【課題】 重合反応中に発生する粗大凝集物の発生が極めて少なく、かつ、重合反応系外からの過大な加熱を必要とせず、省エネルギー性に優れた効率のよいゴムと繊維の接着剤用重合体ラテックスの提供。
の提供。
【解決手段】 脂肪族共役ジエン３０〜８０重量部、ビニルピリジン５〜３０重量部、およびそれらと共重合可能な他の単量体０〜６５重量部からなる重合性単量体合計１００重量部を乳化重合して得られる共重合体ラテックスであって、単量体の一部または全量を仕込み完了後、重合系内の温度Ｔ１が０〜４０℃の範囲で重合を開始した後、重合系内の温度Ｔ２を４５〜８０℃の範囲に到達させるに際し、その温度上昇（Ｔ２−Ｔ１）に必要な熱量の１５％以上を重合による重合熱を利用して昇温させることを特徴とする製造方法で得られたゴムと繊維の接着剤用共重合体ラテックス （もっと読む）

【解決手段】（Ａ）酸不安定基を含む繰り返し単位（ａ１）と、環状の炭化水素基を有し、その環内にエステル基、エーテル基、炭酸エステル基又はスルホン酸エステル基のうち少なくとも１つを含む繰り返し単位（ａ２）と、オキシラン環を有する繰り返し単位（ａ３）を含み、酸によってアルカリ溶解性が向上する樹脂、（Ｂ）光酸発生剤、（Ｃ）溶剤を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【効果】本発明によれば、良好なライン幅ラフネス（ＬＷＲ）とマスク忠実性（ＭＥＦ）を有し、微細パターンにおいても矩形性が高く、パターン倒れ耐性に優れたレジスト組成物を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】解像度、密着性、レジスト形状、めっき後の剥離性がいずれも良好である感光性樹脂組成物、並びに、これを用いた感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、分散度が１．６以下のバインダーポリマーと、２，２−ビス［（４−（メタ）アクリロイルオキシポリアルキレンオキシ）シクロヘキシル］プロパンを含む光重合性化合物と、光重合開始剤とを含有する感光性樹脂組成物を提供する。 （もっと読む）

【課題】樹脂や有機溶媒との相溶性が良好であり、金属イオン及び有機溶媒と水が含有しない、高純度のイオン性ビニルモノマー、及び該モノマーからなる帯電防止剤又は帯電防止性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】一般式（１）（式中、Ｒ_１は水素原子又はメチル基を、Ｒ_２及びＲ_３は各々独立に炭素数１〜３のアルキル基で互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｒ４は炭素数１〜３のアルキル基、炭素数１〜３のアルケニル基又はベンジル基を表し、Ｙは酸素原子又はＮＨ−を表し、Ｚは炭素数１〜３のアルキレン基を表し、Ｒｆ^１及びＲｆ^２は同じであっても異なっていてもよく、炭素数１〜４のペルフルオロアルキル基又は炭素数０のフルオロ基を表す。）で示されるイオン性ビニルモノマーを高純度、高収率で合成し、該イオン性ビニルモノマーからなるポリマー等を帯電防止の有効成分として用いる。
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【課題】ＥＵＶ用又はＥＢ用として有用なレジスト組成物、及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】一般式（ａ５−０−１）又は（ａ５−０−２）で表される基を含む構成単位（ａ５）を有する重合体（Ａ１）を含有し、該構成単位（ａ５）を誘導するモノマー量が、該重合体（Ａ１）に対して１００ｐｐｍ以下であるレジスト組成物。式中、Ｑ^１及びＱ^２は単結合又は２価の連結基である。Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^５は有機基であり、Ｒ^４とＲ^５とは相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。ただし、式中の基−Ｒ^３−Ｓ^＋（Ｒ^４）（Ｒ^５）は全体で芳香環を１個のみ有するか又は芳香環を有さない。
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【課題】レジスト膜の環境からの影響を低減させ、ＯＯＢ光を効率よく遮断させ、レジストパターンの膜減りやパターン間のブリッジを低減させ、レジストを高感度化させるレジスト保護膜材料を提供する。
【解決手段】ウエハー３に形成したフォトレジスト膜２上にレジスト保護膜材料によりレジスト保護膜１を形成し、露光を行った後、レジスト保護膜の剥離及びフォトレジスト膜の現像を行うことで、フォトレジスト膜にパターンを形成する方法において用いるレジスト保護膜材料であって、下記一般式（１）に記載のフェノール基を含有するトルクセン化合物を含むレジスト保護膜材料。
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【課題】優れたレジストパターンのＣＤ均一性（ＣＤＵ）を有するレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、その化合物に由来する構造単位を有する樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法。


［式（Ｉ）中、Ｑ^Ｉ１及びＱ^Ｉ２は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。ｎは、０又は１を表す。Ｘ^１は、単結合又は炭素数１〜１０のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよいが、ｎが０のとき、Ｘ^１は単結合ではない。Ｗは、特定式（Ｉａ１−１）又は特定式（Ｉａ１−２）で表される構造を表す。Ｒ^１は、水素原子又はメチル基を表す。Ｚ^１＋は、有機対イオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】接着性能を満足し、かつ低誘電率で、耐加湿信頼性を有する粘着剤層を実現することができる粘着剤を提供すること。
【解決手段】炭素数１０〜１８のアルキル基をエステル末端に有するアルキル（メタ）アクリレートを３０〜９９．５重量％および環状窒素含有モノマーを０．５〜５０重量％を含むモノマー成分を重合することにより得られた（メタ）アクリル系ポリマーを含むことを特徴とする粘着剤。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＥＦ、ＣＤＵ及び解像性に優れるフォトレジスト組成物、並びにこのフォトレジスト組成物を用いたレジストパターンの形成方法の提供。
【解決手段】［Ａ］側鎖にスルホラクトン環を有するノルボルナン環を有する（メタ）アクリレート単位（Ｉ）を有し、重量平均分子量が３，０００以上８，０００以下である重合体、及び［Ｂ］酸発生体を含有するフォトレジスト組成物。また、［Ａ］重合体は、酸解離性基を含む構造単位（ＩＩ）をさらに有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、レジスト膜に対する高い屈折率と高い吸光係数とを有し、耐パターン倒れ性に優れるレジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法を提供することである。
【解決手段】本発明は、［Ａ］下記式（１）で表される化合物に由来する構造単位（Ｉ）と、ラクトン構造を有する構造単位及び環状カーボネート構造を有する構造単位からなる群より選択される少なくとも１種の構造単位（ＩＩ）とを含む重合体を含有するレジスト下層膜形成用組成物である。式（１）中、Ｒ^１は、水素原子又は炭素数１〜２０の１価の有機基である。ｎ１及びｎ２は、それぞれ独立して、０〜２の整数である。
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【課題】優れたパターン倒れ耐性（ＰＣＭ）を有するレジスト組成物を提供する。
【解決手段】下式（Ｉ）で表される化合物、その化合物に由来する構造単位を有する樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法。


［式中、Ｑ^Ｉ１及びＱ^Ｉ２は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表し、ｎは、０又は１を表し、ｍ１及びｍ２は、それぞれ独立に、０又は１を表し、Ｘ^１は、単結合又は炭素数１〜１０のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよいが、ｎが０の時、Ｘ^１は単結合ではなく、Ｒ^１は、水素原子又はメチル基を表し、Ｚ^１＋は、有機対イオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】繊維製品などの基材に優れた撥水撥油性を付与し、その加工処理において、ロールへのポリマー付着性防止に優れる撥水撥油剤組成物を提供する。
【解決手段】第１単量体から形成されている第1重合体と、第２単量体から形成されている第2重合体を含んでなる含フッ素重合体であって、第１重合体の存在下で、第２単量体が重合されており、第１単量体および第２単量体の少なくとも一方は、含フッ素単量体（ａ）を含み、第２単量体は、ハロゲン化オレフィン単量体（ｂ）を含む含フッ素重合体。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＥＦ、ＤＯＦ及び解像性に優れるフォトレジスト組成物、並びにこのフォトレジスト組成物を用いたレジストパターンの形成方法の提供。
【解決手段】［Ａ］側鎖にスルホラクトン環を有するノルボルナン環を有する（メタ）アクリレート単位（Ｉ）、単環の脂環式基を有する酸解離性基を含む構造単位（ＩＩ）及びラクトン基を含む構造単位（ＩＩＩ）を有する重合体、並びに［Ｂ］感放射線性酸発生体、を含有するフォトレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】接着性を保持しつつ、耐熱性および機械的強度に優れたホットメルト接着剤を提供する。
【解決手段】エチレン残基単位７５．４〜９８．３モル％、酢酸ビニル残基単位０．３〜１９．６モル％、ビニルアルコール残基単位０〜２４．２モル％及びビニルアルコール単位とアクリロイル基を有するイソシアネートとの反応によるアクリロイル基を有する残基単位０．１〜２０．０モル％含み、ＪＩＳＫ６９２４−１に準拠し測定したＭＦＲが５〜４００００ｇ／１０分であるアクリロイル基含有エチレン−酢酸ビニル共重合体ケン化物、それを含む組成物、及び該組成物を含む接着剤。 （もっと読む）

【解決手段】側鎖末端にヘキサフルオロヒドロキシプロピルカルボニルオキシ基を有する（メタ）アクリレート単位を含有し、重量平均分子量が１，０００〜５００，０００の範囲である高分子化合物を含むレジスト保護膜材料。
【効果】上記レジスト保護膜材料は、高撥水性かつ高滑水性性能を有する。そのため水に対する良好なバリアー性能を有し、レジスト成分の水への溶出が抑えられる上、現像欠陥が少なく、現像後のレジストパターン形状が良好な液浸リソグラフィーを実現することができる。 （もっと読む）

【課題】レジストパターン製造時のラインエッジラフネス（ＬＥＲ）が良好なレジスト組成物を構成する酸発生剤の提供。
【解決手段】式（１）で表される基を有するヒドロキシ芳香族誘導体。


［式中、Ｑ^１及びＱ^２は、同一又は相異なり、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。Ｌ^１は、炭素数１〜１７の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表し、該２価の脂肪族飽和炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。＊は、ヒドロキシ芳香族環との結合手を表す。］ （もっと読む）

【解決手段】カルボキシル基の水素原子が一般式（１）〜（３）から選ばれる酸不安定基によって置換されている樹脂をベース樹脂にしているポジ型レジスト材料。


【効果】露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高解像性を有し、露光後のパターン形状とエッジラフネスが良好で、特に酸拡散速度を抑制し、優れたエッチング耐性を示す。 （もっと読む）

【課題】
汚泥の脱水処理に用いると、形成されるフロックが高強度で、ろ過速度が速く、得られる脱水ケーキの含水率を十分に低下させることができる両性高分子凝集剤を提供する。
【解決手段】
アニオン性基を有する重量平均分子量Ｍｗが１０００〜１００万の高分子化合物Ａと、
カチオン性単量体単位を有する高分子化合物Ｂと、
を含んでなり、前記高分子化合物Ａが前記高分子化合物Ｂ １００質量部に対して、０．１〜１０質量部含んでなることを特徴とする両性高分子凝集剤。 （もっと読む）

【解決手段】カルボキシル基の水素原子が一般式（１）で示される酸不安定基によって置換されている樹脂をベース樹脂にしているポジ型レジスト材料。


（Ｒ¹、Ｒ²は炭素数１〜８の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基、又は炭素数２〜１０のアルケニル基で、酸素原子又は硫黄原子を有していてもよい。Ｒ³はフッ素原子又はトリフルオロメチル基、ｍは１〜５の整数。）
【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高解像性を有し、露光後のパターン形状とエッジラフネスが良好で、特に酸拡散速度を抑制し、優れたエッチング耐性を示す。従って、特に超ＬＳＩ製造用あるいはフォトマスクの微細パターン形成材料、ＥＵＶ露光用のパターン形成材料として好適なポジ型レジスト材料、特には化学増幅ポジ型レジスト材料を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】レジスト組成物に有用な酸発生剤、該酸発生剤を含有するレジスト組成物および該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、および露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するレジスト組成物であって、酸発生剤成分（Ｂ）が、一般式（ｂ１−１１）で表される化合物からなる酸発生剤（Ｂ１）を含むことを特徴とするレジスト組成物。式（ｂ１−１１）中、Ｒ^１０１〜Ｒ^１０４はそれぞれ独立にアルキル基またはアルコキシ基であり、ｎ１は１〜５の整数であり、ｎ３およびｎ４はそれぞれ独立に０〜３の整数である。Ｘ⁻はアニオンである。
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