単結晶炭化ケイ素ナノワイヤー、及びその製造方法を提供する。本発明による単結晶炭化ケイ素ナノワイヤーは、アスペクト比が非常に大きく、各種表示装置及び分析装置に使われる電子銃用エミッターまたはＭＥＭＳのプローブチップのようなナノ電子デバイスに適用可能である。さらに、前記ナノワイヤーを備えるフィルターを提供する。本発明によるフィルターは、自動車エンジン排ガスフィルターなどに容易に適用し、フィルター能及び寿命を増加させる。
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【課題】常圧付近の比較的低い圧力で、良質の第１３族金属窒化物結晶を工業的に安価に製造する。
【解決手段】周期表第１３族の金属元素を含む融液中に、周期表第１３族の金属元素と周期表第１３族以外の金属元素との複合窒化物を含む原料、及びシードを配置し、少なくとも融液の一部を強制的に流動させることによりシードの表面に第１３族金属窒化物結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】 電気機械結合係数が大きく、フィルター、ジャイロ等の波動デバイス用途の小型化、高圧電応答性を可能にする圧電単結晶組成物を提供すること。
【解決手段】 ランガサイト型構造を有し化学式（Ｂａ_aＳｒ_bＣａ_c）₃（Ｎｂ_dＴａ_eＷ_f）Ｇａ_5-x（Ｇｅ_1-gＳｉ_g）_xＯ₁₄で表され、ａ＋ｂ＋ｃ＝１、０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１、０≦ｃ≦１、ｄ＋ｅ＋ｆ＝１、０≦ｄ≦１、０≦ｅ≦１、０≦ｆ≦１、０≦ｇ≦１、０≦ｘ≦５の範囲内の単結晶から成る圧電単結晶組成物を可能にする。 （もっと読む）

結晶塩酸デュロキセチン、結晶塩酸デュロキセチンを含有する組成物、およびそれらの製造方法。
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結晶塩酸デュロキセチン、結晶塩酸デュロキセチンを含有する組成物、およびそれらの製造方法。
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結晶塩酸デュロキセチン、結晶塩酸デュロキセチンを含有する組成物、およびそれらの製造方法。 （もっと読む）

【課題】鉛を含まない新規な強誘電体または圧電定数の大きい新規な圧電体を提供する。
【解決手段】圧電体は一般式がＢａ_１−ｘＫ_ｘＴｉＯ_３−ｘＦ_ｘ（ただし、０＜ｘ＜０．１３）として表される組成を有する強誘電体結晶である。この結晶は、Ｂａに対するＴｉのモル比が大きくなるように原料を配合する原料配合工程と、ＫＦを融剤としたフラックス法によりＢａＴｉＯ_３結晶を成長させようとする結晶成長工程と、を経ることにより得ることができる。その圧電定数ｄ_３３は室温で３００ｐＣ／Ｎであり、比誘電率ε’は１２０００である。 （もっと読む）

【課題】大面積の基板上に結晶性に優れたオキシカルコゲナイド系半導体単結晶薄膜を製膜することができるオキシカルコゲナイド系半導体単結晶薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に非単結晶ＡＭＯＸ系薄膜（Ａはランタノイド元素およびＹからなる群より選ばれた少なくとも１種類の元素、ＭはＣｕおよびＣｄからなる群より選ばれた少なくとも１種類の元素、ＸはＳ、ＳｅおよびＴｅからなる群より選ばれた少なくとも１種類の元素）１２を製膜し、その表面の少なくとも一部をＡ、ＭおよびＸからなる群より選ばれた少なくとも１種類の元素を含む材料からなる粉末で覆い、この粉末に圧力を加えて圧粉体１７とした後、真空または不活性ガス雰囲気中でアニールすることによりこの非単結晶ＡＭＯＸ系薄膜１２を結晶化して単結晶ＡＭＯＸ系薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】緻密性に優れ、高配向な結晶配向セラミックスの製造方法を提供すること。
【解決手段】準備工程、混合工程、成形工程、及び焼成工程を行うことにより、等方性ペロブスカイト型化合物を主相とする多結晶体からなり、その結晶粒の特定の結晶面Ａが配向する結晶配向セラミックスを製造する方法である。準備工程においては、異方形状の第１配向粒子からなる第１異方形状粉末２と、その１／３以下の粒径を有する微細粉末３として、焼成温度よりも高い融点の第１微細粉末３１と焼成温度よりも低い融点の第２微細粉末３２とを準備する。混合工程においては、微細粉末３と第１異方形状粉末２とを混合する。成形工程においては、原料混合物を成形して成形体を作製する。焼成工程においては、成形体を加熱し、等方性ペロブスカイト型化合物を主相とする多結晶体からなる結晶配向セラミックスを作製する。 （もっと読む）

【課題】結晶性に優れた窒化アルミニウム単結晶を製造する。
【解決手段】単結晶製造装置１において、種結晶１０は、長さ方向がｃ軸配向した棒状の窒化アルミニウム単結晶からなり、窒化アルミニウム原料８が結晶成長する側部の露出面は｛０００１｝面に対し９０°の傾きを有する。 （もっと読む）

【課題】イエローグリーンからブルーサファイアの発色を示したサファイア単結晶を得る。
【解決手段】母体Ａｌ_２Ｏ_３に酸化物換算で酸化鉄と酸化チタン及び酸化ニッケルを各々０．５ｗｔ％〜５．０ｗｔ％,０．０４ｗｔ％〜３．０ｗｔ％,０．５ｗｔ％〜５．０ｗｔ％含有し、上記鉄、チタン、ニッケルの一部がイオン化して固溶していることを特徴とするサファイア単結晶とする。 （もっと読む）

【課題】結晶性及び導電性が共に優れた酸化ガリウム単結晶及びその製造方法、並びに窒化物半導体をエピタキシャル成長させるのに好適な窒化物半導体用基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化ガリウム粉末にＳｎ、Ｇｅ、Ｓｉ又はこれらの酸化物から選ばれた１種以上からなる添加物を添加した粉末材料を圧縮成形し、これを１４００〜１６００℃で焼結して酸化ガリウム焼結体を得て、この酸化ガリウム焼結体を原料棒としてＦＺ法により酸素と不活性ガスとの混合ガス雰囲気下で、成長速度ｖを５mm/h＜ｖ＜１５mm/hとして酸化ガリウム単結晶を育成させる。また、この単結晶の表面を窒化処理して窒化物半導体用基板を得る。 （もっと読む）

【課題】窒化物薄膜成長用基板として利用可能な亜粒界のない良質なTiC単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】式Ti_1-xZr_xC（ただし、0.05≦x≦0.35）で示される、炭化チタンTiCに、５モル％から３５モル％の炭化ジルコニウムZrCを固溶させた炭化物単結晶。この炭化物単結晶は、例えば、TiC粉末にZrC粉末を混合した圧粉体等を焼結した焼結棒を原料棒として浮遊帯域溶融法により単結晶を成長させることにより製造することができる。 （もっと読む）

【課題】磁性体と半導体の両方の性質を備えるイルメナイト・ヘマタイト固溶体秩序相薄膜の伝導性を制御する。
【解決手段】本発明に係る強磁性酸化物半導体薄膜は、パルスレーザー堆積法によって単結晶基板上にｃ軸配向して成長されたイルメナイト・ヘマタイト固溶体秩序相薄膜であって、組成式が、
｛ｘＦｅＴｉＯ_３・（１−ｘ）Ｆｅ_２Ｏ_３｝（但し、ｘは全体に対するイルメナイトＦｅＴｉＯ_３の構成比を表し、０〜１の間の値をとる。）で表されることを特徴とする。
本発明に係る強磁性酸化物半導体薄膜は、所望の伝導性を有し、かつｃ軸配向したイルメナイト・ヘマタイト固溶体秩序相薄膜からなる。本発明に係る方法により製造された薄膜はｃ軸方向に高配向しており、単結晶と同程度の品質を具備している。 （もっと読む）

【課題】粒子径が２０ｎｍ以下の無機微粒子からなる高屈折率材料を提供する。
【解決手段】下記一般式；
（１−ｘ）ＴｉＯ_２・ｘＭＴｉＯ_３
（式中、ＭはＣａ、Ｓｒ、Ｂａから選ばれる原子を表し、ｘは０．１〜０．９の数である）で表されることを特徴とする酸化チタン・チタン酸アルカリ土類複合微粒子、及びアルカリ土類金属イオンとチタニアゾルとを、超臨界又は亜臨界状態の水中にて水熱反応させることからなる、一次粒子径が２０ｎｍ以下であり、酸化チタンの光触媒活性を抑制した、高結晶性酸化チタン・チタン酸アルカリ土類複合微粒子の製造方法。
【効果】光学用ポリマーとの複合化によりポリマーの透明性を低下させることなく高屈折率光学材料を製造し、提供することができる。 （もっと読む）

【課題】クラックが発生することなく均一な組成を有するＬＴＧＡ（Ｌａ−Ｔａ−Ｇａ−Ａｌ酸化物）単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】坩堝３の内部にＬＴＧＡ種結晶５を充填すると共に、ＬＴＧＡ種結晶５上にＬＴＧＡ原料６を積み重ねて充填する充填工程と、坩堝３の垂直方向に温度勾配を有する炉の内部に坩堝３を配置し、ＬＴＧＡ原料６を融解して融液を形成する融解工程と、融液を下方から上方に向けて漸次固化させてＬＴＧＡ単結晶を育成する育成工程とを備え、ＬＴＧＡ原料６は、ＬＴＧＡ種結晶５から最も離間した部分のランタン及びタンタルの含有量が、それぞれＬＴＧＡ種結晶５と接する部分と比較して高い。 （もっと読む）

【課題】Ｐｂの含有量を削減した磁性ガーネット単結晶及びそれを用いた光学素子を提供する。
【解決手段】化学式Ｂｉ_αＭ１_３−αＦｅ_{５−β−γ}Ｍ２_βＭ３_γＯ_１２（Ｍ１はＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選択される少なくとも１種類の元素、Ｍ２はＳｉ、Ｍ３はＺｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｇから選択される少なくとも１種類の元素であり、０．５＜α≦２．０、０＜β、０＜γ）で示される磁性ガーネット単結晶。 （もっと読む）

【課題】本発明は、磁性ガーネット単結晶及びその製造方法並びにそれを用いた光学素子に関し、Ｐｂの含有量を削減した磁性ガーネット単結晶及びその製造方法並びにそれを用いた光学素子を提供することを目的とする。
【解決手段】化学式Ｂｉ_αＮａ_βＭ１_{３−α−β}Ｆｅ_5-γＭ２_γＯ_１２（Ｍ１はＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選択される少なくとも１種類以上の元素、Ｍ２はＳｉ、Ｇｅ、Ｔｉから選択される少なくとも１種類以上の元素であり、０．５＜α≦２．０、０＜β≦０．８、０．２≦３−α−β＜２．５、０＜γ≦１．６）で示される磁性ガーネット単結晶である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、磁性ガーネット単結晶及びそれを用いた光学素子に関し、Ｐｂの含有量を削減した磁性ガーネット単結晶及びそれを用いた光学素子を提供することを目的とする。
【解決手段】化学式Ｂｉ_αＮａ_βＭ１_{３−α−β}Ｆｅ_{５−γ−δ−ε}Ｍ２_γＭ３_δＭ４_εＯ_１２（Ｍ１はＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選択される少なくとも１種類以上の元素、Ｍ２はＳｎ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｈｆ、Ｚｒから選択される少なくとも１種類以上の元素、Ｍ３はＶ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｔａから選択される少なくとも１種類以上の元素、Ｍ４はＷ、Ｍｏから選択される少なくとも１種類以上の元素であり、０．５≦α≦２．０、０＜β≦２．４、０＜３−α−β＜２．５、０＜γ＋δ＋ε≦１．６）で示される磁性ガーネット単結晶である。 （もっと読む）

【課題】単位体積当たりの表面積が大きく、キャパシタ用電極として用いることによって、その電極効率を向上させることができるウィスカー形成体と、このようなウィスカー形成体の製造方法、さらには当該ウィスカー形成体を用いた電気化学キャパシタを提供する。
【解決手段】マンガンを含む金属及び／又はセラミックス、すなわち金属、セラミックス、又はこれらの複合体であるサーメットを原料基体とし、又は表面上にマンガン含有層を形成させたものを原料基体とし、この表面に二酸化マンガンを主成分とする導電性ウィスカーを形成させてウィスカー形成体とし、これを電気化学キャパシタの電極として用いる。 （もっと読む）