【課題】大きい屈折率異方性を示す液晶性高分子、さらに優れた性能を有する液晶素子や光学素子の提供。
【解決手段】下記の一般式で表される化合物を反応させて得られるジアセチレン構造を有する液晶性高分子。R1-Sp1-(Ar1)_p-(Ar3)_q-(Phe)_r-C≡C-C≡C-(Phe)_r-(Ar4)_q-(Ar2)_p-Sp2-R2（式中、Ｒ１およびＲ２は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、イソチオシアネート基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、または反応性基を表し、Ｒ１およびＲ２の少なくとも一方は反応性基を有する。また、ＳＰ１およびＳＰ２はスペーサー基を表し、Ａｒ１およびＡｒ２は、非置換または置換の芳香族の炭素環式または複素環式基であり、Ａｒ３およびＡｒ４は、非置換または置換の複素環式基であり、Ｐｈｅは、非置換または置換１，４−フェニレン基を表し、ｐ、ｑおよびｒは、それぞれ０または１である。） （もっと読む）

【課題】ガスバリア性を有し、成型加工性が良好な高分子膜及びガスバリア材を提供する。
【解決手段】高分子膜は、下記一般式（１）で表される化合物を含み、ガスバリア材として用いる。
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【課題】パーティクルを生じにくい膜形成用組成物入り容器を提供すること。
【解決手段】本発明の膜形成用組成物入り容器は、分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造と、重合反応に寄与する重合性反応基とを有する重合性化合物を含む液状の膜形成用組成物を容器に収納してなるものであって、前記容器の前記膜形成用組成物を収納する収納部の収納量をＶ［ｃｍ^３］、前記収納部の内表面積をＳ［ｃｍ^２］としたとき、Ｓ／Ｖ≦０．８５の関係を満足することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は半導体素子デバイスなどにおける層間絶縁膜として使用するのに適し、誘電率などの特性に優れた膜を効率よく製造することができる絶縁膜形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】２つ以上の不飽和基を置換基として有するカゴ型シルセスキオキサン化合物を重合させて得られる高分子化合物と、空孔形成剤とを含有する膜を基板上に形成する膜形成工程と、該膜に電子線を照射する電子線照射工程と、電子線照射工程後に膜を加熱して、絶縁膜を形成する加熱工程とを備える、絶縁膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電極層と集電体との接着強度が優れ、かつ電気導電性を有する電極層を形成することができる二次電池用組成物、該二次電池用組成物を用いた二次電池用電極、及びそれを用いた二次電池の提供を課題とする。
【解決手段】少なくとも下記一般式（１）で表される熱硬化性化合物と、導電性材料と、を含む二次電池用組成物であり、分子量が５００以下の熱硬化性成分の比率が５％以下である二次電池用組成物。（一般式（１）において、Ｘは熱架橋性基を、Ｒ^１〜Ｒ^４はそれぞれ独立に水素原子、又は置換基を表し、Ｒは二価の連結基を、ｍ１〜ｍ４はそれぞれ独立に０〜４の整数を、ｎは１〜２０の整数を表す。）
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【課題】１回のジェッティングで比較的厚い膜（２μｍ以上）を形成することができる、ポリイミド形成成分を高濃度で含有するインクジェット用インクを提供すること。
【解決手段】酸無水物基を有する化合物（ａ１）と、該化合物（ａ１）以外の、下記一般式（１）で表されるモノアミン化合物（ａ２）とを用いて得られるアミド酸（Ａ）、およびアミノ基を有する化合物（ｂ１）と、該化合物（ｂ１）以外の、下記一般式（２）で表される、酸無水物基を１つ有する化合物（ｂ２）とを用いて得られるアミド酸（Ｂ）からなる群より選ばれる少なくとも１種のアミド酸を含む熱硬化性組成物：
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【課題】硬化時に反応副生成物が無く、溶融温度が低く、有機溶剤への溶解性も高く、他材料系との複合化を行ないやすく、硬化物が高い耐熱性を持つ熱硬化型付加反応ポリイミド化合物を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の熱硬化型付加反応ポリイミド化合物は、分子式ＢＡ_p（ｐ＝３または４）で表される、置換基Ａで置換された芳香族化合物Ｂからなる熱硬化型付加反応ポリイミド化合物であって、前記置換基Ａは下記式（１）に示す構造を有する置換基であり、



上記式（１）において、０≦ｎ≦２の整数、０≦ｍ≦３の整数、Ｒは炭素数６以上の単環式芳香族基、または炭素数６以上の芳香族基およびその誘導体のいずれか２以上が直接または架橋により相互に結合された複数環式芳香族基であって六員環の数が１または２の四価の置換基であり、芳香族化合物Ｂは、少なくとも炭素数３個を有する芳香族化合物であることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、高分子系における硬化剤としての式（Ｉ）の１，５−エンジイン化合物の用途に関する。詳しくは、本発明は、式（Ｉ）の硬化剤と、架橋されるために適するポリマーとを含む硬化性組成物およびこの硬化性組成物から得られた硬化された物品に関する。
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【課題】低誘電率で、安定した絶縁性を示し、かつ、強度に優れ、膜厚や特性の不本意なばらつきが抑制された絶縁膜の形成に好適に用いることができる膜形成用組成物を提供すること。
【解決手段】本発明の膜形成用組成物は、分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造ａ１と、重合性の官能基とを有する重合性化合物および／または当該重合性化合物が部分的に重合した重合体を含むものであって、アセチレン結合を含むアセチレン系反応基を、分子内に複数個備えたオリゴアセチレン体を前記重合性化合物として含むとともに、前記オリゴアセチレン体が有する前記アセチレン系反応基の少なくとも一部が水素原子で置換された構造を有する水素化体を含み、前記重合性化合物が重合していない状態とした場合における、前記オリゴアセチレン体と前記水素化体の総モル数に対する、前記水素化体のモル分率が０．０１〜１０モル％であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光学デバイスにおける反射防止膜などとして使用するのに適した、硬化時の膜収縮が少なく、塗布面状が良好で、耐湿性および密着性に優れ、高温条件下においても屈折率変化の小さい、低屈折率膜の形成が可能な光学材料用組成物を提供することを目的とする。さらに、本発明は、該光学材料組成物を用いて製造される反射防止膜、および該反射防止膜を有する光学デバイスを提供することも目的とする。
【解決手段】下記平均組成式（１）（Ｒ¹ＳｉＯ_1.5）_x（Ｒ²ＳｉＯ_1.5）_y（式（１）中、Ｒ¹は、重合性基を表す。Ｒ²は、非重合性基を表す。ｘは２．０〜１４．０の数を表し、ｙは２．０〜１４．０の数を表す。ただし、ｘ＋ｙ＝８〜１６を満たす。なお、複数のＲ¹およびＲ²は、同一であっても異なっていてもよい。）で表され、１種または２種以上のかご状シルセスキオキサン化合物から構成されるシルセスキオキサン類、より得られる重合体を含有する光学材料用組成物。 （もっと読む）

固体重合性ジアセチレン単量体組成物（種々の冷却条件下で種々の溶媒系から共結晶化した組成物が含まれる）は、組成物の発色反応性に関連する回折パターンを示し得る。高反応性組成物を開示し、高反応性相および低反応性相を同定することができる。低角粉末Ｘ線回折ピークは、組成物中の１つまたは複数の結晶相の存在を示し得る。フィンガープリント領域は、異なる反応性に関連する異なる回折ピークのフィンガープリントパターンを示し得る。ジアセチレン単量体の重合についての情報を、１３Ｃ核磁気共鳴（「ＮＭＲ」）特徴付けを使用して開示する。周囲条件の指示薬（例えば、時間−温度指示薬）で有用なジアセチレン単量体組成物を開示する。 （もっと読む）

【課題】低誘電率で、かつ、強度に優れ、膜厚の不本意なばらつきが抑制された絶縁膜を提供すること、前記絶縁膜の形成に好適に用いることができる膜形成用組成物を提供すること、また、前記絶縁膜を備えた半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の膜形成用組成物は、重合性の官能基を有する重合性化合物および／または当該重合性化合物が部分的に重合した重合体を含むものであり、前記重合性化合物は、分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造Ａと、重合反応に寄与する２つの重合性反応基とを有するものである。そして、前記重合性反応基は、芳香環と、当該芳香環に直接結合する２つのエチニル基とを有するものであり、前記重合性化合物は、前記部分構造Ａを中心に、前記重合性反応基が対称的に結合した構造を有するものである。 （もっと読む）

【課題】反応速度が速く、完全に芳香環生成物のみからなる超分子自立膜を製造することのできる、ポリフェニルアセチレン膜の芳香環形成による超分子自立膜の製造方法を提供する。
【解決手段】ポリフェニルアセチレン膜に蛍光灯による可視光を照射した。ポリフェニルアセチレン膜としては、ポリ（４−ドデシルオキシ−３，５−ビス（ヒドロキシメチル）フェニルアセチレン）膜、ポリ（４−［４−（フェニルエチニル）ベンジルオキシ］−３，５−ビス（ヒドロキシメチル）フェニルアセチレン）膜、ポリ（４−［４−（ドデシルオキシ）ベンジルオキシ］−３，５−ビス（ヒドロキシメチル）フェニルアセチレン）膜のいずれかが好適である。 （もっと読む）

【課題】 ゲル化せずに安定した品質が得られる絶縁膜形成用重合体の重合方法、また、低誘電率、高耐熱性、高機械強度を兼ね備えた有用な有機絶縁膜用材料、また、低誘電率、かつ高耐熱性、高機械強度に優れた有機絶縁膜及びその有機絶縁膜を有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】 重合性不飽和結合を含む基と、アダマンタン構造を最小単位とするカゴ型構造を有するカゴ型構造化合物を、少なくとも２段階以上の多段階反応により重合する方法であって、各段階の反応において、該１段階前の反応より、反応温度を１℃以上低温で重合することを特徴とする、絶縁膜形成用重合体の重合方法。前記重合方法で重合して得られた絶縁膜形成用重合体を含む有機絶縁膜用材料。前記有機絶縁膜用材料を、加熱、活性エネルギー線照射、又は加熱と活性エネルギー線照射により、架橋反応させて得られる有機絶縁膜。前記有機絶縁膜を具備する、電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】双連続キュービック構造等の液晶構造を自己組織的に形成できる材料であって、しかも、イオン伝導体として用いる場合に優れた形状保持性を示す材料を提供する。
【解決手段】特定の（ベンゼン環に結合する３，４，５位の３つの置換オキシ基の少なくとも一つがアルカジエニルオキシ基又はアルカジイニルオキシ基であるトリ置換オキシ基ベンゼンアルキル）トリアルキルアンモニウム化合物又はその対応するホスホニウム化合物。これらの化合物又はその塩が、その構成要素である重合性基により重合したものであり、かつ双連続キュービック液晶構造を有するポリマー及び電解質材料にも関する。そこでマイクロメートルオーダーで連続的なイオン性のナノチャンネルを有するポリマーフィルム材料の提供が可能となり、高いイオン伝導性を有する固体電解質の開発やサイズ選択的イオン透過膜などへの応用が期待できる。 （もっと読む）

【課題】従来の材料に代替可能な、高性能の基板形成材料となりうる熱硬化性組成物を提供する。
【解決手段】本発明の一形態は、主鎖にねじれ（ｋｉｎｋ）構造を有する芳香族または脂肪族環式構造単位を少なくとも１つ含み、主鎖の両末端の少なくとも一方に架橋性反応基が導入された所定の構造を有する熱硬化性液晶性オリゴマーと、両末端に架橋性反応基を有する架橋剤およびエポキシ化合物の少なくとも一方と、有機溶媒と、を含む熱硬化性組成物に関する。 （もっと読む）

【課題】 低誘電率、高耐熱かつ高機械強度を兼ね備えた絶縁膜用重合体を提供することにあり、さらに、それを用いた低誘電率、高耐熱かつ高機械強度を有する絶縁膜およびこれを備える半導体デバイスを提供する。
【解決手段】 炭素−炭素三重結合を分子中に２個以上有し且つカゴ型構造を含む化合物を重合することにより得られる数平均分子量１０，０００以下のオリゴマーを含むプレポリマーを重合することにより得られた数平均分子量２０，０００以上の絶縁膜用重合体。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低誘電性、高耐熱性、かつ優れた機械強度を達成できる膜を形成するための架橋性官能基を有する化合物を含む膜形成用組成物、この膜形成用組成物を用いて得られる膜、および絶縁膜、並びに、この絶縁膜を有する電子デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】一般式（１）で表される部分構造を少なくとも１つ有する化合物を含む膜形成用組成物。
【化１】


(一般式（１）中、Ｒ_１およびＲ_２は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｒ_１とＲ_２は、互いに結合して環構造を形成してもよい。Ｒ_３は、水素原子または置換基を表す。＊は、結合位置を表す。) （もっと読む）

【課題】 低誘電率、高耐熱性及び高機械強度を兼ね備えた樹脂膜を得ることができる有用な有機絶縁材料を提供し、また、低誘電率、低密度、高耐熱性及び高機械強度を兼ね備えた樹脂膜を提供し、さらにそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明の有機絶縁材料は、重合性不飽和結合を含む基と、アダマンタン構造を最小単位とするかご型構造を有するかご型構造化合物のプレポリマーを含む有機絶縁材料であって、前記プレポリマーは、ＧＰＣ−ＲＡＬＬＳ法により測定される重量平均分子量及び慣性半径の両対数グラフにおける重量平均分子量が５０万以上２００万以下の範囲の直線の傾きが、０．３３以上０．４７以下である。本発明の樹脂膜は、前記有機絶縁材料を、加熱、活性エネルギー線照射、又は加熱と活性エネルギー線照射により、架橋反応させて得られる。本発明の半導体装置は、前記樹脂膜を具備する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、低誘電率、かつ機械強度に優れた樹脂膜を形成し得る樹脂組成物を提供すること。また、本発明の別の目的は、低誘電率、かつ耐熱性および機械特性に優れた樹脂膜およびその樹脂膜を有する半導体装置を提供すること。
【解決手段】 本発明の樹脂組成物は、重合性不飽和結合を含む基と、アダマンタン構造を最小単位とする籠型構造を有する籠型構造化合物の重合体を含む樹脂組成物であって、前記重合体は、ゲル浸透クロマトグラフィーにより測定した分子量ピークにおいて、重合体を検出するピークＰのピーク面積Ａｐと残存モノマーを検出するピークＭのピーク面積Ａｍを足し合わせたピーク全面積（Ａｐ＋Ａｍ）に占める、ポリスチレン換算の重量平均分子量が９０００に相当する溶出時間よりも遅い溶出時間で検出されるピークＬのピーク面積Ａｌの面積の割合が０〜５％以下であることを特徴とする。 （もっと読む）