【課題】高感度、良好なラフネス特性、良好なパターン形状、及び現像欠陥の低減を同時に満足する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、それを用いた感活性光線性又は感放射線性膜、及び、パターン形成方法を提供すること。
【解決手段】フッ素原子を含有する繰り返し単位を含む樹脂（Ａａ）と、酸の作用によりアルカリ溶解性が変化する樹脂であって、活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する構造部位を備えた繰り返し単位（Ｂ）を含む樹脂（Ａｂ）を含有することを特徴とする感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。 （もっと読む）

【解決手段】酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有する繰り返し単位及び／又は酸不安定基で置換されたヒドロキシ基を有する繰り返し単位とオキシラン環又はオキセタン環を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。
【効果】本発明によるレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く溶解コントラストが高く、酸拡散を抑制する特徴を有する。このフォトレジスト膜を用いて格子状パターンのマスクを使って露光し、有機溶剤現像を行うことによって、微細なホールパターンを寸法制御よく形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】有機溶剤現像時のパターン部の意図しない溶解に起因する解像性及び矩形性の低下を防ぎ、ドライエッチング耐性に優れ、特にＫｒＦ露光に好適なパターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】（ア）酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰返し単位を有する樹脂（Ａ）、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（Ｂ）、及び溶剤（Ｃ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程、（イ）該膜を露光する工程、及び（ウ）該露光された膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型パターンを形成する工程を有するパターン形成方法であって、樹脂（Ａ）中の全繰返し単位に対して、下記一般式（Ｉ）で表される繰返し単位の含有量が２０モル％未満で、かつ一般式（Ｉ）以外の非フェノール系芳香族基を有する繰返し単位を有する、パターン形成方法。
（もっと読む）

【課題】改良されたＬＷＲ及びエッチング制御を示すフォットレジストポリマーを提供する。
【解決手段】式（Ｉ）：


（式中、Ｌ_１はｍ価のＣ_２−３０アルキレン、Ｃ_３−３０シクロアルキレン、Ｃ_６−３０アリーレン、Ｃ_７−３０アラルキレン基であり、Ｘ_１は独立して、β−ジケトン、β−エステル−ケトン、β−ジ−エステル、または前記のものの少なくとも１種を含む組み合わせを含む塩基可溶性有機基である）の塩基可溶性モノマーと；式（Ｉ）の塩基可溶性モノマーに共重合可能な追加のモノマーと；の重合生成物を含むコポリマー。 （もっと読む）

【課題】向上したＬＥＲ性能を示すフォトレジスト組成物の提供。
【解決手段】フォトレジスト組成物は、酸感受性ポリマー、および式


を有する環式スルホニウム化合物を含む組成物。（式中、各Ｒ^ａは独立して置換もしくは非置換のＣ_１−３０アルキル基、Ｃ_６−３０アリール基、Ｃ_７−３０アラルキル基、または前記のものの少なくとも１種を含む組み合わせであり、Ａｒは単環式、多環式、または縮合多環式Ｃ_６−３０アリール基であり、各Ｒ^ｂは独立してＨ、Ｆ、線状もしくは分岐のＣ_１−１０フルオロアルキル、または線状もしくは分岐のへテロ原子含有Ｃ_１−１０フルオロアルキルであり、ＬはＣ_１−３０連結基であって、場合によってはヘテロ原子を含むものであり、このヘテロ原子はＯ、Ｓ、Ｎ、Ｆまたは前記のヘテロ原子の少なくとも１種を含む組み合わせを含む。） （もっと読む）

【課題】従来から知られるレジスト組成物では、レジストパターン製造時のフォーカスマージン（ＤＯＦ）が必ずしも十分ではない場合があった。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩と、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂とを含有するレジスト組成物。


［式（Ｉ）中、Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。Ｌ^１は炭素数２〜１７の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表し、該２価の脂肪族飽和炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。但し、該２価の脂肪族飽和炭化水素基を構成するメチレン基のうち、環Ｗと結合するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わらない。環Ｗは、炭素数２〜３６の複素環を表す。Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】安価に実施可能であり、段差基板上でのパターン形成性に優れたパターン形成方法、及び該方法に使用するための感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の提供。
【解決手段】（ア）側鎖にラクトン環構造を有する特定のアクリル酸エステル繰り返し単位（ａ）、ならびに下記一般式（III）、（IV）及び（V）の少なくとも１つで表される少なくとも１種の繰り返し単位（ｂ）を有する樹脂（Ｐ）と、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（Ｂ）とを含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程と、（イ）前記膜をＫｒＦエキシマレーザーにて露光する工程と、（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて前記膜を現像し、ネガ型のパターンを形成する工程とを含むパターン形成方法。
（もっと読む）

【課題】優れたフォーカスマージン（ＤＯＦ）でレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びこの樹脂を含むレジスト組成物。


［式中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基；Ａ¹は、式（ａ−ｇ１）で表される基；環Ｗ^１は、置換基を有していてもよいスルトン環；ｓは０〜２の整数；Ａ^１０は脂肪族炭化水素基；Ａ^１１は、単結合又は脂肪族炭化水素基；Ｘ^１０は、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基又はオキシカルボニルオキシ基を表す。] （もっと読む）

【課題】優れたラインエッジラフネス（ＬＥＲ）でレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物に由来する構造単位を有する樹脂と、式（Ｂ１）で表される塩とを含有するレジスト組成物。


［式中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基；Ｒ^２は、酸に不安定な基；Ｑ¹及びＱ²は、それぞれ独立に、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基；Ｌ^b1は、単結合又は２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい；Ｙは、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基；Ｚ⁺は、有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】経時の影響による寸法変動が抑制されると共に、リソグラフィー特性とレジストパターン形状に優れたレジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】一般式（ｇ１）又は（ｇ２）で表される一価の基を有する化合物（Ｇ）と、一般式（ｈ１）又は（ｈ２）で表される一価の基を有する化合物（Ｈ）とを含有するレジスト組成物。
（もっと読む）

【課題】リソグラフィー特性に優れたレジスト組成物の基材成分として有用な高分子化合物の製造方法、並びに当該高分子化合物を含有するレジスト組成物、及び当該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】アニオン基を有する水溶性モノマーを重合して前駆体ポリマーを合成し、当該前駆体ポリマーを水で洗浄した後、当該前駆体ポリマーを有機カチオンと塩交換させることを特徴とする、露光により分解して酸を発生する構成単位を有する高分子化合物の製造方法。当該高分子化合物の製造方法により製造された高分子化合物を含有するレジスト組成物、及び当該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】 レジスト組成物調製時の溶解性並びに安定性を高めると共に、レジスト成膜時の膜厚均一性、線幅均一性、現像時のレジスト膜の密着性等の特性を向上させ、且つ安全性を向上させた硬化性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】 （Ａ）脂環式エポキシ基含有重合性不飽和化合物に対応するモノマー単位及び（Ｂ）アルカリ可溶性基を含むモノマー単位を含む共重合体と、ジプロピレングリコールジメチルエーテルを全溶媒中３０〜１００質量％含有する溶媒とを含むことを特徴とする硬化性樹脂組成物を提供する。 （もっと読む）

【課題】高感度であること、ＬＥＲが良好であること、露光ラチチュードが良好であること、及びパターン形状が良好であることを同時に満足する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びにそれを用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、活性光線又は放射線の照射により分解して樹脂の側鎖に酸アニオンを発生するイオン性構造部位を備えた繰り返し単位（Ａ）と、下記一般式（Ｂ１）で表される繰り返し単位（Ｂ）と、酸の作用により分解してアルカリ可溶性基を発生する繰り返し単位（Ｃ）とを有する樹脂を含有する（一般式（Ｂ１）中、Ｒ_３は、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、又はシアノ基を表し；Ｙは、単結合又は２価の連結基を表し；Ｚは、単結合又は２価の連結基を表し；Ａｒは、芳香環基を表し；ｐは１以上の整数を表す。）。
【化１】
（もっと読む）

【課題】レジストパターンの製造時のフォーカスマージン（ＤＯＦ）が良好であり、あるいはマスクエラーファクター（ＭＥＦ）に優れ、欠陥の発生数が少ないレジストパターンを製造できるレジスト組成物などを提供する。
【解決手段】式（ａ）で表される化合物に由来する構造単位を有する樹脂、酸発生剤及び溶剤を含有するレジスト組成物。


［式（ａ）中、Ｒ^１は、水素原子又はメチル基；Ａ^１は、置換基を有していてもよいアルカンジイル基又は式（ａ−ｇ１）；ｓは０又は１；Ａ¹⁰及びＡ¹²は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基；Ａ¹¹は、置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基又は単結合；Ｘ¹⁰及びＸ¹¹は、それぞれ独立に、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基；ただし、Ａ¹⁰、Ａ¹¹、Ａ¹²、Ｘ¹⁰及びＸ¹¹の合計炭素数は６以下；Ｒ^２は置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【課題】解像性に優れると共に、現像後のディフェクトの発生を抑制でき、かつ、リソグラフィー特性やパターン形状が良好なレジスト組成物、レジストパターン形成方法、並びに、該レジスト組成物用として有用な高分子化合物及びその製造方法の提供。
【解決手段】側鎖に−ＳＯ_２−含有環式基を有するアクリルアミド構成単位（ａ０）と、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位（ａ１）とを有し、前記構成単位（ａ０）の含有割合が５０モル％未満である樹脂成分（Ａ１）、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するレジスト組成物。 （もっと読む）

【解決手段】カルボキシル基が酸不安定基により保護された部分構造を有する繰り返し単位を含有するベース樹脂と光酸発生剤と架橋剤と有機溶剤を共に含み、架橋剤がオキシラン環又はオキセタン環から選ばれる官能基を分子内に２つ以上有する化合物であるレジスト組成物を基板上に塗布し、塗布後加熱処理をして作製したレジスト膜を高エネルギー線で露光し、露光後加熱処理を施した後に、有機溶剤を含有する現像液によりレジスト膜の未露光部分を選択的に溶解させることを特徴とするネガ型パターン形成方法。
【効果】本発明のレジスト組成物は、有機溶剤現像において解像性が高く、露光、加熱処理により酸不安定基が脱保護した状態においても高い耐ドライエッチング性を示す特徴を有する。 （もっと読む）

【課題】 ＡｒＦエキシマレーザー光、ＥＵＶ等の高エネルギー線を光源としたフォトリソグラフィーにおいて、解像性に優れ、特にパターン形状の矩形性に優れ、更には基板への密着性に優れたパターンを形成することができるレジスト材料を得ることができる高分子化合物、該高分子化合物を含有する化学増幅レジスト材料及び該化学増幅レジスト材料を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 下記一般式（１）で示す繰り返し単位を含有する高分子化合物。
【化１】
（もっと読む）

【課題】本発明は、低温短時間硬化でも高い耐熱性を示す樹脂組成物及び該樹脂組成物を用いたコイルや回転機等の電気機器を提供することを目的とする。
【解決手段】（Ａ）ビシクロまたはトリシクロ構造を有する２級アルコールまたは３級アルコールからなる（メタ）アクリレート及び、（Ｂ）重合性炭素-炭素二重結合を２個以上有する（メタ）アクリレートあるいはスチレン誘導体と、（Ｃ）重合開始剤を含む熱硬化性樹脂組成物及びそれを用いた電気機器。 （もっと読む）

【課題】架橋反応を高度に制御可能な新規アクリル系共重合体の提供。
【解決手段】側鎖にアルコキシアミン骨格を有する（メタ）アクリル酸エステル共重合体を提供する。この（メタ）アクリル酸エステル共重合体は、下記一般式（Ｉ）で示される構造単位からなるものとできる。


この（メタ）アクリル酸エステル京重合体は、加熱するとアルコキシアミン骨格の交換反応に基づいて分子鎖間に架橋構造を形成する。この架橋構造は可逆的に形成、解離を繰り返し得るため、温度および時間などの反応条件を調節することにより、架橋程度を任意に制御できる。 （もっと読む）

【課題】優れたフォーカスマージン（ＤＯＦ）でレジストパターンを得ることができる樹脂及びレジスト組成物などを提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びこれを含有するレジスト組成物。


［式中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基；Ａ¹は、式（ａ−ｇ１）で表される基、ここでｓは０〜２の整数、Ａ^１０及びＡ^１１は、それぞれ脂肪族炭化水素基を表し、Ｘ^１０は、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す；Ａ^２は、フッ素原子を有する２価の炭化水素基を表す。］ （もっと読む）