【課題】成膜性が良好であり、感光性を有し、かつ成膜後に焼成することにより容易に耐熱性が高い膜が得られる感光性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】かご状シルセスキオキサン構造が平均１箇所を超えて他のかご状シルセスキオキサン構造と結合してなるシルセスキオキサン重合体であって、該かご状シルセスキオキサン構造が平均１個以上の感光性付与基を含むシルセスキオキサン重合体と、感光剤と、を含むことを特徴とする感光性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】光酸発生剤などの酸を使用することなく、十分なコントラストで感光性を発現し、かつ成膜後に焼成することにより容易に耐熱性が高い膜が得られる感光性かご状シルセスキオキサン化合物を提供すること。
【解決手段】本発明は、キノンジアジド構造を有することを特徴とするかご状シルセスキオキサン化合物である。これにより、光酸発生剤などの酸を使用することなく、十分なコントラストで感光性を発現し、かつ成膜後に焼成することにより容易に耐熱性が高い膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜として使用するのに適した、適当な均一な厚さを有するシリコーン系膜が形成可能な、しかも低屈折率で誘電率、ヤング率等の膜特性に優れた組成物、絶縁膜、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ｍ個のＲＳｉ(Ｏ_0.5)₃ユニット（ｍは８〜１６の整数を表し、Ｒはそれぞれ独立して非加水分解性基を表し、Ｒのうち、少なくとも２つはビニル基またはエチニル基を含む基である）を有し、各ユニットが、各ユニットにおける酸素原子を共有して他のユニットに連結しカゴ構造を形成している化合物（Ｉ）の重合物を含む組成物。
ただし、組成物に含まれる固形分のうち、化合物（Ｉ）のビニル基同士が反応した重合物が６０質量％以上である。 （もっと読む）

【課題】誘電率が低く機械的強度が高い多孔質の絶縁膜を有する半導体装置の製造方法、並びにこのような多孔質絶縁膜の形成に好適な絶縁膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】基板１０上に、多孔質の第１の絶縁膜３８を形成する工程と、第１の絶縁膜３８上にＳｉ−ＣＨ_３結合を３０〜９０％の割合で含有するシリコン化合物を含む第２の絶縁膜４０を形成する工程と、第１の絶縁膜３８上に第２の絶縁膜４０が形成された状態で紫外線を照射し、第１の絶縁膜３８を硬化させる工程とを有する。これにより、ＣＨ_３基を脱離する波長域を有する紫外線が第２の絶縁膜により十分に吸収され、第１の絶縁膜では紫外線キュアによる高強度化が優先的に進行するので、第２の絶縁膜の誘電率を増加することなく膜密度を向上することができる。 （もっと読む）

本発明は、珪素、炭素、酸素及び水素原子を有する少なくとも１つの膜母材前駆体と、少なくとも１つの、Ｒが、直鎖或いは分岐、飽和或いは不飽和炭化水素基若しくは環状飽和或いは不飽和炭化水素基の何れかである式（I）の孔形成化合物か、または、少なくとも１つの次の孔形成化合物の何れかを反応させることを含む、基板への低誘電率ｋの多孔膜を形成する方法であって、少なくとも１つの次の孔形成化合物は、1-メチル-4-（1-メチルエチル）-7-オキサビシクロ［2,2,1］ヘプタン、1,3,3-トリメチル-2-オキサビシクロ［2,2,1］オクタンあるいは1,8-シネオール若しくは1-メチル-4-（1-メチルエテニル）-7-オキサビシクロ［4,1,0］ヘプタンである方法、新規な前駆体混合物及び式（I）の化合物の基板上への低誘電ｋ膜の化学気相堆積での孔形成化合物としての使用に関する。
【化１】

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【課題】比誘電率が低く、かつ、ＣＭＰ耐性および薬液耐性に優れた絶縁膜を形成することができるポリマーおよびその製造方法、絶縁膜形成用組成物、絶縁膜の製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜を提供する。
【解決手段】（Ａ）下記一般式（１）で表される少なくとも１種のシラン化合物と、（Ｂ）下記一般式（２）で表される化合物および下記一般式（３）で表される化合物から選ばれた少なくとも１種のシラン化合物を、（Ｃ）塩基性化合物の存在下で共縮合することを含む。
【化１】


・・・・・（１） （もっと読む）

【課題】比誘電率が低く、かつ、ＣＭＰ耐性および薬液耐性に優れた絶縁膜を形成することができるポリマーおよびその製造方法、絶縁膜形成用組成物、絶縁膜の製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜を提供する。
【解決手段】（Ａ）下記一般式（１）で表される少なくとも１種のシラン化合物と、（Ｂ）下記一般式（２）で表される化合物および下記一般式（３）で表される化合物から選ばれた少なくとも１種のシラン化合物を、（Ｃ）金属キレート化合物または酸触媒の少なくとも一方の存在下で共縮合することを含む。
【化１】


・・・・・（１） （もっと読む）

【課題】ポリマーを構成するＳｉ原子にシリルメチル基が結合した新規なポリマーおよびその製造方法、絶縁膜形成用組成物、絶縁膜の製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜を提供する。
【解決手段】 下記一般式（１）で表されるシラン化合物を縮合して得られるポリマー。
【化１】


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_３は、同一または異なり、それぞれハロゲン原子、アルコキシ基、アシロキシ基、またはヒドロキシ基を示し、Ｙ_１〜Ｙ_３は、同一または異なり、アルキル基、アルケニル基、またはアリール基を示す） （もっと読む）

【課題】吸湿性および比誘電率が低く、エッチング耐性および薬液耐性に優れ、かつ、機械的強度に優れた絶縁膜を形成することができる絶縁膜形成用組成物、ポリマーおよびその製造方法、絶縁膜の製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜を提供する。
【解決手段】絶縁膜形成用組成物は、（Ａ）下記一般式（１）で表される少なくとも１種のシランモノマーと、（Ｂ）加水分解性基含有シランモノマーと、（Ｃ）加水分解性基含有カルボシランとを、塩基性触媒の存在下で共縮合することによって得られたポリマーと、有機溶剤と、を含有する。
【化１】


・・・・・（１） （もっと読む）

【課題】新規なＳｉ含有膜形成材料、殊にＰＥＣＶＤ装置に適したアルキルシラン化合物を含んでなるＳｉ含有膜形成材料を提供する。
【解決手段】少なくとも一つのシクロプロピル基がケイ素原子に直結した構造を有する有機シラン化合物（具体的例示：２，４，６−トリシクロプロピル−２，４，６−トリメチルシクロトリシロキサン）を含有するＳｉ含有膜形成材料を用いてＰＥＣＶＤ法によりＳｉ含有膜を製造し、それを半導体デバイスの絶縁膜として使用する。 （もっと読む）

【課題】誘電率やヤング率等の膜特性の観点において優れた絶縁膜を得るための膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】一般式（Ｉ）で表される化合物および／またはその重合物を含むことを特徴とする膜形成用組成物、それを用いた絶縁膜およびその製造方法。
【化１】


一般式（Ｉ）中、Ｒ¹はそれぞれ独立して、同一でも異なっていてもよく、Ｒ¹のうち２〜４個が重合可能な基を表し、その他のＲ¹はアルキル基またはシクロアルキル基を表す。 （もっと読む）

【課題】 ギガヘルツ高周波帯での低誘電損失特性にすぐれ、耐熱性、成形性等も良好な含ケイ素低誘電材料を提供する。
【解決手段】 ポリマー中にヒドロシリル基（−ＳｉＨ_２−及び／又は−ＳｉＨ−）及びエチレン性二重結合（−Ｃ＝Ｃ−）を有するポリカルボシランを加熱して得られる重合硬化物からなる低誘電材料であって、前記ポリカルボシランは、パラジウム系触媒の存在下、トリヒドロシラン及び／又はビス（トリヒドロシラン）とジイン化合物との反応で得られる。
【図面】 なし （もっと読む）

【課題】低誘電率で、かつ、優れた耐ストレス性と優れた耐クラック性とを有する半導体装置用絶縁膜を得ることができる絶縁膜形成用組成物、その絶縁膜形成用組成物から得られる半導体装置用絶縁膜および、その半導体装置用絶縁膜を利用して得られる高品質で信頼性の高い半導体装置を歩留まりよく提供する。
【解決手段】 本絶縁膜形成用組成物は、実質的に炭素とケイ素と水素とのみからなる鎖部分を主鎖とし、かつ、主鎖以外の部分に窒素を含有するポリマーを含んでなる。ポリマー中に、窒素が、式１で表される構造要素として存在することが好ましい。
【化１７】
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【解決手段】被加工基板上に下層膜、その上にケイ素含有膜、更にその上にフォトレジスト膜を形成した後、多段階のエッチングを行う多層レジスト法の中間膜に使用するケイ素含有膜形成用組成物において、下記一般式（１）
Ｒ_(6-m)Ｓｉ₂Ｘ_m （１）
（Ｒは一価炭化水素基、Ｘはアルコキシ基、アルカノイルオキシ基又はハロゲン原子、ｍは６≧ｍ≧３。）
で示されるケイ素−ケイ素結合を有するシラン化合物を含有する、加水分解性シランの単独又は混合物を加水分解縮合して得たケイ素含有ポリマーを含有するエッチングマスク用ケイ素含有膜形成用組成物。
【効果】本発明の組成物は、その上に形成したフォトレジストの良好なパターンを形成でき、有機材料との間で高いエッチング選択性が得られる。 （もっと読む）

本発明は、シルセスキオキサン−チタニアハイブリッドポリマーであって、チタニアドメインサイズが約５ナノメートル未満であるポリマーに関する。このようなポリマーは、例えばマイクロ電子デバイスの製造において、反射防止コーティングを形成するのに有用である。 （もっと読む）

【課題】低誘電率を維持しつつより一層高い機械的強度を達成することが可能な膜を形成できる有機無機複合体、その有機無機複合体からなる膜、及びその膜を用いた半導体装置の各製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による有機無機複合体の製造方法は、下記式（１）；


で表される架橋性化合物を加水分解及び脱水縮合させて有機無機複合体を形成する方法である。式中、Ｍはケイ素原子等を示し、Ｘは架橋に関与する−Ｏ−結合等を示し、Ｒ¹は非末端部に環状炭化水素又はその誘導体を含む二価の基を示し、Ｒ²はメチル基等を示し、ｎ１，ｎ２は０〜２の整数を示す。 （もっと読む）

【課題】膜中の非架橋部位が低減されて十分に低い誘電率を呈する膜を形成できる有機無機複合体、その有機無機複合体からなる膜、及びその膜を用いた半導体装置の各製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による有機無機複合体の製造方法は、第一調製工程で調製した特定の架橋性化合物を含む前駆体Ａと、第二調製工程で調整した酸触媒を含む前駆体Ｂとを混合工程で混合して、特定の架橋性化合物を加水分解させた後、複合体形成工程において、その加水分解物にアルカリ触媒を加え、その加水分解物を縮合させて有機無機複合体を形成する方法である。 （もっと読む）

【課題】新規なポリマー、特に、電子デバイスなどに用いられる誘電率、機械強度等の膜特性が良好な膜形成組成物に用いられるポリマー、さらには膜形成組成物を用いて得られる絶縁膜およびそれを有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】エチレン性二重結合またはアセチレン性三重結合を分岐末端にもつデンドリマーとケイ素原子に結合した水素原子を少なくとも２つ以上有する化合物とをヒドロシリル化反応させて得られるポリマー、該ポリマーを含有する膜形成用組成物、該組成物を用いて得られる絶縁膜、及び該絶縁膜を有する電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】 低誘電率で機械的強度の高い絶縁膜を形成可能な組成物を提供する。
【解決手段】少なくとも２つ以上のアセチレン基を持つ下記一般式（３）で表される化合物（Ａ）と、少なくとも２つ以上のヒドロシリル基をもつポリシロキサン（Ｂ）とをヒドロシリル化反応させて得られることを特徴とするポリマー。
【化１】


一般式（３）中、
Ｒ^４は、炭素原子１０個以上で形成されるカゴ型構造を含有する基を表す。
Ｒ^５は各々独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、またはシリル基を表す。
ｒは２〜２０の整数を表す。 （もっと読む）

【課題】 電子デバイスなどに用いられる誘電率、機械強度等の膜特性が良好な絶縁膜形成用組成物に関し、さらには該組成物を用いて得られる絶縁膜およびそれを有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】 脂環式炭化水素構造とＳｉ原子を有する化合物を含む膜形成用組成物であって，該脂環式炭化水素構造とＳｉ原子を有する化合物が，粒径２ｎｍ〜１５ｎｍの粒子形状であることを特徴とする膜形成用組成物。 （もっと読む）