【課題】治療剤として有効なＧＳＫ−３インヒビターを発見すること。
【解決手段】本発明は、グリコーゲンシンターゼ（グリコーゲン合成酵素）キナーゼ−３（ＧＳＫ−３）、セリン／スレオニンプロテインキナーゼのインヒビター、およびそれらを生成する方法に関する。本発明はまた、本発明のインヒビターを含有する薬学的組成物およびこれらの組成物を種々の疾患状態（例えば、糖尿病およびアルツハイマー病）の治療および予防で使用する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】リチウム濃度が十分に低く、高い結晶度を持った酸化亜鉛単結晶の簡便な製造方法を提供する。
【解決手段】結晶成長温度の変動幅を５℃以内に抑えるか、あるいは、３００〜３７０℃の範囲内の温度にて、リチウム濃度が１ｐｐｍ（重量基準）以下の溶液を用いて水熱合成法によって酸化亜鉛結晶を成長させることにより、結晶中のリチウム濃度が５×１０14atoms/cm3以下で、（０００２）面反射におけるX線ロッキングカーブ測定による半値幅が５０秒以下である酸化亜鉛単結晶が得られる。 （もっと読む）

【課題】大きな厚みを有し、かつ高品質のＡｌＧａＮバルク結晶を製造するＡｌＧａＮバルク結晶の製造方法を提供する。高品質なＡｌＧａＮ基板を製造するＡｌＧａＮ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ＡｌＧａＮバルク結晶の製造方法は、以下の工程を備えている。まず、Ａｌ_aＧａ_(1-a)Ｎ（０＜ａ≦１）よりなる下地基板が準備される。そして、下地基板上に、主表面を有し、Ａｌ_bＧａ_(1-b)Ｎ（０＜ｂ＜１）よりなるバルク結晶が成長される。下地基板のＡｌの組成比ａは、バルク結晶のＡｌの組成比ｂよりも大きい。ＡｌＧａＮ基板の製造方法は、バルク結晶から１枚以上のＡｌ_bＧａ_(1-b)Ｎよりなる基板を切り出す。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、低い融点を有することから低温での焼結が可能であり、相対密度が高く透明性に優れるとともに種々の熱的特性にも優れる安価な透光性セラミックスを提供することにある。
【解決手段】本発明の透光性セラミックスは、ＺｎとＡｌとを含む酸化物またはＭｇとＺｎとＡｌとを含む酸化物である複合酸化物からなるものであって、該複合酸化物は、単結晶または多結晶体であり、かつスピネル型結晶構造を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来にない平均短径が細いロッド状又はチューブ状の棒状結晶を基板上に立設してなり、表面積を大きくすることができるので、高感度のセンサーとして有用な金属酸化物構造体、及び該金属酸化物構造体を効率よく、低コストで製造することができる金属酸化物構造体の製造方法の提供。
【解決手段】基板と、該基板上に種晶を介して棒状結晶が立設してなり、前記種晶が第１の金属酸化物からなり、前記棒状結晶が第２の金属酸化物からなり、該棒状結晶の平均短径が５０ｎｍ以下であることを特徴とする金属酸化物構造体である。 （もっと読む）

【課題】真空紫外域における透過率が向上したガーネット型単結晶、それを用いた光学部品およびその関連機器を提供すること。
【解決手段】一般式Ａ_３Ｂ_２Ｃ_３Ｏ_１２（陽イオンの占めるサイトが、Ａ、Ｂ、Ｃの３サイトである結晶構造を有し、ＡはＡサイトを占める元素を示し、ＢはＢサイトを占める元素を示し、ＣはＣサイトを占める元素を示し、Ｏは酸素原子を示す。）で表されるガーネット型単結晶であって、前記酸素原子と置換するかまたは酸素欠損を埋めるかのいずれか一方または両方を行う元素としてフッ素を含有している。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、相対密度が高く透明性に優れるとともに種々の熱的特性にも優れ、かつ安価な製造コストを有する透光性セラミックスを提供することにある。
【解決手段】本発明は、ＭｇとＡｌとを含む酸化物、ＺｎとＡｌとを含む酸化物、およびＭｇとＺｎとＡｌとを含む酸化物のいずれかである複合酸化物からなり、該複合酸化物は、単結晶または多結晶体であり、かつスピネル型結晶構造を有することを特徴とする透光性電融スピネルに関する。 （もっと読む）

【課題】結晶内の組成のばらつきの小さいランガサイト系単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ランタンの酸化物、タンタルの酸化物、ガリウムの酸化物、及び、アルミニウムの酸化物を原子比で、La:Ta:Ga:Al=3.0:0.5:5.5-x:x(ただし、0.1≦x≦0.3)の量比で混合した原料を用い、不活性ガス中に酸素を体積基準で1.0%以上3.0%以下の比率で含む混合ガス雰囲気下で、チョクラルスキー法によりLTGA単結晶を育成する。結晶育成時は、ワークコイル５と坩堝３の内径比を調整することにより炉内温度勾配と坩堝内融液対流を制御し、同時に、固液界面形状が平らになるように引上げ速度と種結晶の回転速度を調整する。この後、LTGA単結晶の育成後の冷却時に、不活性ガス雰囲気、又は、不活性ガスと酸素ガスの混合ガス雰囲気で、700℃以上、900℃以下、5時間以上、24時間以下のアニールを行う。 （もっと読む）

【課題】超高密度記録を達成可能な六方晶フェライト磁性粉末および上記六方晶フェライト磁性粉末を用いた高密度記録に適した磁気記録媒体を提供すること。
【解決手段】Ｂ₂Ｏ₃成分を含むガラス形成成分および六方晶フェライト形成成分を含み、かつ上記Ｂ₂Ｏ₃成分をＢ₂Ｏ₃換算で１５〜２７モル％含む原料混合物を溶融し溶融物を得ること、上記溶融物を急冷し、飽和磁化量が０．６Ａ・ｍ²／ｋｇ以下である固化物を得ること、ならびに、上記固化物を６００〜６９０℃の温度域まで加熱し該温度域に保持することにより平均板径が１５〜２５ｎｍの六方晶フェライト磁性粉末を析出させること、を含む六方晶フェライト磁性粉末の製造方法。非磁性支持体上に、上記方法により製造された六方晶フェライト磁性粉末と結合剤とを含む磁性層を有する磁気記録媒体。上記方法を含む磁気記録媒体の製造方法。 （もっと読む）

本発明は人工結晶分野の低温β−ＢａＢ_２Ｏ_４単結晶、その育成方法およびそれによる周波数変換器部品を提供する。溶融塩法を採用し本単結晶が得られる。この単結晶は完全にＢＢＯ潮解性が強い欠点を克服し、ほとんど潮解しない。本単結晶のダブル周波数の効果と光損傷限界値はＢＢＯ結晶に比べかなり改善され、かつ硬度も著しく増加している。この単結晶はショア硬度が１０１．３で、モース硬度が６であることに対し、ＢＢＯはショア硬度が７１．２で、モース硬度が４である。可視光―紫外線光エリアの透過率曲線のテストにより、この単結晶のカットオフ波長が１９０ｎｍで、吸収開始波長が２０５ｎｍである。これらはＢＢＯの性能より優れていて、ＢＢＳＡＧがレーザー非線形光学分野、紫外線、深紫外線周波数変換器部品などにおいて将来性がある。 （もっと読む）

【課題】高い熱伝導率を有するＧａＮ、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）、又はＩｎｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）等の化合物半導体基板及び化合物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体基板は、一の同位体と、他の同位体とを含む元素を有し、一の同位体又は他の同位体は、天然存在比より高い混入比で元素中に存在する化合物半導体基板。化合物半導体として、例えば窒化ガリウムを製造方法する場合は、一の同位体として質量数６９のＧａと、他の同位体として質量数７１のＧａを準備する金属元素準備工程Ｓ１００と、前記金属元素を融解する融解工程Ｓ１１０と、融解した前記金属元素を遠心分離し、前記一の同位体又は前記他の同位体のいずれかの混入比を天然存在比より高くした精製原料を取得する精製工程Ｓ１２０と、前記精製原料を用いて化合物半導体基板を形成する基板形成工程Ｓ１４０とを備える。 （もっと読む）

【課題】 創薬において重要であるインフルエンザ菌（Ｈａｅｍｏｐｈｉｌｕｓ ｉｎｆｌｕｅｎｚａｅ）ペニシリン結合タンパク質（ＰＢＰ）３トランスペプチダーゼドメインの結晶、及び、立体構造情報を提供することを目的とする。
【解決手段】 インフルエンザ菌（Ｈａｅｍｏｐｈｉｌｕｓ ｉｎｆｌｕｅｎｚａｅ）ペニシリン結合タンパク質（ＰＢＰ）３のトランスペプチダーゼドメインを調製し、高品質の結晶、及び、その製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＵＶ／ＶＵＶ（紫外・真空紫外）領域においてＳＨＧ（第２高調波発生）を得ることができ、しかも、ＵＶ／ＶＵＶ領域の波長のレーザーに対して高い耐久性を有する強誘電体フッ化物結晶を提供する。
【解決手段】Ｂａ１−ｙ（Ｍｇ１−ｘＺｎｘ）１＋ｙＦ４（但し、０≦ｘ≦１且つ−０．２≦ｙ≦０．２）で表されるフッ化物の結晶において、結晶中に含まれるカリウム、ナトリウム、ルテチウムの総量を、重量濃度で３０ｐｐｍ以下とすることにより、エネルギー密度５〜１００（ｍＪ／ｃｍ２・Ｐｕｌｓｅ）のＡｒＦエキシマレーザーを１０４パルス以上照射したときの、波長１９３ｎｍの光に対する透過率低下が厚さ５ｍｍあたり１０％以下である強誘電体フッ化物結晶がえられる。 （もっと読む）

【課題】 ＵＶ／ＶＵＶ領域の波長のレーザーに対する強誘電体フッ化物結晶のレーザー耐久性を簡便に評価する評価方法、及び、このレーザー耐久性評価方法による強誘電体フッ化物結晶の選別方法を提供すること
【解決手段】 本発明の評価方法では、強誘電体フッ化物結晶からなる測定結晶に、波長νのエネルギー線を照射して、このエネルギー線が前記測定結晶を透過する初期透過率Ｔ１を測定し、測定結晶に、エネルギー密度５〜１００（ｍＪ／ｃｍ^２・パルス）のＡｒＦエキシマレーザー又はＫｒＦエキシマレーザーを１０^４パルス以上照射し、測定結晶に、上記波長νのエネルギー線を照射して、このエネルギー線が前記測定結晶を透過するレーザー照射後透過率Ｔ２を測定し、これらのＴ１及びＴ２を用いて、下記計算式（１）；
透過率の減少率（％）＝（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ１×１００ ・・・（１）
により測定結晶の透過率の減少率（％）を算出する。そして、この透過率の減少率の値により測定結晶のレーザー耐久性を評価する。 （もっと読む）

【課題】単結晶成長方向におけるチタン酸鉛の組成変動が抑制されたPb(Mg，Nb)O3の組成式をもつリラクサーと、PbTiO3の組成をもつチタン酸鉛とからなる全率固溶型圧電単結晶インゴット及びその製造方法、並びに、該全率固溶型圧電単結晶インゴットから作製される均一な圧電特性を有し、低コストで製造可能な圧電単結晶素子を提供する。
【解決手段】Pb(Mg，Nb)O3の組成式をもつリラクサーと、PbTiO3の組成をもつチタン酸鉛とからなる全率固溶型圧電単結晶インゴット１の製造において、前記リラクサーに対する前記チタン酸鉛の偏析係数を考慮して、前記チタン酸鉛の組成分率が、単結晶成長方向Ａに単調変化することなく、かつ前記組成分率の変動が30mm以上の長さＬにわたって±2.0mol％以下となるように、前記リラクサー原料を、育成ルツボ中に連続的に供給する。 （もっと読む）

【課題】高価な窒素ドーパント用原料の使用量を十分に低減して原料調達コストの抑制を実現でき、生産効率を向上させることが可能なチョクラルスキー法（ＣＺ法）による窒素ドープシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】窒素ドープシリコン単結晶４を引き上げた後、ルツボ１内に残存する残存融液３ａにシリコン原料８を供給して溶融し、この融液３から窒素ドープシリコン単結晶４を引き上げる。シリコン単結晶の育成の際、直前のシリコン単結晶の引き上げ終了時の固化率に基づいて、前記残存融液に供給するシリコン原料の量を設定し、シリコン単結晶中の窒素濃度を調整する。 （もっと読む）

【課題】半導体用のシリコン原料が不足する事態に対応できるシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶４を引き上げた後、ルツボ１内に残存する融液３ａのシリコン凝固物３ｂを得る。このシリコン凝固物３ｂをシリコン原料８の一部に代えてルツボ１内に仕込み、これらを溶融させた融液３からシリコン単結晶４を引き上げる。シリコン凝固物３ｂの配合率は、シリコン凝固物３ｂを得るための単結晶育成における引き上げ終了時点での固化率に基づいて算出する。 （もっと読む）

【解決課題】光触媒活性の高い酸化チタンを提供すること。光触媒活性を高くするために、酸化チタンの結晶構造及び結晶形態の制御が可能な酸化チタン粒子の製造方法を提供すること。
【解決手段】アルカリ金属のハロゲン化物を含有するチタン塩水溶液を、水熱処理し、酸化チタン粒子を生成させることを特徴とする酸化チタン粒子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ストロンチウムドープマンガン酸ランタン微粒子、その製造方法及び用途を提供する。
【解決手段】ストロンチウム、ランタン及びマンガン化合物の混合水溶液をアルカリ水溶液でｐＨ６程度に調製し、亜臨界ないし超臨界状態の水を媒体として、３８０〜４５０℃で水熱反応させて、一次粒子径が５０ｎｍ以下であり、結晶化度が高いストロンチウムドープマンガン酸ランタン微粒子を製造する。
【効果】固体酸化物燃料電池等で使用される電極材料等として利用可能な、高温処理を必要としない、高結晶性で、かつ粒子径が５０ｎｍ以下のストロンチウムドープマンガン酸ランタン微粒子、その製造方法及びその応用製品を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】回転引き上げ法によって容易に歩留り良く製造することができ、光特性や結晶性に優れたテルビウムを含有する常磁性ガーネット結晶とその製造方法を提供する。
【解決手段】常磁性ガーネット結晶であって、該常磁性ガーネット結晶は、組成式Ｔｂ_３（Ｇａ_２−ｘＭ_ｘ）（Ｇａ_３−ｙＮ_ｙ）Ｏ_１２で表され、該組成式において、ＭはＭｇ^２＋、Ｚｎ^２＋の少なくとも１種類以上、ＮはＧｅ^４＋、Ｔｉ^４＋、Ｓｉ^４＋の少なくとも１種類以上であり、式量ｘ、ｙが０＜ｘ≦ｙ＜２の関係を満たすものであることを特徴とする常磁性ガーネット結晶。 （もっと読む）