【課題】単結晶の引上速度を向上して結晶欠陥の発生を抑制し、且つ、結晶の有転位化を抑制できる単結晶引上装置の輻射シールドを提供する。
【解決手段】シリコン単結晶Ｃを包囲するようにルツボ上方に配置される輻射シールド６であって、円筒状の直胴部６ｂと、前記直胴部の下端から内側に湾曲し、下端部開口６ａを形成する下肩部６ｃとを有し、前記下端部開口の周縁部において、周方向の所定位置に、所定幅をもって径方向に突出すると共に、高さ方向に所定の厚さ寸法を有する熱遮蔽部材１０を備える。 （もっと読む）

【課題】単結晶成長表面と原料表面との温度差をより一層増加可能で、長時間に亘る成長でも、成長速度が落ちることなく結晶成長を行うことが可能な化合物半導体単結晶の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】成長容器１内の一端側に種結晶９を、他端側に原料６を配置し、原料６を昇華させて単結晶５を製造する製造装置１００であって、加熱炉４と、成長容器１の周囲に配置され加熱炉４内を低温区画１７と高温区画１８に仕切る熱遮蔽部材１２と、高温区画内１８にあって成長容器１の他端側の周囲に配置される原料加熱手段３と、成長容器１を支持した状態で移動可能な支持部２とを備え、支持部２は単結晶５を成長させるときに、単結晶成長部１５が低温区画１７に存在し、原料部１６が高温区画１８に存在するように、低温区画１７側に成長容器１を移動可能であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ単結晶の成長の途中においてもメルトバックを行うことができるＳｉＣ単結晶の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】坩堝１０の周囲に配置された加熱装置２２により坩堝１０中にて内部から表面に向けて温度低下する温度勾配を有するように加熱されたＳｉ−Ｃ溶液２４に、種結晶保持軸１２に保持されたＳｉＣ種結晶１４を接触させて、種結晶１４を基点としてＳｉＣ単結晶を成長させる、溶液法によるＳｉＣ単結晶の製造方法であって、ＳｉＣ単結晶の成長中に、Ｓｉ−Ｃ溶液２４の内部から表面の領域の温度勾配を一定温度または温度上昇する温度勾配に変更して、種結晶１４と種結晶１４を基点として成長したＳｉＣ単結晶とを含む単結晶をメルトバックすることを含む、ＳｉＣ単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、インナーシールドを保持しながら熱ロスを低減することができる単結晶育成装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 原料融液を収容するルツボと、該ルツボを取り囲むように配置されたヒーターと、該ヒーターを取り囲むように配置されたシールドとを格納するメインチャンバーを有するチョクラルスキー法による単結晶育成装置であって、前記シールドは、炭素繊維断熱材からなるヒートシールドと、少なくとも該ヒートシールドの前記ヒーター側に炭素材又は炭素繊維複合材からなるインナーシールドとを有するものであり、前記インナーシールドは、下端部で炭素繊維断熱材からなる支持部材によって直接支えられたものであることを特徴とする単結晶育成装置。 （もっと読む）

【課題】窒化物系化合物をエピタキシャル成長する際に、不規則な反りが発生しない大口径サファイア単結晶基板を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により、サブグレインや気泡のない直胴部の直径が１５０ｍｍ以上のｃ軸方位サファイア単結晶体を育成し、これを水平方向に切断・基板加工することにより、平面方向の応力分布が同心円状を呈した６インチ以上の大口径サファイア単結晶基板を得る。この基板は窒化物系化合物をエピタキシャル成長する際に発生する基板の反りが規則的な碗型であり、窒化物系化合物の膜厚や膜組成を容易に均一に制御できるため、ＬＥＤの歩留まり向上に優れた効果が得られる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、インナーシールドを保持しながら熱ロスを低減することができる単結晶育成装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 原料融液を収容するルツボと、該ルツボを取り囲むように配置されたヒーターと、該ヒーターを取り囲むように配置されたシールドとを格納するメインチャンバーを有するチョクラルスキー法による単結晶育成装置であって、
前記シールドは、炭素繊維断熱材からなるヒートシールドと、少なくとも該ヒートシールドの前記ヒーター側に炭素材又は炭素繊維複合材からなるインナーシールドとを有するものであり、
前記インナーシールドは、支持部材によって前記メインチャンバーの天井から吊るされたものであることを特徴とする単結晶育成装置。 （もっと読む）

【課題】 メニスカス生成領域の水平面内での温度分布の改善と、メニスカスの好適な観察とを可能とする引下げ装置を提供する。
【解決手段】 導電性材料からなる第一の環状の部材と光透過性材料からなる第二の環状の部材との積層体からアフターヒータを構成して第二の環状の部材を第一の観察窓とし、保温用の筒状アウターリングには引下げ軸について水平面内で点対称となるように第二の観察窓を配置し、アウターリングを引下げ軸中心に回転させ、第一の観察窓と第二の観察窓とが整列した状態にあるときに撮像手段によるメニスカスの観察を行う。 （もっと読む）

【課題】 メニスカス生成領域の水平面内での温度分布の改善と、メニスカスの好適な観察とを可能とする引下げ装置を提供する。
【解決手段】 導電性材料からなる第一の環状の部材と光透過性材料からなる第二の環状の部材との積層体からアフターヒータを構成して第二の環状の部材を第一の観察窓とし、保温用の筒状アウターリングには引下げ軸について水平面内で点対称となるように第二の観察窓を配置し、アウターリングを引下げ軸中心に回転させ、第一の観察窓と第二の観察窓とが整列した状態にあるときに撮像手段によるメニスカスの観察を行う。 （もっと読む）

【課題】昇華法によるＳｉＣ単結晶等の製造において、高品質な単結晶を低コストで得る単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】単結晶製造装置８は、蓋部に種結晶支持部を有し、昇華原料を収容する円筒形の坩堝１と、坩堝１の周囲に設置する誘導加熱コイル７と、坩堝１の下方に設けられた成形断熱材２と、坩堝１と成形断熱材２の間に設けられたグラファイト製円筒耐熱材３と、を備える。前記構成により、成形断熱材２の断熱性の再現性、均一性のばらつきに起因する坩堝温度のばらつきを防ぐことができるので、結晶成長条件が安定化し、高品質な単結晶が得られる。 （もっと読む）

【課題】インナーシールドを保持しながら熱ロスを低減することができる単結晶育成装置を提供する。
【解決手段】原料融液を収容するルツボ４と、該ルツボ４を取り囲むように配置されたヒーター６と、該ヒーター６を取り囲むように配置されたシールド１６とを格納するメインチャンバー２を有するチョクラルスキー法による単結晶育成装置１であって、前記シールド１６は、炭素繊維断熱材からなるヒートシールド８と、少なくとも該ヒートシールド８の前記ヒーター６側に炭素材又は炭素繊維複合材からなるインナーシールド７とを有するものであり、前記インナーシールド７は、複数本の足を有する支持部材１４によって前記メインチャンバー２の底部から支えられたものであることを特徴とする単結晶育成装置１。 （もっと読む）

【課題】 結晶軸方向で結晶品質の変化を抑制する。
【解決手段】窒素がドープされたシリコン融液１２から引上げられ、横断面の少なくとも中央に空孔型点欠陥が発生する領域を有し、ボトム側インゴットの外径がトップ側インゴットの外径より大きいシリコン単結晶インゴット。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ溶液の周辺領域の温度がばらつくのを抑制しつつ、ＳｉＣ種結晶の近傍領域を効率良く冷却可能な、溶液成長法によるＳｉＣ単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】シードシャフト３０と、坩堝１４とを備える。シードシャフト３０は、ＳｉＣ種結晶３６が取り付けられる下端面３４を有する。坩堝１４は、ＳｉＣ溶液１６を収容する。坩堝１４は、本体１４０と、中蓋４２と、上蓋４４とを備える。本体１４０は、第１筒部３８と、第１筒部３８の下端部に配置される底部４０とを備える。中蓋４２は、本体１４０内のＳｉＣ溶液１６の液面の上方であって第１筒部３８内に配置される。中蓋４２は、シードシャフト３０を通す第１貫通孔４８を有する。上蓋４４は、中蓋４２の上方に配置される。上蓋４４は、シードシャフト３０を通す第２貫通孔５２を有する。 （もっと読む）

【課題】ガイドに多結晶が付着することを抑制することができるＳｉＣ単結晶の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】反応容器９には、中空部９ｂを構成する側部９ｄに当該反応容器９の中心軸に沿った導入通路９ｃを形成する。ガイド１０には、内部が空洞とされて空洞部１０ｃを構成すると共に空洞部１０ｃを導入通路９ｃと連通する連通孔１０ｄを形成し、筒部１０ａの内周壁面に空洞部１０ｃと中空部９ｂとを連通する第１出口孔１０ｅを形成する。そして、導入通路９ｃおよび空洞部１０ｃを介して第１出口孔１０ｅから不活性ガス１６またはエッチングガスを中空部９ｂに導入する。 （もっと読む）

【課題】 高耐圧が要求されるパワーデバイス等に適した、酸素をほとんど含まない大口径のシリコン単結晶を製造するのに好適なシリコン単結晶の製造方法と、シリコン単結晶ウェーハを提供する。
【解決手段】 チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶ウェーハであって、該シリコン単結晶ウェーハは、酸素濃度が１×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３（ＡＳＴＭ７９）以下で、かつ抵抗率面内分布が１０％以内であることを特徴とするシリコン単結晶ウェーハ及びシリコン単結晶の製造方法であって、チョクラルスキー法によって原料融液からシリコン単結晶を引き上げる際に、少なくとも、前記原料融液を保持するルツボに、シリコンより融点が高く組成に酸素原子を含まない材質で構成されたルツボを用い、かつ前記原料融液の対流を抑制するための磁場を印加することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】水冷チャンバ内の冷却に要する時間を短縮し、生産効率を向上させること。
【解決手段】上方に向けて開口すると共に、内部に原料多結晶シリコンＭが貯留される坩堝２と、坩堝内に貯留された原料多結晶シリコンを加熱するヒータ部３と、坩堝及びヒータ部が径方向の内側に配置された保温筒部４と、坩堝、ヒータ部及び保温筒部を内部に収容する水冷チャンバ５と、を備え、チョクラルスキー法によって原料多結晶シリコンから単結晶シリコンを製造する装置であって、保温筒部の少なくとも一部を保温筒部の軸Ｏ方向に沿って移動させる移動機構１２を備えている単結晶シリコン製造装置１を提供する。 （もっと読む）

【課題】垂直ブリッジマン法による単結晶の成長装置で、簡便な方法で結晶に欠陥のない高品質な単結晶を安定して得ることができる構造の結晶製造装置を提供する。
【解決手段】単結晶3を成長させるルツボ1の下部を、支持して引き下げを行うための支持構造20が、ルツボの底面の外周部分に接する円筒状の支持管21と、支持管がルツボを設置する設置部の反対側の端部に底部を有し、底部に結合して支持管とルツボを支持して引き下げを行う支持部材と、支持管内部を遮蔽する遮蔽部材23とを有する構造とする。 （もっと読む）

【課題】 ウェハー面内の特性の均一性や安定性、寿命に優れた化合物半導体デバイスを得るための、ドーパント濃度のウェハー面内および厚さ方向の均一性に優れた、低転位密度の燐化インジウム基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】 結晶の成長方向が〈１００〉方位になるように、結晶胴部に対する所定の断面積比を有する種結晶を成長容器下端に設置し、さらに燐化インジウム原料とドーパント及び酸化ホウ素を収容した成長容器を結晶成長炉に設置して、燐化インジウムの融点以上の温度に昇温して、酸化ホウ素と燐化インジウム原料及びドーパントを加熱溶融したのち、成長容器の温度を降下させることにより、ドーパント濃度のウェハー面内および厚み方向の均一性が良好な、低転位密度の燐化インジウム単結晶を得る。 （もっと読む）

【課題】工業的に安価な方法で、結晶成長速度を十分な速度で安定的にかつ継続的に保つことが可能な第１３族窒化物結晶の製造法を提供する。
【解決手段】少なくともＮａと第１３族元素と窒素元素とを含む液相中で第１３族窒化物結晶を成長させる第１３族窒化物結晶の製造方法において、前記液相の表面と接しかつ少なくとも前記液相の表面から上部２０ｍｍの高さまでを満たす気相が存在し、前記液相表面部分の温度Ｔ１（Ｋ）と、前記液相表面から鉛直方向に２０ｍｍ離れた気相部分の温度Ｔ２（Ｋ）とが、式（１）を満たすようにして結晶を成長させる第１３族窒化物結晶の製造方法。
０＜（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ１＜ ０．０１５ ・・・（１） （もっと読む）