【課題】高集積化および多層化が望まれている半導体素子などにおいて好適に用いることができ、貯蔵安定性に優れ、低比誘電率であり、かつ、機械的強度に優れた絶縁膜の形成に用いることができる絶縁膜形成用組成物、シリカ系膜およびその形成方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜形成用組成物は、下記一般式（１）で表される化合物および下記一般式（２）で表される化合物の群から選ばれた少なくとも１種のシラン化合物を加水分解縮合して得られたポリマーと、有機溶媒と、を含み、前記ポリマーはシラノール基を含み、前記シラノール基に含まれる水酸基の数が、前記ポリマー中のケイ素原子の数に対して７０〜１３０％である。
Ｓｉ（ＯＲ^１）_４ ・・・・・（１）
（式中、Ｒ^１は１価の有機基を示す。）
Ｒ^２_ａ（Ｒ^３Ｏ）_３−ａＳｉ−（Ｒ^６）_ｃ−Ｓｉ（ＯＲ^４）_３−ｂＲ^５_ｂ ・・・（２）
（式中、Ｒ^２〜Ｒ^５は同一または異なり、それぞれ１価の有機基を示し、ａおよびｂは同一または異なり、０〜１の数を示し、Ｒ^６は酸素原子、フェニレン基または−（ＣＨ_２）_ｍ−で表される基（ここで、ｍは１〜６の整数である。）を表し、ｃは０または１を示す。） （もっと読む）

【課題】露光及び現像により感光性組成物の硬化物からなるパターン膜を形成する際の現像性に優れており、さらにパターン膜上に金属配線が形成されている場合、金属の腐食を抑制できる感光性組成物、並びに該感光性組成物を用いたパターン膜の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＯＨ基及びオレフィン二重結合を有するシロキサンポリマーと、光ラジカル発生剤とを含む感光性組成物、並びに該感光性組成物を基板２上に塗工し、基板２上に感光性組成物層１を形成した後、感光性組成物層１を部分的に露光することにより、露光部１ａの感光性組成物層１を硬化させて、現像液に不溶にし、次に感光性組成物層１を現像液で現像することにより、未露光部１ｂの感光性組成物層１を除去し、感光性組成物の硬化物からなるパターン膜１Ａを形成するパターン膜１Ａの製造方法。 （もっと読む）

【課題】露光及び現像により感光性組成物の硬化物からなるパターン膜を形成する際の現像性に優れており、さらに現像液として比較的低濃度のアルカリ溶液を用いることができる感光性組成物、並びに該感光性組成物を用いたパターン膜の製造方法を提供する。
【解決手段】カルボキシル基を有するシロキサンポリマーと、光架橋剤とを含む感光性組成物、並びに該感光性組成物を基板２上に塗工し、基板２上に感光性組成物層１を形成した後、感光性組成物層１を部分的に露光することにより、露光部１ａの感光性組成物層１を硬化させて、現像液に不溶にし、次に感光性組成物層１を現像液で現像することにより、未露光部１ｂの感光性組成物層１を除去し、感光性組成物の硬化物からなるパターン膜１Ａを形成するパターン膜１Ａの製造方法。 （もっと読む）

【課題】高いスループットで微細パターンを形成することができるナノインプリント法に適用でき、しかもフッ素系ガスと酸素ガスとのエッチング速度の選択性が高い微細パターンを形成することができるヒドロシリル化反応物または該ヒドロシリル化反応物を含有する転写材料用硬化性組成物を提供する。また、ナノインプリントに用いられる射出成型樹脂スタンパーおよびフィルムスタンパーの微細なムラやパターン以外の微小な凹凸などの転写を抑えることができるヒドロシリル化反応物または該ヒドロシリル化反応物を含有する転写材料用硬化性組成物を提供する。
【解決手段】本発明のヒドロシリル化反応物は、Ｓｉ−Ｈ結合含有基を有する特定の篭状シルセスキオキサン化合物（Ａ）と、硬化性官能基及び該硬化性官能基以外の炭素−炭素不飽和結合含有基を有する化合物（Ｂ）と、炭素−炭素不飽和結合含有基を有する特定の篭状シルセスキオキサン化合物（Ｃ）とを反応させて得られることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 基材に対する密着性に優れるとともに、耐熱性、耐薬品性に優れた硬化物の得られる硬化性樹脂組成物を得る。
【解決手段】 本発明の硬化性樹脂組成物は、下記式（１）
【化１】


（式中、Ｒ^aは水素原子又は炭素数１〜７のアルキル基を示し、Ａは単結合又は２価の炭化水素基を示す。Ｒ^b、Ｒ^cは炭素数１〜６のアルキル基等を示し、Ｒ^dは炭素数１〜６のアルキル基を示す。ｘは０又は１であり、ｙは１〜１０の整数である）で表される一種又は複数種のアルコキシシリル基含有ビニル単量体ａのみをモノマー成分とする重合体Ａと、前記式（１）で表されるアルコキシシリル基含有ビニル単量体ａ、３〜５員の環状エーテル基を有するビニル単量体ｂ、及び側鎖にε−カプロラクトン開環重合鎖部を有するヒドロキシル基含有ビニル単量体ｃをモノマー成分として含有してなる共重合体Ｂとを含む。 （もっと読む）

【課題】レジスト材料、封止材料、積層材料、接着剤、粉体塗料等に好適な（メタ）アクリロイルオキシ基含有篭状シルセスキオキサン化合物およびその製造方法の提供する。
【解決手段】下式（Ｉ）で表される篭状シルセスキオキサン化合物を、末端二重結合を有するエポキシ化合物に１０〜２００℃で付加反応させ、次いで導入されたエポキシ基に（メタ）アクリル酸を６０〜１５０℃で反応させることにより得られる（メタ）アクリロイルオキシ基含有篭状シルセスキオキサン化合物。


（式中、Ｒ¹はそれぞれ独立して炭素原子数が１〜５のアルキル基を示す。） （もっと読む）

【課題】ポリシルセスキオキサン共重合体、その製造方法、これを利用するポリシルセスキオキサン共重合体薄膜、及びこれを利用する有機電界発光表示装置を提供。
【解決手段】アルコキシフェニルトリアルコキシシラン、アルコキシフェニルアルキルトリアルコキシシラン、アルコキシカルボニルフェニルトリアルコキシシラン及びアルコキシカルボニルフェニルアルキルトリアルコキシシランよりなる群から選択されたいずれか１つの単量体と、両端に反応サイトを有するα、ω−ビストリアルコキシシリル化合物単量体とを有機溶媒／水の混合溶媒の中で酸または塩基触媒を使用して共重合して製造されたポリシルセスキオキサン共重合体、その製造方法、これを利用したポリシルセスキオキサン共重合体薄膜、及びこれを利用した有機電界発光表示装置。 （もっと読む）

【課題】有機薄膜上での塗布時の濡れ性、ＵＶ−ｉ線での感光特性及び有機薄膜に対する接着性に優れ、低温硬化が可能である感光性ポリオルガノシロキサン組成物、これを用いたポリオルガノシロキサン硬化レリーフパターン及びその形成方法、並びに半導体装置及びその製造方法の提供。
【解決手段】（ａ）特定構造のシラノール化合物と特定構造のアルコキシシラン化合物とを、触媒の存在下で水添加を行うことなく重合させて得られるポリシロキサン１００質量部、（ｂ）光重合開始剤０．２〜２０質量部、（ｃ）非イオン性界面活性剤０．０１〜１０質量部、並びに（ｄ）アルコール性水酸基を有する化合物及びケトン化合物から選択される少なくとも１種の有機溶媒１０〜１５０質量部、を含む感光性ポリオルガノシロキサン組成物。 （もっと読む）

【課題】高性能多孔性絶縁膜として期待される誘電率、機械強度を満たし、化学的安定性に優れる多孔質膜を形成し得る有機酸化ケイ素系微粒子を提供する。
【解決手段】無機酸化ケイ素または有機酸化ケイ素を含んでなる内核と、前記内核の周囲に加水分解性シラン化合物を用いて塩基性触媒存在下で形成した有機酸化ケイ素を含んでなる外殻とを備える有機酸化ケイ素系微粒子であって、前記内核または外殻を構成するケイ素原子のうち、炭素原子と直接結ばれた結合を少なくとも１つ持つケイ素原子の数Ｔと、４つの結合が全て酸素原子と結ばれた結合であるケイ素原子の数Ｑの比Ｔ／Ｑの値が、内核よりも外殻の方が大きく、前記外殻形成用加水分解性シラン化合物が、炭素鎖を介して、または一部の炭素間に１つのケイ素を含有する炭素鎖を介して結合した、２つ以上の加水分解性基を有するケイ素を持つ加水分解性シラン化合物を含む有機酸化ケイ素系微粒子。 （もっと読む）

【課題】 金属配線の抵抗値の経時変化が小さく、金属配線の断線の原因となる膜収縮が小さい低誘電率シリカ系被膜を基材上に形成する。
【解決手段】 （ａ）基材上に特定のポリシラザンと、アルコールおよびアルコール以外の有機溶媒とを含んでなり、アルコールの重量（Ｗ_AL）とポリシラザンの固形分としての重量（Ｗ_PS）との重量比（Ｗ_AL）／（Ｗ_PS）が０．０００１〜０．００５の範囲にあるシリカ系被膜形成用塗布液を塗布する工程、および、（ｃ）次いで飽和水蒸気を供給しながら、過熱水蒸気の存在下、塗布膜を１８０〜４５０℃の温度条件下で加熱処理する工程、からなる。 （もっと読む）

【課題】高性能多孔性絶縁膜を得るために、期待される誘電率、機械強度を満たし、化学的安定性に優れる多孔質膜を形成できる有機酸化ケイ素微粒子等を提供する。
【解決手段】無機酸化ケイ素、又はケイ素原子に直接結合した炭素原子を有する有機基を含有する第１有機酸化ケイ素からなる内核と、内核の外周に、ケイ素原子に直接結合した炭素原子を有する有機基を含有する有機基含有加水分解性シラン、又は有機基含有加水分解性シランと前記有機基を含有しない有機基非含有加水分解性シランの混合物からなる外殻形成用成分を塩基触媒の存在下で加水分解性縮合して得られる、第１有機酸化ケイ素とは異なる第２有機酸化ケイ素からなる外殻とを備えてなる有機酸化ケイ素微粒子であって、全炭素原子数［Ｃ］と全ケイ素原子数［Ｓｉ］との比［Ｃ］／［Ｓｉ］が、内核では０以上１未満であり、外殻では１以上である有機酸化ケイ素微粒子を提供する。 （もっと読む）

【課題】フォトグラフィにおいて反射防止層として使用するための吸光性スピンオングラス材料、およびそのスピンオングラス材料の製造方法を提供。
【解決手段】スピンオングラス材料は、（ａ）強吸収性化合物；（ｂ）良好な離脱基を有する少なくとも１種のシラン；および（ｃ）（ｂ）とは異なる、良好な離脱基を有する少なくとも１種のシラン化合物を重合して得られたシロキサン重合体から成り、（ａ）対（ｂ）対（ｃ）の比およびシロキサン重合体の吸光係数ｋ値について凹形／凸形である関係を示すか、または凹形／凸形関係で囲まれた領域の中に位置せしめられる上記のシロキサン重合体族である。 （もっと読む）

【課題】金または銀を含む金属電極に対して優れた接着性を有する半導体用硬化性シリコーン組成物及びそれを用いた高信頼性の半導体装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）１分子中にアルケニル基を２個以上有するポリオルガノシロキサン、（Ｂ）１分子中にケイ素原子に結合した水素原子を２個以上有するオルガノシロキサンオリゴマーと少なくとも１個のアルケニル基を有するイソシアヌレート化合物との反応生成物を含むポリオルガノハイドロジェンシロキサン、および（Ｃ）ヒドロシリル化反応触媒及び／又はラジカル開始剤を含有し、（Ｂ）成分の配合量が、前記（Ａ）成分のアルケニル基１モルに対して、ケイ素原子に結合した水素原子が０．０１〜３．０モルとなる量（但し、前記オルガノシロキサンオリゴマーとイソシアヌレートとの反応生成物の配合量が０．０１〜１．５モルとなる量）である。 （もっと読む）

【課題】 埋め込み性に優れ、かつ凹凸の緩和にも優れ、機械強度の高い電子部品を得るための塗布型シリカ系被膜形成用組成物、シリカ系被膜の形成方法及びシリカ系被膜を有する電子部品を提供する。
【解決手段】 （ａ）ＳｉＸ_４（Ｘは、加水分解性基を示し、同一でも異なっていてもよい）を加水分解重縮合して得られるシロキサン樹脂、
（ｂ）熱分解又は揮発する熱分解揮発性化合物であって、ポリオキシプロピレン単位を有する化合物、
（ｃ）前記（ａ）及び（ｂ）成分を共に溶解できる溶媒
からなる塗布型シリカ系被膜形成用組成物であって、（ｂ）成分の配合割合が（ａ）成分のシロキサン樹脂重量に対して３〜１５重量％である塗布型シリカ系被膜形成用組成物、シリカ系被膜の形成方法及びシリカ系被膜を有する電子部品。 （もっと読む）

【課題】 耐光性（特に耐紫外線性）及び密着性に優れると共に、十分な耐熱性・耐水熱性及び成膜性を有し、さらに硬化する際に発泡が少なく、長期間使用してもクラックや剥離、着色、発泡を生じない硬化性ポリシロキサン組成物を提供する。
【解決手段】 特定のヒドロシリル基含有ポリシロキサン化合物、特定のシラノール基を一分子中に２個以上含有するポリシロキサン化合物、並びに、脱水素縮合反応触媒を含むことを特徴とする硬化性ポリシロキサン組成物。 （もっと読む）

【課題】耐熱性に優れ、且つ有機溶媒に可溶で、加工性、機械強度、基板密着性に優れ、絶縁材料、半導体用低誘電率材料、気体分離膜、電子デバイス封止剤、建設用シーリング材料などに用いることが可能な含珪素化合物を提供する。
【解決手段】式（１）で示される可溶性低誘電率含珪素化合物。またはその可溶性低誘電率含珪素共重合体。さらに、これらを含んでなる低誘電率層間絶縁膜。
（もっと読む）

【課題】低比誘電率であり、かつ機械的強度に優れたシリカ系膜およびその製造方法、ならびにシリカ系膜の形成に用いられる絶縁膜形成用組成物の提供。
【解決手段】本発明の一態様に係る絶縁膜形成用組成物は、下記一般式（１）で表される化合物の少なくとも１つと、下記一般式（２）で表される化合物と、下記一般式（３）で表される化合物とをアルカリ触媒を用いて加水分解縮合して得られた加水分解縮合物と、有機溶媒と、を含む。


（式中、Ｒ^１〜Ｒ^８は、同一または異なり、アルキル基を示し、Ｘは、ビニル成分を有する基を示す。）・・・（１）Ｒ^９_a（Ｒ^１０Ｏ）_３−aＳｉ−（Ｒ^１３）_c−Ｓｉ（ＯＲ^１１）_３−bＲ^１２_b・・・（２）Ｒ^１４_ｄＳｉ（ＯＲ^１５）_４−ｄ・・・（３） （もっと読む）

【課題】低温で形成でき、耐熱性に優れるとともに、プラズマディスプレイの軽量化を成し得る、低誘電性熱硬化性樹脂を提供する。
【解決手段】化合物（１）と化合物（２）とを、（１）：（２）＝７０：３０〜９０：１０（モル比）で加水分解反応させてなる分子量が１００００以上の熱硬化性樹脂。


（もっと読む）

【課題】新規なネガレジスト材料を提供する。
【解決手段】式（I）で示される重合体。


式（Ｉ）中、Ｒは、Ｃ１〜４０のアルキル基、（置換）アリール基、又は（置換）アリールアルキル基であり、Ｒ^２は単結合、Ｃ１〜４０のアルキレン基、又は（置換）アリーレン基であり、Ｒ^３はＣ１〜８のアルキル基、又は少なくとも一つの水素が−ＯＲ^４もしくは水酸基で置換されたフェニル基であり、ｎは２以上の整数である。 （もっと読む）

本発明は、新規なグアニジン構造を有する化合物に関し、特にシリル化グアニジン構造を有する非毒性化合物に関する。 （もっと読む）