【課題】 半導体素子などにおける層間絶縁膜として使用するのに適した、均一な厚さを有するシリコーン系膜が形成可能な、しかも、誘電率特性、膜強度、ＣＭＰ耐性に優れた膜を形成できる膜形成用組成物、該組成物から形成される絶縁膜、および、その製造方法を提供する。
【解決手段】 特定の環状シラン化合物およびシリコン系界面活性剤を含むことを特徴とする膜形成用組成物、該組成物を用いた絶縁膜の製造方法、および、該絶縁膜。 （もっと読む）

【課題】重合体が有機溶媒可溶性及び良好な成膜性を有し、かつ成膜後に焼成した膜が有機溶媒に不溶であり、かつ耐クラック性を満たすようなかご状シルセスキオキサン重合体を提供すること。
【解決手段】本発明のかご状シルセスキオキサン重合体は、かご状シルセスキオキサン構造が少なくとも２箇所で他のかご状シルセスキオキサン構造と結合しているシルセスキオキサン重合体であって、該かご状シルセスキオキサン構造は、環状構造を含む官能基を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体素子などにおける層間絶縁膜に適した、誘電率特性、膜強度に優れた組成物、絶縁膜、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】一般式（Ｉ）で表される化合物。


式中、Ｒ¹は水素原子または非加水分解性基を表し、Ｘは加水分解性基を表す。Ｒ²は水素原子または置換基を表す。ｍは３または４であり、ｎは０〜３の整数であるが、式（Ｉ）で表される分子内には、Ｘとして少なくとも１つの加水分解性基が存在する。Ｒ¹、Ｒ²、Ｘの各々について、複数存在するときは同じでも異なっていてもよい。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子などに用いられる層間絶縁膜として使用するのに適した、適当な均一な厚さを有するシリコーン系膜が形成可能であり、かつ誘電率特性、膜強度に優れた膜形成用組成物、絶縁膜、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 下記一般式（Ｉ）で表される化合物またはその重合物を含む膜形成用組成物、絶縁膜、およびその製造方法
【化１】


一般式（I）中、
Ｒ¹およびＲ²は各々独立に水素原子または置換基を表し、複数個存在するＲ¹およびＲ²のうち少なくとも１つは一般式（II）で表される基を表す。
ｍは４〜３０の整数を表す。
（Ｒ³）₃−Ｓｉ−Ｏ− (II)
一般式（II）中、Ｒ³は水素原子または置換基を表す。
複数個存在するＲ¹〜Ｒ³のうち、少なくとも１つは重合性基を表す。
ただし、Ｒ¹〜Ｒ³は水酸基および加水分解性基を表さない。 （もっと読む）

【課題】半導体素子などにおける層間絶縁膜として使用するのに適し、均一な厚さに形成可能で、しかも誘電率特性、膜強度に優れた絶縁膜、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】式（I）で表される化合物、および、ビニル基またはエチニル基を分子内に計２個以上有する化合物、または、それらの重合物を含む膜形成用組成物、絶縁膜、およびその製造方法。


式（I）中、Ｒ¹，Ｒ²はそれぞれ独立にＨまたは置換基、複数個のＲ¹，Ｒ²両者の置換基のうち１つは（Ｒ³）₃−Ｓｉ−Ｏ−で表される基。ｍは４〜３０を表す。Ｒ³はＨまたは置換基。複数個のＲ¹〜Ｒ³のうち、少なくとも２つはＨを表す。Ｒ¹〜Ｒ³は水酸基および加水分解性基を表さない。 （もっと読む）

【課題】 耐エッチング性、耐薬品性、及び耐湿性に優れ、密着性が良好であり、しかも誘電率の低いシリカ系被膜、該シリカ系被膜の形成に好適なシリカ系被膜形成用材料等の提供。
【解決手段】 本発明のシリカ系被膜形成用材料は、ＣＨｘ、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合、Ｓｉ−ＣＨ_３結合、及びＳｉ−ＣＨｘ−結合を構造の一部に有するシリコーンポリマーを含む。ｘは、０〜２の整数を表す。シリコーンポリマーが一般式（１）〜（３）で表されるシリコン化合物と、一般式（４）〜（７）で表されるシリコン化合物とを加水分解縮重合反応させて得られる態様等が好ましい。
【化１３】


【化１４】


一般式（１）〜（７）中、ｎは０又は１を表す。Ｒ^１はｎ＝０のとき、塩素、臭素、フッ素及び水素のいずれかを表し、ｎ＝１のとき、炭素数１〜４の炭化水素、芳香族炭化水素、水素、カルボキシル基のいずれかを表す。Ｒ^２は炭素数１〜４の炭化水素、芳香族炭化水素、及び水素のいずれかを表す。Ｒ^３は炭素数１〜３の炭化水素及び芳香族炭化水素のいずれかを表す。 （もっと読む）

【課題】半導体素子等の絶縁膜材料として、ＰＣＴ後の誘電特性、ＰＣＴ後のＣＭＰ耐性、ＰＣＴ後の基板との密着性に優れた膜が形成可能な組成物を提供する。
【解決手段】組成物は、（Ａ）下記式（１）、（２）中の少なくとも１種の化合物を水酸化テトラアルキルアンモニウムと水で加水分解、縮合した慣性半径が５〜５０ｎｍの物 Ｒ_ａＳｉ（ＯＲ^１）_４−ａ ・・・・・（１） （式中、Ｒは水素原子、フッ素原子または１価の有機基、Ｒ^１は１価の有機基、ａは０〜２の整数を示す。） Ｒ^３_ｂ（Ｒ^４Ｏ）_３−ｂＳｉ−（Ｒ^７）_ｄ−Ｓｉ（Ｏ^５）_３−ｃＲ^６_ｃ ・・（２） 〔式中、Ｒ^３〜Ｒ^６は同一または異なり、それぞれ１価の有機基、ｂおよびｃは同一または異なり、０〜２の数を示し、Ｒ^７は酸素原子、フェニレン基または−（ＣＨ_２）_ｎ−で表される基（ここで、ｎは１〜６の整数である）、ｄは０または１を示す。〕ならびに（Ｂ）有機溶媒を含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 優れた機械的強度を備え、かつ非常に低い誘電率を安定的に示し、各種の薬剤に対する耐薬品性を兼ね備えた多孔質シリカ質膜を簡便に製造することができるコーティング組成物とそれを用いたシリカ質材料の製造法の提供。
【解決手段】 ポリアルキルシラザン化合物、アセトキシシラン化合物、有機溶媒、および必要に応じて多孔質化材、を含んでなるコーティング組成物、そのコーティング組成物を焼成することにより得られたシリカ質材料、ならびにその製造法。 （もっと読む）

低誘電率重合体は、一般式I：(Ｒ¹-Ｒ²)_n-Ｓｉ-(Ｘ¹)_4-n（ここで、Ｘ¹はそれぞれ独立して水素及び無機脱離基から選択され、Ｒ²は任意の基であって１〜６個の炭素原子を有するアルキレン又はアリーレンを備え、Ｒ¹はポリシクロアルキル基であり、ｎは整数１〜３である）で表される化合物から誘導された単量体単位を備える。重合体は優れた電気的及び機械的特性を有する。 （もっと読む）

【課題】 誘電率が低く、厚膜を形成することができるＴＦＴ層間絶縁膜材料を提供すること。
【解決手段】 カゴ状シルセスキオキサン化合物を含有することを特徴とする薄膜トランジスタ用層間絶縁膜材料。 （もっと読む）

【課題】 低誘電率、低屈折率、高機械的強度を有する疎水性多孔質膜及びその作製方法、この多孔質膜を作製するための多孔質膜の前駆体組成物及びその調製方法、並びにこの多孔質膜を利用した半導体装置の提供。
【解決手段】 式：Ｓｉ(ＯＲ^１)_４及びＲ_ａ(Ｓｉ)(ＯＲ^２)_４−ａ(式中、Ｒ^１は１価の有機基を表し、Ｒは水素原子、フッ素原子又は１価の有機基を表し、Ｒ^２は１価の有機基を表し、ａは１〜３の整数であり、Ｒ、Ｒ^１及びＲ^２は同一であっても異なっていてもよい)で示される化合物から選ばれた少なくとも１種の化合物と、２５０℃以上で熱分解を示す熱分解性有機化合物と、触媒作用をなす元素と、有機溶媒とからなる多孔質膜の前駆体組成物。この前駆体組成物の溶液を用いて疎水性化合物と気相重合反応せしめ、多孔質膜を作製する。この多孔質膜を用いた半導体装置。 （もっと読む）

【課題】分子量制御性、耐溶剤性、耐熱性、耐湿性に優れ、更には、分子量の制御された安定した品質の低光伝送損失、低複屈折である光導波路材料を提供する。
【解決手段】式（１−０）で示されるシルセスキオキサン誘導体を用いて得られる重合体を用いて光導波路を作製する。


式（１−０）において、Ｒ⁰は独立して水素、炭素数１〜４０のアルキル、任意の水素がハロゲンまたは炭素数１〜２０のアルキルで置き換えられてもよいアリール、またはアリールにおける任意の水素がハロゲンまたは炭素数１〜２０のアルキルで置き換えられてもよいアリールアルキルであり、Ｙは式（ａ）または式（ｂ）で示される基である。
（もっと読む）

【課題】 低い誘電率かつ高い機械的強度を有する絶縁膜を形成可能な絶縁材料形成用組成物を提供する。
【解決手段】 一般式（１）で表される化合物、その加水分解およびその縮合物から選ばれる少なくとも１種以上のシラン化合物を、置換または無置換のアンモニウム塩存在下で加水分解、縮合して得られる化合物を含有する絶縁材料形成用組成物の製造方法。
【化１】


一般式（１）中、Ｘ¹は、加水分解性基を表し、Ｒ¹は、アルキル基、アリール基又はヘテロ環基を表し、ｎ₁は１〜３の整数を表し、ｍ₁は２以上の整数を表す。Ｌ¹は単結合または２価の連結基を表し、Ａは、かご型構造を含有する基を表す。 （もっと読む）

【課題】 低い誘電率を有する絶縁膜を形成可能な絶縁材料形成用組成物および当該組成物より得られる絶縁膜。
【解決手段】 一般式（１）で表される化合物、その加水分解およびその縮合物から選ばれる少なくとも１種以上のシラン化合物に、一般式（２）で表される化合物を添加して、加水分解、縮合して得られる化合物を含有することを特徴とする絶縁材料形成用組成物。
【化１】


一般式（１）中、Ｘ¹は、加水分解性基を表し、Ｒ¹は、アルキル基、アリール基又はヘテロ環基を表し、ｎ₁は１〜３の整数を表し、ｍ₁は２以上の整数を表す。Ｌ¹は、単結合または２価の連結基を表し、Ａは、かご型構造を含有する基を表す。
【化２】


一般式（２）中、Ｘ₂は、加水分解性基を表わし、Ｒ₂〜Ｒ₄は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基又はビニレン基を表わす。 （もっと読む）

【課題】集積回路において階間誘電体として用いる場合の低誘電率材料及びそれを含む膜の性能の改良、並びにその製造方法について明らかにする。
【解決手段】これらの材料は、約３．７又はそれ未満の誘電率（ｋ）、前記材料の誘電率から部分的に導出される約１５ＧＰａ又はそれよりも大きい標準化壁体弾性率（Ｅ_ｏ′）、及び金属不純物レベルが５００ｐｐｍ又はそれ未満のものとして特徴づけられる。また、約１．９５未満の誘電率及び約２６ＧＰａを超える前記材料の誘電率から部分的に導出される標準化壁体弾性率（Ｅ_ｏ′）を有する低誘電率材料について開示する。 （もっと読む）

【課題】微細な溝も完全に埋め込み、かつ下地段差を平坦化するのに十分な厚塗りができ、下地パターン全体の均一な平坦性を達成でき、さらに水を含まず誘電率の低い、膜特性に優れた絶縁膜を形成することのできる、シロキサン類を用いる、絶縁膜形成用塗布液および半導体装置用絶縁膜の形成方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造に用いられる絶縁膜形成用塗布液であって、少なくとも一種類の有機置換基と結合したＳｉ原子を含むシロキサン類を含み、かつ、前記シロキサン類の²⁹Ｓｉ−ＮＭＲスペクトルのシグナルの積分値から求められる所定の式で示される含有比率Ｘが、所定の式を満足する、１５０℃以上３００℃以下の自己流動化温度を有することを特徴とする絶縁膜形成用塗布液、及びこれを用いる半導体装置用絶縁膜の形成方法を提供することにより前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率が低いと共にリーク電流が少ない有機シリコン系膜を得易い有機シリコン系膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 原料ガスとして少なくとも１種の有機シリコン化合物を用いた化学的気相堆積法により有機シリコン系膜を成膜するにあたり、前記有機シリコン化合物として、少なくともケイ素、水素、炭素、及び窒素を構成元素として含有していると共に、ケイ素原子と窒素原子とが互いに結合していない化合物を用いることによって、上記課題を解決した。 （もっと読む）

【課題】信号の処理速度向上が得られる層間絶縁膜として好適な誘電率が小さな材料を提供する。
【解決手段】化学気相成長方法により基板上に膜を形成する方法であって、 （ｉ−Ｃ₃Ｈ₇）₂Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₂を供給する供給工程と、 前記供給工程で供給された（ｉ−Ｃ₃Ｈ₇）₂Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₂の分解による分解生成物が前記基板上に堆積する堆積工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】構造誘導体物質として環状シロキサン系モノマーを使用する、誘電率が低く且つ諸般物性に優れた低誘電性メソポーラス薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】環状シロキサン系モノマー、有機溶媒、酸または塩基、および水を混合してコーティング液を準備する第１段階と、前段階で得たコーティング液を基板上に塗布した後、熱硬化させてメソポーラス薄膜を得る第２段階とを含む、低誘電性メソポーラス薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 高エネルギー線照射、あるいは不活性ガス雰囲気下または減圧雰囲気下での加熱による不溶化が可能であり、エッチング耐性および溶剤耐性に優れており、かつ、機械的強度に優れた低比誘電率膜を製造することができる新規ポリカルボシランおよびその製造方法、膜形成用組成物、ならびに膜およびその形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明の新規ポリカルボシランの製造方法は、（Ａ）ケイ素‐水素結合を有するポリカルボシランと、（Ｂ）ケイ素‐水素結合が付加しうる炭素‐炭素多重結合を有する化合物とを反応させる工程を含む。 （もっと読む）