【課題】 表面疎水化用組成物、表面疎水化方法、ならびに半導体装置およびその製造方法に関する。
【解決手段】 本発明の表面疎水化用組成物は、（Ａ）官能基を有するシラン化合物と、（Ｂ）ケトン系溶媒とを含む。 （もっと読む）

【課題】ケイ素―メチル基結合部位を必ず含み、かつケイ素−水素結合およびケイ素−酸素結合の両方を有するポリカルボシランおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のポリカルボシランは、ケイ素原子と炭素原子とが交互に連続してなる主鎖を有し、ＳｉＨ基含有カルボシランの繰り返し構造単位、ジメチルカルボシランの繰り返し構造単位、およびＳｉＯ基含有カルボシランの繰り返し構造単位を有する。ジメチルカルボシランとＳｉＨ基含有シランの構造単位を有する原料ポリマーに塩基性触媒の存在下で水および／またはアルコールを反応させて製造する。 （もっと読む）

【課題】 高い膜強度と低い比誘電率を有するＣＭＰ犠牲膜やエッチング・ストッパー膜等の半導体加工用保護膜を形成するための塗布液、その調整方法および該塗布液より得られる半導体加工用保護膜に関する。
【解決手段】 （ａ）テトラアルキルオルソシリケート(TAOS)およびアルコキシシラン(AS)をテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（TMAOH）および水の存在下で加水分解して得られるケイ素化合物、またはテトラアルキルオルソシリケート(TAOS)をテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（TMAOH）および水の存在下で加水分解または部分加水分解した後、アルコキシシラン(AS)またはその加水分解物もしくは部分加水分解物と混合し、さらに必要に応じてこれらの一部または全部を加水分解して得られるケイ素化合物、（ｂ）有機溶媒、および（ｃ）水を含む液状組成物であり、しかも該液状組成物中に含まれる水の量が３５〜６５重量％の範囲にあることを特徴とする半導体加工用保護膜形成用塗布液。 （もっと読む）

本発明は有機シロキサン樹脂及びこれを用いた絶縁膜に関するものであって、１種以上のハイドロシラン化合物を含むシラン化合物の縮重合体である有機シロキサン樹脂を有機溶媒に溶解した溶液を基体に塗布し形成した絶縁膜を乾燥及び硬化し製造した絶縁膜は機械的物性及び低誘電性が優秀であるため、高集積化半導体素子として適合に使用ことができるという効果がある。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板に対する密着性が高い絶縁膜を形成し得る絶縁膜形成用塗布液を提供すること。ほか
【解決手段】 以下の成分（Ａ）および（Ｂ）を含有する絶縁膜形成用塗布液。ほか
成分（Ａ）：非極性であり、かつ分子内に炭素−炭素二重結合を２個以上有するか、炭素−炭素三重結合を２個以上有するか、もしくは炭素−炭素二重結合を少なくとも１個と炭素−炭素三重結合を少なくとも１個有する熱反応性化合物、または該熱反応性化合物を重合して得られるポリマー。
成分（Ｂ）：式（１）〜（３）で示されるシラン化合物からなる群から選ばれる化合物を重縮合して得られる重合体。


（式中、Ｒ¹は水素原子、アルキル基またはアリール基を表し、Ｒ²はアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ³はアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ⁴はアルキル基、アシル基またはアリール基を表し、Ｘは２価の基を表し、ｍは２または３を表す。） （もっと読む）

【課題】 露光量が比較的少なくても、パターン精度に優れた硬化物が得られる放射線硬化性組成物、その保存方法、硬化膜形成方法及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明の放射線硬化性組成物は、（ａ）：
Ｒ^１_ｎＳｉＸ_４−ｎ
（Ｒ^１は、Ｈ若しくはＦ原子、又はＢ、Ｎ、Ａｌ、Ｐ、Ｓｉ、Ｇｅ若しくはＴｉ原子を含む基又は有機基を示し、Ｘは加水分解性基を示し、ｎは０〜２の整数を示す。）
で表される化合物、その化合物の多量体、及び／又はその化合物の部分縮合物を必須成分としてを加水分解縮合して得られる樹脂を含むシロキサン樹脂、（ｂ）：光酸発生剤又は光塩基発生剤、及び（ｃ）：（ａ）成分を溶解可能であり、非プロトン性溶媒を含む溶媒を含有してなり、上記化合物が、テトラアルコキシシラン及びトリアルコキシシランを含むものである。 （もっと読む）

【課題】半導体装置用の有機シリカ系膜と，その形成方法を提供する。
【解決手段】形成方法は、絶縁膜形成用組成物を基板に塗布する工程、前記塗膜を加熱する工程、前記塗膜に熱と紫外線を照射して硬化処理を行う工程とを含む。前記絶縁膜形成用組成物は、下記一般式（１）〜（４）で表される化合物の加水分解縮合物で、炭素原子を１１．８〜１６．７モル％含有する有機シリカゾル、有機溶媒とを含む。 Ｒ^１Ｓｉ（ＯＲ^２）_３ ・・・・・（１） Ｓｉ（ＯＲ^３）_４ ・・・・・（２） （Ｒ^４）_２Ｓｉ（ＯＲ^５）_２ ・・・・・（３） Ｒ^６_ｂ（Ｒ^７Ｏ）_３−ｂＳｉ−（Ｒ^１０）_ｄ−Ｓｉ（ＯＲ^８）_３−ｃＲ^９_ｃ・・・（４） 〔式中、Ｒ^１〜Ｒ^９は、それぞれアルキル基またはアリール基を示し、ｂおよびｃは同一または異なり、０〜２の数を示し、Ｒ^１０は酸素原子、フェニレン基または−（ＣＨ_２）_ｍ−で表される基（ここで、ｍは１〜６の整数である）、ｄは０または１を示す。〕 （もっと読む）

【課題】 露光量が比較的少なくても、パターン精度に優れた硬化物が得られる放射線硬化性組成物、その保存方法、硬化膜形成方法及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明の放射線硬化性組成物は、（ａ）成分：
Ｒ^１_ｎＳｉＸ_４−ｎ
（Ｒ^１は、Ｈ若しくはＦ原子、又はＢ、Ｎ、Ａｌ、Ｐ、Ｓｉ、Ｇｅ若しくはＴｉ原子を含む基又は有機基を示し、Ｘは加水分解性基を示し、ｎは０〜２の整数を示す。）
で表される化合物、その化合物の多量体、及び／又はその化合物の部分縮合物を必須成分としてを加水分解縮合して得られ、Ｓｉ原子１モルに対する、Ｓｉ原子に結合しているＨ、Ｆ、Ｂ、Ｎ、Ａｌ、Ｐ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ及びＣ原子からなる群より選ばれる少なくとも一種の原子の総含有割合が０．９０〜０．２０である樹脂を含むシロキサン樹脂、（ｂ）成分：光酸発生剤又は光塩基発生剤、及び（ｃ）成分：非プロトン性溶媒を含む溶媒を含有する。 （もっと読む）

【課題】 露光量が比較的少なくても、パターン精度に優れた硬化物が得られる放射線硬化性組成物、その保存方法、硬化膜形成方法及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明の放射線硬化性組成物は、（ａ）成分：下記一般式（８）；
ＳｉＸ_４ …（８）
（式中、Ｘは加水分解性基を示す。）
で表される化合物、一般式（８）で表される化合物の多量体、及び／又は一般式（８）で表される化合物の部分縮合物を必須成分として加水分解縮合して得られる樹脂を含むシロキサン樹脂、
（ｂ）成分：光酸発生剤又は光塩基発生剤、及び
（ｃ）成分：（ａ）成分を溶解可能であり、非プロトン性溶媒を含む溶媒を含有してなるものである。 （もっと読む）

【課題】 レジストパターンと反射防止膜とのエッチングレートの差を大きくできる反射防止膜形成用材料を提供する。
【解決手段】 （Ａ）光吸収化合物基を含有するシロキサンポリマーを含むことを特徴とする反射防止膜形成用組成物。 （もっと読む）

単位：（ｉ）（Ｒ^１_３ＳｉＯ_１／２）_ａ、（ｉｉ）（Ｒ^２_２ＳｉＯ_２／２）_ｂ、（ｉｉｉ）（Ｒ^３ＳｉＯ_３／２）_ｃ及び（ｉｖ）（ＳｉＯ_４／２）_ｄ（式中、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、無水物基、水素原子、アルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルカリール基であり得、ａは、０．１〜０．６であり、ｂは、０〜０．５であり、ｃは、０．３〜０．８であり、ｄは、０〜０．３であり、ａ、ｂ、ｃ及びｄの合計は１である）を含有する無水物官能性シルセスキオキサン樹脂組成物。当該組成物は、平均的な分子１個当たり平均２個を上回る無水物基を含有する。無水物官能性シルセスキオキサン樹脂は、無水物官能性シルセスキオキサン樹脂組成物、エポキシ樹脂、並びに任意に無水物含有有機硬化剤、硬化促進剤及び充填剤を含有する硬化性一液型組成物を形成するのに使用することができる。 （もっと読む）

式I(式中のR₁は加水分解可能な基、R₂は分極率を減少させる有機基、R_３は架橋性の炭化水素基である)を有するモノマーを重合してシロキサン材料を形成することによって得られる組成物を備える薄膜。また、本発明は該薄膜を製造する方法に関する。該薄膜は、集積回路装置内の低誘電率誘電体に用いることができる。新規誘電体は半導体基板トポグラフィー上で良好な局部的及び全体的平坦性を生ずる優れた平坦化性能を有し、誘電体及び酸化物ライナー蒸着後の化学機械的平坦化の必要性を減少又は除去する。
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【課題】 従来のポーラス膜と同等又はそれ以下の比誘電率を有し、しかも十分に機械強度に優れたシリカ系硬化被膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 上記課題を解決する本発明のシリカ系硬化被膜の形成方法は、基板上に形成されたシリカ系被膜上に第１の触媒を含有する液体を塗布する第１工程と、第１工程の後にシリカ系被膜を硬化してシリカ系硬化被膜を得る第２工程とを有するものである。 （もっと読む）

本発明は、アクリル機能性樹脂に関する。特に、本発明は、光開始剤を用いて紫外線に暴露させることにより、またはフリーラジカル発生剤を用いて、もしくは用いずに、加熱によって、硬化可能であるポリ[オルガノ-コ-（メタ）アクリルオキシヒドロカルビレン]シルセスキオキサン樹脂に関する。該樹脂組成物は、室温における高い貯蔵安定性を有し、且つ、平坦化層、層間絶縁膜、保護層、ガス透過性層、ネガ型フォトレジスト、反射防止コーティング、及び絶縁保護コーティング、並びにＩＣ実装用として有用な膜を造成する。 （もっと読む）

【課題】溶媒に可溶であり、成膜性が良好であり、耐熱性が高く、かつ膜厚が厚くても高温下でクラックが発生しにくい膜が得られる含シルセスキオキサン化合物を提供すること。
【解決手段】本発明の含シルセスキオキサン化合物は、カゴ状シルセスキオキサン構造と、部分開裂型カゴ状シルセスキオキサン構造とを有する含シルセスキオキサン化合物であって、含シルセスキオキサン化合物中におけるカゴ状シルセスキオキサン構造と部分開裂型カゴ状シルセスキオキサン構造との間の比率がモル比で（カゴ状シルセスキオキサン構造）：（部分開裂型カゴ状シルセスキオキサン構造）＝１：９９〜９５：５であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】白金を用いることなくボラジン系モノマーとシロキサン系モノマーとを共重合させる方法を提供することを主たる課題とする。
【解決手段】第１のソースタンクにボラジン系化合物を装填し、第２のソースタンクにケイ素系化合物を装填し、これらの化合物を出発物質として、プラズマ重合法により絶縁膜を形成する。この場合において、前記第１及び第２のソースタンクから前記プラズマ重合法を実施する成膜装置に至る配管経路の一部又は全部に加熱手段を設けると共に、成膜装置に近づくほど高温となるように温度勾配を設けておくことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 低誘電率でしかも機械的強度の高く、平坦性の高い絶縁膜を形成できる有機無機複合体、その製造方法およびその複合体を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】 金属−酸素結合による架橋構造を有する有機無機複合体において、下記一般式（１）で示される化合物を有することを特徴とする有機無機複合体。


式中、Ｍは金属又はシリコン、Ｘは架橋に関与する−Ｏ−結合又はＯＨ基であり、Ｒ¹は炭素数８〜２０の炭素原子含有分子鎖基であり、Ｒ²はメチル、エチル、プロピル、又はフェニル基のいずれかの基を表し、ｎ１、ｎ２は０、１、または２のいずれかである。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも８０重量％の式Ｉ：［Ｙ_{０．０１−１．０}ＳｉＯ_{１．５−２}］_ａ［Ｚ_{０．０１−１．０}ＳｉＯ_{１．５−２}］_ｂ［Ｈ_{０．０１−１．０}ＳｉＯ_{１．５−２}］_ｃ［式中、Ｙはアリール、Ｚはアルケニル、ａは式Ｉの１５％−７０％、ｂは式Ｉの２％−５０％、ｃは式Ｉの２０％−８０％を表す］の化合物を含むオルガノシロキサンを提供する。本発明のオルガノシロキサンは、セラミックバインダー、高温カプセル化剤及び繊維マトリックス結合剤として使用し得る。本発明の組成物はまた別の材料と組合わせたときに優れた接着性を示すのでマイクロエレクトロニクス以外の用途またはマイクロエレクトロニクスの用途で接着促進剤として有用である。好ましくは本発明の組成物はマイクロエレクトロニクスの用途でエッチストップ、ハードマスク及び誘電体として使用される。 （もっと読む）

【課題】 低誘電率でかつクラック耐性、耐熱性、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）耐性に優れる、特に２．４以下の低い比誘電率を有する高信頼性の絶縁膜などの絶縁材料を形成可能な組成物を提供する。
【解決手段】 一般式（１）により表される化合物などの特定のケイ素含有化合物、その加水分解物、または縮合物を含有することを特徴とする絶縁膜形成用組成物及びそれを用いて形成される絶縁膜などの絶縁材料。
Ａ_nＳｉＸ_(4-n) （１）
式中、ｎは１〜３の自然数を表す。Ａは、置換基を有していても良い、炭素原子１１個以上で形成されるカゴ型構造を含有する基であり、Ｘは加水分解性基を表す。 （もっと読む）

例えば半導体素子などにおける層間絶縁膜として好適に用いることができ、かつ、比誘電率が小さく、機械的強度や密着性に優れ、均一な膜質を有する膜を形成することができるポリマーの製造方法、ポリマー、絶縁膜形成用組成物、絶縁膜の製造方法、および絶縁膜を提供する。
本発明のポリマーの製造方法は、（Ａ）ポリカルボシランの存在下、（Ｂ）加水分解性基含有シランモノマーを加水分解縮合することを含み、前記（Ａ）ポリカルボシランが、以下のポリマー（Ｉ）である。
（Ｉ）（ａ）下記一般式（１）で表される化合物と、（ｂ）下記一般式（２）で表される化合物および下記一般式（３）で表される化合物の群から選ばれた少なくとも１種とを、有機溶媒中でアルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方の存在下にて反応させて得られるポリマー（Ｉ）：
Ｒ^１_ｋＣＸ_４−ｋ ・・・・・（１）
Ｒ^２_ｋＳｉＹ_４−ｋ ・・・・・（２）
Ｒ^３_ｍＹ_３−ｍＳｉＣＲ^４_ｎＸ_３−ｎ ・・・・・（３）
（式中、Ｒ^１〜Ｒ^４は同一または異なり、それぞれ１価の有機基または水素原子を示し、Ｘはハロゲン原子を示し、Ｙはハロゲン原子またはアルコキシ基を示し、ｋは０〜３の整数を示し、ｍおよびｎは同一または異なり、０〜２の整数を示す。） （もっと読む）