【課題】窒化物半導体単結晶の反り（面方位分布）を抑制するとともに、均質な結晶成長を行うことができる窒化物半導体基板の製造方法及び窒化物半導体自立基板の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体基板の製造方法は、ＨＶＰＥ炉２０において、石英リアクタ７内の結晶成長領域の温度分布を略均一に保持してＧａＮ薄膜２及びストライプマスク４を有する基板１上にＧａＮ厚膜５を成長させるとともに、成長中のＧａＮ厚膜５の反りが予め定めた範囲内になるように当該ＨＶＰＥ炉２０を加熱するヒータ８の制御温度を変化させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体処理装置および方法の分野に関し、特に、エピタキシャル堆積用の基板としてウェハーなどに使用される、光学および電子部品の製作に適切な、第ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料の持続的大量生産のための方法および装置を提供する。
【解決手段】これらの方法および装置は、第ＩＩＩ族−Ｎ（窒素）化合物半導体ウェハーを製造するために、特にＧａＮウェハーを製造するために最適化される。特に前駆体は、半導体材料の大量生産が促進されるよう、少なくとも４８時間にわたり、第ＩＩＩ族元素が少なくとも５０ｇ／時の質量流で提供される。気状第ＩＩＩ族前駆体の質量流は、所望の量が送達されるように制御することが有利である。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板の表面に形成されたＧａＮ系化合物結晶層を剥離するためのレーザリフトオフ処理において、ワークの温度が多少上昇したとしても、レーザリフトオフ装置内で、レーザリフトオフ後のサファイア基板がＧａＮ層から、完全に剥がれてしまうことがないようにすること。
【解決手段】レーザ光をＧａＮ結晶層の一部に複数回（２回以上）照射する。詳しくは、レーザ光を１回照射してＧａＮ層のサファイア基板との界面がガリウム（Ｇａ）となったところに、再度サファイア基板越しにレーザ光を照射する。 （もっと読む）

【課題】原料ガスが溶け込む液面付近の融液を速やかに液底まで行き届かせ、大型で高品質の結晶を得る結晶成長装置の提供。
【解決手段】加熱加圧雰囲気下で窒素ガスとＮａ／Ｇａ混合融液３とを反応させて該混合融液３に浸漬された種基板２上にＧａＮ結晶を成長させる反応容器１０を有する窒化ガリウム製造装置１であって、反応容器１０の内側に間隙をあけて配置され、混合融液３中において鉛直方向に延在すると共に、上端開口部１２が混合融液３の液面４に対して離間し、且つ、下端開口部１３が反応容器１０の底面１０ａに対して離間する筒部材１１と、反応容器１０に対し相対的に回転して、混合融液３の鉛直方向の流れを形成する攪拌翼５２と、を有するという構成を採用する。 （もっと読む）

【課題】原料ガスが溶け込む液面付近の融液を速やかに液底まで行き届かせ、大型で高品質の結晶を得る結晶成長装置の提供。
【解決手段】加熱加圧雰囲気下で窒素ガスとＮａ／Ｇａ混合融液３とを反応させて該混合融液３に浸漬された種基板２上にＧａＮ結晶を成長させる反応容器１０を有する窒化ガリウム製造装置１であって、反応容器１０の内側に間隙をあけて配置され、混合融液３中において鉛直方向に延在すると共に、上端開口部１２が混合融液３の液面４に対して離間し、且つ、下端開口部１３が反応容器１０の底面１０ａに対して離間する筒部材１１と、反応容器１０を、鉛直方向に延びる軸周りに回転させる攪拌装置４０と、上記間隙に設けられ、鉛直方向上方に向かうに従って反応容器１０の回転方向の一方側に向かって傾斜する板面１５ａ，１５ｂを有する流れ制御板１４と、を有するという構成を採用する。 （もっと読む）

【課題】転位発生の防止と基板の反り低減を、中間層を構成する窒化物半導体層の積層数を少なくして実現できる窒化ガリウム系化合物半導体基板を提供する。
【解決手段】Ｓｉ単結晶からなる基板１と、前記基板上に形成された窒化物半導体からなる中間層２と、前記中間層上に形成された窒化ガリウム系化合物半導体３からなる活性層で構成される窒化ガリウム系化合物半導体基板であって、前記中間層は、前記基板上に第一層２１と第二層２２がこの順で積層された初期バッファ層２００と、前記初期バッファ層上に第三層２３と第四層２４をこの順で複数回繰り返し積層し最後に第五層２５を積層してなる複合層２０２を複数積層した周期堆積層２０３からなる。 （もっと読む）

【課題】大口径のＣ面を有する窒化物半導体や、ｍ軸方向に厚い窒化物半導体を効率よく簡便に製造することができる実用的な製造方法を提供すること。
【解決手段】六方晶系の結晶構造を有するシード、窒素元素を含有する溶媒、周期表１３族金属元素を含む原料物質、及び鉱化剤を入れたオートクレーブ内の温度および圧力を、前記溶媒が超臨界状態及び／又は亜臨界状態となるように制御して前記シードの表面にアモノサーマル的に窒化物半導体を結晶成長させる工程を含む窒化物半導体の製造方法において、前記シード上のｍ軸方向の結晶成長速度を前記シード上のｃ軸方向の結晶成長速度の１．５倍以上にする。 （もっと読む）

【課題】結晶層の結晶性や均一性を向上させることができるIII族窒化物半導体素子製造用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】成長用下地基板１０上に、クロム層２０を形成する成膜工程と、該クロム層２０を、所定の条件で窒化することによりクロム窒化物層３０とする窒化工程と、該クロム窒化物層３０上に、バッファ層４０を介して、少なくとも１層のIII族窒化物半導体層５０をエピタキシャル成長させる結晶層成長工程とを具えるIII族窒化物半導体素子製造用基板９０の製造方法であって、前記クロム層２０は、スパッタリング法により、スパッタリング粒子飛程領域における成膜速度が７〜65Å/秒の範囲で、厚さが50〜300Åの範囲となるよう成膜され、前記クロム窒化物層３０は、炉内圧力6.666kPa以上66.66kPa以下の、温度1000℃以上のMOCVD成長炉内において、アンモニアガスを含むガス雰囲気中で形成される。 （もっと読む）

【課題】より良質な窒化物半導体結晶層を製造する方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、窒化物半導体結晶層の製造方法は、基体の上に設けられたシリコン結晶層の上に、第１の厚さを有する窒化物半導体結晶層を形成する工程を備える。前記シリコン結晶層は、前記窒化物半導体結晶層の形成の前には、前記第１の厚さよりも薄い第２の厚さを有している。前記窒化物半導体結晶層の形成は、前記シリコン結晶層の少なくとも一部を前記窒化物半導体結晶層に取り込ませ、前記シリコン結晶層の厚さを前記第２の厚さから減少せることを含む。 （もっと読む）

【課題】下地基板の表面品質を均一にし、窒化物厚膜成長の歩留と品質の向上を実現することができる窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイスのエピタキシャル成長に用いる窒化物半導体基板の製造方法において、基材１上に窒化物半導体からなる第１の層２が設けられた下地基板１０上に金属膜層（若しくは炭化膜層）３を形成し、金属膜層（若しくは炭化膜層）３を窒化した後、表面酸化処理を施し、窒化物半導体からなる第２の層５を成長させ、しかる後、基材１から第２の層５を剥離して窒化物半導体基板４０を製造する方法である。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程によって、高品質かつ低抵抗であるｎ型ＩＩＩ族窒化物単結晶を製造する。
【解決手段】反応容器内に、少なくともＩＩＩ族元素を含む物質と、アルカリ金属と、酸化ホウ素と、を投入する材料投入工程と、前記反応容器を前記酸化ホウ素の融点まで加熱することにより、前記酸化ホウ素を融解させる融解工程と、前記反応容器をＩＩＩ族窒化物の結晶成長温度まで加熱することにより、前記反応容器内に、前記ＩＩＩ族元素と、前記アルカリ金属と、前記酸化ホウ素と、を含む混合融液を形成する混合融液形成工程と、前記混合融液に窒素を含む気体を接触させて、前記混合融液中に窒素を溶解させる窒素溶解工程と、前記混合融液中に溶解した前記ＩＩＩ族元素と、前記窒素と、前記酸化ホウ素中の酸素とから、前記酸素がドナーとしてドープされたｎ型のＩＩＩ族窒化物単結晶を結晶成長させる結晶成長工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】高品質のＩＩＩ族窒化物結晶を効率良く製造する方法を提供する。
【解決手段】坩堝１０内にアルカリ金属とＩＩＩ族金属とを含む混合融液２７０を保持する工程と、反応容器２０内に坩堝１０を収容する工程と、反応容器２０と所定の位置関係で加熱装置５０，６０を配置して、反応容器２０を介して坩堝１０を加熱する工程と、密閉容器４００内に少なくとも坩堝１０を収容し、密閉容器４００内の雰囲気を変化させることなく、密閉容器４００内で坩堝１０への原料の投入及び製造されたＩＩＩ族窒化物結晶の取り出しを行う工程と、反応容器２０内の混合融液２７０に窒素ガスを供給する工程とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】主面が（０００１）面から２０°以上９０°以下で傾斜しているＧａＮ種結晶基板上にＧａＮ結晶を成長させても、積層欠陥の発生が抑制されるＧａＮ結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ結晶の成長方法は、主面１０ｍが（０００１）面１０ｃから２０°以上９０°以下で傾斜しているＧａＮ種結晶基板１０を準備する工程と、ＧａＮ種結晶基板１０上にＧａＮ結晶２０を成長させる工程と、を備え、ＧａＮ種結晶基板１０の不純物濃度とＧａＮ結晶２０の不純物濃度との差が３×１０¹⁸ｃｍ^-3以下である。 （もっと読む）

【課題】基板の温度分布を任意に調整することのできる成膜装置を提供する。また、基板を均一に加熱して、所望の厚さの膜を形成することのできる成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、チャンバ１０３と、チャンバ１０３内に設けられてシリコンウェハ１０１が載置されるサセプタ１０２と、サセプタ１０２を回転させる回転部１０４と、サセプタ１０２の下方に位置するインヒータ１２０およびアウトヒータ１２１と、これらのヒータの下方に位置するリフレクタ集合部１０５とを有する。リフレクタ集合部１０５は、環状のリフレクタと円盤状のリフレクタとが組み合わされてなる。 （もっと読む）

【課題】マーキングにかかる時間を短縮でき、かつ下地基板の製造履歴を簡便に追跡できる識別符号を有する自立した窒化物半導体ウェハを提供する。
【解決手段】識別符号１２が付された下地基板１１上に窒化物半導体層１３を成長させ、その窒化物半導体層１３を下地基板１１から分離して得られる自立した窒化物半導体ウェハにおいて、窒化物半導体層１３は、その成長時に識別符号１１が転写された転写識別符号１６を有する窒化物半導体ウェハである。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体で構成される基板を生産する際の歩留まりを改善することを課題とする。
【解決手段】基板の表面から裏面まで貫通する貫通孔２０を有するＩＩＩ族窒化物半導体（Ａｌ_ｘＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｉｎ_ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１））で構成される基板３０と、貫通孔２０の内部に充填され、貫通孔２０を塞ぐ、組成一様のＩＩＩ族窒化物半導体で構成される充填材４０と、を有するＩＩＩ族窒化物半導体基板１０を提供する。 （もっと読む）

【課題】結晶性に優れたＩＩＩ族窒化物半導体基板を製造することを課題とする。
【解決手段】ｃ面よりａ面方向もしくはｍ面方向に角度Ｒ（０°＜Ｒ≦９０°）となる傾斜面を有する酸化物基板、炭化物基板、またはＩＩＩ族窒化物半導体基板を準備する工程と、前記準備した基板１を選択的にエッチングし、平坦面２と、平坦面２より突出している突起部３と、平坦面２より掘り下げられている溝部４と、を形成するエッチング工程と、エッチングされ、平坦面２、突起部３、および、溝部４が形成された基板１上に、ＩＩＩ族窒化物をエピタキシャル成長する成長工程と、を有するＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体で構成される自立基板の生産歩留まりを改善することを課題とする。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体（Ａｌ_ｘＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｉｎ_ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１））で構成される基板の小片１０Ａ乃至１０Ｄが複数集まった基板小片層１０と、基板小片層１０の第１の面に積層され、複数の小片１０Ａ乃至１０Ｄを結合する、ＩＩＩ族窒化物半導体（Ａｌ_ｘＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｉｎ_ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１））で構成される裏打ち層２０と、を有するＩＩＩ族窒化物半導体基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】非常に優れた形態的特徴を有し、例えばマイクロエレクトロニクスおよび／またはオプトエレクトロニクスデバイスおよびデバイス前駆体構造体を製作するための基板として使用される（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ物品の製造方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャルに適合できる犠牲型板１２を設けるステップと、単結晶（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ材料１６を型板１２上に堆積して、犠牲型板１２と（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ材料１６との間の界面１４を含む複合犠牲型板／（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ物品１０を形成するステップと、複合犠牲型板／（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ物品１０を界面修正して、犠牲型板１２を（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ材料１６から分割し、独立（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ物品１０を生じるステップにより、独立（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ物品を製造する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ単結晶基板を用いた化合物半導体基板において、化合物半導体基板の機械強度低下と熱伝導率低下を、Ｓｉ単結晶基板のドーパント濃度制御で低減する。
【解決手段】Ｓｉ単結晶基板上に中間層とデバイス活性層を備えた化合物半導体基板で、Ｓｉ単結晶基板は、中間層側の一主面の表面から厚さ方向に向かってドーパント濃度が１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上１×１０^２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である領域１と、ドーパント濃度が連続的に減少する遷移領域１と、ドーパント濃度が１×１０^１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上５×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である領域２と、ドーパント濃度が連続的に増加する遷移領域２と、ドーパント濃度が１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上１×１０^２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である領域３とからなる。 （もっと読む）