【解決手段】ｐ−クレゾールを５０質量％以上含有するノボラック型フェノール樹脂に架橋剤を反応させて得られる変性ノボラック型フェノール樹脂。
【効果】本発明の変性ノボラック型フェノール樹脂の合成方法を行うことにより、既存のｐ−クレゾールを５０質量％以上含有するノボラック型フェノール樹脂の分子量を高分子量化し、フォトレジスト用フェノール樹脂として有用な耐熱性のある変性ノボラック型フェノール樹脂を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】優れた耐熱性と良好な感度を併せもつフォトレジスト用樹脂組成物に用いることができるノボラック型フェノール樹脂と、これを用いたフォトレジスト用樹脂組成物を提供する。
【解決手段】フェノール類と、トリメチルフェノール類と、ホルムアルデヒドと、を酸性触媒のもとで反応させて得られるノボラック型フェノール樹脂であって、前記フェノール類は、メタクレゾールを含み、当該ノボラック型フェノール樹脂は、前記メタクレゾールを樹脂全体の７５〜９９重量％、前記トリメチルフェノール類を樹脂全体の１〜２５重量％配合しており、ＧＰＣによるポリスチレン換算の重量平均分子量が、１５０００〜４５０００であり、二核体成分の割合が４．０％以上であることを特徴とするノボラック型フェノール樹脂。 （もっと読む）

【課題】可燃性有機ポリマー用臭素化火炎抑制（ＦＲ）添加剤の開発
【解決手段】クレゾールノボラック樹脂の２，３−ジブロモプロピルエーテルを臭素化火炎抑制（ＦＲ）添加剤として含む可燃性有機ポリマー。 （もっと読む）

【課題】 高反射基板上でパターンを形成するための適度な吸収を有し、露光後のパターン形状と密着性と段差基板での埋め込み特性が良好で、また、イオンインプランテーションを行う際のイオンインプラント耐性を有するポジ型レジスト材料、及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 （Ａ）カルボキシル基の水素原子が環構造を有する酸不安定基で置換された構造を有する繰り返し単位を含む、重量平均分子量が１，０００〜５００，０００の高分子化合物と、（Ｂ）置換又は非置換のフルオレセインのノボラック樹脂とをベース樹脂として含有し、更に、光酸発生剤を含有するものであることを特徴とするポジ型レジスト材料。 （もっと読む）

【課題】高い柔軟性を示し、且つ高耐熱性、高感度で、高い解像度が可能であると共に、さらに感光剤の溶解性及び塗布性が改良されたノボラック型フェノール樹脂及びその製造方法、並びにそれを用いた感光性組成物（特にフォトレジスト組成物）を提供する。
【解決手段】ｍ−クレゾール及びｐ−クレゾールの少なくとも１以上を含有する１価フェノール成分（ａ）と、炭素数が３以上の脂肪族ポリアルデヒド（ｂ１）と炭素数が２以上の脂肪族モノアルデヒド（ｂ２）とを含有するアルデヒド成分（ｂ）とを縮重合反応して得られるノボラック型フェノール樹脂であって、ノボラック型フェノール樹脂のモル比［ポリアルデヒド（ｂ１）に起因するセグメント／モノアルデヒド（ｂ２）に起因するセグメント］が、８０／２０〜１０／９０であることを特徴とするノボラック型フェノール樹脂である。 （もっと読む）

【課題】長時間の印刷においても紙剥けの低減が出来、光沢感のある高品質の印刷物を得ることが出来る、平版印刷インキ用樹脂およびそれを含有させた平版印刷インキの提供。
【解決手段】ロジン類（ａ）、ノボラック・レゾール型フェノール樹脂（ｂ）および再生処理した植物油（ｃ）を反応させてなるロジン変性フェノール樹脂（Ａ）を含有することを特徴とする平版印刷インキであり、好ましくは、ロジン変性フェノール樹脂（Ａ）が、重量固形分比で、ロジン類（ａ）５〜７５重量％、ノボラック・レゾール型フェノール樹脂（ｂ）１５〜８５重量％および再生処理した植物油（ｃ）５〜３０重量％を反応させてなることを特徴する平版印刷インキ。 （もっと読む）

【課題】硬化耐燃性樹脂の調製に有用な新規なホスフィン化化合物を提供する。
【解決手段】一官能性、二官能性、および多官能性フェノールの新規なホスフィン化化合物、その誘導体、ならびにその調製方法。新規なホスフィン化化合物の例を下記に示す。


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【課題】低温硬化が可能で、アルカリ水溶液現像が可能であり、十分に高い感度及び解像度で、密着性及び耐熱衝撃性に優れるレジストパターンを形成することができるポジ型感光性樹脂組成物、ポジ型感光性樹脂組成物を用いたレジストパターンの製造方法、係る方法により形成されたレジストパターンを有する半導体装置、及び半導体装置を備える電子デバイスの提供。
【解決手段】フェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂と、光により酸を生成する化合物と、熱架橋剤と、炭素数４〜２０のアルキル（メタ）アクリレート単位、（メタ）アクリル酸単位及び側鎖に１級、２級、３級アミノ基を有する（メタ）アクリレート単位を有するアクリル樹脂と、を含有するポジ型感光性樹脂組成物。 （もっと読む）

【解決手段】(i)犠牲膜パターン上に無機材料膜を形成し、犠牲膜パターンの形状を持つ空間を形成する工程を含むマイクロ構造体の製造方法において、(A)一部又は全部のフェノール性水酸基が1，2−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドによりエステル化されたクレゾールノボラック樹脂を含むと共に、架橋剤を含み、かつ200〜300nmの波長領域に最大の吸収極大を持つ光酸発生剤を含む光パターン形成性犠牲膜形成用組成物を用い、犠牲膜として塗布する工程、(B)基板を加熱する工程、(C)パターンレイアウトイメージに沿った照射を行う工程、(D)犠牲膜パターンを形成する工程、(E)上記犠牲膜パターン中のクレゾールノボラック樹脂間に架橋を形成する工程を含む。
【効果】高精度な欠陥損失のない平面形状及び85°以上90°未満側壁の形状を有し、かつ熱耐性に優れる犠牲膜パターンが得られる。 （もっと読む）

【課題】組成物の流動性に優れると共に、近年の電子部品関連材料に適する耐湿信頼性と、環境調和のためハロゲンフリーで高い難燃性を実現する熱硬化性樹脂組成物、その硬化物、及び該組成物を用いた半導体封止材料、並びにこれらの性能を与えるフェノール系樹脂、及びエポキシ樹脂を提供する。
【解決手段】複数のフェノール性水酸基含有芳香族骨格（ｐｈ）がアルキリデン基又は芳香族炭化水素構造含有メチレン基を介して結合した樹脂構造（α）の芳香核にナフチルメチル基又はアントニルメチル基を有し、かつ、該樹脂構造（α）のフェノール性水酸基の５〜５０モル％がナフチルメチルエーテル化又はアントニルメチルエーテル化した樹脂構造を有するフェノール樹脂をエポキシ樹脂原料又はエポキシ樹脂用硬化剤として使用する。 （もっと読む）

【課題】ポリイミド樹脂及びポリベンゾオキサゾール樹脂の代替材料となり得るフェノール樹脂を含有する感光性樹脂組成物、該感光性樹脂組成物を用いた硬化レリーフパターンの製造方法、該硬化レリーフパターンを有してなる半導体装置、及び新規のフェノール樹脂を提供する。
【解決手段】半導体素子の表面保護膜又は層間絶縁膜を形成するための感光性樹脂組成物であって、フェノール性水酸基数が異なる２種類以上のフェノール化合物を含む重合成分の重合反応生成物であるフェノール樹脂（Ａ）：１００質量部；及び光酸発生剤（Ｂ）：０．１〜５０質量部；を含有する、感光性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】高炭素密度、高耐熱性、高屈折率及び蛍光特性等の高い機能性を有するフェノール樹脂、これを含む硬化性組成物及び硬化物を提供する。
【解決手段】下記式（１）で表される化合物をフェノール成分とし、酸性触媒の存在下、アルデヒド類、ジメチロール化合物類、アルケン類、ケトン類からなる群より選択される少なくとも１種である架橋剤で重合して得られるフェノール樹脂。


（式（１）中、Ｘ及びＹは、それぞれ独立にヒドロキシアリール基を示す。） （もっと読む）

【課題】優れたエッチング耐性、高い耐熱性等を有するレジスト下層膜を形成する。
【解決手段】一般式（１）で表されるビフェニル誘導体。


（Ａｒ１、Ａｒ２はベンゼン環又はナフタレン環を表す。ｘ、ｚはそれぞれ独立に０又は１を表す。） （もっと読む）

【解決手段】カルボキシル基の水素原子が環構造を有する酸不安定基で置換されている（メタ）アクリレートの繰り返し単位を含む重量平均分子量が１，０００〜５００，０００の範囲である高分子化合物と、ジヒドロキシナフタレンのノボラック樹脂と、光酸発生剤とを含有するポジ型レジスト材料。
【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、高反射の段差基板上での解像性と埋め込み特性と密着性に優れ、高解像性を有し、露光後のパターン形状とエッジラフネスが良好である。従って、特に超ＬＳＩ製造用あるいはＥＢ描画によるフォトマスクの微細パターン形成材料として好適なポジ型レジスト材料、特には化学増幅ポジ型レジスト材料を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】未反応のレゾルシンの残留量を少ないレゾルシンとアセトンとの縮合物の製造方法を提供する。
【解決手段】レゾルシンとアセトンとを酸の存在下で反応させる工程と、前記反応により副生した水を酸の存在下で除去する工程と、を含むレゾルシンとアセトンとの縮合物の製造方法。レゾルシンとアセトンとを酸の存在下で反応させる工程と、前記反応により副生した水を酸の存在下で除去する工程と、水を除去した後の混合物と塩基とを混合する工程と、を含む製造方法であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ベンゾオキサジンの硬化速度の改善。
【解決手段】ベンゾオキサジン：５０〜９９質量％、およびトリスフェノールメタン：５０〜１質量％を含有する熱硬化性樹脂組成物。さらに、所定量のノボラック樹脂、シリカなどを含むことができる。 （もっと読む）

【課題】 低溶融粘度、高ガラス転移温度、低吸湿性、高密着性、耐熱性、及び難燃性などに優れた新規なフェノールノボラック樹脂を提供する。
【解決手段】 一般式（１）： 式中、Ｒは一般式（２）： で示されるビフェニリレン基及びキシリレン基から選択される少なくとも１の２価のアリーレン基を表し、更に一般式（３）： 式中、Ｒ^４は、ヒドロキシル基又は炭素原子数１〜６のアルキル基である、で示される構成単位を含んでいてもよく、ｍ及びｎは、ｍ／ｎが０．０４〜２０を満たす数であり、また、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ、ヒドロキシル基又は炭素原子数１から６個のアルキル基であり、ｐ、ｑ及びｒは、それぞれ、０〜２の整数である、で示される構成単位を有し、１５０℃における溶融粘度が２０〜１００ｍＰａ・ｓである低軟化点フェノールノボラック樹脂に関する。 （もっと読む）

【課題】成形性に優れ、強度、高温下及び高湿下における寸法安定性に優れたフェノール樹脂組成物とフェノール樹脂成形材料並びにフェノール樹脂成形品を提供する。
【解決手段】フェノール樹脂とともに硬化剤、又は硬化剤と硬化助剤とを含有するフェノール樹脂組成物であって、フェノール樹脂がその全量１００質量％の内訳として、アルキルベンゼン変性ノボラック型フェノール樹脂３０〜６０質量％、ノボラック型フェノール樹脂１０〜３０質量％、ポリ酢酸ビニル変性ノボラック型フェノール樹脂１０〜５０質量％、レゾール型フェノール樹脂１０〜３０質量％の範囲内で選択されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】３層レジストプロセス用下層膜として反射率を低減でき（反射防止膜として最適なｎ値、ｋ値を有し）、埋め込み特性に優れ、パターン曲がり耐性が高く、特には６０ｎｍよりも細い高アスペクトラインにおけるエッチング後のラインの倒れやよれの発生がない下層膜を形成できるレジスト下層膜材料、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、下記一般式（１−１）及び／又は（１−２）で示される１種類以上の化合物と、水酸基を有するベンズアルデヒド、及び／又は、水酸基を有するナフトアルデヒドの１種類以上の化合物及び／又はその等価体とを縮合することにより得られるポリマーを含有するレジスト下層膜材料。
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【課題】曲がり耐性に優れ、パターン転写性能が高く、かつエッチング耐性にも優れるレジスト下層膜を形成することができ、下層膜形成時のアウトガスの臭気を抑制できるレジスト下層膜形成用組成物の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、［Ａ］下記式（１）で表される基を有する化合物を含有するレジスト下層膜形成用組成物である。下記式（１）中、Ｒは、炭素数１〜３０の１価の有機基である。但し、この有機基は、隣接する硫黄原子側の末端に酸素原子を含まない。［Ａ］化合物が、芳香環及びヘテロ芳香環からなる群より選ばれる少なくとも１種の環を有し、上記式（１）で表される基の＊で示される結合手が、これらの環に直接又は酸素原子を介して結合していることが好ましい。
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