【課題】GaNなどの窒化物半導体結晶の(0001)又は(000-1)面との間の格子整合性を高めて、低欠陥の窒化物半導体結晶をエピタキシャル育成可能な岩塩型遷移金属炭化物単結晶基板を提供する。
【解決手段】化学式XC（但し、Xは、Ti, Zr, Nb, Hf, Taのうち、１種類）で表される岩塩型遷移金属炭化物単結晶、または、化学式X_(1-x)Y_xC（但し、X及びYは、Ti, V, Zr, Nb, Hf, Taのうち、１種類であり、XとYは異なる元素で、０＜ｘ＜０．３）で表される岩塩型遷移金属炭化物固溶体単結晶からなり、主面が(111)面である窒化物半導体結晶成長用基板。 （もっと読む）

【課題】活性酸素種であるＯ_２⁻イオンラジカル及び／又はＯ⁻イオンラジカルを十分に高濃度に包接するマイエナイト構造の結晶であって、気泡やコロイドなどの欠陥の発生が十分に抑制されたカルシア・アルミナ系酸化物結晶を提供する。
【解決手段】化学組成が下記一般式（１）で表されるマイエナイト型の骨格構造を有しており、かつ、下記式（２）で表される条件を満足するカルシア・アルミナ系酸化物結晶。
Ｃａ_１２Ａｌ_１４−ｘＩｒ_ｘＯ_３２ （１）
０．００１≦ｘ≦０．０１ （２） （もっと読む）

【課題】クラックが発生することなく均一な組成を有するランガテイト単結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】坩堝３の内部にランガテイト種結晶５を充填すると共に、ランガテイト種結晶５上にランガテイト原料６を積み重ねて充填する充填工程と、坩堝３の垂直方向に温度勾配を有する炉の内部に坩堝３を配置し、ランガテイト原料６を融解して融液を形成する融解工程と、融液を下方から上方に向けて漸次固化させてランガテイト単結晶を育成する育成工程とを備え、ランガテイト原料６は、ランガテイト種結晶５から最も離間した部分のランタン及びタンタルの含有量が、それぞれランガテイト種結晶５と接する部分と比較して高い。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛及びゲルマニウムナノワイヤーで構成されている一次元ヘテロ構造体の、二軸ナノワイヤー及び同軸ナノワイヤーと、それらを混合した混合ナノワイヤー及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化ゲルマニウム粉末とゲルマニウム粉末の混合物をグラファイト製坩堝に入れ、不活性ガスを流しながら加熱してゲルマニウムナノワイヤーを製造する。その後、生成したゲルマニウムナノワイヤーと酸化亜鉛粉末を不活性ガス気流中で加熱することで、酸化亜鉛とゲルマニウとが軸方向に接合している二軸ナノワイヤーと、ゲルマニウムからなる中心部とこの中心部を囲む酸化亜鉛からなる円筒部とから構成される第一の同軸ナノワイヤーと、酸化亜鉛からなる中心部とこの中心部を囲むゲルマニウムからなる円筒部とから構成される第二の同軸ナノワイヤーと、からなる混合ナノワイヤーが得られる。 （もっと読む）

圧電単結晶及びその製造方法、及びその圧電単結晶を利用した圧電及び誘電応用部品を提供する。本発明による圧電単結晶は、高誘電率Ｋ₃^T、高圧電定数ｄ₃₃、ｋ₃₃、高い相転移温度（キュリー温度、Ｔｃ）、高い抗電界Ｅｃ、及び向上した機械的特性を併せ持つため、かかる優れた特性の圧電単結晶を広い温度領域と広い使用電圧条件下で使用することができる。また、単結晶の量産に適合した固相単結晶成長法を用いて圧電単結晶を製造し、高価な原料を含まない単結晶組成を開発して圧電単結晶の商用化を可能にする。これにより、優れた特性の圧電単結晶を利用した圧電応用部品及び誘電応用部品を広い温度領域で製造し、使用することを可能にする。
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【課題】格子パラメータを変化させることのできる窒化ガリウムデバイス基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の犠牲基板を設け、この第１の犠牲基板上に窒化ガリウムの層を形成し、この窒化ガリウムの層上に、格子パラメータを変化させる追加的な元素を含有する窒化ガリウムの第１の層を形成し、この格子パラメータを変化させる追加的な元素を含有する窒化ガリウムの層に、代替基板を装着し、犠牲基板および窒化ガリウムの層を除去する。 （もっと読む）

【課題】従来の磁気光学素子用結晶と比較して高い磁界感度を有する磁気光学素子用結晶を提供すると共に、その磁気光学素子用結晶を用いた磁気光学素子並びに磁界検出装置を提供する。
【解決手段】化学式Ｙ_３−ｘＣｅ_ｘＦｅ_５Ｏ_１２（式中、０＜ｘ＜３である。）又は化学式Ｙ_３−ｘＣｅ_ｘＦｅ_５ーｙＡ_ｙＯ_１２（式中、Ａは３族元素を示し、０＜ｘ＜３、０＜ｙ＜３である。）で表される磁気光学素子用結晶を用いる。 （もっと読む）

【課題】 Ｓｉ単結晶基板上に強誘電体薄膜を形成するに際し、膜内の応力を制御して自発分極値の低下を防ぐことを目的とする。
【解決手段】 Ｓｉ単結晶基板上に形成された強誘電体材料からなるエピタキシャル強誘電体薄膜であり、この強誘電体薄膜の結晶面のうち、前記Ｓｉ単結晶基板表面の結晶面に平行な結晶面をＺ_Ｆ面とし、Ｚ_Ｆ面間の距離をｚ_Ｆとし、強誘電体薄膜構成材料のバルク状態でのＺ_Ｆ面間の距離をｚ_Ｆ０としたとき、０．９８０≦ｚ_Ｆ／ｚ_Ｆ０≦１．０１０であり、前記強誘電体材料が、ペロブスカイト型結晶構造を有する、化学式ＡＢＯ_３（ＡはＣａ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｋ、Ｎａ、Ｌｉ、ＬａおよびＣｄから選ばれた１種以上であり、ＢはＴｉ、Ｚｒ、ＴａおよびＮｂから選ばれた１種以上である）で表される化合物又は希土類元素含有チタン酸鉛であり、厚さが２〜１００ｎｍである強誘電体薄膜。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム系化合物半導体をエピタキシャル成長させるための基板等として使用可能な、大型のＺｒＢ_２で代表される二ホウ化物単結晶の成長技術を提供する。
【解決手段】融点が２０００℃以上の溶接可能な金属製の密閉坩堝の中で化学式ＸＢ_２（但し、ＸはＺｒ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒの少なくとも一種を含む）で表わされる化学量論組成よりも端成分に富む組成からなる結晶原料を加熱融解し冷却することによって結晶化して育成する。 （もっと読む）

【課題】均一性が高く、圧電特性が高く、薄膜であっても強度を有し、密着度が高く、優れた耐久性を有るペロブスカイト型酸化物を得ること。また、ペロブスカイト型酸化物を簡単に大面積として作製すること。
【解決手段】単結晶構造または一軸配向結晶構造のＡＢＯ₃で表されるペロブスカイト型酸化物であって、Ａサイトの主成分にＰｂを含みＢサイトに複数の元素を含み、正方晶、菱面体晶、斜方晶、立方晶、擬似立方晶及び単斜晶から選ばれる複数の結晶相を有し、該複数の結晶相が＜１００＞配向している。 （もっと読む）

【課題】 所定形状の球状半導体を低コストで製造することが可能な、球状半導体の製造装置を提供する。
【解決手段】 球状半導体の形成材料を含む液滴２を吐出する液滴吐出装置１０と、吐出された液滴２を加熱することにより空中で硬化させる硬化装置３０と、硬化装置３０により形成された非晶質の球状半導体４にレーザ光を照射するレーザ照射装置５２を備え、結晶質の球状半導体６を形成する結晶化装置５０と、を有する構成とした。 （もっと読む）

【課題】ＦＺ法によって、現状よりも結晶性に優れたホウ化物単結晶を製造することができる新規な製造方法と、前記製造方法によって製造された、特に、ＧａＮ系半導体層等の半導体層をエピタキシャル成長させるのに適した基板とを提供する。
【解決手段】製造方法は、ホウ化物のもとになるホウ素と金属元素とを含む原料粉末によって形成した原料棒６の、長さ方向の一端に、前記ホウ化物の化学量論比組成よりもホウ素過剰の初期溶融領域９を設け、前記初期溶融領域９を、加熱により溶融させて溶融帯を形成し、前記溶融帯を、原料棒６の、長さ方向の他端へ向けて移動させることで、前記原料棒６の、溶融帯が通過した後の領域に、ＦＺ法によってホウ化物単結晶を成長させる。基板は、前記製造方法によって製造されたホウ化物単結晶からなる。 （もっと読む）

【課題】 低吸湿性、高発光量フッ化物シンチレータ材料を提供すること。さらにコストダウンを図るために低融点であるフッ化物シンチレータを提供すること。
【解決手段】 Ｃｅ_ｘＡＥ_１−ｘＦ_２＋ｘで表されることを特徴とするフッ化物シンチレータ材料。 但し、ＡＥはＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａから選ばれた１種又は２種以上である。 （もっと読む）

【課題】 特定のセリウム付活珪酸塩化合物の単結晶、特にＬｎとしてイオン半径がＴｂよりも小さいＤｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｙ及びＳｃからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を用いた単結晶であって、蛍光特性に十分優れたシンチレータ用単結晶を提供する。
【解決手段】 特定のセリウム付活珪酸塩化合物の単結晶であって、周期表２族に属する元素からなる群より選択される１種以上の元素を前記単結晶の全質量に対して０．００００５〜０．１質量％含有するシンチレータ用単結晶。 （もっと読む）

【課題】 短波長域においても十分に大きな透過率を示すフッ化物単結晶が得られるフッ化物単結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】 粒子状のフッ化物に粒子状のスカベンジャーを混合した粒子混合物を溶融した溶融物を冷却することによりフッ化物単結晶を育成するフッ化物単結晶の製造方法において、フッ化物の平均粒径ｄｆ及びスカベンジャーの平均粒径ｄｓが下記式：
０．０５≦ｄｓ／ｄｆ≦２０
を満たす、フッ化物単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 短波長域においても十分に大きな透過率を示すフッ化物単結晶が得られるフッ化物単結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】 フッ化物にスカベンジャーを混合した混合物を溶融した溶融物を冷却することによりフッ化物単結晶を育成するフッ化物単結晶の製造方法において、スカベンジャーが、圧力−温度曲線において１４００℃以下に１以上の極大点を有する化合物を２種以上含む、フッ化物単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】８００℃未満の低温焼成によってもＢｉ系誘電体の結晶化薄膜を得ることができるＢｉ系誘電体薄膜形成用組成物とＢｉ系誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】少なくともＳｒ、Ｂｉ、Ｔａおよびランタノイド系元素Ａの各金属または複合金属のアルコキシド、有機塩あるいは錯体を反応させることによって得られる化合物を含有させてＢｉ系誘電体薄膜形成用組成物を構成する。この組成物の塗膜を８００℃未満の低温で焼成することにより、下記一般式（１）
Ｓｒ_1-XＡβＢｉ_2+Y（Ｔａ_2-ZＮｂ_Z）Ｏ₉₊α・・・・・（１）
（式中、Ａは、ランタノイド系元素を表す。Ｘ、Ｙ、αは、それぞれ独立に０以上１未満の数を表し、Ｚは、０以上２未満の数を表し、βは、０．０９以上０．９以下の数を表す。）で表されるＢｉ系誘電体の結晶化薄膜を得る。 （もっと読む）

【課題】光の非相反性機能を有し、かつ単純なプロセスで、純度の高い強誘電体ペロブスカイト型チタン酸バリウム単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】強誘電体ペロブスカイト型チタン酸バリウム単結晶の製造方法において、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）又はルテチウム（Ｌｕ）からなる３価の希土類元素をチタンサイトに添加する。一例として、希土類元素エルビウム（Ｅｒ）を０．１％添加したペロブスカイト型チタン酸バリウム単結晶〔（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ3 Ｅｒ3+〕からの発光スペクトルを調査した結果、このスペクトルは３価の発光スペクトルでＴｉサイトに置換しており、また、その他からの不純物からの発光がなく、得られた単結晶の純度が高いことが示された。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムを主成分とする単結晶薄膜を形成するための、セラミック材料を主成分とする焼結体からなる基板及び該単結晶薄膜が形成されている薄膜基板を実現し、さらに発光効率に優れた発光素子などの電子素子を提供する。
【解決手段】基板としてセラミック材料を主成分とする焼結体、特に光透過性の焼結体を用いることでその上に窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムのうちから選ばれた少なくとも１種以上を主成分とする結晶性の高い単結晶薄膜が形成され、また、結晶性の高い単結晶薄膜が形成された薄膜基板を製造する。さらに、この薄膜基板を用いることにより発光効率に優れた発光素子などの電子素子を製造することができる。 （もっと読む）

本発明は、化学式Ａ_xＬｎ_(y-y’)Ｌｎ’_y’Ｉ_(x+3y)の無機希土類ヨウ化物のシンチレーション材料であって、式中、ＡがＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓから選択される少なくとも１つの元素を表し、ＬｎがＬａ、Ｇｄ、Ｙ、Ｌｕから選択され、当該化学式において原子価３＋である少なくとも１つの第１の希土類元素を表し、Ｌｎ’がＣｅ、Ｔｂ、Ｐｒから選択され、当該化学式において原子価３＋である少なくとも１つの第２の希土類元素を表し、ｘが整数でかつ０、１、２又は３を表し、ｙが０よりも大きく３よりも小さい整数又は非整数であり、ｙ’が０よりも大きくｙよりも小さい整数又は非整数である、無機希土類ヨウ化物のシンチレーション材料に関する。当該材料は、高い阻止能と、速い減衰時間、特には１００ナノ秒未満の減衰時間と、優れたエネルギー分解能（特には６６２ｋｅＶで６％未満）と、高い発光レベルを提供する。当該材料は、核医学設備、とりわけ、アンガー型γカメラ及び陽電子放射断層撮影装置において使用することができる。 （もっと読む）