【課題】 電気機械結合係数が大きく、さらに音速が小さい圧電単結晶材料を提供すること。
【解決手段】 圧電単結晶材料は、ニオブ酸カリウムリチウムに対し、構成元素であるカリウム、リチウムをナトリウムで置換した化学式（Ｋ_３Ｌｉ_２）_１−ＸＮａ_ＸＮｂ_５Ｏ_１５ （但し、０＜Ｘ≦０．２０）で示される組成を有する。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁場制御におけるファラデー回転角の急峻な変化を抑止できる光アッテネータ用磁性ガーネットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 一般式（Ｒ，Ｂｉ）₃（Ｆｅ，Ｍ）₅Ｏ₁₂（但し、ＲはＧｄ，Ｙｂの少なくとも１種、ＭはＡｌ，Ｇａの少なくとも１種）で表される組成を有し、Ｎｄ₃Ｇａ₅Ｏ₁₂単結晶上に液相エピタキシャル成長法により育成する厚膜単結晶の光アッテネータ用磁性ガーネットの製造方法であり、成長誘導磁気異方性に対して残留比率を１５〜３０％とする工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 ０．５ｍｍ以上のシリカ多孔体結晶を再現性よく、効率的に合成する方法を提供する。
【解決手段】 水熱反応によりシリカ多孔体結晶を合成する方法において、水熱合成容器内の一部に珪素の高濃度領域を形成し、シリカ多孔体結晶の骨格構成元素の一部または全部の供給源として、珪素および酸素を含む化合物からなり、表面平滑化処理したバルク体を、少なくともその一部が前記珪素の高濃度域内にあるように存在させて水熱反応を行うことを特徴とするシリカ多孔体結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 電気機械結合係数が大きく、かつ音速が小さいニオブ酸カリウムリチウム圧電単結晶を提供することである。
【解決手段】 酸化カリウムの含有量を、２６モル％〜３４モル％、酸化リチウムの含有量を１９モル％〜２７モル％、酸化ニオブの含有量を４５モル％〜５３モル％に、主成分の組成を設定したニオブ酸カリウムリチウム圧電単結晶における、酸化ニオブの５モル％以下（０を含まない）を、酸化タングステンで置換する。また、単結晶の育成には、融液からの引き上げ法または引き下げ法を用いる。 （もっと読む）

【課題】 ｎ型ＡｌＮ結晶、ＡｌＧａＮ固溶体の生産において生産性やキャリア濃度が十分でないという問題があった。本発明はこのような問題点を解決し、半導体素子として利用するのに必要な、低抵抗のｎ型ＡｌＧａＮ固溶体を得る。
【解決手段】 ＡｌＮ結晶のＡｌ原子の一部、またはＡｌＧａＮ固溶体のＡｌまたは／およびＧａ原子をIIａ族元素で、隣接するＮ原子のうち２原子をＯ原子で同時に置換することにより、不純物準位が浅い、低抵抗のｎ型ＡｌＮ結晶若しくはｎ型ＡｌＧａＮ固溶体を作製する。ＡｌＮ結晶、ＡｌＧａＮ固溶体の製造方法としては、ＣＶＤ法，ＭＢＥ法等の方法によることができる。 （もっと読む）

【課題】 Ｃａを含まず、極めて欠陥の少ない高品位なＲ₁Ｂａ₂Ｃｕ₃Ｏ₇針状結晶と、そのＲ₁Ｂａ₂Ｃｕ₃Ｏ₇針状結晶の簡便な製造方法を提供する。
【解決手段】 一般式（１）
【化９】


（式中、Ｒは、Ｙ，Ｌａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，ＹｂおよびＬｕのうちのいずれか１種の希土類元素を示し、Ｘは、Ｓｂ，Ｔｅ，Ｓｅ，Ａｓ，Ｓ，Ｐのうちのいずれか１種の元素を示す）で表される原子比組成を有する圧粉成形体からなる前駆体を、５〜１００％の酸素雰囲気中、９００℃以上前駆体が完全に溶融する温度未満の温度範囲で熱処理することで、Ｒ₁Ｂａ₂Ｃｕ₃Ｏ₇結晶構造を有する酸化物超伝導体針状結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ＲＥ１２３相の熱分解工程を含まず、高温かつ長時間の溶融が不必要なプロセスを開発し、大型でかつ高性能、かつ、機械的特性に優れた超電導バルク体を作製する方法を提供する。
【解決手段】 ＲＥ−Ｂａ−Ｏ系化合物（ＲＥは希土類元素のうちの１種又は２種以上）とＢａ−Ｃｕ−Ｏ系液相原料を出発原料とし、液相成分を溶融した後、結晶成長させることを特徴とするＲＥ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超電導体の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】 昇華法により良質の窒化物単結晶が製造できる窒化物単結晶の製造技術を提供する。
【解決手段】 加熱炉１内で窒化物単結晶用の原料９を加熱して昇華させ、昇華させた原料を、加熱炉内に設けられた種子結晶７上に析出させて単結晶を成長させる窒化物単結晶の製造方法において、原料の窒化アルミニウムに適量のカーボンをあらかじめ混合した混合原料を加熱、昇華させる。 （もっと読む）

本発明は、ファラデー効果が大きく、可視光領域においても光透過率が高いという特性を有するテルビウム系常磁性ガーネット単結晶であって、ヴェルデ定数の大きなテルビウム系常磁性ガーネット単結晶、さらにはこの単結晶を用いた磁気光学デバイスである。上記テルビウム系常磁性ガーネット単結晶は少なくともテルビウムを含み、かつアルミニウム及びガリウムの少なくとも一方を含み、前記テルビウムの一部がセリウム及びプラセオジムのうち少なくとも一方で置換されていることを特徴としている。
本発明にかかるテルビウム系常磁性ガーネット単結晶及び磁気光学デバイスは、磁界を光で検知することで状況の変化を検知する必要がある分野、例えば電力、自動車、プラント等や、光を安定的に発信する必要のある光通信分野など幅広い分野で使用される。 （もっと読む）

本発明は、有機材料を含む贈り物からより恒久不変的な記念品を作るための方法であって、ここで前記贈り物は束の間の美しさを有し、且つ受取人に対する贈り主の感情を象徴するものである。本方法は、贈り物の束の間の美しさを、受取人に対する贈り主の感情を象徴する、より恒久不変または永遠の具現化物に転換させることを含む。これは贈り物の有機材料を人造ダイヤモンドに転換することによって好都合に実施できる。この人造ダイヤモンドは、贈り物の有機材料を炭素または炭素含有化合物に転換し、次いで前記炭素または炭素含有化合物を人造ダイヤモンドに転化することによって製造することができる。 （もっと読む）

【課題】 エネルギーの時間分解能が十分に高い無機シンチレータを提供する。
【解決手段】 上記課題を解決する本発明の無機シンチレータは、放射線によりシンチレーションを起こすことが可能な無機シンチレータであって、Ｌｕ、Ｇｄ、Ｃｅ及びＳｉを含有する金属酸化物からなり、空間群Ｃ２／ｃの単斜晶に属する結晶であり、かつ下記式（１）及び（２）で表される条件を同時に満足するものである。
｛Ａ_Ｌｕ／（Ａ_Ｌｕ＋Ａ_Ｇｄ＋Ａ_Ｃｅ）｝＜０．５０ …（１）
｛Ａ_Ｃｅ／（Ａ_Ｌｕ＋Ａ_Ｇｄ＋Ａ_Ｃｅ）｝≧０．００２ …（２）
ここで、式（１）及び（２）中、Ａ_Ｌｕは結晶中のＬｕの数を示し、Ａ_Ｇｄは結晶中のＧｄの数を示し、Ａ_Ｃｅは結晶中のＣｅの数を示す。 （もっと読む）

【課題】 るつぼ内に酸化ホウ素を充填した場合にも、ヒ化ガリウム結晶にへき開破壊が生じることを防止できるヒ化ガリウム結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 るつぼ１内に、予備合成されたヒ化ガリウム原料４と酸化ホウ素５とが充填され、そのるつぼ１内のヒ化ガリウム原料４が加熱溶融され、ヒ化ガリウム原料４の融液中のガリウムの量をヒ素の量よりも多くした状態でその融液の固化を完了して、カーボンが添加されたヒ化ガリウム結晶を成長させることにより、ヒ化ガリウム結晶が製造される。 （もっと読む）

【課題】 放射線を吸収した際に出力される蛍光の立ち上がりが十分に速く、しかも蛍光のノイズが十分に少ない無機シンチレータを提供する。
【解決手段】 上記課題を解決する本発明の無機シンチレータは、放射線によりシンチレーションを起こすことが可能な無機シンチレータであって、Ｌｕ、Ｇｄ、Ｃｅ及びＳｉを含有する金属酸化物からなり、空間群Ｃ２／ｃの単斜晶に属する結晶であり、かつ下記式（１Ａ）で表される条件を満足するものである。ここで、式（１Ａ）中、Ａ_Ｌｕは結晶中のＬｕの数を示し、Ａ_Ｇｄは結晶中のＧｄの数を示す。
｛Ａ_Ｌｕ／（Ａ_Ｌｕ＋Ａ_Ｇｄ）｝＜０．５０ …（１Ａ） （もっと読む）

希釈磁性半導体（ＤＭＳ）ナノワイヤを製作する方法について示した。この方法は、触媒がコーティングされた基板を提供するステップと、前記基板の少なくとも一部を、塩化物系蒸気搬送体を介して、半導体およびドーパントに暴露するステップと、を有し、ナノワイヤが合成される。この新しい塩化物系化学気相搬送処理方法を用いて、単結晶希釈磁性半導体ナノワイヤＧａ_１−ｘＭｎ_ｘＮ（ｘ＝０．０７）が合成される。ナノワイヤは、直径が〜１０ｎｍ乃至１００ｎｍであり、全長は最大数十μｍであり、キューリー点が室温を超える強磁性体であり、２５０Ｋ（ケルビン）まで磁気抵抗を示す。
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環境変化の影響を受けず、複屈折量が±０．０００５の範囲内である光学用材料を提供し、これを用いた光学電子部品や、光学電子装置の提供を目的とする。
タンタル酸リチウムであって、該タンタル酸リチウムにおける酸化リチウムと酸化タンタルのモル組成比率（Ｌｉ₂Ｏ／Ｔａ₂Ｏ₅）が０．９７５以上０．９８２以下であることを特徴とする、光学用材料であり、屈折率の高い光学用材料を光学系として使用することができるので、同じ焦点距離でレンズの厚みをより薄くすることができる。その結果、これら特性を有するレンズを使用することにより、より小型化，薄型化，高機能化した光学電子部品を提供できるとともに、これらの特性を有する光学電子装置を提供することができる。 （もっと読む）

単結晶スピネルブール、ウェハ、基板およびそれらを含む能動デバイスが開示される。１つの態様において、このような物品は改良された収率により表される、減少した機械的応力および/またはひずみを有する。さらに、単結晶スピネルは非化学量論的組成を有し、約４００ｎｍ〜約８００ｎｍの波長範囲にわたる透明性窓を有する。 （もっと読む）

ドープされたｉＸ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ材料を製造する方法であって、この方法は、
ａ）Ｘ−Ｂａ−Ｌ−Ｏ又はＸ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｌ−Ｏ材料をＸ−１−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ材料と混合するステップと、
ｂ）この混合物を結晶化するステップとを含み、
ただし、１各Ｘは希土類（ＩＩＩＢ族）元素、イットリウム、希土類元素の組み合わせ又はイットリウムと希土類元素との組み合わせから個別に選択され、各ＬはＵ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｒｕ及びＳｎから選択される、ドープされたｉＸ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ材料を製造する方法。本発明はさらに、本発明の方法によって製造されるドープされた材料を提供する。
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