【課題】粗大粒子が少なく、かつ、硬化性が良好なポリカルボシラン、前記ポリカルボシランを含む塗布用シリカ系組成物、および前記塗布用シリカ系組成物を用いて形成されたシリカ系膜を提供する。
【解決手段】ケイ素原子と炭素原子とが交互に連続してなる主鎖を有するポリマーで、重量平均分子量が３００〜１，０００，０００であり、有機溶媒に可溶であるポリカルボシラン。該ポリカルボシランおよび有機溶剤を含有する塗布用シリカ系組成物、並びに、該塗布用シリカ系組成物から形成したシリカ系膜。 （もっと読む）

【課題】耐熱性およびレジスト塗布性に優れた低屈折率の透明硬化膜を形成する樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】（ａ）少なくとも一般式（１）で表されるフッ素含有シラン化合物および一般式（２）で表されるエポキシ基含有シラン化合物を共重合成分とするフッ素含有シロキサンポリマーを含有することを特徴とする熱硬化性樹脂組成物。Ｒ^１_ｍＳｉ（ＯＲ^２）_４−ｍ （１）（ただし、Ｒ^１はフッ素数３〜１７のフルオロアルキル基を表す。）Ｒ^３_ｎＳｉ（ＯＲ^４）_４−ｎ （２）（ただし、Ｒ^３は水素原子の一部がエポキシ基で置換されたアルキル基を表す。） （もっと読む）

【課題】低誘電率を維持しつつより一層高い機械的強度を達成することが可能な膜を形成できる有機無機複合体、その有機無機複合体からなる膜、及びその膜を用いた半導体装置の各製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による有機無機複合体の製造方法は、下記式（１）；


で表される架橋性化合物を加水分解及び脱水縮合させて有機無機複合体を形成する方法である。式中、Ｍはケイ素原子等を示し、Ｘは架橋に関与する−Ｏ−結合等を示し、Ｒ¹は非末端部に環状炭化水素又はその誘導体を含む二価の基を示し、Ｒ²はメチル基等を示し、ｎ１，ｎ２は０〜２の整数を示す。 （もっと読む）

【課題】膜中の非架橋部位が低減されて十分に低い誘電率を呈する膜を形成できる有機無機複合体、その有機無機複合体からなる膜、及びその膜を用いた半導体装置の各製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による有機無機複合体の製造方法は、第一調製工程で調製した特定の架橋性化合物を含む前駆体Ａと、第二調製工程で調整した酸触媒を含む前駆体Ｂとを混合工程で混合して、特定の架橋性化合物を加水分解させた後、複合体形成工程において、その加水分解物にアルカリ触媒を加え、その加水分解物を縮合させて有機無機複合体を形成する方法である。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子などにおける層間絶縁膜として使用するのに適した、均一な厚さを有するシリコーン系膜が形成可能な、しかも、誘電率特性、膜強度、ＣＭＰ耐性に優れた膜を形成できる膜形成用組成物、該組成物から形成される絶縁膜、および、その製造方法を提供する。
【解決手段】 特定の環状シラン化合物およびシリコン系界面活性剤を含むことを特徴とする膜形成用組成物、該組成物を用いた絶縁膜の製造方法、および、該絶縁膜。 （もっと読む）

【課題】半導体素子などにおける層間絶縁膜として使用するのに適した、面状が良好なシリコーン系膜が形成可能な、しかも誘電率特性、膜強度に優れた膜を形成できる組成物、該組成物から形成される絶縁膜、および、その製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ケイ素含有化合物の加水分解物およびその部分縮合物の少なくともいずれか、有機溶媒、ＳＰ値１２以上の溶媒を含有する膜形成用組成物であって、ＳＰ値１２以上の溶媒の量が該膜形成用組成物中０．１質量％以上２０質量％未満の範囲であることを特徴とする膜形成用組成物、該組成物から形成される絶縁膜、および、その製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】感光性を有し、架橋剤を含有させずとも、アルカリ現象可能な感光性組成物を提供する。
【解決手段】下記の一般式（１）で表わされる構造を有し、Ｒ₁₁〜Ｒ_1nの内１つがＨであり、残りが有機基である１種のポリマー（Ａ１）を含むシリコン含有ポリマーと、活性光線もしくは放射線の放射により、酸または塩基を発生する化合物とを含むシリコン含有感光性組成物。
（もっと読む）

【課題】 均一に塗膜形成可能な組成物、良好な面状を有し、低誘電率である絶縁膜および該絶縁膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 一般式（１）により表される化合物、その加水分解物、及び／または、それらの縮合物、及び、溶媒を含有し、全溶媒中、沸点が８５℃〜２５０℃の有機溶剤が２５質量％以上占めることを特徴とする絶縁膜形成用組成物、該組成物を用いた絶縁膜の製造方法及び該絶縁膜。
【化１】


式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃及びＲ₄は、各々独立に、水素原子または置換基である。ただし、Ｒ₁及びＲ₂のうち少なくとも１つは加水分解性基を表す。Ｘ₁は炭素原子またはケイ素原子を表す。Ｌ₁は２価の連結基を表す。ｍは０または１を表し、ｍが０の場合ｎは３〜５の整数を表し、ｍが１の場合ｎは２〜３の整数を表す。 （もっと読む）

【課題】半導体素子などにおける層間絶縁膜として使用するのに適し、均一な厚さに形成可能で、しかも誘電率特性、膜強度に優れた絶縁膜、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】式（I）で表される化合物、および、ビニル基またはエチニル基を分子内に計２個以上有する化合物、または、それらの重合物を含む膜形成用組成物、絶縁膜、およびその製造方法。


式（I）中、Ｒ¹，Ｒ²はそれぞれ独立にＨまたは置換基、複数個のＲ¹，Ｒ²両者の置換基のうち１つは（Ｒ³）₃−Ｓｉ−Ｏ−で表される基。ｍは４〜３０を表す。Ｒ³はＨまたは置換基。複数個のＲ¹〜Ｒ³のうち、少なくとも２つはＨを表す。Ｒ¹〜Ｒ³は水酸基および加水分解性基を表さない。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子などに用いられる層間絶縁膜として使用するのに適した、適当な均一な厚さを有するシリコーン系膜が形成可能であり、かつ誘電率特性、膜強度に優れた膜形成用組成物、絶縁膜、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 下記一般式（Ｉ）で表される化合物またはその重合物を含む膜形成用組成物、絶縁膜、およびその製造方法
【化１】


一般式（I）中、
Ｒ¹およびＲ²は各々独立に水素原子または置換基を表し、複数個存在するＲ¹およびＲ²のうち少なくとも１つは一般式（II）で表される基を表す。
ｍは４〜３０の整数を表す。
（Ｒ³）₃−Ｓｉ−Ｏ− (II)
一般式（II）中、Ｒ³は水素原子または置換基を表す。
複数個存在するＲ¹〜Ｒ³のうち、少なくとも１つは重合性基を表す。
ただし、Ｒ¹〜Ｒ³は水酸基および加水分解性基を表さない。 （もっと読む）

【課題】より高い配向秩序を有する有機半導体膜を、より簡便且つ効率よく形成できる有機半導体装置形成用基板、この基板を用いる有機半導体装置、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、該基板上に形成されたゲート電極と、該ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成された有機薄膜とを有する有機半導体装置製造用基板であって、前記有機薄膜が、式（１）：Ｒ_ｎ−Ｓｉ−Ｘ_４−ｎ（式中、Ｒは置換基を有していてもよいＣ１〜２０の炭化水素基等を、Ｘは水酸基等を、ｎは１〜３の整数を表す。）で示されるシラン系界面活性剤、及び該シラン系界面活性剤と相互作用し得る触媒を含む有機薄膜形成用溶液から形成された有機薄膜であることを特徴とする有機半導体装置製造用基板、この基板に、ソース電極、ドレイン電極、半導体膜および保護膜を有する有機半導体装置、並びにこの有機半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】耐熱性、低誘電性に優れた新規な可溶性のポリヘドラルシルセスキオキサンを提供し、そのポリヘドラルシルセスキオキサンによって形成された膜により、所要の透明性、耐熱性、表面硬度、密着性を満たすとともに、リワーク性に優れ、また下地基板上に形成されたカラーフィルターの段差を平坦化する性能に優れた光デバイス用保護膜を形成しうる硬化性樹脂組成物、該組成物から形成された保護膜、ならびに該保護膜の形成方法を提供する。
【解決手段】下記式（１）で表されるポリヘドラルオルガノシルセスキオキサン、およびこれより得られる膜
【化１】


〔式（１）中、RPｈ基はRで置換されたフェニル基を表し、Ｒは炭素数１〜２０のアルキル基、あるいは、オリゴジメチルシロキサニル基などのオリゴシロキサニル基を表す。〕 （もっと読む）

【課題】半導体素子等の絶縁膜材料として、ＰＣＴ後の誘電特性、ＰＣＴ後のＣＭＰ耐性、ＰＣＴ後の基板との密着性に優れた膜が形成可能な組成物を提供する。
【解決手段】組成物は、（Ａ）下記式（１）、（２）中の少なくとも１種の化合物を水酸化テトラアルキルアンモニウムと水で加水分解、縮合した慣性半径が５〜５０ｎｍの物 Ｒ_ａＳｉ（ＯＲ^１）_４−ａ ・・・・・（１） （式中、Ｒは水素原子、フッ素原子または１価の有機基、Ｒ^１は１価の有機基、ａは０〜２の整数を示す。） Ｒ^３_ｂ（Ｒ^４Ｏ）_３−ｂＳｉ−（Ｒ^７）_ｄ−Ｓｉ（Ｏ^５）_３−ｃＲ^６_ｃ ・・（２） 〔式中、Ｒ^３〜Ｒ^６は同一または異なり、それぞれ１価の有機基、ｂおよびｃは同一または異なり、０〜２の数を示し、Ｒ^７は酸素原子、フェニレン基または−（ＣＨ_２）_ｎ−で表される基（ここで、ｎは１〜６の整数である）、ｄは０または１を示す。〕ならびに（Ｂ）有機溶媒を含有することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明のアルカリ可溶性珪素含有高分子化合物は、下記の式で表され、重量平均分子量が５００〜５００，０００である。


式中、Ａ^１は水酸基を有するか若しくはアルコキシ基を有するフェニル基、Ｒ^１は炭素数１〜４のアルキレン基、ｍは０又は１、Ｒ^２は炭素数１〜４のアルキル基、ｓ及びｕは正の数であり、ｔは０又は正の数であって、０≦ｔ／（ｓ＋ｕ）≦１ 且つ ０＜ｕ／ｓ≦５ である。
（もっと読む）

【課題】 優れた機械的強度を備え、かつ非常に低い誘電率を安定的に示し、各種の薬剤に対する耐薬品性を兼ね備えた多孔質シリカ質膜を簡便に製造することができるコーティング組成物とそれを用いたシリカ質材料の製造法の提供。
【解決手段】 ポリアルキルシラザン化合物、アセトキシシラン化合物、有機溶媒、および必要に応じて多孔質化材、を含んでなるコーティング組成物、そのコーティング組成物を焼成することにより得られたシリカ質材料、ならびにその製造法。 （もっと読む）

【課題】 誘電率が低く、厚膜を形成することができるＴＦＴ層間絶縁膜材料を提供すること。
【解決手段】 カゴ状シルセスキオキサン化合物を含有することを特徴とする薄膜トランジスタ用層間絶縁膜材料。 （もっと読む）

2種の異なるジハロシランおよび1種のトリハロシランの混合物を、有機液体媒体中でアルカリ金属カップリング剤と反応させることによって、分岐状ポリシランコポリマーがウルツ型カップリング反応経由で調製される。この分岐状ポリシランコポリマーは、反応混合物から回収される。キャッピングされた分岐状ポリシランコポリマーは、この反応混合物へのキャッピング剤の添加によって、同じウルツ型カップリング反応経由で調製される。キャッピング剤は、モノハロシラン、モノアルコキシシラン、ジアルコキシシラン、またはトリアルコキシシランである。分岐状ポリシランコポリマーおよびキャッピングされた分岐状ポリシランコポリマーは、有機液体媒体に可溶性である。 （もっと読む）

【課題】 取扱作業性が優れ、迅速に硬化して、熱伝導性、可撓性、接着性、および難燃性が優れる硬化物を形成する硬化性シリコーン組成物、および熱伝導性、可撓性、および難燃性が優れる硬化物を提供する。
【解決手段】 （Ａ）平均単位式：(Ｒ¹₃ＳiＯ_1/2)_a(Ｒ²₂ＳiＯ_2/2)_b(Ｒ³ＳiＯ_3/2)_c(ＳiＯ_4/2)_d｛式中、Ｒ¹、Ｒ²、およびＲ³は同じかまたは異なる、置換もしくは非置換の一価炭化水素基またはエポキシ基含有一価有機基（但し、Ｒ³の２０モル％以上はアリール基）であり、ａ、ｂ、ｃ、およびｄはそれぞれ、０≦ａ≦０.８、０≦ｂ≦０.８、０.２≦ｃ≦０.９、０≦ｄ＜０.８、かつａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１を満たす数である。｝で表され、一分子中に少なくとも２個の前記エポキシ基含有一価有機基を有するオルガノポリシロキサン、（Ｂ）エポキシ基と反応性の基を有する化合物、（Ｃ）硬化促進剤、および（Ｄ）熱伝導性充填剤から少なくともなる硬化性シリコーン組成物。 （もっと読む）

【解決手段】 （Ａ）下記平均組成式（１）
（Ｒ¹ＳｉＯ_3/2）_a（Ｒ²Ｒ³ＳｉＯ）_b（Ｒ⁴Ｒ⁵Ｒ⁶ＳｉＯ_1/2）_c（ＳｉＯ_4/2）_d （１）
（Ｒ¹〜Ｒ⁶は一価炭化水素基で１〜５０モル％は非共有結合性二重結合含有基、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝Ｘ＝１．０、ａ／Ｘ＝０．４０〜０．９５、ｂ／Ｘ＝０．０５〜０．６０、ｃ／Ｘ＝０〜０．０５、ｄ／Ｘ＝０〜０．１０）
で示されるオルガノポリシロキサンを含有する、非共有結合性二重結合基を有する有機ケイ素化合物、
（Ｂ）オルガノハイドロジェンポリシロキサン、
（Ｃ）白金系触媒
を必須成分とする付加硬化型シリコーン樹脂組成物において、（Ａ）及び（Ｂ）成分のオルガノポリシロキサンがシラノールを含有しない光半導体素子封止用樹脂組成物。
【効果】 本発明の樹脂組成物は、高透明、高硬度、金属への腐食性がなく、樹脂の保存安定性に優れるため、光半導体封止材料に有効である。 （もっと読む）

【課題】半導体素子などにおける層間絶縁膜として使用するのに適した、適当な均一な厚さを有するシリコーン系膜が形成可能な、しかも誘電率特性、膜強度に優れた組成物、絶縁膜、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】一般式（Ｉ）で表される化合物、その加水分解物またはそれらの縮合
物を含む組成物。
【化１】


式中、Ｒ¹は水素原子または置換基である。Ｒ²は水素原子、アルキル基、アリール基、アシル基、アリールカルボニル基、４級アンモニウム原子を有する基または金属原子である。ｍは６〜３０の整数を表す。 （もっと読む）