【課題】良好な結晶品質を有するＧａＮ層のようなＩＩＩ族−窒化物が得られる方法で形成されたＩＩＩ族−窒化物／基板構造と、少なくとも１つのそのような構造を含む半導体デバイスを提供する。
【解決手段】基板１の上に、例えばＧａＮ層５のような、ＩＩＩ族−窒化物層の堆積または成長を行う方法であり、基板１は、少なくともＧｅ表面３、好適には六方対称を有する。この方法は、基板１を４００℃と９４０℃の間の窒化温度に加熱するとともに、基板１を窒化ガスの流れに露出させる工程と、続いて、１００℃と９４０℃の間の堆積温度で、Ｇｅ表面３の上に、例えばＧａＮ層５のようなＩＩＩ族−窒化物を堆積する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、（ＡｌＧａＩｎ）Ｎの光電子デバイス及び電子デバイスのための基材として好適な、高い品質の（ＡｌＧａＩｎ）Ｎ構造物及びそのような構造物を形成する方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る方法は、半導体構造物を分子線エピタキシー反応槽内で処理すること；基材上にＡｌ_ｘＩｎ_ｙＧａ（_{１−（ｘ＋ｙ）}）Ａｓ（０≦ｘ＋ｙ≦１）及びＡｌ_ｘＩｎ_ｙＧａ（_{１−（ｘ＋ｙ）}）Ｐ（０≦ｘ＋ｙ≦１）のうち少なくとも１つを含むぬれ層を成長させること；上記ぬれ層をインシチューアニーリング（ｉｎ−ｓｉｔｕ ａｎｎｅａｌｉｎｇ）すること；付加的なリン又はヒ素の流体と共に、プラズマ励起された窒素を窒素源として用いて、上記ぬれ層上に第１のＡｌＧａＩｎＮ層を成長させること；上記第１のＡｌＧａＩｎＮ層の上に、窒素源としてアンモニアを用いて第２のＡｌＧａＩｎＮ層を成長させること；を含む。 （もっと読む）

より高い不純物濃度のアルカリ金属を保有する六方晶系ウルツ鉱基板を使用することによって、低い不純物濃度のアルカリ金属を伴う六方晶系ウルツ鉱型エピタキシャル層を得る方法であって、エピタキシャル層がその上に成長させられる基板の表面は、ｃ面とは異なる結晶面を有する方法。本発明の１つ以上の実施形態による、六方晶系ウルツ鉱基板上に成長させられる六方晶系ウルツ鉱型エピタキシャル層は、六方晶系ウルツ鉱基板中のアルカリ金属の不純物濃度よりも低い、六方晶系ウルツ鉱型層中のアルカリ金属の不純物濃度を有し、六方晶系ウルツ鉱型エピタキシャル層は、ｃ面とは異なる結晶面を有する六方晶系ウルツ鉱基板の表面上に成長させられる。
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【課題】危険性を低減し、かつ低温で効率よく窒素を供給できるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の結晶成長方法、発光デバイスの製造方法および電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体１０２の結晶成長方法は、以下の工程を備えている。まず、窒素の原料としてモノメチルアミンおよびモノエチルアミンの少なくともいずれか一方を含むガスが準備される。そして、ガスを用いて気相成長法によりＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体１０２が成長される。 （もっと読む）

【課題】高周波プラズマ発生セルから放出されるＨＢ（High brightness）放電プラズマフラックスに含まれる電気的に中性な励起原子、基底原子および励起分子を含む活性種量を、電流をもって直接的に検出し、該検出電流値に基づき活性種フラックス量を算定する、高精度でかつ製造コストの安価な原子フラックス測定装置を提供すること。
【解決手段】 直流電源により予め定めた負電位にバイアスされた原子プローブ電極の前方に配置した荷電粒子排除器により高周波プラズマ発生セルから放出されるＨＢ放電プラズマに含まれる活性種フラックスに含まれる荷電粒子を排除して上記原子プローブ電極に活性種フラックスを導入し、該原子プローブ電極における上記活性種の電離に応じて上記第１電流検出器により検出される電流値に基づき演算手段によりＨＢ放電プラズマに含まれる活性種フラックスに含まれる原子フラックス量を算定する。 （もっと読む）

【課題】常温で磁性と強誘電性とを同時に示す超格子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、少なくとも２種類の強誘電性酸化物薄膜が積層されてなり、各層の前記酸化物薄膜が奇数枚の原子層からなる常温磁性強誘電性超格子とする。 （もっと読む）

【課題】表面の平坦性や結晶構造の完全性に優れ、かつ光学特性の良好なＩｎＮエピタキシャル薄膜を得るのに有用で簡便な成長方法を提供する。
【解決手段】ＩｎＮ薄膜をＧａＮバッファ層上にエピタキシャル成長するに先立ち、ＧａＮバッファ層表面上に窒素のプラズマソースの供給がない状態で約１分子層−２分子層（ＭＬ）の厚さのＩｎ金属を供給する。またＧａＮバッファ層の極性がＮ極性（（０００−１）面、−ｃ面）であってもよい。また、成長技術として窒素原子の供給手段としてＮ２ガスから発生するプラズマを用い、ＧａとＩｎの供給手段としてルツボ内でＩｎあるいはＧａ金属元素を高温加熱して生成される原子ビームを利用してもよい。（ＲＦ−ＭＢＥと呼ばれる手法）。 （もっと読む）

【課題】半導体材料の応力及び亀裂のない堆積のための基板と、かかる基板の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体層構造の製造方法にあたり、ａ）半導体材料からなる基板を準備し、ｂ）前記基板上に第二の半導体材料からなる層を施与して、半導体構造を作製し、ｃ）該半導体層構造中に軽ガスイオンを注入して、半導体層構造内に空洞を含む層を作製し、ｄ）前記空洞を規定種の不純物原子によって安定化し、ｅ）該半導体層構造上に少なくとも１層のエピタキシャル層を施与する。 （もっと読む）

【課題】 不純物を低減して、リン分子を分子線として照射することができる分子線源および分子線源使用方法を提供する
【解決手段】 充填空間１１に赤リン材料を充填し、充填空間１１と精製空間１２とを連通させた状態で、充填部２１を第１気化温度ｔ１ｇに加熱して充填空間１１に存在する赤リンを昇華して、精製空間１２に白リンを凝縮する。次に精製空間１２と貯留空間１３とを連通させた状態で、精製部２２を第１気化温度ｔ１ｇよりも低い第２気化温度ｔ２ｇに加熱して精製空間１２に存在する白リンを気化して、貯留空間１３に白リンを凝縮する。このようにして貯留空間１３に生成した白リンを分子線の照射材料として用いて、リン分子線を照射する。 （もっと読む）

【課題】 良質なＺｎＯ系化合物半導体結晶を得ることができるＺｎＯ系化合物半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 （０００１）面で構成される複数のテラスが、ｍ軸方向に階段状に連なった主表面を備え、複数のテラスが定める階段の、（０００１）面を基準とした傾斜角が２°以下であるＺｎＯ基板を準備する。主表面上に、ＺｎＯ系化合物半導体結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】 誘電率が高く、かつ、リーク電流の小さな絶縁膜及びこれを用いた電子素子を提供することを目的とする。
【解決手段】シリコンを主成分とする半導体層と、前記半導体層の上に直接接合してエピタキシャル成長されたペロブスカイト構造の誘電体薄膜であって、前記ペロブスカイト構造の面内格子定数の２^１／２倍が、前記半導体層の面内格子定数に対してプラスマイナス１．５％以内であり、前記ペロブスカイト構造を化学式ＡＢＯ_３と表した時に、Ａは、Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇの少なくともいずれかを含み、且つ前記Ａに占めるＭｇの割合は１０％以下であり、前記組成式におけるＢは、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆの少なくともいずれかを含み、且つ前記Ｂに占めるＴｉの割合は５０％以下である誘電体薄膜と、を備えたことを特徴とする電子素子を提供する。 （もっと読む）

本発明はエピタキシャル成長層(6)の形成方法に関し、エピタキシー用支持体(9, 9')とその形成方法にも関する。この方法は、ａ）支持基板となる第１基板(1)の内部に原子種を注入することにより支持基板内で薄肉支持層となる薄層(13)と支持基板の残余部分(11)との境界を画定する脆弱ゾーン(12)を形成する工程、ｂ）後工程のエピタキシャル成長層(6, 6')の成長に適した材質の結晶核形成薄層(23)を前記薄層(13)の露出表面(130)上にこれら両層間に接合界面(4)を形成させて移載する工程、ｃ）支持基板(1)の残余部分(11)を薄層(13)との接触を維持したまま脆弱ゾーン(12)に沿って分離する工程、ｄ）結晶核形成薄層(23)上にエピタキシーによってエピタキシャル成長層(6, 6')を成長させる工程、及び ｅ）支持基板(1)の残余部分(11)を薄層(13)から取り外す工程を備えている。光学、光電子工学又は電子工学分野で利用される。
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【課題】セラミック材料を主成分とする焼結体からなる基板を用いた窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムを主成分とする単結晶薄膜の形成方法、及び該単結晶薄膜形成基板を使用した発光素子などの半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】六方晶系又は三方晶系から選ばれた少なくともいずれかの結晶構造を有するセラミック材料を主成分とする焼結体、特に光透過性の焼結体を基板１として用いることにより、その上に窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムのうちから選ばれた少なくとも１種以上を主成分とする結晶性の高い単結晶薄膜２が形成され、さらに上記の結晶性の高い単結晶薄膜が形成された薄膜基板を用いることにより発光効率に優れた発光素子などの半導体素子の製造が可能となる。 （もっと読む）

本発明は、プラズマ気相エピタキシーのための低エネルギー高密度プラズマ発生装置を含んでなる化合物半導体層の高速エピタキシャル成長のための装置及び方法である。上記方法は、堆積チャンバーにおいて１つ又は複数の金属蒸気を非金属元素と結合させるステップを含む。するとガスが高密度低エネルギープラズマ存在下で非常に活性化される。それと同時に、半導体層を基板上に形成するために金属蒸気は非常に活性化されたガスと反応され、反応生成物はプラズマにさらされた支持部と連通する加熱された基板上に堆積される。上記方法は炭素を一切含まず、１０ｎｍ／ｓまでの成長率で、１０００℃以下の基板温度の大面積シリコン基板に窒化物半導体をエピタキシャル成長するために特に適する。上記方法は、炭素を含むガスも水素を発生するガスも必要とせず、有毒性のキャリア又は反応ガスを用いないため、環境に優しい方法である。
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本発明は、種基板を使用してc面配向のGaN又はAl_xGa_1-xN基板を製造する方法に関する。この方法では、種基板として正方晶系（100）又は（-100）配向のLiAlO₂ 種基板を使用し、窒素化合物含有雰囲気中、LiAlO₂ の分解温度よりも低温度で窒化を行い、温度500 ~ 700℃ でGaCl又はAlCl 、あるいはGaClとAlClの混合物を窒素化合物含有雰囲気に添加することによって核形成層を成長させ、核形成層上に、900℃〜1050℃ の温度範囲でGaCl又はAlCl 、もしくはGaCl/AlCl混合物を窒素化合物含有雰囲気中で使用するハイドライド気相成長法（HVPE）によって単結晶性のc面配向GaN層又はAl_xGa_1-xN層を成長させて、基板を冷却する。 （もっと読む）

【課題】熱膨張係数の差による応力発生のない良質の窒化物単結晶基板を製造可能な窒化物単結晶基板の製造方法および装置を提供する。
【解決手段】反応チャンバー内に装着されたサセプタに予備基板５０を配置する段階（ａ）と、上記予備基板上に窒化物単結晶層５５を成長させる段階（ｂ）と、上記予備基板を上記反応チャンバー内に維持しながら上記予備基板と上記窒化物結晶層が分離されるようにレーザービームを照射する段階（ｃ）と、さらに追加の窒化物成長工程をおこなうことにより窒化物単結晶層５５'を形成する段階（ｄ）と、最後に、レーザービームをさらに追加で照射することによりサファイア基板５０から窒化物単結晶層５５'を完全に分離する段階（ｅ）を含む。窒化物単結晶成長用反応チャンバー上部には、基板上面に向かってレーザーを照射するためのレーザー照射用透明窓を設ける。 （もっと読む）

【課題】 半導体成長用基板とIII族窒化物半導体膜は製造条件または製造装置が異なる等の理由により、半導体成長用基板が大気中の酸素雰囲気に晒されるような場合においても、成長用基板表面の汚染、酸化、表面欠陥の発生を効果的に防止するための基板表面保護方法ならびに該基板表面上へIII族窒化物成長方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板表面に、基板より再蒸発温度が低いＡｌ_ＸＩｎ_ＹＧa_{１−Ｘ−Ｙ}Ｎ（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１）からなる表面保護膜を形成し、半導体成長前に当該表面保護膜を取り除いて半導体を基板上に成長させる。 （もっと読む）

【課題】炭素原料と珪素原料の供給の交互切り換えや供給比率の調整を行うことなく炭化珪素結晶薄膜の作製を可能とする。
【解決手段】基板９の表面に成長結晶表面の原子配列状態を調整するために、珪素の単元素源（クヌーセンセル１２）から分子線を照射し、結晶が二次元成長するのに適した成長結晶表面状態を形成する工程と、結晶組み立て原料として炭素と珪素の結合（Ｓｉ−Ｃ）分子を内包する有機シランガス１５を供給し単結晶炭化珪素薄膜を成長させる工程とを有する。この基板９として、（０００１）珪素終端面または（０００−１）炭素終端面を有する六方晶炭化珪素基板を用いる。また、上記有機シランガス１５の原料には、モノメチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、テトラメチルシランを用いることができる。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体と良好な格子整合性を有する元基板を利用して、結晶欠陥の少ない高品質な窒化物半導体基板を簡易な方法で製造すること。
【解決手段】 第１の窒化物半導体結晶２０２を格子定数がａ軸方向に０．３０ｎｍから０．３６ｎｍまで、ｃ軸方向に０．４８ｎｍから０．５８ｎｍまでの化合物半導体元基板２０１の（ＡＢＣＤ）［Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄはそれぞれ独立に−４〜４の整数。］面上に成長させ、次いで元基板を除去し、第１の窒化物半導体結晶上に第２の窒化物半導体結晶２０４を成長させる。 （もっと読む）