【課題】
Ａｌ_４ＳｉＣ_４は高い耐酸化性、高温機械特性を持つが、結晶性の高い粒子の合成は難しい。
これは、従来、主に固相原料を混合したのちに熱処理を行っていたため、原料粉末を均一に混合することが難しく、生成反応として固相反応を主としているため反応の進行が遅く、結晶性の高いＡｌ_４ＳｉＣ_４を得ることが難しかった。
本発明は、このような従来得られなかった結晶性の良いＡｌ_４ＳｉＣ_４を得ると同時に、その製造技術を確立することを課題とする。
【解決手段】
発明１のアルミニウムケイ素炭化物粉末は、その結晶構造が六方晶であり、粒子の形状が六角板状であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶系が２Ｈ相である炭化ケイ素を２０％以上含み、形状異方性を有する炭化ケイ素粒子、および、この炭化ケイ素粒子を工業的規模で安価に製造することが可能な炭化ケイ素粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の炭化ケイ素は、２Ｈ相を２０％以上含み、粒子長さが１μｍ以下であり、かつ、形状異方性を有することを特徴とする。本発明の炭化ケイ素粒子の製造方法は、炭素源およびケイ素源を含む炭化ケイ素前駆体を不活性雰囲気中にて熱処理し、炭化ケイ素とする炭化ケイ素粒子の製造方法であって、前記炭化ケイ素前駆体のアルカリ金属の含有量を０．１質量％以上かつ１０質量％以下とすることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、炭化ケイ素のモノリシックなインゴットの製造方法であって、ｉ）ポリシリコン金属チップおよび炭素粉末を含む混合物を、蓋を有する円筒状反応セルの中へと導入する工程と、ｉｉ）ｉ）の円筒状反応セルを密封する工程と、ｉｉｉ）ｉｉ）の円筒状反応セルを真空加熱炉の中へと導入する工程と、ｉｖ）ｉｉｉ）の加熱炉を排気する工程と、ｖ）ｉｖ）の加熱炉に、大気圧近くまで実質的に不活性ガスであるガス混合物を充填する工程と、ｖｉ）ｖ）の加熱炉の中の円筒状反応セルを１６００〜２５００℃の温度に加熱する工程と、ｖｉｉ）ｖｉ）の円筒状反応セルの中の圧力を０．０５ｔｏｒｒ（約６．７Ｐａ）以上５０ｔｏｒｒ（約６．７ｋＰａ）未満まで低下させる工程と、ｖｉｉｉ）ｖｉｉ）の円筒状反応セルの蓋の内側でのこの蒸気の実質的な昇華および凝縮を許容する工程と、を含む方法に関する。 （もっと読む）

【課題】従来法よりも簡単に、しかも従来法では実現できなかった主として炭素からなる構造体の形態を保持した炭化ケイ素構造体の製造を、低温で、かつ短時間で行うことことができる炭化ケイ素構造体の製造方法を提供することにある。
【解決手段】不活性ガス雰囲気の反応容器中で、シリコンを含むナトリウムの融液を付加した状態で、主として炭素からなる構造体を加熱し、加熱した後に得られる炭化ケイ素構造体中の主たる炭化ケイ素の結晶構造がβ型であり、更に、主として炭素からなる構造体を加熱する温度は、６００℃以上、１２００℃以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素の表面に反応性イオンエッチングにより微細加工を施す際に、炭化ケイ素の表面を任意形状かつ高精細に微細加工することができ、特に、ナノメートル級の寸法公差による微細加工を行うことができる炭化ケイ素の表面処理方法を提供する。
【解決手段】単結晶炭化ケイ素基板の表面に反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により微細加工を施す前に行う表面処理方法であって、単結晶炭化ケイ素基板の表面に、アンモニア及び過酸化水素を含む水溶液、塩酸及び過酸化水素を含む水溶液、硫酸及び過酸化水素を含む水溶液、フッ酸及び過酸化水素を含む水溶液の群から選択される１種または２種以上を順次用いてケミカル洗浄を施し、次いで、この表面に酸素プラズマ処理を施す。 （もっと読む）

【課題】炭化物系セラミックスからなり、かつ、高い出力因子をもつn型熱電変換材料を提供する。
【解決手段】熱電変換材料は、結晶構造中にRC₆八面体（但し、RはZr、Sc、Y又は希土類元素から選択された少なくとも一種類以上の元素である。）が稜共有することで形成される[RC₂]層を部分構造として含む。すなわち、電気伝導率の高い層と電気伝導率の低い層とからなる二種類の異なる層が交互に積層する結晶構造をもつことから、良好な熱電特性を示す。 （もっと読む）

【課題】 実用的な条件によって加工変質層を除去するＳｉＣ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明のＳｉＣ基板１１は、実質的に平行な第１および第２の主面１１ａ、１１ｂを有し、第２の主面１１ｂのみが鏡面仕上げされており、反りが±５０μｍ以下であるＳｉＣ基板であって、第２の主面１１ｂの表面粗度Ｒａは１ｎｍ以下であり、第１の主面１１ａの加工変質層が除去されている。 （もっと読む）

【課題】高い強度のチタンシリコンカーバイド基複合材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】多結晶チタンシリコンカーバイドの結晶粒を配向させ、大部分の結晶のｃ面が一方向に揃った組織のチタンシリコンカーバイドに微細な炭化チタン粒子が分散した組織で、その強度が従来の多結晶チタンシリコンカーバイドより大きいことを特徴とするチタンシリコンカーバイド基複合材料、及びこの複合材料に１０〜２０体積パーセントの炭化ケイ素ウィスカが分散した組織で、更に、高強度であることを特徴とするチタンシリコンカーバイド基複合材料、及びチタン、ケイ素、炭化チタンの混合粉末、又はチタン、炭化ケイ素、炭素の混合粉末を用いて、上記チタンシリコンカーバイド基複合材料を製造する方法。 （もっと読む）

この発明は少なくとも95％の炭化珪素ＳｉＣを含む多孔質セラミック物質からなる構造物を得る方法に関し、前記方法は前記構造物が少なくとも
― 中位数径が5ミクロン未満であるα-ＳｉＣ結晶粒子の第１画分；
― 中位数径がα-ＳｉＣ結晶粒子の第１画分より少なくとも２倍大きく、しかも中位数径が5ミクロン以上であるα-ＳｉＣ結晶粒子の第２画分；および
― β-ＳｉＣ結晶粒子もしくは少なくともβ-ＳｉＣ結晶粒子の先駆物質の画分
を含むα-ＳｉＣ結晶粒子の混合物から得られることを特徴とする。
この発明はまた当該方法により得られる多孔構造物に関する。 （もっと読む）

【課題】電子放出特性の向上や摩擦特性の向上に有効な尖頭状の形態を有する炭化ケイ素ナノ構造体、およびその炭化ケイ素ナノ構造体を低温で簡素なプロセスで製造できる方法の提供。
【解決手段】Ｓｉ基板の表面に尖頭状の炭化ケイ素集合体が突出して点在している炭化ケイ素ナノ構造体、および圧力１〜７０Ｐａ、０．５〜３ｋＷのマイクロ波出力、基板温度３５０〜６００℃のＳｉ基板を用いるマイクロ波プラズマＣＶＤ法による炭化ケイ素ナノ構造体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】カーバイド誘導炭素、冷陰極用電子放出源及び電子放出素子を提供する。
【解決手段】カーバイド化合物をハロゲン族元素含有気体と熱化学反応させ、カーバイド化合物内の炭素を除いた残りの元素を抽出することによって製造されたカーバイド誘導炭素であって、ラマンピークによる分析の結果、１３５０ｃｍ^−１での無秩序に誘導されたＤバンドに対する１５９０ｃｍ^−１でのグラファイトＧバンドの強度比率が０.３〜５の範囲にあるカーバイド誘導炭素、ＢＥＴが１０００ｍ^２／ｇ以上であるカーバイド誘導炭素、Ｘ線回折の分析結果、２θ＝２５°でグラファイト（００２）面の弱ピークまたは広いシングルピークが表れるカーバイド誘導炭素、または電子顕微鏡の分析結果、電子回折パターンが非晶質炭素のハロ−パターンを表すカーバイド誘導炭素である。これにより、均一性に優れ、長寿命を有する電子放出源を提供でき、低コストで電子放出源を製造できる。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で、所定の形状のタンタルと炭素を固相拡散接合を可能とし更に、タンタルと炭素を固相拡散接合を行う場所以外のタンタ表面に炭化物を形成することを可能とする。
【解決手段】タンタル若しくはタンタル合金と炭素基板とを真空熱処理炉内に設置し、前記タンタル若しくはタンタル合金表面に形成されている自然酸化膜であるＴａ₂Ｏ₅が昇華する条件下で熱処理を行い、前記Ｔａ₂Ｏ₅を除去した後、前記真空熱処理炉内に炭素源を導入して熱処理を行い、前記タンタル若しくはタンタル合金表面と炭素基板表面を固相拡散接合させると同時に、タンタルと炭素を固相拡散接合を行う場所以外のタンタル表面に炭化物を形成する。 （もっと読む）

【課題】煩雑な合成工程を経ることなく簡便に製造でき、焼成することで炭化チタン、又
は、炭化チタンと炭素の混合物に変化する、新規な前駆体を提供すること。
【解決手段】チタンのアルコキシド又は塩化チタン、及び、フェノール又はフェノール化
合物の反応生成物からなることを特徴とする、炭化チタン、又は、炭化チタンと炭素の混
合物の前駆体。チタンのアルコキシド又は塩化チタン、及び、フェノール又はフェノール
化合物を混合して溶液又はスラリーを生じさせるか、チタンのアルコキシド又は塩化チタ
ン、及び、フェノール又はフェノール化合物を有機溶媒中で混合して溶液又はスラリーを
生じさせることで製造できる。溶液又はスラリーを乾燥させて得られる固体前駆体を焼成
して炭化反応を生じさせることにより炭化チタン又は炭化チタンと炭素の混合物を製造で
きる。 （もっと読む）

【課題】窒化物薄膜成長用基板として利用可能な亜粒界のない良質なTiC単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】式Ti_1-xZr_xC（ただし、0.05≦x≦0.35）で示される、炭化チタンTiCに、５モル％から３５モル％の炭化ジルコニウムZrCを固溶させた炭化物単結晶。この炭化物単結晶は、例えば、TiC粉末にZrC粉末を混合した圧粉体等を焼結した焼結棒を原料棒として浮遊帯域溶融法により単結晶を成長させることにより製造することができる。 （もっと読む）

ケイ素金属間化合物、例えば金属ケイ化物を特徴とするケイ素金属溶浸法によって作製された複合体。これは、複合材料技術者に、得られる複合材料の物理的性質を設計又は調整するより大きな柔軟性を与えるばかりでなく、該溶浸材を、固化の際の膨張の量をはるかに減少して有するように組成的に設計することができ、それによってネットシェイプ作製能力を高めることができる。ケイ素溶浸によってなされる複合体の金属成分を設計することによるこれらの及びその他の結果は、複雑な形状の大きな構造物の製作を可能にする。 （もっと読む）

【課題】 ＮａＣｌ型炭化ケイ素を容易に製造すること。
【解決手段】 孔径が０μｍより大きく１μｍ以下で柱状の細孔１が形成された中空体２の細孔内にクロロシラン３を１Ｔｏｒｒ〜１００Ｔｏｒｒの減圧下で流通させ、９００℃〜１３００℃の温度で熱分解させて、中空体の内壁にＮａＣｌ型炭化ケイ素を生成させる。 （もっと読む）

ケイ素炭素化合物を形成する方法。ケイ素源が環境に導入される。ケイ素粒子がケイ素源から形成される。１つ又は複数の炭化水素がケイ素源とは別々に環境に導入され、それにより１つ又は複数のケイ素炭素化合物が形成される。ケイ素粒子が炭化水素源と一緒になる前にケイ素粒子のサイズを最小にするために、解離エンハンサーを環境に導入することができる。
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炭化タングステンを処理するための方法が提供される。出発材料は、液相線によって上方に画定された、面心立方構造を有するγ相の単相領域を示す状態図に表されるW-C系の炭化タングステン粒子を含有する。粒子は、単相領域において均質化処理にかけ、その後、融解させて球状化することができる。次いで焼入れを行って、単相化構造を周囲温度で凍結させる。任意選択で、単相領域を広げるために、少なくとも1種の合金元素を出発材料に添加することができ、それによって、単相化粒子の焼入れ性を増大させる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、高品質かつ目的の特性を有するＳｉＣ単結晶ウェハを高歩留りで作製できるＳｉＣ単結晶インゴット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 炭化珪素単結晶のドーパント元素濃度の最大値が５×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満で、かつ、ドーパント元素濃度の最大値が最小値の５０倍以下である炭化珪素単結晶インゴット、及びその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 炭化珪素原料と成長している炭化珪素単結晶表面の温度を適切に保ちつつ、装填した原料を昇華ガスの供給源として有効に利用することのできる、炭化珪素単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】 昇華再結晶法を用いて炭化珪素単結晶を作製する際に、昇華温度以上に加熱する領域を炭化珪素原料部の中で少なくとも１回移動させて、炭化珪素単結晶の成長を行うことで、結晶と原料の温度を適切に保つと同時に、原料を有効に昇華させることのできる加熱方法を用いる。 （もっと読む）