紫外線により硬化可能な樹脂組成物は：２５乃至９５重量％の、１以上の３員エポキシド基を有する少なくとも１種の環状脂肪族エポキシもしくはエポキシド樹脂もしくは化合物、少なくとも１種のビニルエーテルおよび／または１以上の４員オキセタン基を有する少なくとも１種のオキセタン樹脂もしくは化合物、および／またはこれらの混合物；１乃至４０重量％の、少なくとも１種のポリカーボネートジオール、トリオールおよび／またはポリオール；および０．１乃至１０重量％の、少なくとも１種のカチオン性光開始剤；および任意選択的に、１乃至７０重量％の、少なくとも１種のラジカル的に重合可能なモノマーまたはオリゴマーおよび／またはこれらの混合物；および／または０．１乃至１０重量％の、少なくとも１種のフリーラジカル光開始剤を含む。 （もっと読む）

【課題】 半導体封止材料用、回路基板用、レジストインキ用に好適なエポキシ樹脂組成物、これに含有する新規エポキシ樹脂、新規多価ヒドロキシ化合物、これらを用いた硬化物、半導体装置、回路基板を提供すること。
【解決手段】 アルキル基を置換基として有するビフェノール類が芳香環に連結された２個の置換基を有してもよいメチレン基によって連結された構造を有する多価ヒドロキシ化合物、前記多価ヒドロキシ化合物とエピハロヒドリンとから誘導される新規エポキシ樹脂、これらを含有するエポキシ樹脂組成物、それらの製造法、これらを硬化した硬化物。 （もっと読む）

【課題】 吸湿後の半田処理においてもリードフレームとの剥離が発生しない耐半田性に優れるエポキシ樹脂組成物、及び半導体装置を提供すること。
【解決手段】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）無機充填材、（Ｄ）硬化促進剤、（Ｅ）キレート化剤、および（Ｆ）硫黄原子を有する化合物を必須成分として含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、好ましくは、前記硫黄原子を有する化合物（Ｆ）が硫黄原子を有するシランカップリング剤であり、前記キレート化剤（Ｅ）が１，３−ジケトン構造を持つ化合物である半導体封止用エポキシ樹脂組成物、並びにこれらを用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子と有機基板等の基板段差のある半導体素子搭載用支持部材とを埋め込み性不十分なく低温で接着することができ耐リフロー性の優れた半導体用接着フィルムを用いた半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明は、アクリル酸エステル共重合体、多官能エポキシ化合物、硬化剤、及びトリ置換ホスホニオフェノラートまたはその塩を含む樹脂組成物で構成されていることを特徴とする半導体用接着フィルムであり、低温接着性の向上のためにアクリル酸エステル共重合体を含有し、多官能エポキシ樹脂の硬化剤、エポキシ樹脂の硬化促進剤としてトリ置換ホスホニオフェノラートまたはその塩を含むことにより密着性と熱履歴後のフロー性を両立していることを特徴とする半導体用接着フィルムであり、その半導体用接着フィルムを用いて半導体素子と半導体素子搭載用支持部材とを接合する。 （もっと読む）

【課題】融点が低く、エポキシ樹脂硬化物の原料となり得る新規なエポキシ化合物を提供すること。
【解決手段】式（１）


（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７およびＲ^８は、水素原子等を表わし、Ｒ^９およびＲ^１０は、炭素数１〜１０のアルキル基等を表わす。Ｘ^１およびＸ^２は、下記（Ｘ−１）〜（Ｘ−３）で示されるいずれかの基を表わす。


ここで、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、Ｒ^１６、Ｒ^１７、Ｒ^１８、Ｒ^１９およびＲ^２０は水素原子等を表わす。ｍは１〜１０の整数を表わす。）
で示されるエポキシ化合物。 （もっと読む）

エポキシ樹脂（Ａ）及びエポキシ樹脂用硬化剤（Ｂ）を含み、前記エポキシ樹脂用硬化剤（Ｂ）が、ビフェニルの異性体もしくはそれらの混合物とフェノール系化合物とを反応させて得られる所定の一般式で表される構造単位Ｘ、又はベンゼンの異性体もしくはそれらの混合物とフェノール系化合物とを反応させて得られる所定の一般式で表される構造単位Ｙのうち少なくとも一つを含有し、前記構造単位Ｘの繰り返し数と前記構造単位Ｙの繰り返し数の総和（ｎまたは、ｍ＋ｍ’）が１０より大きく７５より小さいフェノール樹脂（Ｆ）を含有する。
（もっと読む）

【課題】密着性および半田耐熱性が従来に比べ一段と向上するとともに、成形性にも優れた封止用樹脂組成物、およびそれを用いた半導体封止装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）下記一般式（１）で示されるビフェニルノボラック型エポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂、（Ｂ）下記一般式（２）で示されるフェノールアラルキル樹脂を含むフェノール樹脂硬化剤、（Ｃ）無機充填剤、（Ｄ）１，８−ジアザビシクロ［４，３，０］ウンデセン−７およびそのフェノール樹脂塩から選ばれる少なくとも１種、（Ｅ）シランカップリング剤、並びに、（Ｆ）ビスマス系無機イオン交換体を含有する封止用樹脂組成物、およびその硬化物によって半導体素子が封止されてなる半導体封止装置である。
【化１】


（式中、ｎは０以上の整数を表す）
【化２】


（式中、ｎは０以上の整数を表す） （もっと読む）

【課題】 耐湿信頼性、高温保管性に優れた半導体装置を与える半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）無機充填材、及び（Ｅ）金属化合物添着活性炭を必須成分として含み、前記（Ｅ）金属化合物添着活性炭が全エポキシ樹脂組成物中に０．０１重量％以上、５重量％以下であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及び好ましくは、前記（Ｅ）金属化合物添着活性炭の金属添着量が０．２重量％以上、１重量％以下である半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】 耐湿信頼性、高温保管性に優れた半導体装置を与える半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）無機充填材、及び（Ｅ）活性アルミナを必須成分として含み、前記（Ｅ）活性アルミナの含有量が全エポキシ樹脂組成物中に０．０１重量％以上、５重量％以下であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、好ましくは、前記（Ｅ）活性アルミナが平均比表面積３０ｍ²／ｇ以上、４００ｍ²／ｇ以下の多孔質アルミナである請求項１記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】 成形時の離型性、連続成形性が良好で、且つ耐半田リフロー性に優れた特性を有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール系樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）無機質充填材、（Ｅ）グリセリントリ脂肪酸エステル及び（Ｆ）トリアゾール系化合物を必須成分とし、前記（Ａ）エポキシ樹脂、前記（Ｂ）フェノール系樹脂のうちの少なくとも一方が、主鎖にビフェニレン骨格を有するノボラック構造の樹脂を含み、前記（Ｅ）成分を全エポキシ樹脂組成物中に０．０１％以上１重量％以下の割合で含み、かつ前記（Ｆ）成分を全エポキシ樹脂組成物中に０．０１％以上２重量％以下の割合で含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】 難燃性、成形性、耐リフロー性、耐湿性及び高温放置特性等の信頼性に優れ、ＶＬＳＩの封止用に好適な封止用エポキシ樹脂組成物、及びこの組成物で封止した素子を備えた電子部品装置を提供すること。
【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）環状ホスファゼン化合物及び（Ｄ）リン酸エステル化合物を含む封止用エポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】 難燃性、成形性、耐リフロー性、耐湿性及び高温放置特性等の信頼性に優れ、ＶＬＳＩの封止用に好適な封止用エポキシ樹脂組成物、及びこの組成物で封止した素子を備えた電子部品装置を提供すること。
【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）環状ホスファゼン化合物及び（Ｄ）スチレン系ゴムを含むことを特徴とする封止用エポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】 難燃性付与剤を使用することなく高い難燃性を有し、かつ耐半田リフロー性および生産性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用いて半導体素子を封止してなる半導体装置を提供すること。
【解決手段】 （Ａ）フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型のエポキシ樹脂、（Ｂ）ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型のフェノール樹脂、（Ｃ）カルボキシル基を有するオルガノポリシロキサン、（Ｄ）酸化ポリエチレン、及び（Ｅ）無機充填剤を必須成分とし、（Ｅ）無機充填剤を全エポキシ樹脂組成物中に８４重量％以上、９２重量％以下含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の高い電子部品装置の実現に向けて、優れた流動性を発現し、速硬化性と保存安定性とを両立することができる新規化合物、その化合物を含有する硬化促進剤及び樹脂組成物、並びにそのような組成物によって封止された素子を備えた電子部品装置を提供する。
【解決手段】 下記一般式（I）で示されることを特徴とする化合物。
【化１】


（式（Ｉ）中、Ｒ¹〜Ｒ^３及びＲ^７〜Ｒ^１０は、炭素数１〜１８の置換又は非置換の炭化水素基を示し、それぞれ全てが同一でも異なっていてもよく、Ｒ^４〜Ｒ^６は、水素原子又は炭素数１〜１８の置換又は非置換の炭化水素基を示し、それぞれ全てが同一でも異なっていてもよく、Ｒ^４とＲ^５は結合して環状構造となっていてもよい。） （もっと読む）

【課題】 硬化性、保存性および流動性が良好なエポキシ樹脂組成物ならびに耐半田クラック性や耐湿信頼性に優れる半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明のエポキシ樹脂組成物は、１分子内にエポキシ基を２個以上有する化合物（Ａ）と、１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｂ）と、分子内にサクシンイミジルスルフィド構造を有する有機シラン化合物（Ｃ）を含むものである。前記エポキシ樹脂組成物は、無機充填材を含むものである。前記エポキシ樹脂組成物の硬化物により電子部品を封止してなることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 無機充填材の量を多くした場合であっても優れた充填性を得ることができるとともに、パッケージクラックを低減することができる半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】 エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤及び無機充填材を含有する半導体封止用エポキシ樹脂であって、前記エポキシ樹脂成分としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を、前記硬化剤成分として下記式（１）に示す構造を有するフェノール樹脂
【化１】


（式（１）中、ｍは１〜３の整数、ｎは１〜１０の整数を示す）を含有するエポキシ樹脂組成物を用いる。 （もっと読む）

【課題】 硬化性及び他の諸特性を低下させることなく、高流動性、低反り、耐半田特性が著しく優れたエリア実装型半導体封止用に適したエポキシ樹脂組成物、及びこれを用いた半導体装置を提供すること。
【解決手段】 基板の片面に半導体素子が搭載され、この半導体素子が搭載された基板面側の実質的に片面のみの封止に用いるものであって、結晶性エポキシ樹脂（Ａ）、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂（Ｂ）を主成分とし、ブタジエン・アクリロニトリル共重合体（Ｃ）を特定量含み、さらに硬化促進剤（Ｄ）及び特定量の無機充填材（Ｅ）を含むことを特徴とするエリア実装型半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び基板の片面に半導体素子が搭載され、この半導体素子が搭載された基板面側の実質的に片面のみが前述のエリア実装型半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて封止されているエリア実装型半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 成形時の離型性、連続成形性が良好で、且つ耐半田リフロー性に優れた特性を有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）無機質充填材、（Ｅ）酸化マイクロクリスタリンワックス及び（Ｆ）トリアゾール系化合物を必須成分とし、前記（Ａ）エポキシ樹脂、前記（Ｂ）フェノール樹脂のうちの少なくとも一方が、主鎖にビフェニレン骨格を有するノボラック構造の樹脂を含み、前記（Ｅ）成分を全エポキシ樹脂組成物中に０．０１％以上１重量％以下の割合で含み、かつ前記（Ｆ）成分を全エポキシ樹脂組成物中に０．０１％以上２重量％以下の割合で含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】 硬化性及び他の諸特性を低下させることなく高流動性、成形後や半田処理後の低そり、耐半田特性に優れたエリア実装型半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用いた半導体装置を提供すること。
【解決手段】 （Ａ）ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂と（Ｂ）ビフェノール型又はビスフェノール型の結晶性エポキシ樹脂、（Ｃ）ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂、（Ｄ）硬化促進剤、（Ｅ）無機充填剤、及び（Ｆ）トリアゾール環を有する化合物を必須成分とし、（Ａ）成分と（Ｂ）成分との重量比［（Ａ）／（Ｂ）］が１０／９０〜９０／１０であり、（Ｅ）成分を全エポキシ樹脂組成物中に８０重量％以上、９４重量％以下の割合で含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及び前記のエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

難燃性エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂および硬化剤を必須成分とし、リン原子含有難燃性ポリエステル樹脂を含有する。リン原子含有難燃性ポリエステル樹脂は、構造式（Ｉ）に示される反応性リン含有化合物を縮合反応又は重縮合反応させたものである。この難燃性エポキシ樹脂組成物は、ハロゲンを含まない難燃剤としてリン原子含有難燃性ポリエステル樹脂を含有することで難燃化を達成しているので、燃焼の際に有毒ガスの発生を抑制でき、且つ成形性に優れる。また、このエポキシ樹脂組成物の硬化物は、耐熱性、耐水性および耐薬品性、難燃性、耐半田性、耐湿性、耐トラッキング性等の諸特性において優れる。

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