【課題】 高い膜強度と低い比誘電率を有するＣＭＰ犠牲膜やエッチング・ストッパー膜等の半導体加工用保護膜を形成するための塗布液、その調整方法および該塗布液より得られる半導体加工用保護膜に関する。
【解決手段】 （ａ）テトラアルキルオルソシリケート(TAOS)およびアルコキシシラン(AS)をテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（TMAOH）および水の存在下で加水分解して得られるケイ素化合物、またはテトラアルキルオルソシリケート(TAOS)をテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（TMAOH）および水の存在下で加水分解または部分加水分解した後、アルコキシシラン(AS)またはその加水分解物もしくは部分加水分解物と混合し、さらに必要に応じてこれらの一部または全部を加水分解して得られるケイ素化合物、（ｂ）有機溶媒、および（ｃ）水を含む液状組成物であり、しかも該液状組成物中に含まれる水の量が３５〜６５重量％の範囲にあることを特徴とする半導体加工用保護膜形成用塗布液。 （もっと読む）

本発明は有機シロキサン樹脂及びこれを用いた絶縁膜に関するものであって、１種以上のハイドロシラン化合物を含むシラン化合物の縮重合体である有機シロキサン樹脂を有機溶媒に溶解した溶液を基体に塗布し形成した絶縁膜を乾燥及び硬化し製造した絶縁膜は機械的物性及び低誘電性が優秀であるため、高集積化半導体素子として適合に使用ことができるという効果がある。 （もっと読む）

【課題】かご型構造のシルセスキオキサン骨格を主鎖に有する重合体を提供すること。シルセスキオキサン骨格を主鎖に導入することにより、任意に分子量等を制御でき、その特性を活かすことができる。
【解決手段】式（１−０）で示されるシルセスキオキサン誘導体を用いて得られる重合体。この式において、Ｒ^０は水素、アルキル、シクロアルキル、アリールまたはアリールアルキルであり、Ｙは式（ａ）または式（ｂ）で示される基である。これらの式のそれぞれにおいて、Ｘの少なくとも１つは水素、塩素または反応性の有機基であり、式（ｂ）におけるＺは−Ｏ−、−ＣＨ_２−または単結合である。


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式I(式中のR₁は加水分解可能な基、R₂は分極率を減少させる有機基、R_３は架橋性の炭化水素基である)を有するモノマーを重合してシロキサン材料を形成することによって得られる組成物を備える薄膜。また、本発明は該薄膜を製造する方法に関する。該薄膜は、集積回路装置内の低誘電率誘電体に用いることができる。新規誘電体は半導体基板トポグラフィー上で良好な局部的及び全体的平坦性を生ずる優れた平坦化性能を有し、誘電体及び酸化物ライナー蒸着後の化学機械的平坦化の必要性を減少又は除去する。
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【課題】 従来のポーラス膜と同等又はそれ以下の比誘電率を有し、しかも十分に機械強度に優れたシリカ系硬化被膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 上記課題を解決する本発明のシリカ系硬化被膜の形成方法は、基板上に形成されたシリカ系被膜上に第１の触媒を含有する液体を塗布する第１工程と、第１工程の後にシリカ系被膜を硬化してシリカ系硬化被膜を得る第２工程とを有するものである。 （もっと読む）

【課題】溶媒に可溶であり、成膜性が良好であり、耐熱性が高く、かつ膜厚が厚くても高温下でクラックが発生しにくい膜が得られる含シルセスキオキサン化合物を提供すること。
【解決手段】本発明の含シルセスキオキサン化合物は、カゴ状シルセスキオキサン構造と、部分開裂型カゴ状シルセスキオキサン構造とを有する含シルセスキオキサン化合物であって、含シルセスキオキサン化合物中におけるカゴ状シルセスキオキサン構造と部分開裂型カゴ状シルセスキオキサン構造との間の比率がモル比で（カゴ状シルセスキオキサン構造）：（部分開裂型カゴ状シルセスキオキサン構造）＝１：９９〜９５：５であることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも８０重量％の式Ｉ：［Ｙ_{０．０１−１．０}ＳｉＯ_{１．５−２}］_ａ［Ｚ_{０．０１−１．０}ＳｉＯ_{１．５−２}］_ｂ［Ｈ_{０．０１−１．０}ＳｉＯ_{１．５−２}］_ｃ［式中、Ｙはアリール、Ｚはアルケニル、ａは式Ｉの１５％−７０％、ｂは式Ｉの２％−５０％、ｃは式Ｉの２０％−８０％を表す］の化合物を含むオルガノシロキサンを提供する。本発明のオルガノシロキサンは、セラミックバインダー、高温カプセル化剤及び繊維マトリックス結合剤として使用し得る。本発明の組成物はまた別の材料と組合わせたときに優れた接着性を示すのでマイクロエレクトロニクス以外の用途またはマイクロエレクトロニクスの用途で接着促進剤として有用である。好ましくは本発明の組成物はマイクロエレクトロニクスの用途でエッチストップ、ハードマスク及び誘電体として使用される。 （もっと読む）

【課題】 シリコンウェハー、ディスプレイ、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ或いはレンズなどの基体上に、透明であって、しかも、低反射率で且つ低誘電率であるとともに、械的強度や基板に対する密着性に優れた薄膜を形成するための膜形成用組成物及び膜の形成方法に関する。
【解決手段】 粒子表面に存在するシラノール基が、疎水性基を有する表面改質剤で処理されたシリカ粒子と、ポリシラン化合物とを含有することを特徴とする膜形成用組成物とする。また、この膜形成用組成物を、基体上に塗布した後に、熱処理及び／又は光処理することを特徴とする膜形成方法とする。 （もっと読む）

基板上に配置された導電層を有し、前記基板は、共有結合多面体シルセスキノキサン（ＰＯＳＳ）を含む有機または無機ポリマーを有する、電気回路材料。基板は、追加の分散ＰＯＳＳ、繊維状ウエブを含む任意の他のフィラー類をさらに含んでもよい。共有結合ＰＯＳＳを使用すると、許容される誘電定数および散逸率を有する組成物において難燃性が得られる。
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本発明のポリマーの製造方法は、１種以上の（Ａ）ポリカルボシランの存在下、（Ｂ）加水分解性基含有シランモノマーを加水分解縮合することを含み、前記（Ａ）ポリカルボシランのうち少なくとも１種が、以下のポリカルボシラン（Ｉ）である。
（Ｉ）下記一般式（１）で表される化合物をアルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方の存在下に反応させて得られる、重量平均分子量５００以上のポリカルボシラン（Ｉ）：
Ｒ^１_ｍＹ_３−ｍＳｉＣＲ^２_ｎＸ_３−ｎ ・・・・・（１）
（式中、Ｒ^１，Ｒ^２は同一または異なり、それぞれ１価の有機基または水素原子を示し、Ｘはハロゲン原子を示し、Ｙはハロゲン原子またはアルコキシ基を示し、ｋは０〜３の整数を示し、ｍおよびｎは同一または異なり、０〜２の整数を示す。） （もっと読む）

例えば半導体素子などにおける層間絶縁膜として好適に用いることができ、かつ、比誘電率が小さく、機械的強度や密着性に優れ、均一な膜質を有する膜を形成することができるポリマーの製造方法、ポリマー、絶縁膜形成用組成物、絶縁膜の製造方法、および絶縁膜を提供する。
本発明のポリマーの製造方法は、（Ａ）ポリカルボシランの存在下、（Ｂ）加水分解性基含有シランモノマーを加水分解縮合することを含み、前記（Ａ）ポリカルボシランが、以下のポリマー（Ｉ）である。
（Ｉ）（ａ）下記一般式（１）で表される化合物と、（ｂ）下記一般式（２）で表される化合物および下記一般式（３）で表される化合物の群から選ばれた少なくとも１種とを、有機溶媒中でアルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方の存在下にて反応させて得られるポリマー（Ｉ）：
Ｒ^１_ｋＣＸ_４−ｋ ・・・・・（１）
Ｒ^２_ｋＳｉＹ_４−ｋ ・・・・・（２）
Ｒ^３_ｍＹ_３−ｍＳｉＣＲ^４_ｎＸ_３−ｎ ・・・・・（３）
（式中、Ｒ^１〜Ｒ^４は同一または異なり、それぞれ１価の有機基または水素原子を示し、Ｘはハロゲン原子を示し、Ｙはハロゲン原子またはアルコキシ基を示し、ｋは０〜３の整数を示し、ｍおよびｎは同一または異なり、０〜２の整数を示す。） （もっと読む）

【課題】ロール・トゥ・ロールプロセスでの使用に適応した高温安定性の平坦化フレキシブル誘電基板及びそれに用いる誘電被膜を提供すること。
【解決手段】式：［Ｒ_xＳｉＯ_(4-x)/2］_n（ここで、ｘ＝１〜４、Ｒはメチル、フェニル、ヒドリド、ヒドロキシ、アルコキシ又はこれらの組み合わせ（ただし、１＜ｘ＜４）で表されるシリコーン組成物を含む、導電性基板上に用いられる誘電被膜である。Ｒはまた、アルキル又はアリール基、アリールエーテル、アルキルエーテル、アリルアミド、アリールアミド、アルキルアミノ及びアリールアミノラジカルから独立して選ばれた他の１価ラジカルからなる。誘電被膜は網目構造を有する。光起電基板がまた開示され、その表面上に誘電被膜が設けられた導電性材料を含む。 （もっと読む）

本発明は半導体または電気回路での低いｋ誘電性フィルムの製造方法に関し、前記方法は、一般式［（Ｒ_ａＸ_ｂＳｉＯ_１．５）_ｍ（Ｒ_ｃＹ_ｄＳｉＯ）_ｎ］（式中、ａ、ｂは０〜１であり、ｃ、ｄは１であり、ｍ＋ｎは３以上であり、ａ＋ｂは１であり、ｎ、ｍは１以上であり、Ｒは水素原子またはアルキル、シクロアルキル、アルケニル、シクロアルケニル、アルキニル、シクロアルキニル、アリールまたはヘテロアリール基であり、それぞれ置換されているかまたは置換されてなく、Ｘはオキシ、ヒドロキシル、アルコキシ、カルボキシル、シリル、シリルオキシ、ハロゲン、エポキシ。エステル、フルオロアルキル、イソシアネート、アクリレート、メタクリレート、ニトリル、アミノまたはホスフィン基であり、またはタイプＸの少なくとも１つの前記基を有するタイプＲの置換基であり、Ｙはヒドロキシル、アルコキシまたはタイプＯ−ＳｉＺ_１Ｚ_２Ｚ_３の置換基であり、Ｚ_１、Ｚ_２およびＺ_３はフルオロアルキル、アルコキシ、シリルオキシ、エポキシ、エステル、アクリレート、メタクリレートまたはニトリル基であり、またはタイプＲの置換基であり、同じかまたは異なり、タイプＲの置換基が同じかまたは異なるだけでなく、タイプＸおよびＹの置換基もそれぞれ同じかまたは異なり、タイプＹの置換基として少なくとも１個のヒドロキシル基を有する）の不完全に縮合した多面体のオリゴマーシルセスキオキサンをフィルムの製造のために使用することを特徴とし、更にこの方法により製造される低いｋ誘電性フィルムに関する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜中に規則的で均一なナノ気孔を形成させ得る新規星型高分子物質の提供。
【解決手段】アルコキシシラン末端基を有し、中心部にエーテル基を有する式（Ｉ）で表される星型高分子を気孔誘導体として用いると、規則的で均一に分布されたナノ気孔を有する低誘電性シリケート高分子薄膜が得られる。前記星型高分子は、環状モノマーを多価アルコールと開環重合させた後、得られた高分子をアルコキシシラン化合物と反応させることによって製造される。 （もっと読む）