【課題】結晶インゴット内の元素間の偏析現象を低減することによって蛍光特性が向上したシンチレータ用単結晶を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表されるセリウム付活オルト珪酸塩化合物を含むシンチレータ用単結晶。
Ｌｍ_{２−（ｘ＋ｙ＋ｚ）}Ｌｎ_ｘＬｕ_ｙＣｅ_ｚＳｉＯ_５ （１）
（式中、ＬｍはＬｕよりも原子番号が小さいランタノイド系元素、並びにＳｃ及びＹの中から選ばれる少なくとも１種の元素を示し、Ｌｎはイオン半径がＬｍとＬｕとの間にあるランタノイド系元素並びにＳｃ、Ｙ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎから選ばれる少なくとも１種の元素を示し、ｘは０超０．５以下の値を示し、ｙは１超２未満の値を示し、ｚは０超０．１以下の値を示す。） （もっと読む）

【課題】サイズを低減させた装置、及びその作成方法を提供する。
【解決手段】装置は、第一の結晶性物質層、第一の結晶性物質層の近傍に配置され、第一の界面で電子ガスを形成させる第二の結晶性物質層、及び第一の界面の部分に電場を付与する強誘電性ドメインを有する第一の強誘電性層を包含する。 （もっと読む）

【課題】Liイオン電池正極材料として、低い出力密度から高い出力密度においても、大きな容量を示し、安定したサイクル特性および安定なプラトーを有する単結晶スピネル型LiMn₂O₄ナノワイヤーの製造方法、これを使用したハイレート用電極及びＬｉイオン電池の提供。
【解決手段】Mn₃O₄と１〜２０Mの水酸化ナトリウム水溶液を、１〜５００気圧で、１８０〜２５０℃、６時間〜２４０時間で反応させ、反応物を水洗後乾燥させ、単結晶マンガン酸ナトリウム（Na_0.44MnO₂）ナノワイヤーとし、さらに、単結晶マンガン酸ナトリウム（Na_0.44MnO₂）ナノワイヤーを水洗し、乾燥させ、この単結晶マンガン酸ナトリウムと超過のLiNO₃/LiClを、４００〜５００℃において反応させた後、水洗し、乾燥させ、７００〜９００℃で熱処理することで単結晶LiMn₂O₄ナノワイヤーが得られる。 （もっと読む）

【課題】発光効率に優れた窒化物系の粒子状の蛍光体を提供すること。
【解決手段】蛍光物質として、式Ｍ¹ _a Ｍ² _b Ｎ_c （ただし、Ｍ¹ は、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ及びＺｎからなる群より選ばれる１種以上の元素であり、Ｍ² は、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群より選ばれる１種以上の元素であり、ｃ＝（２ａ／３）＋ｂであり、０≦ａかつ０＜ｂである）で示される化合物を、板状の基材粒子上にヘテロエピタキシャル成長させ、粒子状の蛍光体とする。 （もっと読む）

【解決手段】
式Ａ_１−ｘＢ_ｘＭｎＯ_３ （ここでＡはＬａ、Ｎｄ又はＰｒであり、ＢはＣａ、Ｓｒ、Ｂａ又はＰｂであり、ｘは０．２〜０．５の範囲内である）で表されるドープド・ペロブスカイト・マンガナイト単結晶から小片を切り出し、異方性磁気抵抗（ＡＭＲ）素子をつくる。本発明の素子は、いろいろな磁気センサーに有益に応用される。
【効果】
本発明の素子におけるＡＭＲは、従来の強磁性物質又は合金からつくられる素子（室温で約１−２％）に比べて、非常に大きい（２２０Ｋで約９０％）。したがって、本発明のＡＭＲ素子は、磁気センサーの感度を改善する。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯウィスカー及びＺｎＯウィスカー膜及びこれらの作製方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ結晶を主成分とするＺｎＯウィスカーであって、アスペクト比が２以上のウィスカー形状粒子であり、フォトルミネッセンススペクトルｃで示される可視光領域におけるフォトルミネッセンス特性を有するＺｎＯウィスカー、及び、溶液プロセスにより、酸化亜鉛が析出する溶液反応系で、温度、原料濃度、添加剤、ｐＨ条件のいずれかの条件を調整してＺｎＯ結晶を析出させ、ＺｎＯウィスカーを合成すること、あるいは、ＺｎＯウィスカーを基板上に堆積させることによりＺｎＯウィスカー膜を形成させるＺｎＯウィスカー又はＺｎＯウィスカー膜の製造方法。
【効果】高い比表面積と高い導電率を両立させたナノ構造体であるＺｎＯ結晶ウィスカーの電子デバイスを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】光学分野、電気・電子工業分野において有用な3.30＜Eg≦3.54eVのバンドギャップを有するMg含有ZnO系混晶単結晶、その積層体及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】溶質と溶媒の混合比が、ZnOのみに換算した溶質：溶媒＝5〜30mol％：95〜70mol%であり、溶媒であるPbOとBi2O3の混合比がPbO：Bi2O3＝0.1〜95mol%：99.9〜5mol%である融液に基板を直接接触させ、液相エピタキシャル成長法により、膜厚が5μｍ以上のMg含有ZnO系混晶単結晶を基板上に成長させる。このようにして製造したMg含有ZnO系混晶単結晶を基板として用い、この基板上に更にMg含有ZnO系混晶単結晶を成長させることによりMg含有ZnO系混晶単結晶積層体を製造する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造用の液浸式露光装置のラストレンズ等として有用であり、２００ｎｍ以下の真空紫外光の透過性に優れたＢａＬｉＦ3単結晶体の製造方法を提供する。
【解決手段】ＢａＬｉＦ₃単結晶体をＬｉ過剰な溶融液を原料として融液成長法で製造する場合に、ＢａＦ₂とＬｉＦとＭｇＦ₂とからなり、これらの含有比率がモル基準で、Ｂａ／（Ｂａ＋Ｌｉ＋Ｍｇ）が０．３５〜０．４８の範囲であり、かつＭｇ／（Ｌｉ＋Ｍｇ）が０．００１〜０．０３の範囲にある溶融液を調製し、この原料溶融液を用いて単結晶体を育成する。これによりＬｉ成分の析出に起因する白濁が低下し、良好な光透過率がえられる。また、育成後のＢａＬｉＦ3単結晶をアニール処理し歪除去をおこなえば、単結晶体中の白濁をさらに低減することができる。 （もっと読む）

【課題】ガラスなどの絶縁基板やその他半導体、金属などの基板上にＳｉ結晶半導体薄膜をＳｉの融点以下の温度で形成する方法を提供する。
【解決手段】基板１上に形成されたＺｎ−Ｓｉ二元合金系を出発材料とし、その液体もしくは過冷却液体の状態から熱平衡状態でのＳｉの析出、残存Ｚｎの冷却固化、そしてエッチング等による該Ｚｎの除去を経て基板に支持されたＳｉ薄膜４−１が形成される。 （もっと読む）

【課題】ガリウム含有窒化物結晶の単結晶、その製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】ガリウム含有窒化物結晶を製造するアンモノ塩基性方法において、オートクレーブ１内の溶解領域１３を低温領域としてフィードストック１６を配置し、結晶化領域１４を高温領域として種結晶１７を配置する。これにより、ガリウム含有窒化物を超臨界窒素含有溶媒中にアルカリ金属含有成分の存在下に少なくとも１つの種結晶１７上に結晶させる。 （もっと読む）

【課題】構造材料用セラミックス及び固体電解質として利用可能な高温処理を必要としない高結晶性かつ平均粒子径が１０ｎｍ以下の正方晶安定化ジルコニア微粒子を提供する。
【解決手段】基本構造が一般式（１−ｘ）ＺｒＯ_２・ｘＹ_２Ｏ_３（式中のｘは０．０２〜０．１の数であり、ＹはＳｃ，Ｙ，Ｙｂのいずれかを含む希土類金属である。）で表される安定化ジルコニア微粒子、及び、イットリウムなどの希土類金属イオンとジルコニウムイオンとの混合水溶液をアルカリ水溶液でｐＨ８以上に調整し、亜臨界ないし超臨界状態の水を媒体として、３００−４００℃で短時間水熱反応させることにより製造してなる、一次粒子径が１０ｎｍ以下であり、その粒子は残存水酸基が少なく、凝集のない、結晶化度が高い安定化ジルコニア微粒子。 （もっと読む）

【課題】応用上必要な大きさと、優れた圧電特性、電場誘起歪特性、誘電・強誘電特性、及び、光学特性を有し、広範な温度領域で使用できる単結晶体材を出発組成のまま、生産性よく製造し、提供する。
【解決手段】下記組成式（１）を満たし、結晶構造が正方晶で、優れた圧電特性、電場誘起歪特性、及び、誘電特性を有することを特徴とする電子・光学用チタン酸バリウム−カルシウム単結晶体材料。
（Ｂａ_1-xＣａ_x）ＴｉＯ₃（ただし、０．０２５＜ｘ（mole）≦０．３３５）・・（１） （もっと読む）

結晶組成物を提供する。この結晶組成物は、ガリウム及び窒素を含んでいてよく、また約３１７５ｃｍ^−１に赤外吸収ピークを有していてよく、単位厚み当りの吸光度が約０．０１ｃｍ^−１より大きい。 （もっと読む）

【課題】鉛フリーの磁性ガーネット単結晶において、光吸収が小さく且つ膜厚を２００μｍ以上にでき、光通信におけるファラデー回転子等に用いることができるように４５°損失を０．１ｄＢ以下に低減できるようにする。
【解決手段】ＬＰＥ法により育成される磁性ガーネット単結晶であって、一般式がＢｉ_x Ｎａ_y Ｃａ_z Ｍ１_3-x-y-z Ｆｅ_5-v-w Ｐｔ_v Ｍ２_w Ｏ１２で表され、Ｍ１は、Ｙ，Ｌａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕから選択される１種類以上の元素、Ｍ２は、Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎから選択される１種類以上の元素であり、０．８＜ｘ≦１．５、０＜ｙ＜０．０２、０．０１＜ｚ＜０．０９、０．０４＜ｖ＜０．１９、０≦ｗ＜１．５で、且つｚ／ｙ≧４、ｚ／ｖ≧０．３である。 （もっと読む）

ＡｌＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＩｎＮ、ＩｎＧａＮおよびＡｌＧａＮＩｎＮの１つから選択される窒化物結晶および結晶組成物を成長させる方法が提供される。この組成物は、単一の核から成長し、直径が少なくとも１ｍｍであり、横歪みおよび傾斜境界がなく、約１０^４ｃｍ^−２未満の転位密度を有する真の単結晶を含む。 （もっと読む）

【課題】真空や高エネルギーを必要とする特殊な装置や、高価で特殊な原料を使用することなく、低温でニオブ酸カリウムの薄膜を作製することのできる、ニオブ酸カリウムの低温製膜法を提供する。
【解決手段】Ｋ_２ＮｂＯ_３Ｆの単結晶を基板上で潮解させ、乾燥した。潮解させる際の湿度は、６０％以上であり、潮解させる際の温度は、０〜５０℃であることが好ましい。室温で高品位のニオブ酸カリウムの単結晶薄膜を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】長時間安定して単結晶ＳｉＣをエピタキシャルに成長させる改良方法及びその結果得られる高品質な単結晶ＳｉＣを提供する。
【解決手段】ＳｉＣ種結晶４が固定されたサセプタ５並びに単結晶ＳｉＣ製造用原料であるＳｉＯ₂粒子及びカーボン（Ｃ）粒子を供給するための原料供給管６を坩堝２内に配置する工程、及び、高温雰囲気とした坩堝２内に単結晶ＳｉＣ製造用原料を不活性キャリアガスＡと共に原料供給管６を通してＳｉＣ種結晶４上に供給して単結晶ＳｉＣを成長させる工程を含み、原料のＳｉＯ₂とＣの供給モル比が、ＳｉＯ₂：Ｃ＝１．０５：３．０〜２．０：３．０である単結晶ＳｉＣの製造方法、及びこの製造方法により製造された単結晶ＳｉＣ。 （もっと読む）

本発明は、アスペクト比が大きい薄片状アルファーアルミナ結晶体及びその製造方法に関し、更に詳しくは、水溶性溶剤を含有するアルミニウム前駆体水溶液、亜鉛前駆体水溶液及びスズ前駆体水溶液を加水分解して混合ゲルを製造した後、熟成、乾燥及び結晶工程を行うことで製造される酸化アルミニウム、酸化亜鉛及び酸化スズを含有する薄片状アルファ−アルミナ結晶体に関する。前記結晶体は、平均粒子厚さが０．５μｍ以下、平均粒子直径が３０μｍ以上、アスペクト比が１００以上であり、従って、高品質の真珠光沢顔料基質、研磨剤、セラミック材料及び充填剤として有用である。 （もっと読む）

【課題】均一組成を有するバルク結晶を任意の組成比で成長させることができるバルク結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】結晶成長中に熱パルスを所定の周期で加えることにより、不純物の濃度縞を結晶内に形成し、この濃度縞の位置及び間隔から、均一組成を有するバルク結晶を任意の組成比で成長させるために必要な温度保持時間、結晶成長速度、温度勾配を求める。そして、均一組成を有するバルク結晶を成長させる際は、成長させる結晶の組成比が目的の値となるまで所定時間温度を保持した後に、目的の組成比に対応した結晶成長速度と温度勾配との積から求まる温度降下速度に従って加熱炉内の温度を下げる、又は、目的の組成比に対応した結晶成長速度に応じた移動速度で容器を低温側に相対移動させることによって、結晶成長界面の温度を一定に保つようにする。 （もっと読む）

【課題】 ペロブスカイト型構造を有する多結晶セラミック粉末を用いて製造可能であり、組成上の制約条件の少ない配向性セラミックスの製造方法を提供する。
【解決手段】 多結晶セラミック粉末とを含むセラミックスラリーを得る工程と、前記セラミックスラリーを磁場中で成形してセラミック成形体を得る工程と、前記セラミック成形体を焼成する工程と、を有する配向性セラミックスの製造方法であって、前記多結晶セラミック粉末は、ペロブスカイト構造を有する主成分と前記主成分１００ｍｏｌに対して５ｍｏｌ以下（ただし０ｍｏｌを除く）の割合で含有される副成分とを含み、前記副成分は磁気モーメントが０ではない３ｄ遷移金属イオンまたは磁気モーメントが０ではない希土類遷移金属イオンからなる群より選択される少なくとも１種であることを特徴とする。 （もっと読む）