化物半導体基板を製造することができる方法を提供する。
【解決手段】半極性面を主面とする複数のIII族窒化物シード１１０を同一平面上に各シード１１０間の主面の面方位の分布が±０．５°以内となるように配置し、半極性面上にホモエピタキシャル成長を行ってIII族窒化物半導体結晶を得る第１工程、および、III族窒化物半導体結晶から、半極性面とは異なる面を主面とするIII族窒化物半導体基板を取得する第２工程を含むIII族窒化物半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】混合融液から外部へのフラックスの蒸発を防止してＩＩＩ族窒化物結晶を製造可能なＩＩＩ族窒化物結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族金属とフラックスとを含む融液が保持された保持容器１０１を内在した反応容器１０３と窒素ガスボンベ１０５とを結ぶ配管１０４内に溶融Ｎａ１１２の滞留部を形成し、該滞留部によって配管１０４を一時的に閉塞する。これにより、結晶成長中の時間内（数１０〜数１００時間）では、保持容器内の融液中に含まれるフラックスの減少を防止することができ、その結果として、従来よりも低コストかつ高品質で、大型のＩＩＩ族窒化物結晶を製造することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】反応容器や部材を繰返し使用できて、均一で高品質な結晶を製造できる方法を提供すること。
【解決手段】反応容器内で結晶成長を行った後に、該反応容器の表面及び該反応容器内で使用される部材の表面に付着した付着物を化学的溶解反応により除去する。 （もっと読む）