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Fターム[4J100BC03]の内容

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Fターム[4J100BC03]に分類される特許

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【課題】優れたフォーカスマージン(DOF)でレジストパターンを得ることができる樹脂及びレジスト組成物などを提供することを目的とする。
【解決手段】式(I)で表される化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びこれを含有するレジスト組成物。


[式中、R1は、水素原子又はメチル基;A1は、式(a−g1)で表される基、ここでsは0〜2の整数、A10及びA11は、それぞれ脂肪族炭化水素基を表し、X10は、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す;Aは、フッ素原子を有する2価の炭化水素基を表す。] (もっと読む)


【課題】本発明は、良好な感度に加え、未露光部の膜厚変化量が少ない感放射線性樹脂組成物、この感放射線性樹脂組成物から形成される表示素子用層間絶縁膜、並びにその形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、[A]同一又は異なる重合体分子中に、下記式(1)で表される基を有する構造単位(I)及びエポキシ基を有する構造単位(II)を含み、構造単位(I)の含有率が10モル%以上90モル%以下である重合体を含有する感放射線性樹脂組成物である。現像前の塗膜の膜厚Tに対する現像後の膜厚Tの膜厚変化率は、90%以上であることが好ましい。
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【課題】新規化合物、高分子化合物、レジスト組成物、酸発生剤及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】式(1−1)で表される化合物[式中、R、Rはそれぞれ独立に、単結合又は2価の連結基であり、Aは2価の連結基であり、R、Rはそれぞれ独立に、水酸基、置換基を有していてもよい炭化水素基、又は式(1−an1)、(1−an2)又は(1−an3)で表される基である。n0は0又は1である。Y1は単結合又は−SO−であり、Rはフッ素原子で置換されていてもよい、炭素数1〜10の1価の炭化水素基、炭素数3〜20の環状の1価の炭化水素基、又は炭素数3〜20の環状の部分構造を有する1価の炭化水素基である。Mは有機カチオン又は金属カチオンである]。
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【課題】簡便かつ効率的な、金属不純物量が極めて少ない半導体リソグラフィー用共重合体の製造方法及び該共重合体を製造するための重合開始剤の精製方法の提供。
【解決手段】本発明の重合体の製造に用いる重合開始剤の精製方法は、有機溶剤に溶解された重合開始剤の溶液を、公称孔径が1.0μm以下のフィルターに通液させて、重合開始剤溶液のナトリウム含有量を、重合開始剤の質量に対して、300ppb以下に低減させる、通液工程を含んでなるものである。さらに、本発明の半導体リソグラフィー用共重合体の製造方法は、上記の精製方法により精製された重合開始剤の存在下、ラジカル重合反応により、該半導体リソグラフィー用重合体を合成する、重合工程を含むものである。 (もっと読む)


【課題】高感度で、良好な形状のパターンを形成できるレジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用により極性が増大する構成を有する(メタ)アクリル酸エステル単位と、−SO−含有環式基を含む(メタ)アクリル酸エステル単位及び、一般式(a5−1)で表される(メタ)アクリル酸エステル単位とを有する高分子化合物(A1)、及び露光により酸を発生する成分(B)を含有するレジスト組成物。
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【課題】感度等の基本特性を満足し、MEEF及びLWRを指標とするリソグラフィー性能に優れるフォトレジスト組成物、並びにこのフォトレジスト組成物を用いたレジストパターンの形成方法、上記フォトレジスト組成物に用いられる重合体、及び化合物の提供。
【解決手段】下記式(1)で表される構造単位を有する重合体、及び感放射線性酸発生体を含有するフォトレジスト組成物である。また、下記Xが、炭素数2〜4のアルカンジイル基であり、下記Zが、Xに結合する炭素原子と共に炭素数5〜8の2価の単環の脂環式基を形成する基であるとよい。
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【課題】リソグラフィー特性及びパターン形状に優れたレジスト組成物、該レジスト組成物によるパターン形成方法、及び該レジスト組成物用として有用な高分子化合物の提供。
【解決手段】酸の作用により現像液溶解性が変化する基材成分(A)は、式(a0−1)で表される構成単位と、アクリル酸エステルから誘導される構成単位と、酸分解性基を含む構成単位とを有する樹脂成分(A1)を含有する。[化1]
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【課題】微細なパターンの形成においてもCDU等のリソグラフィー特性に優れるフォトレジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】[A]γ−ブチロラクトン環を含む構造単位を有するアダマンチル基及びアダマンタン環を含む酸解離性基含有重合体、及び[B]酸発生体を含有するフォトレジスト組成物であって、上記構造単位の含有割合が60モル%を超えることを特徴とするフォトレジスト組成物。 (もっと読む)


【課題】サイズ効果が良好であり、表面サイズ剤の製造から使用するまでの間、貯蔵安定性、特に、高濃度における貯蔵安定性に優れた製紙用表面サイズ剤および機械的シェアに安定で凝集物が発生しにくい表面塗工液を提供する。
【解決手段】(メタ)アクリルアミド(a1)30〜90重量%、スルホン酸基含有不飽和単量体(a2−1)を含むアニオン性不飽和単量体(a2)5〜50重量%、および置換基の炭素数が6〜12である(メタ)アクリル酸アルキルエステル単量体(a3)5〜50重量%を含む単量体成分(a)を共重合させて得られる水溶性ポリマー(A)、アルキルケテンダイマー(B)、トリメリット酸トリアルキルエステル(C)および水溶性アルミニウム化合物(D)を含有する製紙用エマルジョン型表面サイズ剤とする。 (もっと読む)


【課題】ラインウィズスラフネス等のラフネス性能、局所的なパターン寸法の均一性、露光ラチチュード及びドライエッチング耐性に優れ、かつ露光により形成されるパターン部の膜厚低下、いわゆる膜べりを抑制するパターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、電子デバイスの製造方法及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】(ア)下記一般式(I)で表される繰り返し単位(a)、及び酸の作用により分解してアルコール性水酸基を生じる基と多環の脂環式炭化水素基とを有する繰り返し単位(b)を有する樹脂(P)並びに活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(B)を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、(イ)該膜を露光する工程、及び(ウ)有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を含む、パターン形成方法。
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【課題】ラインウィズスラフネス等のラフネス性能、局所的なパターン寸法の均一性、及び、露光ラチチュードに優れ、かつ現像により形成されるパターン部の膜厚低下、いわゆる膜べりを抑制できるパターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びレジスト膜の提供。
【解決手段】(ア)下記一般式(I)で表される酸によって分解しカルボキシル基を生じる繰り返し単位(a1)を有する樹脂(P)、及び、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(B)を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、(イ)該膜を露光する工程、及び(ウ)有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を含む、パターン形成方法。
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【課題】磁気記録媒体形成用塗布液の調製のために好適なポリマー組成物を製造するための手段を提供すること。
【解決手段】ポリマー組成物の製造方法。前記ポリマー組成物は、所定の4種のモノマー(モノマー1〜4)を含む原料モノマーの重合反応により得られるポリマーを含み、モノマー1を水または水とアルコールとの混合溶媒に添加して調製した溶液Aと、モノマー2、3および4をケトン系溶媒に添加して調製した溶液Bとを混合して原料モノマー混合液を調製し、該原料モノマー混合液中で前記重合反応を行う。 (もっと読む)


【課題】リソグラフィー特性に優れ、良好な形状のレジストパターンを形成できるレジスト組成物およびレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するレジスト組成物であって、前記基材成分(A)が、下記一般式(a0−1)または下記一般式(a0−2)で表される構成単位(a0)を有する樹脂成分(A1)を含有し、前記酸発生剤成分(B)が、下記一般式(b0−1)または(b0−2)で表される化合物からなる酸発生剤(B1)を含有することを特徴とするレジスト組成物。
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【課題】感度等基本特性を満足し、MEEF及びLWRに優れる感放射線性樹脂組成物の提供。
【解決手段】下記式(1)で表される構造単位(I)を有する重合体、及びトリフェニルスルホニウム塩系の感放射線性酸発生体を含有する感放射線性樹脂組成物。
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【課題】リソグラフィー特性に優れ、LWRが改善され高解像度のフォトレジストパターンを形成するフォトレジスト組成物用の高分子化合物の原料として有用なアクリル酸エステル誘導体を提供する。
【解決手段】下記一般式(1)


(式中、Rは水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を表し、RおよびRはそれぞれ独立した基を表すか、またはRおよびRは両者が結合して炭素数1〜3のアルキレン基、−O−、若しくは−S−を表す。R11は水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数3〜10の環状炭化水素基を表す。)で示されるアクリル酸エステル誘導体。 (もっと読む)


【課題】優れたフォーカスマージン(DOF)で、ラインエッジラフネスを有するレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式(I)で表される構造単位を有する樹脂、酸発生剤及び式(II)で表される化合物を含有するレジスト組成物。


[式中、Rは、ハロゲン原子を有してもよいアルキル基、水素原子又はハロゲン原子;環Xは、複素環を表し、該複素環に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、炭化水素基、アルコキシ基、アシル基又はアシルオキシ基で置換されていてもよい;R及びRは、それぞれ独立に、炭化水素基、アルコキシ基、アシル基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、ニトロ基又はハロゲン原子を表す;m及びnは、それぞれ独立に、0〜4の整数を表す。] (もっと読む)


【解決手段】カルボキシル基の水素原子が環構造を有する酸不安定基で置換されている(メタ)アクリレートの繰り返し単位を含む重量平均分子量が1,000〜500,000の範囲である高分子化合物と、ジヒドロキシナフタレンのノボラック樹脂と、光酸発生剤とを含有するポジ型レジスト材料。
【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、高反射の段差基板上での解像性と埋め込み特性と密着性に優れ、高解像性を有し、露光後のパターン形状とエッジラフネスが良好である。従って、特に超LSI製造用あるいはEB描画によるフォトマスクの微細パターン形成材料として好適なポジ型レジスト材料、特には化学増幅ポジ型レジスト材料を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】レジストパターン製造時のフォーカスマージンが良好であり、欠陥の発生が少ないレジストパターンを得ることができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式(I)で表される構造単位を有する樹脂、式(II)で表される構造単位を有し、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂及び酸発生剤を含有するレジスト組成物。


[式中、Rは、水素原子又はメチル基;Aはアルカンジイル基;Rはフッ素原子を有する炭化水素基;Rは、ハロゲン原子を有してもよいアルキル基、水素原子又はハロゲン原子;環Xは、複素環を表す。] (もっと読む)


【課題】MEEF、LWR、CDU及び耐パターン倒れ性を十分に満足するレジストパターンを形成可能な感放射線性樹脂組成物並びにこの感放射線性樹脂組成物を用いたレジストパターンの形成方法の提供。
【解決手段】[A]下記式(1)で表される構造単位(I)及び酸解離性基を有する構造単位を含む重合体、[B]下記式(2)で表される光崩壊性を有する塩、並びに[C]感放射線性酸発生体を含有する感放射線性樹脂組成物である。
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【解決手段】環状構造を含む3級エステル型酸不安定基及び/又はアセタール型酸不安定基を有する繰り返し単位を含み、酸によってアルカリ現像液に可溶になる高分子化合物と、酸発生剤及び/又は酸と、アミノ基を有する化合物を発生させる光塩基発生剤と、必要により添加され、酸発生剤より発生する酸を中和することによって不活性化させるクエンチャーと、有機溶剤とを含むレジスト材料を基板上に塗布、露光、ベーク、アルカリ水現像によってネガパターンを得るパターン形成方法。
【効果】本発明によれば、未露光部と過露光部がアルカリ現像液に不溶で、中間の露光量部分だけ現像液に溶解するデュアルトーンの特性を有することができる。 (もっと読む)


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