【課題】ＬＷＲ等のラフネス性能、局所的なパターン寸法の均一性及び露光ラチチュードに優れ、かつ良好なドライエッチング耐性を有するパターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】（ア）下記一般式（ｂ１）で表される非酸分解性の繰り返し単位（ｂ１）、および、酸によって分解し極性基を生じる基を有する繰り返し単位を含む樹脂（Ｐ）、及び、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（Ｂ）を含有する感活性光線性又は感放線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程、（イ）該膜を波長が２００ｎｍ以下の活性光線又は放射線により露光する工程、及び（ウ）ヘテロ原子及び炭素原子を含み、且つ、炭素原子数が７以上の有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程、を含むパターン形成方法。（式中、Ａは酸素原子を含まない、置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基を表し、Ｘ_０は水素原子又はアルキル基を表す。）
【化１】
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【課題】ＥＵＶ用またはＥＢ用として有用なレジスト組成物、該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】露光により酸を発生し、且つ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）を含有するＥＵＶ用又はＥＢ用レジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）が、下記一般式（ａ０−１）又は（ａ０−２）で表される基を含む構成単位（ａ０）を有する高分子化合物（Ａ１）を含有し、前記基材成分（Ａ）に加えて、光反応型クエンチャー（Ｃ）を含有することを特徴とするＥＵＶ用又はＥＢ用レジスト組成物。式中の基−Ｒ^３−Ｓ^＋（Ｒ^４）（Ｒ^５）は、全体で芳香環を１個のみ有するか又は芳香環を有さない。Ｍ^ｍ＋は、芳香環を１個のみ有するか又は芳香環を有さない。
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【課題】良好な形状を有するレジストパターンレジストパターンを得ることができる化合物、樹脂、レジスト組成物等を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びこれを含むレジスト組成物。


［式中、Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ、脂肪族炭化水素基を表すか、Ｒ^１及びＲ^２が互いに結合し環を形成する；Ｒ^３は、ハロゲン原子を有してもよいアルキル基等；ｍ及びｎは、それぞれ０又は１；Ｘ^１は、単結合、−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｌ−＊（ｌは１〜６の整数、＊はＯとの結合手を表す。）等を表す］ （もっと読む）

【課題】レジスト組成物用の酸発生剤として有用な新規な化合物、該化合物からなる酸発生剤、該酸発生剤を含有するレジスト組成物および該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分、および露光により酸を発生する酸発生剤成分を含有するレジスト組成物であって、酸発生剤成分が、一般式（ｂ１−１１）で表される化合物からなる酸発生剤を含むことを特徴とするレジスト組成物。式（ｂ１−１１）中、Ｒ^７”〜Ｒ^９”のうち少なくとも１つは、置換基として式（Ｉ）で表される基を有する置換アリール基であり、式（Ｉ）中のＷは２価の連結基である。Ｘ⁻は、式（ｂ−３）または（ｂ−４）で表されるアニオンである。
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【課題】解像性に優れ、良好な耐エッチング性及び硬化膜柔軟性を有する感光性樹脂組成物及び積層体の提供。
【解決手段】全固形分を基準として、以下の：（Ａ）アルカリ可溶性高分子：１０〜９０質量％、（Ｂ）エチレン性不飽和二重結合を有する単量体：５〜７０質量％、及び（Ｃ）光重合開始剤：０．０１〜２０質量％、を含む感光性樹脂組成物であって、該（Ａ）アルカリ可溶性高分子は、酸当量１００〜６００、及び重量平均分子量５，０００〜２００，０００を有し、かつベンジル（メタ）アクリレート系化合物と、脂環式炭化水素基又は複素環式基を有する（メタ）アクリレート系化合物とを含む単量体成分の共重合体である、前記感光性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】高解像のパターンを良好な形状で形成でき、ＰＥＢ温度のパターン寸法への影響も少ないレジスト組成物、該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】露光により酸を発生し、且つ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）を含有するレジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）が、下記一般式（ａ０−１）又は（ａ０−２）で表される基を含む構成単位（ａ０）と、酸の作用により極性が増大し且つ多環式基を含む酸分解性基を含む構成単位（ａ１１）と、酸の作用により極性が増大し且つ単環式基を含む酸分解性基を含む構成単位（ａ１２）と、を有する共重合体（Ａ１）を含有するレジスト組成物。式中の基−Ｒ^３−Ｓ^＋（Ｒ^４）（Ｒ^５）、Ｍ^ｍ＋はそれぞれ、全体で芳香環を１個のみ有するか又は芳香環を有さない。
［化１］
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【課題】リソグラフィー特性に優れたレジスト組成物の基材成分として有用であり、且つ、使用するモノマーの種類に関わらず製造が可能である、露光により分解して酸を発生する高分子化合物の製造方法、並びに当該高分子化合物を含有するレジスト組成物、及び当該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】アニオン基と、スルホニウム又はヨードニウムカチオンとを有するモノマーを重合して前駆体ポリマーを合成し、洗浄した後、当該前駆体ポリマーをスルホニウム又はヨードニウムカチオンと塩交換させる、高分子化合化合物の製造方法であって、塩交換に用いるスルホニウム又はヨードニウムカチオンが、前記モノマー中のスルホニウム又はヨードニウムカチオンよりも疎水性が高いことを特徴とする、露光により分解して酸を発生する構成単位を有する高分子化合物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】
感度、解像度及び密着性の全てを従来よりも十分に満足するレジストパターンを形成する感光性樹脂組成物及び感光性エレメント、並びにそれらを用いたレジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法を提供すること。
【解決手段】
上記目的を達成する本発明は、（Ａ）特定のスチレン及びその誘導体から得られる２価の基１０〜６５質量部と、特定の（メタ）アクリル酸エステル及びその誘導体から得られる２価の基５〜５５質量部と、（メタ）アクリル酸から得られる２価の基１５〜５０質量部とを有する１００質量部のバインダーポリマー、（Ｂ）光重合性化合物、及び（Ｃ）光重合開始剤を含有する感光性樹脂組成物を提供する。 （もっと読む）

【解決手段】ヒドロキシ基が酸不安定基で置換された繰り返し単位含有高分子化合物及び酸発生剤又はヒドロキシ基が酸不安定基で置換された繰り返し単位と露光により酸を発生する繰り返し単位含有高分子化合物と、パーフルオロアルキルエーテルカルボン酸のスルホニウム塩又はヨードニウム塩と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後高エネルギー線でレジスト膜を露光し、加熱処理後有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。
【効果】ヒドロキシ基の水素原子を酸不安定基で置換した繰り返し単位含有高分子化合物と酸発生剤とパーフルオロアルキルエーテルカルボン酸のオニウム塩を含むフォトレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、溶解コントラストが高い特徴を有する。 （もっと読む）

【課題】解像度、密着性及びレジスト形状がいずれも良好である感光性樹脂組成物、並びにこれを用いた感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の感光性樹脂組成物は、脂環状又は分岐状の基を有する（メタ）アクリル酸エステル化合物及び（メタ）アクリル酸に基づく構成単位を有し、分散度が１．６以下であるバインダーポリマーと、光重合性化合物と、光重合開始剤とを含有する。 （もっと読む）

【課題】解像性に優れるレジストパターンを製造可能なレジスト組成物を提供する。
【解決手段】酸に不安定な基を有し、かつ酸の作用により分解しアルカリ水溶液への溶解性が増大する樹脂と、酸発生剤と、式（Ｉ）で表される化合物とを含有するレジスト組成物。［式（Ｉ）中、環Ｈ^１は、置換基を有していてもよい炭素数３〜２０の芳香族複素環を表す。Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は、それぞれ独立に、炭素数１〜２０のアルキル基を表す。］
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【課題】レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物、新規な化合物の提供。
【解決手段】露光により酸を発生し、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）を含有し、基材成分（Ａ）は、式（ａ０−１）で表される構成単位（ａ０−１）を有する樹脂成分（Ａ１）を含有する［式中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５のアルキル基又は炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基］。
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【課題】光酸発生剤を用いずに、特定の部分をアルカリ溶液で溶解して除去した高分子膜の提供。
【解決手段】（Ａ）窒素カチオンを有するオニウム塩と（Ｂ）アルカリ難溶性樹脂を含有する組成物を支持体の上に適用して膜を形成すること、および上記膜の表面の一部または全部に、プラズマを照射してプラズマ照射した部分をアルカリ溶液で溶解除去することを含む高分子膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】疎水性が高く液浸水への溶出が低く、酸拡散制御による、高解像性パターンプロファイルの構築。
【解決手段】（Ａ）式（１−１）の化合物（Ｂ）式（１−２）で示される酸発生剤、（Ｃ）ベース樹脂、（Ｄ）有機溶剤を含有するＡｒＦ液浸露光用化学増幅ポジ型レジスト材料。


（Ａｒはアリール基。）


（Ｒ¹はアルキル基、アルケニル基又はアラルキル基。Ｒ²は水素原子又はトリフルオロメチル基。Ａｒはアリール基。） （もっと読む）

【解決手段】（Ａ）酸不安定基を含む繰り返し単位（ａ１）と、環状の炭化水素基を有し、その環内にエステル基、エーテル基、炭酸エステル基又はスルホン酸エステル基のうち少なくとも１つを含む繰り返し単位（ａ２）と、オキシラン環を有する繰り返し単位（ａ３）を含み、酸によってアルカリ溶解性が向上する樹脂、（Ｂ）光酸発生剤、（Ｃ）溶剤を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【効果】本発明によれば、良好なライン幅ラフネス（ＬＷＲ）とマスク忠実性（ＭＥＦ）を有し、微細パターンにおいても矩形性が高く、パターン倒れ耐性に優れたレジスト組成物を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ用又はＥＢ用として有用なレジスト組成物、及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】一般式（ａ５−０−１）又は（ａ５−０−２）で表される基を含む構成単位（ａ５）を有する重合体（Ａ１）を含有し、該構成単位（ａ５）を誘導するモノマー量が、該重合体（Ａ１）に対して１００ｐｐｍ以下であるレジスト組成物。式中、Ｑ^１及びＱ^２は単結合又は２価の連結基である。Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^５は有機基であり、Ｒ^４とＲ^５とは相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。ただし、式中の基−Ｒ^３−Ｓ^＋（Ｒ^４）（Ｒ^５）は全体で芳香環を１個のみ有するか又は芳香環を有さない。
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【課題】本発明の目的は、密集コンタクトホールパターン形成において、ホールブリッジの発生を抑制することができるブリッジ耐性に優れ、さらに解像性を十分満足するフォトレジスト組成物を提供することである。
【解決手段】本発明は、［Ａ］単環のラクトン基を含む構造単位（Ｉ−１）及び酸解離性基を含む構造単位（ＩＩ）を有する重合体、［Ｂ］多環のラクトン基を含む構造単位（Ｉ−２）及び酸解離性基を含む構造単位（ＩＩ）を有する重合体、並びに［Ｃ］感放射線性酸発生体を含有するフォトレジスト組成物である。 （もっと読む）

【課題】液浸露光時における疎水性を確保しつつ、現像欠陥を抑制することができるフォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】［Ａ］親水性基を含む構造単位（Ｉ）を有するフッ素原子含有重合体、［Ｂ］アルカリ解離性基を含む構造単位（ＩＩ）を有するフッ素原子含有重合体、及び［Ｃ］酸解離性基を有する重合体を含有し、［Ａ］重合体、［Ｂ］重合体及び［Ｃ］重合体は互いに異なる重合体であるフォトレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】優れたレジストパターンのＣＤ均一性（ＣＤＵ）を有するレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、その化合物に由来する構造単位を有する樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法。


［式（Ｉ）中、Ｑ^Ｉ１及びＱ^Ｉ２は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。ｎは、０又は１を表す。Ｘ^１は、単結合又は炭素数１〜１０のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよいが、ｎが０のとき、Ｘ^１は単結合ではない。Ｗは、特定式（Ｉａ１−１）又は特定式（Ｉａ１−２）で表される構造を表す。Ｒ^１は、水素原子又はメチル基を表す。Ｚ^１＋は、有機対イオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】ＭＥＥＦ、ＤＯＦ及び解像性に優れるフォトレジスト組成物、並びにこのフォトレジスト組成物を用いたレジストパターンの形成方法の提供。
【解決手段】［Ａ］側鎖にスルホラクトン環を有するノルボルナン環を有する（メタ）アクリレート単位（Ｉ）、単環の脂環式基を有する酸解離性基を含む構造単位（ＩＩ）及びラクトン基を含む構造単位（ＩＩＩ）を有する重合体、並びに［Ｂ］感放射線性酸発生体、を含有するフォトレジスト組成物。 （もっと読む）