【解決手段】プラズマＣＶＤ法によるＳｉ含有膜の成膜方法において、成膜原料として用いるシラン化合物として、反応性基として水素原子又はアルコキシ基を有すると共に、分子中には２個以上のケイ素原子を含有し、かつ２個以上のケイ素原子は飽和炭化水素基を介して結合され、かつ、アルコキシ基に含まれる炭素原子を除いた炭素原子数［Ｃ］とＳｉ原子数［Ｓｉ］の比［Ｃ］／［Ｓｉ］が３以上であり、全てのケイ素原子は２以上の炭素原子と直接の結合を有するシラン化合物を用いるプラズマＣＶＤ法によるＳｉ含有膜の成膜方法。
【効果】有効な成膜速度が得られると共に、膜の疎水性の確保と、ケイ素原子の求核反応に対する反応性の抑制を同時に達成することができ、膜の化学的安定性を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】 金属配線の抵抗値の経時変化が小さく、金属配線の断線の原因となる膜収縮が小さい低誘電率シリカ系被膜を基材上に形成する。
【解決手段】 （ａ）基材上に特定のポリシラザンと、アルコールおよびアルコール以外の有機溶媒とを含んでなり、アルコールの重量（Ｗ_AL）とポリシラザンの固形分としての重量（Ｗ_PS）との重量比（Ｗ_AL）／（Ｗ_PS）が０．０００１〜０．００５の範囲にあるシリカ系被膜形成用塗布液を塗布する工程、および、（ｃ）次いで飽和水蒸気を供給しながら、過熱水蒸気の存在下、塗布膜を１８０〜４５０℃の温度条件下で加熱処理する工程、からなる。 （もっと読む）

【課題】透過特性に優れ、かつ膜応力が小さくクラックの発生がないケイ素化合物膜を提供する。
【解決手段】第一段階で、ガラス基板１上に、アルキル基がＳｉに結合されたシロキサン骨格の低分子材料に溶媒，シリカ粒子を混合したペースト材料２ａをダイコートを用いて塗布する。塗布後、低沸点の溶媒を揮発させるために、６０〜１００℃の範囲で大気中にて乾燥し、その後、２００℃〜３００℃の範囲で大気雰囲気中において熱処理によって硬化反応させ、酸化ケイ素を主体とする膜２ｂを形成する。第二段階では、含まれるシリカ粒子が溶媒を除いた固形分の体積比で１５％含有するペースト材料３ａを、第一段階で形成した膜２ｂ表面上に塗布する。塗布量は硬化後の膜３ｂの膜厚が約０．５μｍとなるように塗布し、乾燥，熱硬化処理を行い、前記膜２ｂを酸化ケイ素を主体とした膜４とする。 （もっと読む）

【課題】高性能多孔性絶縁膜として期待される誘電率、機械強度を満たし、化学的安定性に優れる多孔質膜を形成し得る有機酸化ケイ素系微粒子を提供する。
【解決手段】無機酸化ケイ素または有機酸化ケイ素を含んでなる内核と、前記内核の周囲に加水分解性シラン化合物を用いて塩基性触媒存在下で形成した有機酸化ケイ素を含んでなる外殻とを備える有機酸化ケイ素系微粒子であって、前記内核または外殻を構成するケイ素原子のうち、炭素原子と直接結ばれた結合を少なくとも１つ持つケイ素原子の数Ｔと、４つの結合が全て酸素原子と結ばれた結合であるケイ素原子の数Ｑの比Ｔ／Ｑの値が、内核よりも外殻の方が大きく、前記外殻形成用加水分解性シラン化合物が、炭素鎖を介して、または一部の炭素間に１つのケイ素を含有する炭素鎖を介して結合した、２つ以上の加水分解性基を有するケイ素を持つ加水分解性シラン化合物を含む有機酸化ケイ素系微粒子。 （もっと読む）

【課題】耐熱性に優れ、且つ有機溶媒に可溶で、加工性、機械強度、基板密着性に優れ、絶縁材料、半導体用低誘電率材料、気体分離膜、電子デバイス封止剤、建設用シーリング材料などに用いることが可能な含珪素化合物を提供する。
【解決手段】式（１）で示される可溶性低誘電率含珪素化合物。またはその可溶性低誘電率含珪素共重合体。さらに、これらを含んでなる低誘電率層間絶縁膜。
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【課題】低温で形成でき、耐熱性に優れるとともに、プラズマディスプレイの軽量化を成し得る、低誘電性熱硬化性樹脂を提供する。
【解決手段】化合物（１）と化合物（２）とを、（１）：（２）＝７０：３０〜９０：１０（モル比）で加水分解反応させてなる分子量が１００００以上の熱硬化性樹脂。


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【課題】半導体装置に用いる低誘電率のシリカ系被膜形成用塗布液を提供する。
【解決手段】一般式（Ｉ）


（ただし、式中、Ｒ¹は炭素数１〜６のアルキル基、アリール基またはフルオロアルキル基、Ｒ²はアルキレン基またはアリーレン基を示し、Ｘはハロゲンまたはアルコキシ基であり、ｎは０〜２の整数を示す）で表せられるシラン化合物を加水分解縮重合させてなるポリシロキサン樹脂を含有するシリカ系被膜２形成用塗布液を基板１上に塗布し、５０〜２５０℃で乾燥した後、窒素雰囲気下２００〜６００℃で加熱硬化する。 （もっと読む）

【課題】 ＤＣ接触帯電方式に用いても、帯電均一性に優れ、長期に亘って安定した帯電および画像出力が可能な帯電部材を提供する。
【解決手段】 支持体、該支持体上に形成された導電性弾性層、および該導電性弾性層上に形成された被覆層を有する帯電部材において、該被覆層が、Ｆ及びＳｉを含有する化合物を含有し、該被覆層の最外表面におけるＦ原子とＳｉ原子との濃度比（Ｆ／Ｓｉ＝Ｒ０）が該被覆層の該導電性弾性層と接する面におけるＦ原子とＳｉ原子との濃度比（Ｆ／Ｓｉ＝Ｒ１）よりも高くすることである。 （もっと読む）

【課題】加工耐性が高いケイ素含有絶縁膜ならびにその形成方法、および当該膜を形成することができるケイ素含有膜形成用組成物の提供。
【解決手段】下記一般式（１）で表されるシラン化合物と、下記一般式（２）ないし（４）のうちから選ばれた少なくとも1種のシラン化合物と、を含む化学気相成長法に用いられるケイ素含有膜形成用組成物である。


・・・・・（１）（式中、Ｒ^１〜Ｒ^４は、同一または異なり、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、ビニル基、フェニル基を示し、Ｒ^５は炭素数１〜４のアルキル基、アセチル基、フェニル基を示し、ｎは１〜３の整数を示し、ｍは１〜２の整数を示す。）Ｒ^６_ａＳｉ（ＯＲ^７）_４−ａ・・・・（２）Ｒ^８_ｂ（Ｒ^９Ｏ）_３−ｂＳｉ−（Ｒ^１２）_ｄ−Ｏ_ｅ−Ｓｉ（ＯＲ^１０）_３−ｃＲ^１１_ｃ・・・（３）−｛Ｒ^１３_ｆ（Ｒ^１４Ｏ）_２−ｆＳｉ−（Ｒ^１５）_ｇ｝_ｈ−・・・（４） （もっと読む）

【課題】３．７以下の誘電率を有するシリカ系の材料及び膜、並びにそれを作製及び使用するための組成物及び方法を提供すること。
【解決手段】シリカ系材料を調製するための組成物であって、少なくとも１つのシリカ源と、溶剤と、少なくとも１つのポロゲンと、任意選択で触媒と、任意選択で流動添加剤とを含み、該溶剤が、９０℃〜１７０℃の温度で沸騰し、化学式、ＨＯ−ＣＨＲ⁸−ＣＨＲ⁹−ＣＨ₂−ＣＨＲ¹⁰Ｒ¹¹（式中、Ｒ⁸、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰及びＲ¹¹は、独立して１〜４個の炭素原子のアルキル基又は水素原子であることができる）；Ｒ¹²−ＣＯ−Ｒ¹³（式中、Ｒ¹²は３〜６個の炭素原子を有する炭化水素基であり；Ｒ¹³は１〜３個の炭素原子を有する炭化水素基である）；及びそれらの混合物によって表される化合物から成る群より選択された組成物によって上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスなどの層間絶縁膜に用いられる低い誘電率と優れた機械強度を有する層間絶縁膜を形成できる絶縁膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】少なくとも下記一般式（１）で表される化合物と下記一般式（２）で表される化合物とを酸触媒により脱水縮合して得られるポリマーを含有することを特徴とする。
【化１】


（Ｒ_１〜Ｒ_４のうち、少なくとも２つはヒドロキシル基、メトキシ基等から選ばれ、残りはメチル基、エチル基等から選ばれる。Ａはカゴ型構造を有する構造を表し、Ｙ_１〜Ｙ_４のうち少なくとも２つはヒドロキシル基であり、残りは水素、メチル基、エチル基等から選ばれる。） （もっと読む）

【課題】高温処理を行なう必要なく、低誘電率で且つ高い機械的強度を有する被膜を形成することができる低誘電率被膜形成用樹脂組成物を提供する。
【解決手段】低誘電率粒子とマトリクス形成材料とを含有する低誘電率被膜形成用樹脂組成物に関する。低誘電率粒子が、テトラアルコキシシラン、アミノ基を有するアルコキシシラン、４級アンモニウム塩カチオン性界面活性剤、２つ以上の水酸基を有する多価アルコール、及び水を含有する混合液中で、テトラアルコキシシランとアミノ基を有するアルコキシシランをアルカリ存在下で共加水分解反応させることにより、メソ孔を表面に有する球状のシリカナノ粒子を生成させた後、酸溶液中で４級アンモニウム塩カチオン性界面活性剤を抽出することによって調製されたメソポーラスシリカ微粒子であることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、多官能基シルセスキオキサン、その生成方法、およびその塗装に関し、少なくとも１つの第１の面と、前記少なくとも１つの第１の面から離れた少なくとも１つの第２の面と、少なくとも１つの第１の面に結合する少なくとも１つの第１の官能基と、第１の官能基とは異なり少なくとも１つの第２の面に結合している少なくとも１つの第２の官能基とを含む多面体シルセスキオキサンを含む。具体的な一観点において、シルセスキオキサンのシリカは、オクタ（テトラメチルアンモニウム）シルセスキオキサンオクタアニオンを経て米のもみ殻灰から誘導できる。
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【課題】高集積化および多層化が望まれている半導体素子などにおいて好適に用いることができ、絶縁膜を形成する際に所望の比誘電率を簡便に得ることができる膜形成用組成物を提供すること。
【解決手段】上記膜形成用組成物は、下記式（１）で示されるケイ素化合物を、特定のシラン化合物を加水分解縮合して得られた加水分解縮合物の存在下で、縮合させて得られる加水分解縮合物、ならびに有機溶媒を含有する。


（式中、ｘは３〜２５の整数を示す。） （もっと読む）

【課題】吸湿性が低く、低比誘電率であり、かつ機械的強度に優れた絶縁膜形成用組成物ならびにシリカ系膜およびその形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）成分；下記一般式（１）で表される化合物１００〜１０モル％及び（Ｂ）成分；下記一般式（２）で表される化合物０〜９０モル％を加水分解縮合して得られたポリマーと、有機溶媒と、を含有する。Ｒ^１_ａＸ_３−ａＳｉ−（Ｒ^３）_ｃ−ＳｉＸ’_３−ｂＲ^２_ｂ ・・・・・（１） （式中、Ｒ^１、Ｒ^２は、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基を表し、Ｘ、Ｘ’はハロゲン原子を表し、Ｒ^３は酸素原子、フェニレン基または−（ＣＨ_２）_ｍ−で表される基（ｍは１〜６の整数）を表し、ａ、ｂは０〜３の整数を示し、ｃは０または１を示す。）Ｒ^４_ｄＳｉＸ”_４−ｄ ・・・・・（２） （式中、Ｒ^４は前記Ｒ^１、Ｒ^２と同じ基を表し、Ｘ”はハロゲン原子またはアルコキシル基を表し、ｄは０〜３の整数を示す。） （もっと読む）

【解決課題】 工業的に好ましい材料であるシロキサン重合体を用いて、従来のシロキサン重合体によるものよりも機械強度に優れる多孔質膜を形成し得る、新たな方法により合成されたシロキサン重合体、それを含有する膜形成用組成物、多孔質膜の形成方法及び形成された多孔質膜、並びに、この多孔質膜を内蔵する高性能かつ高信頼性を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】 加水分解性シラン化合物の加水分解縮合によるシロキサン重合体の製造方法において、一般式（１）
（ＳｉＯ_1.5−Ｏ）_n^n-Ｘ⁺_n （１）
（但し、ＸはＮＲ₄を表し、Ｒは炭素数１〜４の直鎖状または分岐状のアルキル基を表し、各々独立して互いに同じでも異なってもよい。また、ｎは６から２４の整数を表す。）
で表されるシルセスキオキサンのケージ化合物塩を準備し、該シルセスキオキサンのケージ化合物塩に、加水分解性シランを加水分解して縮合したシロキサン重合体を用いる。 （もっと読む）

【課題】環状シロキサン構造を有するモノマー及び誘導される含ケイ素ポリマーの提供。
【解決手段】式（１）の化合物及びこれとビニルモノマーを重合させた含ケイ素ポリマー。（Ｒ^１はアルキル基又はフェニル基を表し、Ｒ^２〜Ｒ^９は水素、アルキル基等を表す）
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本発明は、ホウ素、アルミニウムおよび／またはチタニウム、およびケイ素結合分岐状アルコキシ基を含有するシリコーン樹脂；同シリコーン樹脂を含有するシリコーン組成物；シリコーン組成物を基板に塗布して膜を形成し、膜のシリコーン樹脂を熱分解することからなる被覆基板の製造方法に関する。前記シリコーン樹脂は、（ＥＯ_ｓ／２）_ｔ（ＨＳｉＯ_３／２）_ｖ（（Ｒ^１Ｏ）_３ＳｉＯ_１／２）_ｗ（（Ｒ^１Ｏ）_２ＳｉＯ_２／２）_ｘ（Ｒ^１ＯＳｉＯ_３／２）_ｙ（ＳｉＯ_４／２）_ｚ（各Ｅは独立してホウ素、アルミニウム、およびチタニウムから選択される原子であり；Ｒ^１はＣ_１からＣ_１０の分岐状アルキルであり；Ｅがホウ素またはアルミニウムであるときは、ｓ＝３で、Ｅがチタニウムであるときは、ｓ＝４であり；ｔは０．０１から０．８であり；ｖは０から０．９９であり；ｗは０から０．９９であり；ｘは０から０．９９であり；ｙは０から０．９９であり；ｚは０から０．８であり；ｗ＋ｘ＋ｙ＝０．０１から０．９９；かつ、ｔ＋ｖ＋ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される。 （もっと読む）

【課題】耐熱性、可撓性、靭性、電気特性を改善する熱硬化性重合体組成物を提供する。
【解決手段】 式（１）で表されるシルセスキオキサン骨格を繰り返し単位として有する化合物の少なくとも１つである第１成分と、オキシラニル、オキシラニレンまたは３、４−エポキシシクロヘキシルを有するかご型構造のシルセスキオキサン誘導体の少なくとも１つである第２成分と、硬化剤である第３成分とを必須成分として含有する熱硬化性重合体組成物：


ここに、Ｒ^１ａ〜Ｒ^１ｄはアルキル、アルケニル、シクロアルキル、アリール、またはオキシラニル、オキシラニレンもしくは３、４−エポキシシクロヘキシルを有する基である。 （もっと読む）

【課題】 低誘電率、高機械的強度を有し、疎水性の改良された多孔質膜及びその作製方法、この多孔質膜の前駆体組成物及びその調製方法、並びにこの多孔質膜を利用した半導体装置の提供。
【解決手段】 式：Ｓｉ(ＯＲ^１)_４及びＲ_ａ(Ｓｉ)(ＯＲ^２)_４−ａ(式中、Ｒ^１は１価の有機基を表し、Ｒは水素原子、フッ素原子又は１価の有機基を表し、Ｒ^２は１価の有機基を表し、ａは１〜３の整数であり、Ｒ、Ｒ^１及びＲ^２は同一であっても異なっていてもよい)で示される化合物から選ばれた化合物と、熱分解性有機化合物と、触媒作用をなす元素と、尿素等とを含む。この前駆体組成物から得られた多孔質膜に対して紫外線照射した後、疎水性化合物を気相反応させる。得られた多孔質膜を用いて半導体装置を得る。 （もっと読む）