【課題】低コストで、電気機械結合係数が向上された弾性表面波デバイス用圧電基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】タンタル酸リチウム単結晶又はニオブ酸リチウム単結晶からなる弾性表面波デバイス用圧電基板であって、該弾性表面波デバイス用圧電基板は、引き上げ法により得られたコングルエント組成のタンタル酸リチウム単結晶又はニオブ酸リチウム単結晶からなる基板の表層に、リチウムが拡散されたものであり、該リチウムが拡散された表層の厚さは、弾性表面波の波長で規格化した値で３〜１５波長の範囲である弾性表面波デバイス用圧電基板。 （もっと読む）

【課題】積層するウェーハ数を多くした場合でも、積層したウェーハ相互間においてスリップ転位の発生を抑制することができ、また、積層したウェーハ相互間の接着を抑制し、剥離性を高めることができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハＷの平面全体にシリカパウダーを散布させて、該シリコンウェーハＷの平面同士を複数枚積層してウェーハブロックＷ_Ｂを形成し、該ウェーハブロックＷ_Ｂの最下部のシリコンウェーハＷ_Ｕの平面のみを第１熱処理用部材３２の一面上に全面支持させて該ウェーハブロックＷ_Ｂを水平保持させると共に、第２熱処理用部材３４により前記水平保持させたウェーハブロックＷ_Ｂの外周囲全体を囲繞させて、１２７０℃以上シリコンの融点以下の最高到達温度で熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】互い異なる内径を有するマイクロパイプを塞いだシリコンカーバイド基板生産物を製造できるシリコンカーバイド基板生産物の製造方法、該製造方法により製造されたシリコンカーバイド基板生産物を提供する。
【解決手段】複数のマイクロパイプ１１０を有するシリコンカーバイド基板１の主面１０２に樹脂を塗布することにより、複数のマイクロパイプ１１０を樹脂で塞ぐ複数の塗布工程と、樹脂を硬化させる硬化工程とを有し、複数の塗布工程において、工程毎に樹脂の粘度を異ならせることを特徴とする。これにより、粘度の低い樹脂により内径の小さいマイクロパイプを塞ぐことができ、また、粘度の高い樹脂により内径の大きいマイクロパイプを塞ぐことができる。従って、簡易な方法により複数のマイクロパイプ１１０を塞いだシリコンカーバイド基板生産物１ａを製造することができる。 （もっと読む）

【課題】レーザ照射によりＩＩＩ族窒化物半導体膜を下地基板から剥離する際に、ＩＩＩ族窒化物半導体膜の破損を抑制する。
【解決手段】サファイア基板１１と、サファイア基板１１上に設けられているＧａＮ膜１２と、を含むサファイア／ＧａＮ構造体Ｗから、レーザ照射によりＧａＮ膜１２を剥離するレーザ剥離装置であって、サファイア／ＧａＮ構造体Ｗを、ＧａＮ膜１２が下方または側方に向いた状態で、ＧａＮ膜１２表面に接触することなく保持する基板保持台１４と、サファイア／ＧａＮ構造体Ｗに対してレーザを照射するレーザ照射部と、を備えるレーザ剥離装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体単結晶の破壊の原因になる亀裂（クラック）が生じにくい窒化物半導体自立基板、窒化物半導体自立基板の製造方法、及び窒化物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】直径が４０ｍｍ以上、厚さが１００μｍ以上の窒化物半導体単結晶を準備しＳ１０，Ｓ２０、前記窒化物半導体単結晶の表面と、裏面と、側面との全体を保護膜で被覆して被覆基板を形成するＳ３０。前記被覆基板を１３００℃より高い温度下において２０時間以上の熱処理Ｓ４０を施した後、前記被覆基板から前記保護膜を除去して窒化物半導体自立基板を形成するＳ５０。これにより、直径が４０ｍｍ以上、厚さが１００μｍ以上であり、転位密度が５×１０^６／ｃｍ^２以下であり、不純物濃度が４×１０^１９／ｃｍ^３以下であり、最大荷重が１ｍＮ以上５０ｍＮ以下の範囲内におけるナノインデンテーション硬さが１９．０ＧＰａ以上である窒化物半導体自立基板。 （もっと読む）

【課題】焦電性を抑制したタンタル酸リチウム結晶の製造方法及びタンタル酸リチウム結晶からなるウェハを提供する。
【解決手段】少なくとも、タンタル酸リチウム結晶素材と還元剤を準備しＡ、Ｃ、前記素材を金属のハロゲン化物を含有する溶液に浸漬Ｂ後、キュリー温度以下の温度でかつ還元雰囲気下で、前記還元剤と前記タンタル酸リチウム結晶素材を重ね合わせて熱処理Ｄし、該熱処理による反応が平衡状態になるまで熱処理を行う製造方法であって、前記準備する還元剤の還元力を調整することにより前記熱処理後に得られるタンタル酸リチウム結晶の導電率が１×１０^−１３Ω^−１・ｃｍ^−１以上、９．９９×１０^−１２Ω^−１・ｃｍ^−１以下、かつ導電性の結晶面内分布を均一となるように制御する。 （もっと読む）

【課題】導電率が１×１０^−１３Ω^−１・ｃｍ^−１以上、９．９９×１０^−１２Ω^−１・ｃｍ^−１以下であり、焦電性が抑制されたタンタル酸リチウム結晶の製造方法、及びタンタル酸リチウム結晶を提供する。
【解決手段】タンタル酸リチウム結晶素材を還元剤と共に還元雰囲気下で熱処理することによってタンタル酸リチウム結晶を製造する製造方法において、前記タンタル酸リチウム結晶素材と前記還元剤を準備しＡ、Ｃ、前記素材を金属のハロゲン化物を含有する溶液に浸漬Ｂ後、キュリー温度以下の温度で前記還元剤と前記タンタル酸リチウム結晶素材とを重ね合わせて熱処理Ｄすることにより、熱処理後のタンタル酸リチウム結晶の導電率を１×１０^−１３Ω^−１・ｃｍ^−１以上、９．９９×１０^−１２Ω^−１・ｃｍ^−１以下とする。 （もっと読む）

【課題】不純物濃度が低く且つ高い抵抗率の酸化亜鉛（ZnO）単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛単結晶を水熱合成法で育成する場合、溶解液としてアルカリ溶液を使用する為、育成された結晶中にLi等のアルカリ金属が高濃度に混入する。そこで従来からアルカリ金属を除去するために結晶を熱処理する方法があるが、高温処理しなければならないため結晶が低抵抗率化する。そこで、高抵抗率高純度酸化亜鉛結晶を製造する方法として酸化亜鉛結晶又は酸化亜鉛単結晶基板４１の対向する一対の面に金属電極膜５４を形成又は金属箔を密着させ、上記よりも低い温度下で電界をかけることで、高抵抗率を維持しながら結晶中の不純物を低減する。 （もっと読む）

【課題】 結晶シリコン粒子を安定的かつ高効率に単結晶化するとともに、単結晶の結晶シリコン粒子を低コストに製造することができる結晶シリコン粒子の製造方法を提供すること。
【解決手段】 溶融落下法によって結晶シリコン粒子１０１を作製し、次に結晶シリコン粒子１０１の表面に研磨加工を施して結晶シリコン粒子１０１の表層部に加工変質層を形成し、次に窒素ガスから成る雰囲気ガスまたは窒素ガスを主成分として含む雰囲気ガス中で、結晶シリコン粒子１０１をシリコンの融点以下の温度に加熱して結晶シリコン粒子１０１の表面に窒化珪素膜を形成し、次に酸素ガスから成る雰囲気ガスまたは酸素ガス及び不活性ガスから成る雰囲気ガス中で、結晶シリコン粒子１０１を加熱して窒化珪素膜の内側のシリコンを溶融させ降温して凝固させて単結晶化する。 （もっと読む）

【課題】 薄膜成長に適した平坦な表面を持つ酸化亜鉛単結晶基板を得る。
【解決手段】 研磨し洗浄した基板１をチェンバーに投入し、真空としたチェンバー内において、酸化亜鉛を溶解することができる成分であるフラックスをこのフラックスが溶融する温度及び圧力を制御しつつ堆積し、薄膜２を形成し、その後、上記フラックス成分を除いて、表面が平坦な酸化亜鉛単結晶基板１Ａを得る。成膜工程では、堆積時の基板温度を酸化亜鉛とフラックスの共晶温度以上共晶温度＋１５０℃以下の範囲に制御した条件で堆積するものである。 （もっと読む）

【課題】金属または半金属のドープ量が調整可能であって、機能性材料としての性質を発現するチタン酸ストロンチウム結晶を安価に提供すること。
【解決手段】 原子番号７９以下の金属元素または半金属元素（ただし、Ｎｂ，Ｉｎ，ランタノイドを除く）をドープしたチタン酸ストロンチウム結晶である。これは、気化または昇華させた金属元素または半金属元素を８００℃〜１３００℃の温度の真空雰囲気下にてチタン酸ストロンチウム結晶に付着ないし拡散させることにより得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 単結晶シリコンの酸素濃度に依存せずに結晶欠陥領域を正確かつ簡便に短時間に分析することができる、金属汚染及び熱処理を利用した単結晶シリコンの結晶欠陥領域の区分方法を提供する。
【解決手段】 単結晶シリコンインゴットの片またはシリコンウェーハで形成されたサンプルを備えた後、サンプルの少なくとも一面に金属を１×１０^１４〜５×１０^１６ａｔｏｍｓ／cm²濃度で汚染させて、その汚染されたサンプルを熱処理し、その熱処理されたサンプルで汚染された面または汚染された面の反対面を観察して結晶欠陥領域を区分する結晶欠陥領域の区分方法。 （もっと読む）

【課題】 基板上にＺｎＴｅを成膜した半導体において、ドーパントとして一般的な不純物を用いた場合であっても、キャリア濃度が高い半導体の製造方法を提供するものである。
【解決手段】 基板１ａ上にｐ型ＺｎＴｅ薄膜１ｂを成膜した被処理基板１を、熱処理装置２の処理室３内で、ガス導入口５から導入したＺｎＴｅと反応しない気体の雰囲気中において、成膜処理工程における成膜温度以下で電気炉４によって熱処理する。 （もっと読む）

急激な金属−絶縁体遷移を行う基板と、基板上に電気伝導度及び熱伝導性の良好なペーストでコーティングまたは蒸着された金属層と、を備える金属−絶縁体遷移を行うウェーハである。これにより、ヒータや基板ホルダーに直接接着せず、直径の大きいウェーハを量産しうる。
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【課題】 より簡便に炭化ケイ素基板の表面のマイクロパイプを閉塞することができる炭化ケイ素基板の表面再構成方法を提供する。
【解決手段】 炭化ケイ素基板１の表面上にシリコン膜２を形成するシリコン膜形成工程と、シリコン膜２の表面上に多結晶炭化ケイ素基板を設置することなく炭化ケイ素基板１およびシリコン膜２を熱処理する熱処理工程と、を含む、炭化ケイ素基板の表面再構成方法である。ここで、熱処理工程後にシリコン膜を除去するシリコン膜除去工程を含んでいてもよい。また、熱処理工程後にシリコン膜を酸化して酸化シリコン膜とする酸化シリコン膜形成工程と、酸化シリコン膜を除去する酸化シリコン膜除去工程と、を含んでいてもよい。 （もっと読む）

【課題】特別な器具等を必要とせず、煩わしい工程管理が不要で比較的簡便に導電性を高めると共に焦電性を緩和することができる酸化物強誘電体結晶の処理方法を提供する。
【解決手段】気相、液相または固相のアルカリ金属水酸化物ＡＨが接触する状態で酸化物強誘電体結晶Ｗを還元性または不活性雰囲気中で熱処理したものであり、好ましくは、アルカリ金属水酸化物ＡＨの溶液を塗布した後、あるいはアルカリ金属水酸化物ＡＨの蒸気の存在下で４００°Ｃ以上キュリー点温度以下で熱処理したものである。 （もっと読む）

本発明は、タンタル酸リチウム結晶の製造方法であって、少なくとも、還元性雰囲気下キュリー点以上の温度Ｔ１’で熱処理したタンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウム若しくは水素を貯蔵した水素貯蔵金属を含む第一の元材を、単一分極化されたタンタル酸リチウム結晶と重ね合わせ、還元性雰囲気下キュリー点より低い温度Ｔ２’で熱処理することによって、前記単一分極化されたタンタル酸リチウム結晶の導電率を向上させることを特徴とするタンタル酸リチウム結晶の製造方法である。これによりタンタル酸リチウム結晶に温度変化を与えることで発生する表面電荷を、タンタル酸リチウム結晶の導電率を向上させることで、発生した表面電荷を蓄積させることなく消失させることが可能であるとともに、単一分極構造を維持して有効な圧電性を発揮できるタンタル酸リチウム結晶の製造方法が提供される。 （もっと読む）

１つの態様によれば、本発明は、制御される微小構造体並びに結晶学的配向を有する多結晶膜を形成する方法を提供する。本方法は、特定の結晶方位の細長い粒子又は単結晶アイランドを形成する。特に、基板上で膜を処理する方法は、１つの好ましい結晶方位に主に向けられた結晶粒子を有する配向膜を提供する段階と、次いで、好ましい結晶方位に向けられた粒子の位置制御成長を可能にする順次横方向固化結晶化法を用いて微小構造体を生成する段階とを含む。 （もっと読む）

本発明は、線形焦点式レーザビームを用いた固形物のレーザドーピング方法、および該方法に基づいて製造された太陽電池エミッタである。本発明に係るレーザドーピング方法では、まず第１に、ドーパントを含む媒体を、固体材料の表面に接触させる。そして、レーザパルスを照射することによって、媒体と接触する固体材料の表面下の領域を溶解させる。その結果、ドーパントが、溶解した領域に拡散し、また、冷却されて、該溶解した領域が再結晶する。レーザビームの焦点は、固体材料上に線形的に合わせられ、その線形焦点の幅は、１０μｍよりも小さいことが好ましい。
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