本発明は、化学式Ａ_xＬｎ_(y-y’)Ｌｎ’_y’Ｉ_(x+3y)の無機希土類ヨウ化物のシンチレーション材料であって、式中、ＡがＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓから選択される少なくとも１つの元素を表し、ＬｎがＬａ、Ｇｄ、Ｙ、Ｌｕから選択され、当該化学式において原子価３＋である少なくとも１つの第１の希土類元素を表し、Ｌｎ’がＣｅ、Ｔｂ、Ｐｒから選択され、当該化学式において原子価３＋である少なくとも１つの第２の希土類元素を表し、ｘが整数でかつ０、１、２又は３を表し、ｙが０よりも大きく３よりも小さい整数又は非整数であり、ｙ’が０よりも大きくｙよりも小さい整数又は非整数である、無機希土類ヨウ化物のシンチレーション材料に関する。当該材料は、高い阻止能と、速い減衰時間、特には１００ナノ秒未満の減衰時間と、優れたエネルギー分解能（特には６６２ｋｅＶで６％未満）と、高い発光レベルを提供する。当該材料は、核医学設備、とりわけ、アンガー型γカメラ及び陽電子放射断層撮影装置において使用することができる。 （もっと読む）

ａ）分子線エピタキシ法（molecular beam epitaxy：MBE）を用いて、立方晶III-V族基板上にエピタキシャルIII族窒化物材料を成長させるステップと、ｂ）前記III族窒化物基板が立方晶III族窒化物自立基板として残るように、前記III-V族基板を除去するステップと、を含む立方晶III族窒化物自立バルク基板の製造方法。III族窒化物デバイスの製造のための立方晶III族窒化物自立バルク基板。 （もっと読む）

【課題】発光効率に優れた発光素子などの半導体素子製造用基板として使用され、窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムを主成分とする単結晶薄膜基板を提供する。
【解決手段】セラミック材料を主成分とする焼結体、特に光透過性の焼結体を用いることにより、窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムのうちから選ばれた少なくとも１種以上を主成分とする結晶性の高い単結晶薄膜が形成される。該単結晶薄膜と焼結体との接合体を用いて、電子素子および電子部品を製造する。 （もっと読む）

【課題】 特別な加熱や冷却を必要とせずに、簡単に、塩化ナトリウム水溶液から、表面積の大きな特異な形状の結晶を得る方法を提供する。
【解決手段】 塩化ナトリウム水溶液と酢酸を混合して、固液分離する。水と酢酸の混合割合を調整するだけで、表面積の大きな変化に富んだ形状の結晶を得ることが可能となるものであり、塩化ナトリウムの飽和水溶液と酢酸を体積比率で約１：４で混合すると、中心から放射状に柱状体が延びた結晶を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 電気機械結合係数が大きく、音速、ＳＡＷ速度が小さい圧電単結晶組成物を用いることにより、圧電振動子、弾性表面波デバイスを提供すること。
【解決手段】 ランガサイト型構造を有する化学式（Ｓｒ_1-xＢａ_x)₃ＴａＧａ₃Ｓｉ₂Ｏ₁₄（０＜ｘ≦０．７）で表される圧電単結晶組成物を提供することにより、圧電フィルター、圧電共振子、圧電ジャイロ等の体積弾性波を利用した圧電振動子及び圧電フィルター、センサー等の弾性表面波デバイスの小型化を可能にする。 （もっと読む）

【課題】 高純度で大径の単結晶が得られるIII族酸化物系単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 β−Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶８は、ＦＺ法（フローティングゾーン法）により製造される。β−Ｇａ_２Ｏ_３系種結晶７と、目的のβ−Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶８の外径に応じた量の熱融解性調整用添加物を添加したβ−Ｇａ_２Ｏ_３系多結晶からなる燒結素材９との接触部を加熱融解して融解帯８ｄを形成する。その融解帯８ｄの温度降下により、種結晶７の先端に単結晶８が育成する。 （もっと読む）

【課題】 十分に高い蛍光出力、良好なエネルギー分解能、及び短い蛍光減衰時間を有するシンチレータの製造方法及びシンチレータを提供する。
【解決手段】 本実施形態のシンチレータの製造方法は、無機固体中の塩素含有割合を低減する低減工程と、低減工程によって塩素含有割合を低減した無機固体を溶融させることにより、溶融液を得る溶融工程と、溶融液を固化させることにより、母材中にセリウムを発光中心として含むシンチレータを得る固化工程とを含む。 （もっと読む）

Ｃｒ⁴⁺:Ｍｇ_2-xＭ_xＳｉ_1-yＡ_yＯ₄（式中、ＭはＭｇ²⁺よりも大きなイオン半径を有する4価のイオンであり、さらにＡはＳｉ⁴⁺よりも大きなイオン半径を有する2価のイオンである）の単結晶を含むのレーザー媒質。さらに、ａ）0≦ｘ＜２ 及び 0＜ｙ＜1；又はｂ）0＜ｘ＜２ 及び ｙ＝0 若しくは ｙ＝1（但し、ＭがＣａ²⁺で、ｘ＝1 である場合には、ｙは0ではない。）のどちらかである。当該レーザー媒質は、チューナブル近赤外線（ＮＩＲ）レーザーのようなレーザー素子で用いることができる。
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本発明は、Ｃｄ_xＺｎ_1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）、望ましくは１原子ｐｐｂと１０，０００原子ｐｐｂの間の濃度中の、元素周期律表の第ＩＩＩ族または第ＶＩＩ族の元素、そして、望ましくは１原子ｐｐｂと１０，０００原子ｐｐｂの間の濃度中の、ルテニウム（Ｒｕ）、オスミウム（Ｏｓ）またはＲｕとＯｓの組み合わせから製造される放射線検出器結晶である。 （もっと読む）

【課題】 短波長レーザーをはじめとするオプトエレクトロニクス、エレクトロニクス、生化学的センサー等への応用が期待される単結晶セレン化亜鉛サブマイクロメートルチューブの製造方法であって、サブマイクロメートルの直径を有する中空構造又はこの中空構造に別の材料が充填され得る、単結晶セレン化亜鉛サブマイクロメートルチューブ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 長さ方向に針状のサブマイクロメートルチューブ形状を有し、単結晶セレン化亜鉛からなる。サブマイクロメートルチューブの直径は２５０〜６００ｎｍであり、長さは数十μｍから数百μｍである。セレン化亜鉛粉末、一酸化スズ粉末、二酸化スズ粉末及び活性炭粉末の混合物を、不活性ガス気流中において、１０５０〜１１８０℃で、３〜５時間加熱し、単結晶セレン化亜鉛サブマイクロメートルチューブを製造する。 （もっと読む）

従来の材料より高い熱蛍光効率を有する熱蛍光線量計用フッ化物単結晶材料及びそれを用いた熱蛍光線量計を提供する。熱蛍光線量計に用いられる熱蛍光線量計用フッ化物単結晶材料であって、ＬｉＸＡｌＦ_６で表され、Ｘは、Ｃａ，Ｓｒ，Ｍｇ及びＢａからなる群から選択され、ドーパントとして、Ｃｅ，Ｎａ，Ｅｕ，Ｎｄ，Ｐｒ，Ｔｍ，Ｔｂ，およびＥｒから選択される少なくとも一種を含有する熱蛍光線量計用フッ化物単結晶材料にある。 （もっと読む）

波長が短く空間分解能が高い紫外線、特に、波長３００ｎｍ以下の深紫外線や波長２００ｎｍ以下の真空紫外線を容易かつ安定して発生することのできる光源を構成するために用いることを可能にしたフッ化物単結晶の製造方法および波長変換素子を提供する。チョクラルスキー法により結晶成長させて製造するフッ化物単結晶の製造方法において、結晶成長の際の雰囲気ガスとして、ＣＦ_４ガス、Ａｒガス、ＡｒガスとＣＦ_４ガスとの混合ガスまたはＮ_２ガスのいずれかを用いる。また、分極反転により疑似位相整合を生じる。
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【課題】特に、室温よりも高い温度、具体的には、擬立方晶と正方晶との間の変態温度Ｔ_ｒｔとするとき、Ｔ_ｒｔ〜（Ｔ_ｒｔ−20）℃の特定の高温域（例えば50〜70℃程度）で、圧電特性に優れた圧電単結晶素子を提供する。
【解決手段】［Pb(Mg, Nb)O₃］_(1-Ｘ)・［PbTiO₃］_(Ｘ)：(Ｘ＝0.26〜0.29)の組成をもち、かつ複合ペロブスカイト構造を有する単結晶からなり、25℃における比誘電率の値が5000以上であり、前記単結晶の擬立方晶と正方晶との間の変態温度における比誘電率の値が、25℃における比誘電率の値の2.5倍以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

水溶性の原材料を水に溶解して水溶液とし、この水溶液の水分を蒸発させ、その後焼結することによりまたは焼結せずに育成原料とし、得られた育成原料を融解してボレート系結晶を育成することで、波長変換光学素子等として有用なボレート系結晶を、短時間で低コストに簡便に、かつより均一性・信頼性に優れたものとして製造することができる。また、これらの結晶を波長変換光学素子として用いることで、信頼性の高いレーザー発振装置を実現することができる。
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【課題】 高抵抗率を示すＳｉＣ単結晶とＳｉＣ基板を提供し、高抵抗率を示すＳｉＣ単結晶を安定して製造することができるＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 アクセプタとしての機能を有する第１ドーパントと、ドナーとしての機能を有する第２ドーパントとを含むＳｉＣ単結晶であって、第１ドーパントの含有量が５×１０¹⁵個／ｃｍ³以上であり、第２ドーパントの含有量が５×１０¹⁵個／ｃｍ³以上であって、第１ドーパントの含有量が第２ドーパントの含有量よりも多いＳｉＣ単結晶である。炭素と珪素とを含む材料中に金属ホウ化物を混合して原料を作製する工程と、原料を気化させる工程と、炭素と珪素とホウ素と窒素とを含む混合ガスを生成する工程と、混合ガスを種結晶基板の表面上で再結晶させてホウ素と窒素とを含む炭化珪素単結晶を種結晶基板の表面上に成長させる工程とを含む、炭化珪素単結晶の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】各種デバイス用基板として有用な高純度で均一な六方晶系ウルツ鉱型単結晶を提供する。
【解決手段】柱状の種結晶から少なくともｍ面について結晶成長させることによって得られたＡＸ（Ａは陽性元素、Ｘは陰性元素）で表される六方晶系のウルツ鉱型化合物単結晶であって、陽性元素Ａ以外の金属のうち２価の金属および３価の金属の濃度が１０ｐｐｍ以下でかつ、それらの濃度のばらつきがいずれも１００％以内である結晶。 （もっと読む）

ｃ軸が基板面に対して垂直に配向しているビスマス層状化合物が、組成式：（Ｂｉ_２Ｏ_２）^２＋（Ａ_ｍ１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋１）^２−、またはＢｉ_２Ａ_ｍ１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋３で表され、前記組成式中の記号ｍが奇数、記号ＡがＮａ、Ｋ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ、ＣａおよびＢｉから選ばれる少なくとも１つの元素、記号ＢがＦｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｂ、Ｖ、ＭｏおよびＷから選ばれる少なくとも１つの元素であり、前記ビスマス層状化合物のＢｉが、前記組成式：（Ｂｉ_２Ｏ_２）^２＋（Ａ_ｍ−１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋１）^２−、またはＢｉ_２Ａ_ｍ−１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋３に対して、過剰に含有してあり、そのＢｉの過剰含有量が、Ｂｉ換算で、０＜Ｂｉ＜０．６×ｍモルの範囲である。
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【課題】 良好な圧電特性を有する圧電体膜を提供する。
【解決手段】 本発明に係る圧電体膜は，
ペロブスカイト型の圧電体膜であって、
擬立方晶（１００）に優先配向しており、
モノクリニック構造（図のＭで示される領域）を有し、
分極軸方向は、擬立方晶＜１１１＞方向と，擬立方晶＜１００＞方向との間である。 （もっと読む）

【課題】 Ｍ−Ａｌ−Ｂの組成を有する単結晶の製造方法および該製造方法により製造されたＭ−Ａｌ−Ｂ組成を有する単結晶を提供する。
【解決手段】 本発明の製造方法は、インゴットから切り出した薄片状のＡｌと、Ｍ成分供給源とホウ素供給源とを、前記薄片状Ａｌと前記成分Ｍ供給源および前記ホウ素供給源の混合物とを交互に層状に反応容器に充填し、前記反応容器の中央部と上端部および下端部との間に温度勾配を生じさせて溶融し、徐冷する、Ｍ−Ａｌ−Ｂの組成を有する単結晶の製造方法である。（ここで、前記Ｍは、アルカリ金属またはアルカリ土類元素を示す。）。 （もっと読む）

【課題】 より簡便な方法により窒化物半導体単結晶の結晶度を向上させること。
【解決手段】酸化アルミニウム１に酸化ガリウム２を混合する工程と、該混合物を焼成して酸化アルミニウムと酸化ガリウムとの固溶体３を形成する工程と、該固溶体３を加熱溶融して融液４とする工程と、該融液４を徐冷してＡｌ_ｘＧａ_２−ｘＯ_３（０＜ｘ＜２）単結晶５を形成する工程とを含むことを特徴とする、窒化物半導体単結晶のエピタキシャル成長用基板６の製造方法である。 （もっと読む）