【課題】優れたラインエッジラフネスのレジストパターンを製造し得るレジスト組成物の提供。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、樹脂及び酸発生剤を含有し、樹脂が、式（ａ１−０）で表される構造単位を含み、かつ、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となる樹脂であるレジスト組成物。
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【課題】液浸露光時における疎水性を確保しつつ、現像欠陥を抑制することができるフォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】［Ａ］親水性基を含む構造単位（Ｉ）を有するフッ素原子含有重合体、［Ｂ］アルカリ解離性基を含む構造単位（ＩＩ）を有するフッ素原子含有重合体、及び［Ｃ］酸解離性基を有する重合体を含有し、［Ａ］重合体、［Ｂ］重合体及び［Ｃ］重合体は互いに異なる重合体であるフォトレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】優れたレジストパターンのＣＤ均一性（ＣＤＵ）を有するレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、その化合物に由来する構造単位を有する樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法。


［式（Ｉ）中、Ｑ^Ｉ１及びＱ^Ｉ２は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。ｎは、０又は１を表す。Ｘ^１は、単結合又は炭素数１〜１０のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよいが、ｎが０のとき、Ｘ^１は単結合ではない。Ｗは、特定式（Ｉａ１−１）又は特定式（Ｉａ１−２）で表される構造を表す。Ｒ^１は、水素原子又はメチル基を表す。Ｚ^１＋は、有機対イオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】ＭＥＥＦ、ＤＯＦ及び解像性に優れるフォトレジスト組成物、並びにこのフォトレジスト組成物を用いたレジストパターンの形成方法の提供。
【解決手段】［Ａ］側鎖にスルホラクトン環を有するノルボルナン環を有する（メタ）アクリレート単位（Ｉ）、単環の脂環式基を有する酸解離性基を含む構造単位（ＩＩ）及びラクトン基を含む構造単位（ＩＩＩ）を有する重合体、並びに［Ｂ］感放射線性酸発生体、を含有するフォトレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】高感度、高解像性、良好なパターン形状、残渣低減、良好なラインエッジラフネスを高次元で同時に満足するとともに、露光時のアウトガス性能が充分に良好な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、また、該組成物を用いたレジスト膜及びパターン形成方法、半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス、並びに、樹脂の製造方法の提供。
【解決手段】活性光線又は放射線の照射により分解して樹脂の側鎖に酸を発生する繰り返し単位（Ａ）と、下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位（Ｃ）とを有する樹脂（Ｐ）を含有し、前記樹脂（Ｐ）の分散度が１．２０以下である、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
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【課題】優れたラインエッジラフネス（ＬＥＲ）を有するレジストパターンを製造し得るレジスト組成物を提供すること。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物と、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸との作用によりアルカリ水溶液に可溶となる樹脂と、酸発生剤とを含有するレジスト組成物。


［式（Ｉ）中、Ａ^Ｉ１は、炭素数１〜４９の４価の炭化水素基を表し、該炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。ｍは２又は３を表し、複数存在する環Ｗ^Ｉ１は、それぞれ独立に炭素数２〜３６の飽和複素環を表す。ｎは１又は２を表す。但し、ｍ＋ｎ＝４の関係を満たす。］ （もっと読む）

【課題】高感度、高解像性（高解像力など）、高ラインウィズスラフネス（ＬＷＲ）性能を極めて高次元で同時に満足するパターン形成方法、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、レジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。
【解決手段】本発明に係るパターン形成方法は、（１）感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物を用いて膜を形成することと、（２）前記膜を電子線または極紫外線で露光することと、（３）有機溶剤を含んだ現像液を用いて前記露光された膜を現像することとを含み、前記感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物は、（Ａ）電子線又は極紫外線の照射により分解して酸を発生する構造部位を備えた繰り返し単位（Ｒ）を有する樹脂と、（Ｂ）溶剤とを含有している。 （もっと読む）

【課題】レジスト組成物に有用な酸発生剤、該酸発生剤を含有するレジスト組成物および該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、および露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するレジスト組成物であって、酸発生剤成分（Ｂ）が、一般式（ｂ１−１１）で表される化合物からなる酸発生剤（Ｂ１）を含むことを特徴とするレジスト組成物。式（ｂ１−１１）中、Ｒ^１０１〜Ｒ^１０４はそれぞれ独立にアルキル基またはアルコキシ基であり、ｎ１は１〜５の整数であり、ｎ３およびｎ４はそれぞれ独立に０〜３の整数である。Ｘ⁻はアニオンである。
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【課題】レジストパターン製造時のラインエッジラフネス（ＬＥＲ）が良好なレジスト組成物を構成する酸発生剤の提供。
【解決手段】式（１）で表される基を有するヒドロキシ芳香族誘導体。


［式中、Ｑ^１及びＱ^２は、同一又は相異なり、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。Ｌ^１は、炭素数１〜１７の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表し、該２価の脂肪族飽和炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。＊は、ヒドロキシ芳香族環との結合手を表す。］ （もっと読む）

【解決手段】側鎖末端にヘキサフルオロヒドロキシプロピルカルボニルオキシ基を有する（メタ）アクリレート単位を含有し、重量平均分子量が１，０００〜５００，０００の範囲である高分子化合物を含むレジスト保護膜材料。
【効果】上記レジスト保護膜材料は、高撥水性かつ高滑水性性能を有する。そのため水に対する良好なバリアー性能を有し、レジスト成分の水への溶出が抑えられる上、現像欠陥が少なく、現像後のレジストパターン形状が良好な液浸リソグラフィーを実現することができる。 （もっと読む）

【課題】パターン形状に優れるレジストパターンを形成でき、パターン倒れ耐性を向上させ、ブロッブ欠陥及びブリッジ欠陥の発生を低減できる液浸用上層膜形成組成物の提供。
【解決手段】本発明は、［Ａ］同一又は異なる重合体中にカルボキシル基を含む構造単位（Ｉ）、スルホ基を含む構造単位（ＩＩ）、α−トリフルオロメチルアルコール基を含む構造単位（ＩＩＩ）、スルホンアミド基を含む構造単位（ＩＶ）及び下記式（ｉ）で表される基を含む構造単位（Ｖ）からなる群より選ばれる少なくとも１種を有する重合体成分を含有する液浸用上層膜形成組成物であって、この液浸用上層膜形成組成物が［Ａ］重合体成分の同一又は異なる重合体中に、芳香族含窒素複素環を含む構造単位（Ａ）をさらに有するか又は［Ｂ］芳香族含窒素複素環を有する化合物をさらに含有するかの少なくともいずれか一方であることを特徴とする。
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【課題】高感度で、現像後のパターン倒れの発生を抑え、残膜率も大きい感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び電子デバイスの提供。
【解決手段】（Ａ）下記一般式（Ａ０）で表される部分構造を有する繰り返し単位を含有し、酸の作用により有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する樹脂と、（Ｂ）電子線又は極紫外線の照射により酸を発生する化合物とを含有する感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程（１）、該膜を電子線又は極紫外線を用いて露光する工程（２）、及び露光後に有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程（４）を有するパターン形成方法。


上記一般式中、Ａｒは樹脂（Ａ）の主鎖と直接又は間接的に結合する芳香環基を表し、Ｒ_ａは水素原子又は酸の作用により脱離する基を表す。 （もっと読む）

【課題】高速剥離時における粘着力が小さく、かつ、浮きや剥がれといった問題を生じない程度に低速剥離時の接着力が高く、特に透明性が高い再剥離用粘着剤組成物、再剥離用粘着剤層および再剥離用粘着シートを提供する。
【解決手段】再剥離用粘着剤組成物は、ガラス転移温度が０℃未満のポリマ−（Ａ）１００質量部と、重量平均分子量が１０００以上３００００未満であり、下記一般式（１）で表される、脂環式構造を有する（メタ）アクリル系モノマーをモノマー単位として含む（メタ）アクリル系重合体（Ｂ）０．０５質量部〜３質量部と、を含むことを特徴とする。ＣＨ_２＝Ｃ（Ｒ^１）ＣＯＯＲ^２ （１）
［式（１）中、Ｒ^１は、水素原子またはメチル基であり、Ｒ^２は、脂環式構造を有する脂環式炭化水素基である］ （もっと読む）

【課題】レジストパターンの裾引き形状改善に効果が有り、ＬＥＲ性能が良好なパターンを形成することが可能である感活性光線又は感放射線樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂及び（Ｂ）活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物を含有し、（Ｂ）活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物を、感活性光線性または感放射線性樹脂組成物の全固形分を基準として、１０〜３０質量％含有する感活性光線性または感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】高感度、高解像性（例えば、高い解像力、優れたパターン形状、小さいラインエッジラフネス、スカムの低減、及び、良好なドライエッチング耐性を同時に満足したパターンを形成できるネガ型化学増幅レジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、レジストパターン形成方法、及び、フォトマスクの提供。
【解決手段】（Ａ）酸及びアルカリに安定な下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位（Ｐ）、及び、フェノール性水酸基を有する繰り返し単位（Ｑ）を有する高分子化合物、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、並びに、（Ｃ）架橋剤を含有する、ネガ型化学増幅レジスト組成物。


一般式（Ｉ）中、Ｒ_１は、水素原子又はメチル基を表す。Ｌ_１は、酸素原子又は−ＮＨ−を表す。Ｌ_２は、単結合又はアルキレン基を表す。Ａは、多環炭化水素基を表す。 （もっと読む）

【課題】電子線あるいは極紫外線（ＥＵＶ光）を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、かつパターン倒れ性能に優れ、更には、パターン下部に食い込みの生じない形状に優れたパターン形成方法、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、レジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。
【解決手段】（Ａ）酸分解性繰り返し単位を含有し、酸の作用により有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する樹脂と、（Ｂ）電子線又は極紫外線の照射により酸を発生し、かつ酸の作用により分解し有機溶剤に対する溶解度が減少する低分子化合物とを含有する感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程（１）、該膜を電子線又は極紫外線を用いて露光する工程（２）、及び、露光後に有機溶剤を含む現像液を用いて現像して、ネガ型のパターンを形成する工程（４）をこの順番で有する、パターン形成方法、これに供される感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、これを用いて形成されたレジスト膜。また、上記パターン形成方法を用いた、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】
高周波領域での誘電正接が極めて小さく、耐熱性及びピール強度に優れ、さらに、反りが小さい積層体の製造に有用な、重合性組成物、この重合性組成物を用いて得られる樹脂成形体、およびこの樹脂成形体を積層してなる積層体を提供する。
【解決手段】
シクロオレフィンモノマー、重合触媒、架橋剤、架橋助剤、及び反応性流動化剤を含有する重合性組成物であって、前記シクロオレフィンモノマーが、（メタ）アクリロイル基を有するシクロオレフィンモノマーと（メタ）アクリロイル基を有しないシクロオレフィンモノマーとを、重量比（（メタ）アクリロイル基を有するシクロオレフィンモノマー：（メタ）アクリロイル基を有しないシクロオレフィンモノマー）で、１：９９〜３０：７０の範囲内で含有するものであり、前記反応性流動化剤が、シクロオレフィンモノマー１００重量部に対して、ビニリデン基を１つ有する一官能化合物を１〜２０重量部、及び、ビニリデン基を２つ有する二官能化合物を０．１〜２０重量部含有するものである、重合性組成物。 （もっと読む）

【課題】パターン倒れの抑制およびラインエッジラフネスの改善を可能とする感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びにそれを用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、（Ａ）下記一般式（１）で表される繰り返し単位および酸の作用により分解してアルカリ可溶性基を生じる繰り返し単位を含む樹脂と、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物とを含有する


一般式（１）中、Ｌは、２価の連結基を表し；Ｒ_１は、水素原子またはアルキル基を表し；Ｚは、環状酸無水物構造を表す。 （もっと読む）

【課題】優れたＣＤ均一性（ＣＤＵ）を有するレジストパターンを製造できるレジスト組成物及び該レジスト組成物に含まれる樹脂製造用化合物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物。


［式（Ｉ）中、Ｔ^１は、単結合、−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｎ−又は炭素数６〜１４の芳香族炭化水素基を表す。ｎは１〜６の整数を表す。Ｒ^１は、水素原子又はメチル基を表す。Ｒ^２は、水素原子又は酸に不安定な基を表す。］ （もっと読む）

【課題】感度等の基本性能に加えて、ナノエッジラフネス、解像度、パターン倒れ耐性、ＭＥＥＦ（Ｍａｓｋ Ｅｒｒｏｒ Ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ Ｆａｃｔｏｒ）に優れるレジスト膜を形成するために用いられる化合物、それを用いて得られる重合体及びその重合体を含有するフォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】下記式（１）で表される化合物。


（式（１）中、Ｒ^１は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Ｒ^２は、単結合又は２価の連結基である。Ｍ^＋は、１価のカチオンである。）また、式（１）におけるＭ^＋の１価のカチオンは、例えば４−シクロヘキシルチオフェニル・ジフェニルスルホニウムのようなスルホニウム好ましい。 （もっと読む）