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Fターム[4J100BC09]の内容

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Fターム[4J100BC09]に分類される特許

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【課題】本発明の目的は、液浸露光プロセスにおいて、露光時には大きい動的接触角を示すことにより、レジスト膜表面が優れた水切れ性を示し、現像時には動的接触角が大きく低下することにより、現像欠陥の発生が抑制されるレジスト膜を形成可能なフォトレジスト組成物を提供することである。
【解決手段】本発明は、[A]酸解離性基を有する重合体、[B]下記式(1)で表される構造単位(I)を有し、フッ素原子を含む重合体、[C]酸発生体、及び[D]溶媒を含有するフォトレジスト組成物である。R及びRは、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数1〜20の1価の有機基である。但し、RとRとが互いに結合して、これらが結合している炭素原子と共に炭素数3〜20の環構造を形成してもよい。
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【課題】
高周波領域での誘電正接が極めて小さく、耐熱性及びピール強度に優れ、さらに、反りが小さい積層体の製造に有用な、重合性組成物、この重合性組成物を用いて得られる樹脂成形体、およびこの樹脂成形体を積層してなる積層体を提供する。
【解決手段】
シクロオレフィンモノマー、重合触媒、架橋剤、架橋助剤、及び反応性流動化剤を含有する重合性組成物であって、前記シクロオレフィンモノマーが、(メタ)アクリロイル基を有するシクロオレフィンモノマーと(メタ)アクリロイル基を有しないシクロオレフィンモノマーとを、重量比((メタ)アクリロイル基を有するシクロオレフィンモノマー:(メタ)アクリロイル基を有しないシクロオレフィンモノマー)で、1:99〜30:70の範囲内で含有するものであり、前記反応性流動化剤が、シクロオレフィンモノマー100重量部に対して、ビニリデン基を1つ有する一官能化合物を1〜20重量部、及び、ビニリデン基を2つ有する二官能化合物を0.1〜20重量部含有するものである、重合性組成物。 (もっと読む)


【課題】リソグラフィー特性、塗布性及び引き置き安定性に優れたレジスト組成物、及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】構成単位(a0−1)と、酸分解性基を含む構成単位(a1)とを有し、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するる樹脂成分(A1)を含有する基材成分(A)、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)、及び含窒素有機溶剤成分(S)を含有するレジスト組成物。
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【解決手段】一般式(1)で表される繰り返し単位を含有し、重量平均分子量が1,000〜500,000の範囲である高分子化合物を含むレジスト保護膜材料。


(式中、R4〜R6はフッ素化1価炭化水素基を示す。)
【効果】本発明により、高撥水性かつ高滑水性の含フッ素環状アセタールを含む繰り返し単位を有するレジスト保護膜材料が提供される。 (もっと読む)


【課題】EUV用またはEB用として有用なレジスト組成物、該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】フッ素原子およびケイ素原子から選ばれる少なくとも1種と、芳香族基と、塩基の作用により分解して極性が増大する極性変換基とを有する樹脂成分(C)と、露光により酸を発生し且つ酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分(A)(ただし前記樹脂成分(C)を除く。)と、を含有し、前記樹脂成分(C)中の前記芳香族基を有する構成単位の割合が20モル%以上であることを特徴とするEUV用またはEB用レジスト組成物。 (もっと読む)


【課題】現像欠陥が少なくかつ良好なパターン形状を有するレジストパターンを形成できるフォトレジスト組成物の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、[A]酸解離性基を含む構造単位(I)を有するベース重合体、[B]塩基解離性基を含む構造単位(II)を有し、[A]重合体よりもフッ素原子含有率が高い重合体、及び[C]酸発生体を含有し、上記[A]重合体のポリスチレン換算重量平均分子量が、10,000以上40,000以下であるフォトレジスト組成物である。上記塩基解離性基は、フッ素原子を有することが好ましい。上記塩基解離性基は、芳香族炭化水素基であることがさらに好ましい。構造単位(II)が、下記式(2)で表されることが好ましい。
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【課題】孔径について現像時間依存性を低く抑えながら、真円性に優れる微細な孔径(例えば、60nm以下)のホールパターンを形成可能な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。
【解決手段】(P)下記一般式(I)で表される繰り返し単位(a)を有する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により有機酸を発生する化合物、及び、(C)窒素原子を有し、かつ活性光線又は放射線の照射により変化しない塩基性化合物を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分に対する前記化合物(C)の含有量が1.0質量%以上であり、かつ前記化合物(C)の前記化合物(B)に対するモル比率[C]/[B]が0.40以上である、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
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【課題】有機溶剤現像によるネガ型パターン形成において、現像後のパターン倒れ及びブリッジ欠陥の発生を抑え、残膜率も大きい感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】下記一般式(I)で表される繰り返し単位(a)を有する樹脂(P)、
特定の一般式(B−1)〜(B−3)のいずれかで表される化合物(B)、及び溶剤
を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。


上記一般式(I)中、Rは、水素原子又はメチル基を表す。
、R及びRは、各々独立に、直鎖状又は分岐状のアルキル基を表す。 (もっと読む)


【課題】フォトリソグラフィのための組成物を提供する。
【解決手段】下記のAを含むポリマーとシランから形成されるポリマーを含む組成物。A)下記の構造単位1:


(式中、Lは、C−C結合でありであり;Mは2価の結合基、Si上に酸素含有基、ハライドから選択される基を持つ。) (もっと読む)


【課題】リソグラフィー特性及びパターン形状に優れたレジスト組成物、該レジスト組成物用として有用な新規重合体、及び該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化し、かつ、露光により酸を発生する基材成分(A)を含有するレジスト組成物であって、前記基材成分(A)は、主鎖の少なくとも一方の末端に露光により酸を発生するアニオン部位を有し、かつ、質量平均分子量が20000以下である重合体を含有することを特徴とするレジスト組成物。 (もっと読む)


【課題】良好な現像時間依存性を以って、超微細の孔径を有し、かつ、真円性に優れるホールパターンの提供。
【解決手段】(P)下記一般式(I)で表される繰り返し単位(a)を有する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により有機酸を発生する化合物、及び、(C)活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下する、塩基性化合物又はアンモニウム塩化合物を含有する組成物であって、前記化合物(C)の前記化合物(B)に対するモル比率[C]/[B]が0.4以上である、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス。


上記一般式(I)中、Rは、水素原子又はメチル基を表す。R、R及びRは、各々独立に、直鎖状又は分岐状のアルキル基を表す。 (もっと読む)


【課題】着色パターンの表面にムラが出る表面欠陥が生じず、生産性に優れた、感光性着色樹脂組成物を提供する。
【解決手段】一般式(1)で表されるチオール化合物(A)、一般式(2a)で表されるエポキシ化合物(a)と、α,β−不飽和カルボン酸(b)との反応物と、多塩基酸及び/又はその無水物(c)とを反応させて得られるアルカリ可溶性樹脂(B)及び/又はアルカリ可溶性樹脂(B)を含むアルカリ可溶性樹脂(B)、光重合開始剤(C)、色材(D)、及び光重合性モノマー(E)を含有する感光性着色樹脂組成物。
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【課題】優れたラインエッジラフネス(LER)を有するレジストパターンを得ることができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂と、酸発生剤と、式(I)で表される化合物とを含むレジスト組成物。


[式(I)中、R1a及びR1bは、同一又は相異なり、炭素数1〜18の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれるメチレン基は酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよく、R1aとR1bが一緒になって環を形成していてもよい。Rは、置換基を有してもよい炭素数6〜18の芳香族炭化水素基を表す。] (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、感度を十分に満足し、かつEL、DOF、CDU及びMEEFに優れる感放射線性樹脂組成物を提供することである。
【解決手段】本発明は、有機溶媒が80質量%以上の現像液を用いるレジストパターン形成用感放射線性樹脂組成物であって、上記感放射線性樹脂組成物が、[A]酸解離性基を有する重合体、及び[B]感放射線性酸発生体を含有し、かつ上記有機溶媒で現像した場合のレジスト感度曲線から算出されるコントラスト値γが、5.0以上30.0以下であることを特徴とするレジストパターン形成用感放射線性樹脂組成物である。上記有機溶媒は、炭素数3〜7のカルボン酸アルキルエステル及び炭素数3〜10のジアルキルケトンからなる群より選択される少なくとも1種の有機溶媒であることが好ましい。 (もっと読む)


【解決手段】ヒドロキシ基が酸不安定基で置換された繰り返し単位を有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得、その上に置換又は非置換のメチロール基と結合する窒素原子及び/又は芳香族基を有する架橋剤を含む溶液を塗布、ベークによってネガパターン表面で架橋することにより、ネガパターンのスペース部分の寸法を縮小させるパターン形成方法。
【効果】本発明のレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、溶解コントラストが高い特徴を有する。 (もっと読む)


【解決手段】置換又は非置換のメチロール基と結合する窒素原子を含むウレア結合、アミド結合、又はウレタン結合を有する化合物と、ヒドロキシ基が酸不安定基で置換された繰り返し単位を有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得ることを特徴とするパターン形成方法。
【効果】本発明に係るレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、溶解コントラストが高い特徴を有する。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、感度を十分に満足し、かつEL、DOF、CDU及びMEEFに優れる感放射線性樹脂組成物を提供することである。
【解決手段】本発明は、有機溶媒が80質量%以上の現像液を用いるレジストパターン形成用感放射線性樹脂組成物であって、上記感放射線性樹脂組成物が、[A]酸解離性基を有する重合体、及び[B]感放射線性酸発生体を含有し、かつ上記有機溶媒で現像した場合のレジスト感度曲線から算出されるコントラスト値γが、5.0以上30.0以下であることを特徴とするレジストパターン形成用感放射線性樹脂組成物である。上記有機溶媒は、炭素数3〜7のカルボン酸アルキルエステル及び炭素数3〜10のジアルキルケトンからなる群より選択される少なくとも1種の有機溶媒であることが好ましい。 (もっと読む)


【解決手段】酸不安定基と結合する窒素原子を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。
【効果】本発明の酸不安定基と結合する窒素原子を有する繰り返し単位を含む高分子化合物と酸発生剤とを含むレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、即ち溶解コントラストが高く、酸拡散を抑制する効果が非常に高い特徴を有する。このレジスト膜を用いてドットパターン又は格子状パターンのマスクを使って露光し、有機溶剤現像を行うことによって、微細なホールパターンを寸法制御よく形成することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】優れたパターン倒れ耐性(PCM)でレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供すること。
【解決手段】アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂と、酸発生剤と、式(I)で表される化合物とを含むレジスト組成物。


[式(I)中、
1a及びR1bは、同一又は相異なり、炭素数1〜18の炭化水素基を表し、該炭化水素に含まれるメチレン基は酸素原子又はカルボニル基に置き換わってもよく、R1aとR1bが一緒になって置換基を有してもよい環を形成してもよい。
及びRは、同一又は相異なり、置換基を有してもよい炭素数1〜18の炭化水素基を表し、RとRが一緒になって置換基を有してもよい環を形成してもよい。] (もっと読む)


【課題】リソグラフィー特性及びパターン形状に優れるレジスト組成物およびレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】露光により酸を発生し、且つ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)を含有するレジスト組成物であって、前記基材成分(A)は、式(a0−1)で表される構成単位(a0−1)、及び露光により酸を発生する構成単位(a0−2)を有する樹脂成分(A1)を含有することを特徴とするレジスト組成物[式中、Rは水素原子、炭素数1〜5のアルキル基又は炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基であり、Rは2価の連結基である。]。
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