【課題】低減された反射率を示すケイ素基板を製造するための方法を提供すること。
【解決手段】本開示は、ケイ素を含む基板上にナノ構造を提供する方法であって、（ａ）前記基板の表面上に遷移金属の層を堆積させるステップと、（ｂ）前記遷移金属の層をアニールして、パターン化遷移金属層を形成させるステップと、（ｃ）前記基板をエッチングして、前記基板表面上にナノ構造を形成させるステップとを含む方法に関する。 （もっと読む）

【課題】高い抵抗率（例えば、１×１０^５Ωｃｍ以上、１×１０^１２Ωｃｍ以下）、良好な抵抗率の均一性（例えば、ウエハ表面積の８０％に相当するウエハ内周側の位置での抵抗率のバラツキが±３０％以下）、及び良好な結晶性（例えば、Ｘ線（００４）回折の半値幅が３０〜３００秒）を有する半絶縁性窒化物半導体ウエハ、半絶縁性窒化物半導体自立基板及びトランジスタ、並びに半絶縁性窒化物半導体層の成長方法及び成長装置を提供する。
【解決手段】窒化物半導体層の成長方法は、基板上にIII族原料ＧａＣｌを連続的又は断続的に供給するとともに、窒素原料ＮＨ_３と半絶縁性を付与する半絶縁性ドーパント原料Ｃｐ_２Ｆｅとを交互に供給して基板上に半絶縁性窒化物半導体層を成長させる。 （もっと読む）

【課題】発光のブルーシフトが抑制された発光デバイスの製造に好適なＩＩＩ族窒化物結晶基板、エピ層付ＩＩＩ族窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶基板１は、結晶基板の表面層の均一歪みが１．９×１０^-3以下であり、結晶基板の表面層の不均一歪みが１３０ａｒｃｓｅｃ以下であり、均一歪みと不均一歪みとは、それらの一方が小さくなるほど他方が小さくなる関係を有し、結晶基板の主表面１ｓの面方位が、結晶基板の（０００１）面または（０００−１）面１ｃから＜１０−１０＞方向に１０°以上８０°以下で傾斜している。 （もっと読む）

【課題】基板の上にＣＶＤでＬＥＤのための結晶成長させるとき、結晶成長の種結晶を形成することと、基板と結晶層の界面にランダムな凹みを設けることを同時に満たす基板を提供する。
【解決手段】結晶の粉を付着させた基板の上にＣＶＤで結晶層を成長をさせる。結晶の粉が種結晶となり、それが大きくなり結晶グレインを形成する。結晶欠陥の数または密度が当該結晶粉に依存してグレインが安定に成長する。従って、当該粉を水溶液から安定に再現性よく付着させることで、結晶の成長層のグレイン密度を制御できる。また、前記粉をマスクにしてプラズマエッチングし、ランダムに凹みを形成したサファイア基板９１にＬＥＤのためのＧａＮ結晶層８５を成長させる。 （もっと読む）

【課題】比較的温和な条件下で窒化物結晶を生成させることが可能な窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物結晶製造装置１において行われる窒化物結晶の製造方法は、溶融塩１１１中に窒化物イオン（Ｎ^３−）１２２を供給するステップ（ａ）と、溶融塩１１１中に窒化対象元素含有イオン１３２を供給するステップ（ｂ）と、窒化物イオン１２２と窒化対象元素含有イオン１３２とを溶融塩１１１中で互いに接触させて溶融塩１１１中に窒化物結晶を生成させるステップ（ｃ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】ｍ方向に向かうミスカットが少なくとも０．３５度であるｃ面表面を用いて、Ｇａ面ｃ面（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ基板上に（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ薄膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】前記平滑な（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ薄膜６２４上に、発光素子を形成する。前記平滑な表面上に作製された素子は、向上した性能を示す。 （もっと読む）

【課題】優れた表面品質をＧａ側にて有するＡｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮ半導体ウェーハおよびそのようなウェーハの製造方法を実現する。
【解決手段】ウェーハのＧａ側における１０×１０μｍ²面積内で１ｎｍ未満の根二乗平均表面粗さを特徴とする、Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮ（式中、０＜ｙ≦１およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を含む高品質ウェーハ。このようなウェーハは、例えばシリカまたはアルミナなどの研磨粒子と酸または塩基とを含む化学的機械研磨（ＣＭＰ）スラリーを用いて、そのＧａ側にてＣＭＰに付される。このような高品質Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮウェーハの製造方法はラッピング工程、機械研磨工程、およびその表面品質を更に高めるための熱アニールまたは化学エッチングによるウェーハの内部応力を低下させる工程を含んでよい。このＣＭＰ方法はＡｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮウェーハのＧａ側における結晶欠陥を強調するために有用に適用される。 （もっと読む）

【課題】クラックが入り難い高抵抗な窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】下地基板の表面に、第１の層Ｂと第２の層Ｆからなる窒化物半導体層１を形成し、その窒化物半導体層１を下地基板から分離して得られる直径４０ｍｍ以上、厚さ２００μｍ以上の自立した窒化物半導体基板１０であって、第２の層Ｆは、その表面の面内の平均転位密度が１×１０³ｃｍ^-2以上、１×１０⁸ｃｍ^-2未満であると共に、電気抵抗率が０．０２Ωｃｍより大きくなるように形成されており、第１の層Ｂは、第２の層Ｆよりも電気抵抗率が低くなるように形成されているものである。 （もっと読む）

【課題】ＩＶ族基板表面の混合結晶上に結晶性を向上させたＩＩＩ族窒化物層構造を有する窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】立方晶のＩＶ族基板材料のＩＶ族基板表面を有する基板上にエピタキシャル堆積されている、ＩＩＩ族窒化物層構造を有する窒化物半導体素子であって、ＩＶ族基板表面が、Ｃ２対称性の単位格子を有するが、Ｃ２対称性より高度の回転対称性の単位格子は有さない｛ｎｍｌ｝表面［式中、ｎ、ｍはゼロ以外の整数であり、かつｌ≧２］であるようにする。 （もっと読む）

【課題】加工性に優れていて品質が高いIII族窒化物結晶を提供すること。
【解決手段】III族窒化物単結晶を１０００℃以上で熱処理することによりIII族元素を含む化合物からなる被膜を形成し、その被膜を除去することによりIII族窒化物結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】基板上に懸架されている電極層を利用して大面積基板上に高品質のＧａＮを成長させるＧａＮ薄膜の製造方法、前記方法で製作されたＧａＮ薄膜構造物及び前記ＧａＮ薄膜構造物を含む半導体素子を提供する。
【解決手段】基板上に犠牲層を形成する段階；犠牲層上に第１バッファ層を形成する段階；第１バッファ層上に電極層を形成する段階；電極層上に第２バッファ層を形成する段階；犠牲層を部分的にエッチングすることで、前記第１バッファ層を支持する少なくとも２つの支持部材を形成し、基板と第１バッファ層との間に少なくとも一つの空気キャビティを形成する段階；第２バッファ層上にＧａＮ薄膜層を形成する段階；を含む半導体素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ元素を含む原料が目的とする結晶に取り込まれることなく副生物となるのを抑え、結晶中のＳｉ濃度を安定に制御することができる、第１３族窒化物結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】第１３族元素、窒素元素およびＳｉ元素を含む原料を用いて、Ｓｉ取込効率１０％以上で結晶成長を行うことにより、Ｓｉ元素を含有する第１３族窒化物結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】大型化が比較的容易で、比較的安価な窒化物半導体用基板を提供する。
【解決手段】基材１２０と、該基材１２０の上部に設置されたバッファ層１６０と、該バッファ層１６０の上部に設置された窒化物半導体層１８０とを有する窒化物半導体用基板１００であって、前記基材１２０は、石英で構成され、前記バッファ層１６０は、ガリウム（Ｇａ）および／またはアルミニウム（Ａｌ）の窒化物を含み、前記窒化物半導体層１８０は、ガリウム（Ｇａ）および／またはアルミニウム（Ａｌ）を含む窒化物半導体で構成され、前記基材１２０と前記バッファ層１６０の間には、応力緩和層１２５が設置され、該応力緩和層１２５は、前記基材１２０に近い側のアモルファス層１３０および前記基材１２０に遠い側の結晶化層１５０を有し、または前記基材１２０に遠い側に結晶成分を含むアモルファス層を有し、前記応力緩和層１２５は、窒化珪素または酸窒化珪素を含む。 （もっと読む）

【課題】攪拌構造体を内部に配置する坩堝のセットを容易とさせることが可能な窒化ガリウム結晶の成長方法の提供。
【解決手段】フラックス法を用いた窒化ガリウム結晶の成長方法であって、ガリウム３ｂの融点よりも高い融点を有するフラックス剤としてのナトリウム３ａを溶融状態で坩堝１１内に保持させると共に、溶融状態のナトリウム３ａに浸るように攪拌構造体５２，８０を坩堝１１内に配置するフラックス剤供給工程と、フラックス剤供給工程の後に、ナトリウム３ａの融点未満の温度まで冷却して、ナトリウム３ａを上記攪拌構造体と共に固化させる冷却工程と、冷却工程の後に、ガリウム３ｂの融点以上、且つ、ナトリウム３ａの融点未満の温度で、坩堝１１内において固化させたナトリウム３ａの上にガリウム３ｂを保持させる原料供給工程と、を有するという手法を採用する。 （もっと読む）

【課題】工業的に安価な方法で、結晶成長速度を十分な速度で安定的にかつ継続的に保つことが可能な第１３族窒化物結晶の製造法を提供する。
【解決手段】少なくともＮａと第１３族元素と窒素元素とを含む液相中で第１３族窒化物結晶を成長させる第１３族窒化物結晶の製造方法において、前記液相の表面と接しかつ少なくとも前記液相の表面から上部２０ｍｍの高さまでを満たす気相が存在し、前記液相表面部分の温度Ｔ１（Ｋ）と、前記液相表面から鉛直方向に２０ｍｍ離れた気相部分の温度Ｔ２（Ｋ）とが、式（１）を満たすようにして結晶を成長させる第１３族窒化物結晶の製造方法。
０＜（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ１＜ ０．０１５ ・・・（１） （もっと読む）

【課題】結晶成長の終了後にＧａＮ結晶を安全に取り出すことができること。
【解決手段】Ｎａフラックス法によるＧａＮ基板の育成終了後、温度５００℃、圧力１０ＰａでＮａを蒸発させた。そして、排気管１４を通して気体のＮａを排出し、冷却器１５によってＮａを液化してＮａ回収タンク１７によりＮａを回収した。その後、圧力を大気圧に戻し、加熱を停止して温度を常温まで下げ、反応容器１０を開封して中から坩堝１１を取り出した。このとき、坩堝１１内にはＮａはほとんど残留していないため、ＧａＮ基板を短時間で安全に取り出すことができる。また、回収したＮａは高純度であり、フラックスとして再利用することができる。 （もっと読む）

【課題】工業的に安価な方法で、結晶成長速度を十分な速度で安定的にかつ継続的に保つことが可能な第１３族窒化物結晶の製造法を提供する。
【解決手段】少なくともアルカリ金属元素またはアルカリ土類金属元素と、第１３族元素と窒素元素とを含む液相９中で、液相からアルカリ金属元素またはアルカリ土類金属元素を除去しながら第１３族窒化物結晶を成長させる第１３族窒化物結晶の製造方法であって、液相からアルカリ金属元素またはアルカリ土類金属元素を除去する速度が０．００２０ｍｇ／ｈ／ｃｍ^３以上である第１３族窒化物結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】大型で、結晶性が良好な窒化ガリウム系半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｇａ及びＮを含む混晶からなる種結晶を準備する工程Ｓ１０と、当該種結晶の表面を種結晶のｃ軸と平行な２つの方向の中の一方から観察したときの視野に含まれる＋ｃ極性領域または−ｃ極性領域の一部の極性を反転させる工程と、極性が反転した部分を含む＋ｃ極性領域または−ｃ極性領域を成長面として結晶成長させることで、窒化ガリウム系半導体単結晶を得る工程Ｓ２０と、を有する窒化ガリウム系半導体単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】大型で、結晶性が良好な窒化ガリウム系半導体の単結晶を製造すること。
【解決手段】Ｇａ及びＮを含む混晶からなり、窒化ガリウム系半導体の結晶成長に用いられる種結晶１０であって、種結晶１０の表面を、種結晶１０のｃ軸と平行な２つの方向の中の一方から観察したときの視野に、＋ｃ極性領域２０と、−ｃ極性領域３０とが含まれる種結晶１０を提供する。＋ｃ極性領域２０は、種結晶の表面に位置する領域であって、（０００１）、｛ｈ−ｈ０ｌ｝、及び、｛ｈｈ−２ｈｌ｝の中の少なくとも１つの面を含む領域（ｈ、ｌは自然数）であり、−ｃ極性領域３０は、種結晶の表面に位置する領域であって、（０００−１）、｛ａ−ａ０−ｃ｝、及び、｛ａａ−２ａ−ｃ｝の中の少なくとも１つの面を含む領域（ａ、ｃは自然数）である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エピタキシャル構造体及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明のエピタキシャル構造体の製造方法は、少なくとも一つのエピタキシャル成長面を有する基板を提供する第一ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面に複数の空隙を含む第一カーボンナノチューブ層を配置する第二ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面に第一エピタキシャル層を成長させて、前記第一カーボンナノチューブ層を包ませる第三ステップと、前記第一エピタキシャル層の表面に複数の空隙を含む第二カーボンナノチューブ層を配置し、前記第二カーボンナノチューブ層が配置された表面は、前記第一エピタキシャル層のエピタキシャル成長面である第四ステップと、前記第一エピタキシャル層のエピタキシャル成長面に第二エピタキシャル層を成長させて、前記第二カーボンナノチューブ層を包ませる第五ステップと、を含む。 （もっと読む）