【課題】大型化が可能で、広範な波長域で大きなベルデ定数を有し且つ高い透過率を有するフッ化物単結晶及びそれを備えた光アイソレータを提供すること。
【解決手段】
下記組成式：
Ｌ_１−ｘＭ_ｘＦ_{３−ｘ＋ｙ}
（上記式中、ＬはＴｂを含む希土類元素を表す。Ｍは、Ｃａ及びＳｒからなる群より選ばれる少なくとも１種を含むＩＩ族元素を表す。ｘは０より大きく１未満である。ｙは−０．２〜０．２である。）
で表されることを特徴とするフッ化物単結晶。 （もっと読む）

【課題】波長１．０６μｍ域（０．９〜１．１μｍ）でのベルデ定数が大きく、かつ、高い透明性を有する、酸化テルビウムを含む酸化物を主成分として含有する磁気光学材料を提供すること、及び、加工機用ファイバーレーザに好適に使用される小型化した光アイソレータを提供すること。
【解決手段】下記式（Ｉ）で表される酸化物を９９％以上含有することを特徴とする磁気光学材料。
（Ｔｂ_xＲ_1-x）₂Ｏ₃ （Ｉ）
（式（Ｉ）中、ｘは、０．４≦ｘ≦１．０であり、Ｒは、スカンジウム、イットリウム、テルビウム以外のランタノイド元素群よりなる集合から選択された少なくとも１つの元素を含む。） （もっと読む）

【課題】白金製の坩堝を使用しながら鉛を含有せず、品質劣化も無く量産性に富み、且つ0.10dB以下の挿入損失を可能とするガーネット単結晶を提供する。
【解決手段】R_3-xBi_xFe_5-wA_wO₁₂（但し、前記Rは一種又は二種以上の希土類元素でGdを必ず含み、前記AはGa,Al,In等からなる一種又は二種以上の元素であり、前記xは0.7<x≦1.5、前記wは0<w≦1.5）で表される組成を有するBi置換希土類鉄ガーネット単結晶にPbを含有させず且つPtを含有させ、更に、Mn又は第2族元素の少なくとも1つの元素を含有し、Mn又は第2族元素の少なくとも１つの元素をM、Bi置換希土類鉄ガーネット単結晶中の、M濃度（atppm）を[M]、Pt濃度（atppm）を[Pt]と表し、[M]と[Pt]との関係式Δを


と表したときにΔを-0.34atppm以上2.87atppm以下に設定する。 （もっと読む）

【課題】高出力レーザー装置の光アイソレータ用ファラデー回転子に使用されるＢｉ含有量が多いビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜（ＲＩＧ）の製造方法を提供する。
【解決手段】液相エピタキシャル成長法により非磁性ガーネット基板上にＲＩＧを育成させる方法で、育成温度におけるＲＩＧと基板との格子定数差Δａｇを０．０２０５Å以下とし、室温でのＲＩＧと基板との格子定数差Δａｒを０．００３Å以下とし、育成中における格子定数差（Δａｇ−Δａｒ）とＲＩＧに転位が発生する格子定数差Δａｄとの関係が数式（１）を満たすように調整し、かつ育成温度ＴｇをＲＩＧ育成に用いる原料融液中のＰｂＯとＢｉ_２Ｏ_３からなる混合酸化物の融点Ｔｍより９５℃以上高く設定することを特徴とする。（Δａｇ−Δａｒ）＜ Δａｄ＝−０．０１５６ｂ＋０．０４１５ （１）
［数式中、ｂはＲＩＧの単位格子中におけるＢｉ量を示す］ （もっと読む）

【課題】光学的用途に適した、改良されたスピネル材料ならびにそれらの改良された製造方法を提供する。
【解決手段】融液法により形成される単結晶スピネルブールであり、そのブールは非化学量論的な組成を有し、約２０％以上の収率で表される、減少した機械的応力もしくはひずみを有し、ここで収率は式Ｗi/（Ｗi＋Ｗf）×１００％であり、Ｗi＝ブールから加工処理された無傷ウェハの数、そしてＷf＝ブールにおける機械的内部応力もしくはひずみによる、ブールからの破壊されたウェハの数である、単結晶スピネルブール。前記単結晶スピネル非化学量論的組成を有し、波長範囲にわたって吸光率により表される透明性窓を有し、その波長範囲は通常、約４００ｎｍ〜約８００ｎｍに延び、透明性窓は波長範囲に沿って最大単一吸光率ピーク高さとして定義され、最大単一吸光率ピーク高さは０．３５cm−１以下である （もっと読む）

【課題】ＴＧＧ単結晶よりもベルデ定数が大きな磁気光学素子用の結晶体及び、等軸晶系以外の結晶体を磁気光学素子に適用する方法を提供する。
【解決手段】磁気光学素子用の複合酸化物であってその化学組成がＭＶＯ_４（ＭはＳｃ、Ｙ、ランタノイドから選択した１種類以上の元素）である単結晶であって、フローティングゾーン法（ＦＺ法）等の融液からの結晶成長法によって単結晶化される。更に、当該単結晶を用いることにより、磁気光学素子の構成を単結晶の結晶方位のｃ軸をレーザの伝搬方向と一致させたレーザ用の磁気光学デバイスが得られる。 （もっと読む）

【課題】約３００〜６００℃の中温で高い性能指数が期待できる熱電変換材料や光センサ、光学素子などとして有効利用できる安価なＧａあるいはＳｎでドーピングされたバルク状マンガンシリサイド単結晶体あるいは多結晶体の提供および短時間でしかも安全に容易に製造できる製造方法の提供。
【解決手段】下式（１）あるいは下式（２）で表されることを特徴とするＧａあるいはＳｎでドーピングされたバルク状マンガンシリサイド単結晶体あるいは多結晶体により課題を解決できる。
Ｍｎ11Ｓｉ19-xＧａx 式（１）
［式（１）において、ｘは０を超え０．１以下である。］
Ｍｎ4 Ｓｉ7-y Ｓｎy 式（２）
［式（２）において、ｙは０を超え０．１以下である。］
2 Ｓｉ多結晶体により課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】金属有機化合物の熱分解による超電導膜の熱処理形成において、低コストで大きい膜厚と配向性を得るための製造方法を提供する。
【解決手段】０．６〜数μｍ程度の膜厚の超電導膜材料の製造において、塗布熱分解法における仮焼成工程の前に、ＫｒＣｌ紫外エキシマランプ光を１５ｍＷ／ｃｍ^２以上の照度で照射することにより、仮焼成工程で得られる仮焼成膜の元素分布の均一性が著しく向上し、その後の本焼成工程を経て、大きい膜厚と配向性をもつ超電導膜が製造できる。 （もっと読む）

【課題】良好なサーモクロミック特性を有する二酸化バナジウム（ＶＯ_２）の単結晶微粒子、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】サーモクロミック特性を有する二酸化バナジウム（ＶＯ_２）の単結晶微粒子の製造方法であって、バナジウム（Ｖ）を含む物質Ａと、ヒドラジン（Ｎ_２Ｈ_４）またはその水和物（Ｎ_２Ｈ_４・ｎＨ_２Ｏ）と、水とを含み、二酸化チタン（ＴｉＯ_２）の粒子を実質的に含まない溶液を水熱反応させることにより単結晶微粒子を得ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＭｎＳｉ相の含有量が少ないＭｎＳｉ_x粉末及びその製造方法、並びに、ＭｎＳｉ_x粉末製造用ＣａＳｉ_y粉末及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】ＭｎＳｉ_2-z相を主成分とし、ＭｎＳｉ相の含有量が７％以下、Ｓｉ／Ｍｎ比（ｘ）が１．５≦ｘ＜２．０、一次粒子のアスペクト比が５以下、比表面積が２．５ｍ²／ｇ以上であるＭｎＳｉ_x粉末。ＣａＳｉ₂相を主成分とし、ＣａＳｉ相の含有量が１０％以下、Ｓｉ／Ｃａ比（ｙ）が１．５≦ｙ≦２．０であるＭｎＳｉ_x粉末製造用ＣａＳｉ_y粉末。Ｃａ源とＳｉ源とを、Ｓｉ／Ｃａ比（モル比）が１．５〜２．０となるように配合し、原料を溶解させ、溶湯を凝固させるＭｎＳｉ_x粉末製造用ＣａＳｉ_y粉末の製造方法。ＭｎＳｉ_x粉末製造用ＣａＳｉ_y粉末と塩化Ｍｎとを、Ｍｎ／Ｃａ比（モル比）が１以上となるように混合し、混合物を加熱し、反応物を溶媒で洗浄するＭｎＳｉ_x粉末の製造方法。 （もっと読む）

【課題】透過率が高く、高濃度に３価のＴｂイオンを含む磁気光学素子用酸化テルビウム結晶を提供する。
【解決手段】組成式（Ｔｂ_１−ａＭ_ａ）_２Ｏ_３（式中、ＭはＥｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｓｃ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｈｆから選択される一種以上の元素、０．０１≦ａ＜０．３）で示される結晶系が立方晶系の結晶体であって、１．０６μｍと５３２ｎｍにおける３ｍｍ長さあたりの直線透過率がいずれも７０％以上であることを特徴とする、磁気光学素子用透光性酸化テルビウム結晶であり、製法としては、水冷した容器１の中に結晶育成用の原料２を充填し、原料の中央部を高温に加熱融解するが、水冷容器に接する原料２の外側部分の外皮２ａは溶融せず、スカル状に焼結緻密化して坩堝として作用させ、原料２を充分溶融してから高周波パワーを減らし、容器１を下げて底から冷却して結晶化させるスカルメルト法が好適であるが、フローティングゾーン法を採用することもできる。 （もっと読む）

【課題】広い範囲で制御された組成比を有し、結晶性が優れる化合物半導体の膜を用いた半導体素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板上にｎ型半導体およびｐ型半導体を含むように積層して構成された半導体素子の製造方法であって、異なるＩＩＩ族元素による少なくとも２つのターゲット（第１ターゲット２１および第２ターゲット２２）を、Ｖ族元素を含むガスによりスパッタリングして、基板１１０上にＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体の膜を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低コストで実用化することが可能な人工コランダム結晶の製造方法を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】本発明は、原料およびモリブデン化合物を含有するフラックスを含有する試料を加熱し、フラックスの蒸発を駆動力として結晶を析出および成長させるフラックス蒸発法により、六角両錐形を基本形状とする人工コランダム結晶を製造することを特徴とする人工コランダム結晶の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】有害性が大きいとされる鉛を実質的に含有せず、結晶特性に優れ、かつ、ルツボの損傷をさせることなく育成できるビスマス置換希土類鉄ガーネット結晶を提供する。
【解決手段】ビスマス置換希土類鉄ガーネット結晶であって、該ビスマス置換希土類鉄ガーネット結晶は、組成式
Ｂｉ_３−ｘＲ_ｘＦｅ_{５−ｙ−ｚ}Ｍ１_ｙＭ２_ｚＯ_１２
（Ｒ：ランタノイド金属（Ｅｕを除く）及びＹのうちから選択される一種または二種以上の元素、
Ｍ１:Ｇａ、Ａｌ、Ｓｃ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｚｒから選択される一種または二種以上の元素、
Ｍ２：Ｖ、Ｎｂから選択される一種または二種の元素、
０．５＜ｘ＜２．５、０≦ｙ＜２．０、０＜ｚ≦０．０５）
で表されるものに、さらに２価の陽イオンとなる元素を含むものであることを特徴とするビスマス置換希土類鉄ガーネット結晶。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ基板の昇華による品質低下を抑制することが可能なＡｌＮ単結晶の製造方法、および当該製造方法を用いて形成したＡｌＮ単結晶基板を提供する。
【解決手段】本発明に係るＡｌＮ単結晶（窒化物単結晶膜１）の製造方法は、ＳｉＣ基板（下地基板９）を準備する工程と、ＳｉＣの粉末とＡｌＮの粉末とを混合した（ＳｉＣ）_１−ｘ（ＡｌＮ）_ｘの粉末（原料混合粉末５）を準備する工程と、上記原料混合粉末５を用いて上記下地基板９の一方の主表面上に窒化物単結晶膜１を形成する工程とを備える。なお、ＡｌＮ単結晶（窒化物単結晶膜１）にはＳｉＣを含んでいてもよい。 （もっと読む）

【課題】円筒形高圧ベッセルを使用してＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる方法を提供すること。
【解決手段】円筒形高圧ベッセルを使用してＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる方法であって、結晶化領域内にＩＩＩ族窒化物シード結晶を装填し、強化剤領域内にＩＩＩ族含有供給源を装填するステップと、アルカリ金属含有鉱化剤が酸素または水分に最小に曝露される態様で、高圧ベッセル内に鉱化剤を装填するステップと、高圧ベッセルを密封するステップと、高圧ベッセルを１×１０^−５ミリバールより低い圧力までポンプするステップと、高圧ベッセルをアンモニアで充填するステップと、結晶化領域の温度を５００℃より上で傾斜をつけるステップと、に記載された温度条件を、結晶を成長させるのに十分長い間、維持するステップと、アンモニアを放出して結晶成長を停止させるステップと、高圧ベッセルを密封解除するステップとを含む、方法。 （もっと読む）

【課題】長時間の成長でも原料の昇華速度が長時間に亘り安定しており、安定した品質の窒化アルミニウム単結晶を製造することのできる窒化アルミニウム単結晶用原料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】昇華法によって形成される窒化アルミニウム単結晶２４用の原料２２であって、窒化アルミニウム粉末と有機バインダとを含んでなる組成物を、圧粉成型後、加熱して有機バインダを除去し、さらに焼成して粉末粒子同士の合一化を行って得られる。 （もっと読む）

【課題】多結晶化を抑制してＩＩＩ−Ｖ族化合物結晶を製造する、ＩＩＩ−Ｖ族化合物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族化合物結晶の製造方法は、以下の工程を備えている。るつぼ６内に、原料９、１０と封止剤１２とドーパント１１とを配置する。原料９、１０を溶融して融液を生成し、融液を固化させることにより、ＩＩＩ−Ｖ族化合物結晶を成長させる。配置する工程では、封止剤１２の軟化点よりも融点の低い元素を含み、かつ封止剤１２の軟化点よりも高い融点を有する化合物をドーパント１１として配置する。 （もっと読む）

【課題】圧電素子において、発信能および受信能が共に優れ、圧電アクチュエータ、センサ、更に、超音波センサ、発電素子として好適なものとする。
【解決手段】圧電素子１は、圧電性を有する圧電体１３と、圧電体１３に対して所定方向に電界を印加する１対の電極１２、１４とを備え、圧電体１３の圧電歪定数ｄ_３３（ｐｍ／Ｖ）と比誘電率ε_３３とが下記式（１）及び（２）を満足するものである。
１００＜ε_３３＜１５００ ・・・（１）、
ｄ_３３（ｐｍ／Ｖ）＞１２√ε_３３ ・・・（２） （もっと読む）

【課題】 特に、室温よりも高い温度、具体的には、擬立方晶と正方晶との間の変態温度
Ｔ_rtとするとき、Ｔ_rt〜（Ｔ_rt−20）℃の特定の高温域（例えば50〜70℃程度）で、圧電
特性に優れた圧電単結晶素子を提供する。
【解決手段】 ［Pb(Mg, Nb)O₃］_(1-X)・［PbTiO₃］_(X)：(Ｘ＝0.26〜0.29)の組成をもち
、かつ複合ペロブスカイト構造を有する単結晶からなり、25℃における比誘電率の値が50
00以上であり、前記単結晶の擬立方晶と正方晶との間の変態温度における比誘電率の値が
、25℃における比誘電率の値の2.5倍以上であることを特徴とする。 （もっと読む）